JPH08250574A - 半導体ダイピックアップ用真空コレット - Google Patents
半導体ダイピックアップ用真空コレットInfo
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- JPH08250574A JPH08250574A JP31111595A JP31111595A JPH08250574A JP H08250574 A JPH08250574 A JP H08250574A JP 31111595 A JP31111595 A JP 31111595A JP 31111595 A JP31111595 A JP 31111595A JP H08250574 A JPH08250574 A JP H08250574A
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25B—TOOLS OR BENCH DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, FOR FASTENING, CONNECTING, DISENGAGING OR HOLDING
- B25B11/00—Work holders not covered by any preceding group in the subclass, e.g. magnetic work holders, vacuum work holders
- B25B11/005—Vacuum work holders
- B25B11/007—Vacuum work holders portable, e.g. handheld
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
- H05K13/04—Mounting of components, e.g. of leadless components
- H05K13/0404—Pick-and-place heads or apparatus, e.g. with jaws
- H05K13/0408—Incorporating a pick-up tool
- H05K13/0409—Sucking devices
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ダイ（１１）をピックアップするため
の真空コレット（１０）を得る。 【解決手段】 プレート（１２）は真空チューブ（１
５）と下方へ広がるスカート（１９）とを有する。スカ
ート（１９）がダイの周囲に接触する。真空がプレート
とダイとの間のスカートの内部に設置されたバッフル
（１６）によって半導体ダイの周囲へ分配される。
の真空コレット（１０）を得る。 【解決手段】 プレート（１２）は真空チューブ（１
５）と下方へ広がるスカート（１９）とを有する。スカ
ート（１９）がダイの周囲に接触する。真空がプレート
とダイとの間のスカートの内部に設置されたバッフル
（１６）によって半導体ダイの周囲へ分配される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般的に半導体プロ
セスに関するものであって、更に詳細には、真空を用い
て半導体ダイをピックアップするための方法と装置とに
関する。
セスに関するものであって、更に詳細には、真空を用い
て半導体ダイをピックアップするための方法と装置とに
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体および半導体プロセス技術
を利用して”マイクロメカニカル”デバイスを形成する
ことが行われるようになった。マイクロメカニカルデバ
イスの例としては、数多くの機械的なデバイスの他に、
加速度計、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭ
Ｄ）、ギア、モーター、およびポンプが含まれる。
を利用して”マイクロメカニカル”デバイスを形成する
ことが行われるようになった。マイクロメカニカルデバ
イスの例としては、数多くの機械的なデバイスの他に、
加速度計、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭ
Ｄ）、ギア、モーター、およびポンプが含まれる。
【０００３】例えば、ＤＭＤの場合には、小さな傾くこ
とのできるミラーを数百または数千個含むアレイが作製
される。ミラーが傾くことができるように、各ミラーは
支柱の上に搭載された１個または複数個のヒンジへ取り
付けられており、下方の制御回路の上方に空隙を介して
設置されるようになっている。制御回路は静電的な力を
供給し、その力で以て各ミラーが選択的に傾くことがで
きるようになっている。ＤＭＤの例は、ここに参考のた
めに引用する米国特許第４，６６２，７４６号”空間光
変調器およびその方法（Ｓｐａｔｉａｌ Ｌｉｇｈｔ
Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ）”に開示
されている。
とのできるミラーを数百または数千個含むアレイが作製
される。ミラーが傾くことができるように、各ミラーは
支柱の上に搭載された１個または複数個のヒンジへ取り
付けられており、下方の制御回路の上方に空隙を介して
設置されるようになっている。制御回路は静電的な力を
供給し、その力で以て各ミラーが選択的に傾くことがで
きるようになっている。ＤＭＤの例は、ここに参考のた
めに引用する米国特許第４，６６２，７４６号”空間光
変調器およびその方法（Ｓｐａｔｉａｌ Ｌｉｇｈｔ
Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ）”に開示
されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】”マイクロメカニカ
ル”という用語に表されているように、マイクロメカニ
カルデバイスは動くことができるように設計された小型
の機械的要素を有する。しかし、それらの可動要素は繊
細であり、製造工程においてそれらを損傷しないように
注意を払う必要がある。１つの危険は塵などの空気中の
不純物から生ずる。それらが可動要素の上に付着して、
可動要素の動きを妨げたり禁止したりする可能性があ
る。別の１つの危険はそれら要素の表面における気流か
ら生ずる。気流はそれらの要素を破壊点または移動範囲
を越えて動かす可能性がある。従って、そのような要素
の製造工程において、空気中の汚染物質および気流を減
らすように製造環境を制御する試みがなされている。
ル”という用語に表されているように、マイクロメカニ
カルデバイスは動くことができるように設計された小型
の機械的要素を有する。しかし、それらの可動要素は繊
細であり、製造工程においてそれらを損傷しないように
注意を払う必要がある。１つの危険は塵などの空気中の
