JPS58222536A - バキユ−ムウエハチヤツク - Google Patents
バキユ−ムウエハチヤツクInfo
- Publication number
- JPS58222536A JPS58222536A JP10510982A JP10510982A JPS58222536A JP S58222536 A JPS58222536 A JP S58222536A JP 10510982 A JP10510982 A JP 10510982A JP 10510982 A JP10510982 A JP 10510982A JP S58222536 A JPS58222536 A JP S58222536A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- deformation
- guard
- suction
- warpage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体ウェハ製造過程のＣＶＤ工程において
、ウェハの搬送、設置、および取り上げを行なうバキュ
ームウェハチャックに関する。
、ウェハの搬送、設置、および取り上げを行なうバキュ
ームウェハチャックに関する。
半導体ウェハ製造過程のＣＶＤ工程においては、第１図
で示されるようなバキュームチャック１１が使用される
。このバキュームチャック１１は皿状に開口した吸着カ
ップ１２を備え、このカップ１２内を図示しないｌ々キ
ュームポンデで吸引し、ＣＶＤ装置に搬送もしくは設置
されるウェハ１３を、吸着カップ１２で吸着保持するよ
うに構成している。このバキュームチャック１１はＣＶ
Ｄ装置内の加熱板（サセプタ）上にウェハ１３を設置し
、またＣＶＤ処理後のウェハ１３を上記加熱板（サセプ
タ）より収り上げ搬送するものである。
で示されるようなバキュームチャック１１が使用される
。このバキュームチャック１１は皿状に開口した吸着カ
ップ１２を備え、このカップ１２内を図示しないｌ々キ
ュームポンデで吸引し、ＣＶＤ装置に搬送もしくは設置
されるウェハ１３を、吸着カップ１２で吸着保持するよ
うに構成している。このバキュームチャック１１はＣＶ
Ｄ装置内の加熱板（サセプタ）上にウェハ１３を設置し
、またＣＶＤ処理後のウェハ１３を上記加熱板（サセプ
タ）より収り上げ搬送するものである。
しかしこのようなバキュームチャック１１によってウェ
ハ１３を吸着保持すると、特にＣＶＤ処理後のウェハ１
３温度は約４５０℃と高温になっているため、図に鎖線
で示すようにバキュームチャック１１吸引側へウェハ１
３の反りや変形が生じる。またウェハ１３温度の降下に
伴ってウェハ１３の反りや変形が戻′ると、ウェハ１３
と吸着カップ１２のエツジ１４とのずれによってウェハ
１３の外用付近に傷が付くようになる。さらにＣＶＤ工
程以前の過程において、すでにウェハ１３に陽や歪等を
有する場合には、この陽や歪等が原因となって吸着時の
反りや変形によるウェハの割れが発生するものである。
ハ１３を吸着保持すると、特にＣＶＤ処理後のウェハ１
３温度は約４５０℃と高温になっているため、図に鎖線
で示すようにバキュームチャック１１吸引側へウェハ１
３の反りや変形が生じる。またウェハ１３温度の降下に
伴ってウェハ１３の反りや変形が戻′ると、ウェハ１３
と吸着カップ１２のエツジ１４とのずれによってウェハ
１３の外用付近に傷が付くようになる。さらにＣＶＤ工
程以前の過程において、すでにウェハ１３に陽や歪等を
有する場合には、この陽や歪等が原因となって吸着時の
反りや変形によるウェハの割れが発生するものである。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、ウェハ吸着保持の際に、バキュームチャック
の吸引によってウェハに反りや変形が生じることなくウ
ニノ１の吸着保持が可能トなるバキュームウニノ・チャ
ックを提供することを目的とする。
たもので、ウェハ吸着保持の際に、バキュームチャック
の吸引によってウェハに反りや変形が生じることなくウ
ニノ１の吸着保持が可能トなるバキュームウニノ・チャ
ックを提供することを目的とする。
〔発明の概要）
すなわちこの発明に係るバキュームウニノ１チャツｊは
、バキュームチャックの吸着カップ内側に、ウェハ吸着
面に近接するウニノ１が一ドを取り付けるものである。
、バキュームチャックの吸着カップ内側に、ウェハ吸着
面に近接するウニノ１が一ドを取り付けるものである。
以下図面によりこの発明の一実施例を説明するに、第２
図に示すようにノぐキュームチャツク１１は吸着カップ
１２を備えるもので、この吸着カップ１２の内部はこの
カップ１２の背面に形成したバキューム通路１５を介し
て図示せぬ真空ポンプにより吸引される。この場合、搬
送すべきウェハ１３は、吸着カップ１２開口面のエツジ
１４に対設され吸着保持されるようになる。このような
バキュームチャック１１の吸着カップ１２内側には、吸
着時におけるウェハ１３の反りや変形を防止するための
ウェハが−ド２１が設けられる。このウェハガード２１
は例えば吸着カップ１２のエツジ１４面と平行な面を有
するテフロンコートを施したアルミ板等でなるガード板
２１ａと、これを支える特数の支柱２１ｂとからなり、
＠３図に取り出して示すようにエツジ１４の面とガード
板２１ｇとの間に例えばＱ、 ３１１１４− Ｑ、 ４
１ｕの間隔Ａが設定されるように構成している。
図に示すようにノぐキュームチャツク１１は吸着カップ
１２を備えるもので、この吸着カップ１２の内部はこの
カップ１２の背面に形成したバキューム通路１５を介し
て図示せぬ真空ポンプにより吸引される。この場合、搬
送すべきウェハ１３は、吸着カップ１２開口面のエツジ
１４に対設され吸着保持されるようになる。このような
バキュームチャック１１の吸着カップ１２内側には、吸
着時におけるウェハ１３の反りや変形を防止するための
ウェハが−ド２１が設けられる。このウェハガード２１
は例えば吸着カップ１２のエツジ１４面と平行な面を有
するテフロンコートを施したアルミ板等でなるガード板
２１ａと、これを支える特数の支柱２１ｂとからなり、
＠３図に取り出して示すようにエツジ１４の面とガード
板２１ｇとの間に例えばＱ、 ３１１１４− Ｑ、 ４
１ｕの間隔Ａが設定されるように構成している。
すなわちこのように！１ｉｆｆｌされるウェハチャック
によれば、吸着時のウェハ１３は間隔Ａの範囲でのみ反
りや変形が生じる状態と々す、ウェハ１３に対して不要
に大きな反りや変形が発生することを確実に防止できる
。この場合吸引力は充分に増大させることのできるもの
であるため、ウェハ１３の脱落等の発生は確実に防止可
能である。
によれば、吸着時のウェハ１３は間隔Ａの範囲でのみ反
りや変形が生じる状態と々す、ウェハ１３に対して不要
に大きな反りや変形が発生することを確実に防止できる
。この場合吸引力は充分に増大させることのできるもの