不純物から生ずる。それらが可動要素の上に付着して、
可動要素の動きを妨げたり禁止したりする可能性があ
る。別の１つの危険はそれら要素の表面における気流か
ら生ずる。気流はそれらの要素を破壊点または移動範囲
を越えて動かす可能性がある。従って、そのような要素
の製造工程において、空気中の汚染物質および気流を減
らすように製造環境を制御する試みがなされている。
【０００５】典型的な製造プロセスにおいては、マイク
ロメカニカルデバイスおよびそれに付随する回路は半導
体ウエハ上へ形成される。同一回路のコピーが、”ダ
イ”として、１枚のウエハの異なるエリアに形成され
る。製造工程が完了した後に、ダイは互いに切り離され
る。それらのダイは次に真空装置で以てピックアップさ
れ、パッケージ処理工程へ送られる。
ロメカニカルデバイスおよびそれに付随する回路は半導
体ウエハ上へ形成される。同一回路のコピーが、”ダ
イ”として、１枚のウエハの異なるエリアに形成され
る。製造工程が完了した後に、ダイは互いに切り離され
る。それらのダイは次に真空装置で以てピックアップさ
れ、パッケージ処理工程へ送られる。
【０００６】既存の製造プロセスでは、真空で以てダイ
をピックアップするこの工程は、ダイの表面にかなりの
気流あるいは吸い込み気流をもたらし、マイクロメカニ
カル要素に対して損傷を与える。そのような損傷を減ら
すために、従来のシステムでは真空の圧力を下げること
を行っているが、そのためにピックアップの効率が低下
し、いくつかのダイを落としてしまうこともある。ま
た、ダイを移動させるために機械的な”グラバー（ｇｒ
ａｂｂｅｒ）”を使用する試みもなされている。そのよ
うな機械的なシステムは気流を減らすことはできるもの
の、複雑で保守が困難である。
をピックアップするこの工程は、ダイの表面にかなりの
気流あるいは吸い込み気流をもたらし、マイクロメカニ
カル要素に対して損傷を与える。そのような損傷を減ら
すために、従来のシステムでは真空の圧力を下げること
を行っているが、そのためにピックアップの効率が低下
し、いくつかのダイを落としてしまうこともある。ま
た、ダイを移動させるために機械的な”グラバー（ｇｒ
ａｂｂｅｒ）”を使用する試みもなされている。そのよ
うな機械的なシステムは気流を減らすことはできるもの
の、複雑で保守が困難である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の１つの態様は、
半導体ダイをピックアップするための真空コレット（ｃ
ｏｌｌｅｔ）である。本コレットは空気を吸い出すこと
のできる真空ポートを有するプレートを含んでいる。プ
レートからスカートが広がっており、それがダイ周囲の
回りにおいてダイに接触する。プレートとダイとの間に
バッフルが挿入されて真空を分配しており、それによっ
て真空が本質的にダイ周囲から空気を吸い出すようにな
っている。
半導体ダイをピックアップするための真空コレット（ｃ
ｏｌｌｅｔ）である。本コレットは空気を吸い出すこと
のできる真空ポートを有するプレートを含んでいる。プ
レートからスカートが広がっており、それがダイ周囲の
回りにおいてダイに接触する。プレートとダイとの間に
バッフルが挿入されて真空を分配しており、それによっ
て真空が本質的にダイ周囲から空気を吸い出すようにな
っている。
【０００８】本発明の特長は、気流によって損傷を被る
ような表面構造を有するダイの真空ピックアップを可能
にするということである。気流はダイの表面に対してで
なくダイ周囲に分布するので、信頼性の高いピックアッ
プを実現できるように十分大きな気流にしても大丈夫で
ある。このように、ダイ表面の気流を減らすか無くする
ことができ、従って、ダイ表面の繊細な要素に対する損
傷を回避することができる。
ような表面構造を有するダイの真空ピックアップを可能
にするということである。気流はダイの表面に対してで
なくダイ周囲に分布するので、信頼性の高いピックアッ
プを実現できるように十分大きな気流にしても大丈夫で
ある。このように、ダイ表面の気流を減らすか無くする
ことができ、従って、ダイ表面の繊細な要素に対する損
傷を回避することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１および図２は、本発明に従う
半導体ダイ１１ピックアップ用の真空コレット１０の１
つの実施例を示している。ここで”コレット”という用
語はダイのピックアップに用いられる真空装置の吸い込
み口のための付属品を意味する。更に詳細には、コレッ
ト１０は真空を供給する装置に取り付けられて、半導体
製造プロセスの流れに適した制御を与えられる。典型的
には、コレット１０は、ダイ１１をピックアップして、
ダイパッケージングのような別のプロセス工程へ運び、
あるいはダイをダイパッケージ中へ設置するように制御
される。
半導体ダイ１１ピックアップ用の真空コレット１０の１
つの実施例を示している。ここで”コレット”という用
語はダイのピックアップに用いられる真空装置の吸い込
み口のための付属品を意味する。更に詳細には、コレッ
ト１０は真空を供給する装置に取り付けられて、半導体
製造プロセスの流れに適した制御を与えられる。典型的
には、コレット１０は、ダイ１１をピックアップして、
ダイパッケージングのような別のプロセス工程へ運び、
あるいはダイをダイパッケージ中へ設置するように制御
される。
【００１０】ダイ１１は表面１１ａを有し、その上には
気流に敏感な要素が作製されている。そのようなダイ１
１の１例は既に始めに述べたデジタルマイクロミラーデ
バイス（ＤＭＤ）である。本発明に従えば、コレット１
０あるいはその代替え実施例は、さもなければピックア
ップ時の気流によって損傷を被るダイ表面１１ａへの損
傷を避けるように設計されている。
気流に敏感な要素が作製されている。そのようなダイ１
１の１例は既に始めに述べたデジタルマイクロミラーデ
バイス（ＤＭＤ）である。本発明に従えば、コレット１
０あるいはその代替え実施例は、さもなければピックア
ップ時の気流によって損傷を被るダイ表面１１ａへの損
傷を避けるように設計されている。
【００１１】コレット１０はプレート１２、バッフル１
６、およびスカート１９を含んでいる。プレート１２は
真空ポート１５を有する。スカート１９はプレート１２
から下方へ広がって、プレート１２とともにコレット１
０動作中の真空チェンバーを構成する。コレット１０の
動作中には、一般的にスカート１９がダイ１１の周囲に
接触するようになる。このようにするため、スカート１
９は一般にダイ１１周囲に対応するような形状を有して
おり、それによってスカート１９とダイ１１との間で本
質的な気密構造を形成する。
６、およびスカート１９を含んでいる。プレート１２は
真空ポート１５を有する。スカート１９はプレート１２
から下方へ広がって、プレート１２とともにコレット１
０動作中の真空チェンバーを構成する。コレット１０の
動作中には、一般的にスカート１９がダイ１１の周囲に
接触するようになる。このようにするため、スカート１
９は一般にダイ１１周囲に対応するような形状を有して
おり、それによってスカート１９とダイ１１との間で本
質的な気密構造を形成する。
【００１２】バッフル１６はプレート１２とダイ表面１
１ａとの間の、スカート１９の内側に設置されている。
図２に示されたように、バッフル１６はスカート１９内
部のエリアよりもわずかに小さい面積を有する。このこ
とが、バッフル１６がスカート１９から離れ、それとス
カート１９との間に空気が吸い出される隙間を残すこと
を許容している。バッフル１６はプレート１２に対して
スタンドオフ１７で以て取り付けられる。
１ａとの間の、スカート１９の内側に設置されている。
図２に示されたように、バッフル１６はスカート１９内
部のエリアよりもわずかに小さい面積を有する。このこ
とが、バッフル１６がスカート１９から離れ、それとス
カート１９との間に空気が吸い出される隙間を残すこと
を許容している。バッフル１６はプレート１２に対して
スタンドオフ１７で以て取り付けられる。
【００１３】動作時には、真空ポート１５を通して分配
される真空を利用して、コレット１０はダイ１１をピッ
クアップする。バッフル１６は負の空気圧によって引き
起こされる気流からダイ１１の表面を保護する。空気は
バッフル１６の回りを通過しなければならないため、空
気はダイ表面１１ａから吸い上げられるのではなく、ダ
イ１１の周囲から吸い出される。このようにすること
で、ダイ表面１１ａにおける気流は大幅に減らすことが
できるか、あるいは全く無くすることができる。従っ
て、ダイ表面１１ａ上にある敏感な要素は気流によって
乱されることなく、あるいは破壊されることがない。
される真空を利用して、コレット１０はダイ１１をピッ
クアップする。バッフル１６は負の空気圧によって引き
起こされる気流からダイ１１の表面を保護する。空気は
バッフル１６の回りを通過しなければならないため、空
気はダイ表面１１ａから吸い上げられるのではなく、ダ
イ１１の周囲から吸い出される。このようにすること
で、ダイ表面１１ａにおける気流は大幅に減らすことが
できるか、あるいは全く無くすることができる。従っ
て、ダイ表面１１ａ上にある敏感な要素は気流によって
乱されることなく、あるいは破壊されることがない。
【００１４】図１および図２の実施例は一例に過ぎない
ことを理解されたい。各要素の配置や構造は１つの例で
あって、本発明の意図するスコープから外れることなし
にその他の配置、構造が可能である。例えば、図１およ
び図２ではバッフル１６がプレート１２に対しスタンド
オフ１７で以て取り付けられているとしている。スタン
ドオフ１７の場所や形状は変えることができるし、スタ
ンドオフ以外の取り付け手段を使用することもできる。
更に、後に述べるように、プレート１２またはスカート
１９に対して別のバッフル実施例を取り付けることがで
き、あるいはバッフルをプレート１２またはスカート１
９と一体物とすることもできる。同様に、プレート１２
はその中心を通る真空ポート１５を有するように示され
ている。しかし、この真空ポート１５はプレート１２ま
たはスカート１９の内部の別の場所に配置してもよいこ
とを理解されたい。更に、スカート１９の構造は図５な
いし図７に関連して以下に説明するように、各種構造が
可能である。
ことを理解されたい。各要素の配置や構造は１つの例で
あって、本発明の意図するスコープから外れることなし
にその他の配置、構造が可能である。例えば、図１およ
び図２ではバッフル１６がプレート１２に対しスタンド
オフ１７で以て取り付けられているとしている。スタン
ドオフ１７の場所や形状は変えることができるし、スタ
ンドオフ以外の取り付け手段を使用することもできる。
更に、後に述べるように、プレート１２またはスカート
１９に対して別のバッフル実施例を取り付けることがで
き、あるいはバッフルをプレート１２またはスカート１
９と一体物とすることもできる。同様に、プレート１２
はその中心を通る真空ポート１５を有するように示され
ている。しかし、この真空ポート１５はプレート１２ま
たはスカート１９の内部の別の場所に配置してもよいこ
とを理解されたい。更に、スカート１９の構造は図５な
いし図７に関連して以下に説明するように、各種構造が
可能である。
【００１５】図３、図４Ａ、および図４Ｂは、別の真空
コレット３０を示している。コレット３０はコレット１
０の要素に対応する要素を有している。すなわち、プレ
ート３２、スカート３９、およびバッフル３６を含んで
いる。プレート１２と同じように、プレート３２は真空
ポート３５を有する。
コレット３０を示している。コレット３０はコレット１
０の要素に対応する要素を有している。すなわち、プレ
ート３２、スカート３９、およびバッフル３６を含んで
いる。プレート１２と同じように、プレート３２は真空
ポート３５を有する。
【００１６】図１および図２の実施例のバッフル１６と
同じように、バッフル３６はプレート３２とダイ１１の
表面との間に挿入されている。しかし、バッフル３６は
スカート３９の内部のエリアとほぼ同じ寸法の縦横の幅
を有するため、バッフル３６はスカート３９との間に隙
間が無く、スカート３９に当たっている。バッフル３６
中には気流をダイ１１の周囲へ導くための孔３６ａが開
いている。
同じように、バッフル３６はプレート３２とダイ１１の
表面との間に挿入されている。しかし、バッフル３６は
スカート３９の内部のエリアとほぼ同じ寸法の縦横の幅
を有するため、バッフル３６はスカート３９との間に隙
間が無く、スカート３９に当たっている。バッフル３６
中には気流をダイ１１の周囲へ導くための孔３６ａが開
いている。
【００１７】図４Ａおよび図４Ｂに示されたように、孔
３６ａの形状および位置は変えることができる。孔３６
ａは真空ピックアップ時にダイ表面１１ａの気流が最小
化されることを保証できる場所になければならない。従
って、それらは一般にダイ１１の周囲に対応して分散し
ている。コレット３０はバッフル３６から延びたスカー
ト３９を介してダイ１１に接触する。
３６ａの形状および位置は変えることができる。孔３６
ａは真空ピックアップ時にダイ表面１１ａの気流が最小
化されることを保証できる場所になければならない。従
って、それらは一般にダイ１１の周囲に対応して分散し
ている。コレット３０はバッフル３６から延びたスカー
ト３９を介してダイ１１に接触する。
【００１８】図３、図４Ａ、および図４Ｂの実施例で
は、プレート３２がスカート３９を介して別個のバッフ
ル３６へつながっている。しかし、プレート３２とバッ
フル３６とを一体物として形成することもできるという
ことは理解されたい。このように、それらは別個のもの
を互いに組み合わせたものであってもよいし、単一の構
造として作製してもよい。
は、プレート３２がスカート３９を介して別個のバッフ
ル３６へつながっている。しかし、プレート３２とバッ
フル３６とを一体物として形成することもできるという
ことは理解されたい。このように、それらは別個のもの
を互いに組み合わせたものであってもよいし、単一の構
造として作製してもよい。
【００１９】コレット１０および３０のバッフル１６お
よび３６は、それぞれ一例に過ぎない。ここに意図され
る本発明のスコープから外れることなしに、気流をダイ
１１の周囲へ導くその他の型のバッフルを使用すること
も可能である。図示された実施例はバッフルを付加する
ことによって既存の真空コレットを修正するのに有用で
ある。この説明の目的で、一般に”バッフル”というの
はどんなデバイスにおいてもコレット中で気流を導くよ
うに配置されており、それによって、本発明に従って、
本質的にダイの周囲から空気が吸い出されるようになっ
ている。”ダイの周囲から”というのは、気流がダイ表
面１１ａ上の内側の領域とは反対の、ダイがコレットに
接触している外側の領域へ向かうことを意味している。
よび３６は、それぞれ一例に過ぎない。ここに意図され
る本発明のスコープから外れることなしに、気流をダイ
１１の周囲へ導くその他の型のバッフルを使用すること
も可能である。図示された実施例はバッフルを付加する
ことによって既存の真空コレットを修正するのに有用で
ある。この説明の目的で、一般に”バッフル”というの
はどんなデバイスにおいてもコレット中で気流を導くよ
うに配置されており、それによって、本発明に従って、
本質的にダイの周囲から空気が吸い出されるようになっ
ている。”ダイの周囲から”というのは、気流がダイ表
面１１ａ上の内側の領域とは反対の、ダイがコレットに
接触している外側の領域へ向かうことを意味している。
【００２０】図５ないし図７はコレット１０のスカート
１９についての代替え実施例を示している。説明ではス
カート１９という表現を用いるが、同じ代替え実施例は
コレット３０のスカート３９に対しても使用できる。上
で述べたように、スカート１９はピックアップされるべ
きダイ１１に実際に接触するコレットの一部分である。
スカート１９はダイ１１に対してその周囲において接触
するようになっており、ダイ表面１１ａ上の能動部品に
対しては接触しないような形状になっている。
１９についての代替え実施例を示している。説明ではス
カート１９という表現を用いるが、同じ代替え実施例は
コレット３０のスカート３９に対しても使用できる。上
で述べたように、スカート１９はピックアップされるべ
きダイ１１に実際に接触するコレットの一部分である。
スカート１９はダイ１１に対してその周囲において接触
するようになっており、ダイ表面１１ａ上の能動部品に
対しては接触しないような形状になっている。
【００２１】図５は、その上に半導体要素が形成されて
いない平坦な周囲を有するダイ１１に適したスカート１
９を示している。スカート１９は平坦な底面を有し、そ
れがダイ１１の平坦な周囲に接している。
いない平坦な周囲を有するダイ１１に適したスカート１
９を示している。スカート１９は平坦な底面を有し、そ
れがダイ１１の平坦な周囲に接している。
【００２２】図６はベベル（面取り）された周囲を有す
るダイ１１に適した別のスカート１９を示している。こ
の型の周囲は、例えば、ベベルされた端部がソー（ｓａ
ｗ）エッジのチッピングを最小化するので好ましいとい
うような各種の理由から存在する。ベベルされた端部を
有する１つの型のダイでは、ウエハ全体のダイ境界が、
部分的にＶ字形になったソーで以て特定の深さにまで部
分的に切り込まれる。その後、ソーラインに沿って分割
することによってダイが切り離される。ダイ１１周囲の
ベベル角度をここでは”ダイ周囲”角度と呼ぶことにす
る。ここの説明の例では、ダイ周囲角度は垂直から３０
度である。
るダイ１１に適した別のスカート１９を示している。こ
の型の周囲は、例えば、ベベルされた端部がソー（ｓａ
ｗ）エッジのチッピングを最小化するので好ましいとい
うような各種の理由から存在する。ベベルされた端部を
有する１つの型のダイでは、ウエハ全体のダイ境界が、
部分的にＶ字形になったソーで以て特定の深さにまで部
分的に切り込まれる。その後、ソーラインに沿って分割
することによってダイが切り離される。ダイ１１周囲の
ベベル角度をここでは”ダイ周囲”角度と呼ぶことにす
る。ここの説明の例では、ダイ周囲角度は垂直から３０
度である。
【００２３】図６において、スカート１９の底面にも角
度が付いており、ダイ１１のベベルされた周囲に接触す
るように設計されている。ダイ表面１１ａではなくて、
ベベルされた周囲に接触することで、接触によって発生
する任意の切り屑はダイ表面１１ａの下方に生じ、従っ
てダイ１１に対して損傷を与えることは少ないと見られ
る。
度が付いており、ダイ１１のベベルされた周囲に接触す
るように設計されている。ダイ表面１１ａではなくて、
ベベルされた周囲に接触することで、接触によって発生
する任意の切り屑はダイ表面１１ａの下方に生じ、従っ
てダイ１１に対して損傷を与えることは少ないと見られ
る。
【００２４】図６の例では、スカート１９の底面はベベ
ルされた周囲の下方の地点でベベルされた周囲に接触す
るように設計されている。このためにはスカート１９の
底面がダイ周囲の角度よりも小さい角度を有しているこ
とが必要である。図６の例では、スカート１９の底面は
垂直から２５度の角度を有する。
ルされた周囲の下方の地点でベベルされた周囲に接触す
るように設計されている。このためにはスカート１９の
底面がダイ周囲の角度よりも小さい角度を有しているこ
とが必要である。図６の例では、スカート１９の底面は
垂直から２５度の角度を有する。
【００２５】他の実施例では、接触面積を最大にするよ
うに、スカート１９の底面の角度をダイ周囲角度と一致
させる場合もある。その場合には３０度のダイ周囲角度
に対して、スカート１９の底面も３０度の角度を有する
ことになる。
うに、スカート１９の底面の角度をダイ周囲角度と一致
させる場合もある。その場合には３０度のダイ周囲角度
に対して、スカート１９の底面も３０度の角度を有する
ことになる。
【００２６】図６はまた、典型的なコレット１０および
ダイ１１の寸法をいくつか示している。ダイ１１は縦横
がそれぞれ１７．０ｍｍ（６６９ミル）と１２．１７ｍ
ｍ（４７９ミル）である。コレット１０の寸法はスカー
ト１９の外側で計って縦横それぞれ１７．３５ｍｍ（６
８３ミル）と１２．５２ｍｍ（４９３ミル）である。ス
カート１９は接触点を過ぎて広がっており、従って接触
点はコレット１０の内部幅の内側へ０．１７５ｍｍ
（６．９ミル）入っている。
ダイ１１の寸法をいくつか示している。ダイ１１は縦横
がそれぞれ１７．０ｍｍ（６６９ミル）と１２．１７ｍ
ｍ（４７９ミル）である。コレット１０の寸法はスカー
ト１９の外側で計って縦横それぞれ１７．３５ｍｍ（６
８３ミル）と１２．５２ｍｍ（４９３ミル）である。ス
カート１９は接触点を過ぎて広がっており、従って接触
点はコレット１０の内部幅の内側へ０．１７５ｍｍ
（６．９ミル）入っている。
【００２７】図７は複合角度を有する底面を有するスカ
ート１９を示しており、それは角度中心７１においてダ
イ１１へ接触している。言い換えれば、スカート１９の
底面は２つの面７２と７４とを有する。面７２はダイ周
囲角度よりも小さく、面７４はダイ周囲角度よりも大き
い。
ート１９を示しており、それは角度中心７１においてダ
イ１１へ接触している。言い換えれば、スカート１９の
底面は２つの面７２と７４とを有する。面７２はダイ周
囲角度よりも小さく、面７４はダイ周囲角度よりも大き
い。
【００２８】図７の例では、ダイ周囲角度は垂直から３
０度である。面７２は２５度であり、面７４は３５度で
ある。特定のダイ１１に対するその他の適切な寸法も示
されている。
０度である。面７２は２５度であり、面７４は３５度で
ある。特定のダイ１１に対するその他の適切な寸法も示
されている。
【００２９】図６および図７の角度や寸法は１つの例で
ある。例えば、スカート１９がダイ１１に接触する地点
はベベルされた周囲のどこか別の場所でも構わない。こ
のことはコレット１０の寸法、あるいは面７２および７
４の長さと角度を調節することで実現できる。
ある。例えば、スカート１９がダイ１１に接触する地点
はベベルされた周囲のどこか別の場所でも構わない。こ
のことはコレット１０の寸法、あるいは面７２および７
４の長さと角度を調節することで実現できる。
【００３０】
【その他の実施例】本発明は各種の実施例に関して説明
してきた。しかし、本発明の意図するスコープから外れ
ることなしに、それらの実施例に対する各種の置換、変
更、および修正が可能であることは理解されたい。その
他の置換または修正が、特許請求の範囲に定義された本
発明の意図するスコープから外れることなしに可能であ
る。
してきた。しかし、本発明の意図するスコープから外れ
ることなしに、それらの実施例に対する各種の置換、変
更、および修正が可能であることは理解されたい。その
他の置換または修正が、特許請求の範囲に定義された本
発明の意図するスコープから外れることなしに可能であ
る。
【００３１】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１）半導体ダイをピックアップするための真空コレッ
トであって、その中を真空が導かれる真空ポートを有す
るプレート、前記プレートから広がって、半導体ダイに
対してその周囲において接触するためのスカート、およ
び前記プレートと前記ダイとの間に挿入されて、空気が
本質的に前記周囲から吸い出されるように前記真空の気
流を導くためのバッフルを含むコレット。
る。 （１）半導体ダイをピックアップするための真空コレッ
トであって、その中を真空が導かれる真空ポートを有す
るプレート、前記プレートから広がって、半導体ダイに
対してその周囲において接触するためのスカート、およ
び前記プレートと前記ダイとの間に挿入されて、空気が
本質的に前記周囲から吸い出されるように前記真空の気
流を導くためのバッフルを含むコレット。
【００３２】（２）第１項記載のコレットであって、前
記バッフルが前記スカートから離れて配置されており、
それによって前記バッフルと前記スカートとの間に空気
の吸い出される隙間が残されているコレット。
記バッフルが前記スカートから離れて配置されており、
それによって前記バッフルと前記スカートとの間に空気
の吸い出される隙間が残されているコレット。
【００３３】（３）第１項記載のコレットであって、前
記バッフルが、前記スカートに当たっており、空気が吸
い出される孔をバッフル内部に有しているコレット。
記バッフルが、前記スカートに当たっており、空気が吸
い出される孔をバッフル内部に有しているコレット。
【００３４】（４）第１項記載のコレットであって、前
記周囲が平坦であって、前記スカートが前記周囲に接触
するように平坦な底面を有しているコレット。
記周囲が平坦であって、前記スカートが前記周囲に接触
するように平坦な底面を有しているコレット。
【００３５】（５）第１項記載のコレットであって、前
記周囲がベベルされており、前記スカートが前記周囲に
接触するように角度の付いた底面を有しているコレッ
ト。
記周囲がベベルされており、前記スカートが前記周囲に
接触するように角度の付いた底面を有しているコレッ
ト。
【００３６】（６）第５項記載のコレットであって、前
記周囲がダイ周囲角度にベベルされており、前記角度の
付いた底面が前記ダイ周囲角度に等しいかそれよりも小
さい角度を有しているコレット。
記周囲がダイ周囲角度にベベルされており、前記角度の
付いた底面が前記ダイ周囲角度に等しいかそれよりも小
さい角度を有しているコレット。
【００３７】（７）第１項記載のコレットであって、前
記周囲がベベルされており、前記スカートが角度の付い
た２つの面を有する底面を有しているコレット。
記周囲がベベルされており、前記スカートが角度の付い
た２つの面を有する底面を有しているコレット。
【００３８】（８）第７項記載のコレットであって、前
記周囲がダイ周囲角度にベベルされており、前記底面
が、前記ダイ周囲角度に等しいかそれよりも小さい角度
の付いた第１の面と、前記ダイ周囲角度に等しいかそれ
よりも大きい角度の付いた第２の面とを有しているコレ
ット。
記周囲がダイ周囲角度にベベルされており、前記底面
が、前記ダイ周囲角度に等しいかそれよりも小さい角度
の付いた第１の面と、前記ダイ周囲角度に等しいかそれ
よりも大きい角度の付いた第２の面とを有しているコレ
ット。
【００３９】（９）第７項記載のコレットであって、前
記角度の付いた２つの面が、前記周囲の下方の角度中心
において前記周囲に接触するための予め定められた角度
をそれぞれ有しているコレット。
記角度の付いた２つの面が、前記周囲の下方の角度中心
において前記周囲に接触するための予め定められた角度
をそれぞれ有しているコレット。
【００４０】（１０）半導体ダイをピックアップするた
めの方法であって、次の工程、プレートの真空ポートを
通して真空によって空気を吸い出すこと、前記プレート
から広がるスカートの底面で以て前記ダイの周囲に接触
すること、および真空によって本質的に前記ダイの前記
周囲から空気が吸い出されるように、前記真空を分配す
ること、を含む方法。
めの方法であって、次の工程、プレートの真空ポートを
通して真空によって空気を吸い出すこと、前記プレート
から広がるスカートの底面で以て前記ダイの周囲に接触
すること、および真空によって本質的に前記ダイの前記
周囲から空気が吸い出されるように、前記真空を分配す
ること、を含む方法。
【００４１】（１１）第１０項記載の方法であって、前
記分配工程が前記プレートと前記ダイとの間に設置され
たバッフルで以て実行される方法。
記分配工程が前記プレートと前記ダイとの間に設置され
たバッフルで以て実行される方法。
【００４２】（１２）第１１項記載の方法であって、前
記バッフルが前記スカートから離れており、それによっ
て前記スカートの内面に沿って空気が流れることができ
るようになっている方法。
記バッフルが前記スカートから離れており、それによっ
て前記スカートの内面に沿って空気が流れることができ
るようになっている方法。
【００４３】（１３）第１１項記載の方法であって、前
記バッフルが前記スカートの内面に当たっており、前記
バッフルの内部に前記真空ポートへの空気の流れを許容
するための孔を有している方法。
記バッフルが前記スカートの内面に当たっており、前記
バッフルの内部に前記真空ポートへの空気の流れを許容
するための孔を有している方法。
【００４４】（１４）第１０項記載の方法であって、前
記周囲が平坦であって、前記スカートの前記底面が平坦
である方法。
記周囲が平坦であって、前記スカートの前記底面が平坦
である方法。
【００４５】（１５）第１０項記載の方法であって、前
記周囲がベベルされており、前記スカートの底面がベベ
ルされている方法。
記周囲がベベルされており、前記スカートの底面がベベ
ルされている方法。
【００４６】（１６）第１０項記載の方法であって、前
記周囲がダイ周囲角度にベベルされており、前記スカー
トの前記底面が前記ダイ周囲角度に等しいかそれよりも
小さい角度になっている方法。
記周囲がダイ周囲角度にベベルされており、前記スカー
トの前記底面が前記ダイ周囲角度に等しいかそれよりも
小さい角度になっている方法。
【００４７】（１７）第１０項記載の方法であって、前
記周囲がベベルされており、前記スカートの前記底面が
角度の付いた２つの面を有している方法。
記周囲がベベルされており、前記スカートの前記底面が
角度の付いた２つの面を有している方法。
【００４８】（１８）第１０項記載の方法であって、前
記周囲がダイ周囲角度にベベルされており、前記スカー
トの前記底面が、前記ダイ周囲角度に等しいかそれより
も小さい角度の付いた第１の面と、前記ダイ周囲角度に
等しいかそれよりも大きい角度の付いた第２の面とを有
している方法。
記周囲がダイ周囲角度にベベルされており、前記スカー
トの前記底面が、前記ダイ周囲角度に等しいかそれより
も小さい角度の付いた第１の面と、前記ダイ周囲角度に
等しいかそれよりも大きい角度の付いた第２の面とを有
している方法。
【００４９】（１９）半導体ダイをピックアップする方
法であって、次の工程、前記ダイの周囲をベベルするこ
と、プレートの真空ポートを通して真空によって空気を
吸い出すこと、前記ダイの周囲に対して、前記プレート
から広がるスカートの角度の付いた底面で以て接触する
こと、および真空によって本質的に前記ダイの前記周囲
から空気が吸い出されるように、前記真空を分配するこ
と、を含む方法。
法であって、次の工程、前記ダイの周囲をベベルするこ
と、プレートの真空ポートを通して真空によって空気を
吸い出すこと、前記ダイの周囲に対して、前記プレート
から広がるスカートの角度の付いた底面で以て接触する
こと、および真空によって本質的に前記ダイの前記周囲
から空気が吸い出されるように、前記真空を分配するこ
と、を含む方法。
【００５０】（２０）第１９項記載の方法であって、前
記ベベル工程の結果ダイ周囲角度が得られ、前記接触工
程が前記ダイ周囲角度に等しいかそれよりも小さい角度
を付けられた前記底面で以て実行される方法。
記ベベル工程の結果ダイ周囲角度が得られ、前記接触工
程が前記ダイ周囲角度に等しいかそれよりも小さい角度
を付けられた前記底面で以て実行される方法。
【００５１】（２１）半導体ダイ１１をピックアップす
るための真空コレット１０。プレート１２は真空チュー
ブ１５と下方へ広がるスカート１９とを有する。スカー
ト１９がダイ１１の周囲に接触する。真空が、プレート
１２とダイ１１との間のスカート１９の内部に設置され
たバッフル１６によって半導体ダイ１１の周囲へ分配さ
れる。
るための真空コレット１０。プレート１２は真空チュー
ブ１５と下方へ広がるスカート１９とを有する。スカー
ト１９がダイ１１の周囲に接触する。真空が、プレート
１２とダイ１１との間のスカート１９の内部に設置され
たバッフル１６によって半導体ダイ１１の周囲へ分配さ
れる。
【図１】本発明に従う真空コレットの１つの実施例の断
面図。
面図。
【図２】図１の真空コレットの底面図。
【図３】真空コレットの別の１つの実施例の断面図。
【図４】図３の真空コレットの底面図であって、Ａおよ
びＢはそれぞれ異なる例。
びＢはそれぞれ異なる例。
【図５】コレットのスカートの１つの実施例。
【図６】コレットのスカートの１つの実施例。
【図７】コレットのスカートの１つの実施例。
１０ 真空コレット １１ 半導体ダイ １１ａ ダイ表面 １２ プレート １５ 真空ポート １６ バッフル １７ スタンドオフ １９ スカート ３０ 真空コレット ３２ プレート ３５ 真空ポート ３６ バッフル ３６ａ 孔 ３９ スカート ７１ 角度中心 ７２，７４ 面
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ダイをピックアップするための真
空コレットであって、 その中を真空が導かれる真空ポートを有するプレート、 前記プレートから広がって、半導体ダイに対してその周
囲において接触するためのスカート、および 前記プレートと前記ダイとの間に挿入されて、空気が本
質的に前記周囲から吸い出されるように前記真空の気流
を導くためのバッフルを含むコレット。 - 【請求項２】 半導体ダイをピックアップするための方
法であって、次の工程、 プレートの真空ポートを通して真空によって空気を吸い
出すこと、 前記プレートから広がるスカートの底面で以て前記ダイ
の周囲に接触すること、および真空によって本質的に前
記ダイの前記周囲から空気が吸い出されるように、前記
真空を分配すること、を含む方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US346957 | 1994-11-30 | ||
| US08/346,957 US5516125A (en) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | Baffled collet for vacuum pick-up of a semiconductor die |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08250574A true JPH08250574A (ja) | 1996-09-27 |
Family
ID=23361736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31111595A Pending JPH08250574A (ja) | 1994-11-30 | 1995-11-29 | 半導体ダイピックアップ用真空コレット |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5516125A (ja) |
| EP (1) | EP0715340A3 (ja) |
| JP (1) | JPH08250574A (ja) |
| KR (1) | KR960019616A (ja) |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6219015B1 (en) | 1992-04-28 | 2001-04-17 | The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University | Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images |
| US5841579A (en) | 1995-06-07 | 1998-11-24 | Silicon Light Machines | Flat diffraction grating light valve |
| SG45121A1 (en) * | 1995-10-28 | 1998-01-16 | Inst Of Microelectronics | Apparatus for dispensing fluid in an array pattern |
| US5982553A (en) | 1997-03-20 | 1999-11-09 | Silicon Light Machines | Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array |
| US6088102A (en) | 1997-10-31 | 2000-07-11 | Silicon Light Machines | Display apparatus including grating light-valve array and interferometric optical system |
| US6271808B1 (en) | 1998-06-05 | 2001-08-07 | Silicon Light Machines | Stereo head mounted display using a single display device |
| US6101036A (en) | 1998-06-23 | 2000-08-08 | Silicon Light Machines | Embossed diffraction grating alone and in combination with changeable image display |
| US6130770A (en) | 1998-06-23 | 2000-10-10 | Silicon Light Machines | Electron gun activated grating light valve |
| US6215579B1 (en) | 1998-06-24 | 2001-04-10 | Silicon Light Machines | Method and apparatus for modulating an incident light beam for forming a two-dimensional image |
| US6303986B1 (en) | 1998-07-29 | 2001-10-16 | Silicon Light Machines | Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die |
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| US6352073B1 (en) * | 1998-11-12 | 2002-03-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor manufacturing equipment |
| IL131591A (en) * | 1999-08-25 | 2008-03-20 | Yuval Yassour | Adaptive vacuum grip system |
| ATE375946T1 (de) * | 2000-06-08 | 2007-11-15 | Bosch Gmbh Robert | Greifvorrichtung zum erfassen von gegenständen und verfahren zum betreiben derselben |
| US6498505B2 (en) * | 2001-03-08 | 2002-12-24 | Silicon Integrated Systems Corporation | Jigs for semiconductor components |
| US6707591B2 (en) | 2001-04-10 | 2004-03-16 | Silicon Light Machines | Angled illumination for a single order light modulator based projection system |
| US6782205B2 (en) | 2001-06-25 | 2004-08-24 | Silicon Light Machines | Method and apparatus for dynamic equalization in wavelength division multiplexing |
| US6747781B2 (en) | 2001-06-25 | 2004-06-08 | Silicon Light Machines, Inc. | Method, apparatus, and diffuser for reducing laser speckle |
| US6829092B2 (en) | 2001-08-15 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Blazed grating light valve |
| US6800238B1 (en) | 2002-01-15 | 2004-10-05 | Silicon Light Machines, Inc. | Method for domain patterning in low coercive field ferroelectrics |
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| US6728023B1 (en) | 2002-05-28 | 2004-04-27 | Silicon Light Machines | Optical device arrays with optimized image resolution |
| US6822797B1 (en) | 2002-05-31 | 2004-11-23 | Silicon Light Machines, Inc. | Light modulator structure for producing high-contrast operation using zero-order light |
| US6829258B1 (en) | 2002-06-26 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Rapidly tunable external cavity laser |
| US6714337B1 (en) | 2002-06-28 | 2004-03-30 | Silicon Light Machines | Method and device for modulating a light beam and having an improved gamma response |
| US6813059B2 (en) | 2002-06-28 | 2004-11-02 | Silicon Light Machines, Inc. | Reduced formation of asperities in contact micro-structures |
| US6801354B1 (en) | 2002-08-20 | 2004-10-05 | Silicon Light Machines, Inc. | 2-D diffraction grating for substantially eliminating polarization dependent losses |
| US6712480B1 (en) | 2002-09-27 | 2004-03-30 | Silicon Light Machines | Controlled curvature of stressed micro-structures |
| US6806997B1 (en) | 2003-02-28 | 2004-10-19 | Silicon Light Machines, Inc. | Patterned diffractive light modulator ribbon for PDL reduction |
| US6829077B1 (en) | 2003-02-28 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Diffractive light modulator with dynamically rotatable diffraction plane |
| US7214568B2 (en) * | 2004-02-06 | 2007-05-08 | Agere Systems Inc. | Semiconductor device configured for reducing post-fabrication damage |
| CN103843126B (zh) * | 2011-08-12 | 2017-07-14 | Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 | 用于容纳有结构的晶片的容纳装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5266148A (en) * | 1975-11-28 | 1977-06-01 | Hitachi Ltd | Sticking tool |
| GB1546086A (en) * | 1976-04-20 | 1979-05-16 | Metal Box Co Ltd | Method and apparatus for picking-up articles |
| JPS58218136A (ja) * | 1982-06-14 | 1983-12-19 | Toshiba Corp | 半導体装置用ダイコレツト |
| JPS58222536A (ja) * | 1982-06-18 | 1983-12-24 | Toshiba Corp | バキユ−ムウエハチヤツク |
| JPS5958827A (ja) * | 1982-09-28 | 1984-04-04 | Toshiba Corp | 半導体ウエ−ハ、半導体ウエ−ハの製造方法及び半導体ウエ−ハの製造装置 |
| US4662746A (en) | 1985-10-30 | 1987-05-05 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
| AT389959B (de) * | 1987-11-09 | 1990-02-26 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben |
| JPH01321171A (ja) * | 1988-06-17 | 1989-12-27 | Noozeru Eng Kk | 吸着ノズル部材 |
| IL90545A (en) * | 1989-06-06 | 1994-07-31 | Orbot Systems Ltd | Immobilizing device for printed-circuit boards |
| JPH03242919A (ja) * | 1990-02-21 | 1991-10-29 | Hitachi Ltd | スピンチャック |
| JPH05144856A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-11 | Fujitsu Ltd | コレツト |
-
1994
- 1994-11-30 US US08/346,957 patent/US5516125A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-11-28 EP EP95118692A patent/EP0715340A3/en not_active Withdrawn
- 1995-11-29 JP JP31111595A patent/JPH08250574A/ja active Pending
- 1995-11-29 KR KR1019950044619A patent/KR960019616A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960019616A (ko) | 1996-06-17 |
| EP0715340A3 (en) | 1998-02-04 |
| EP0715340A2 (en) | 1996-06-05 |
| US5516125A (en) | 1996-05-14 |
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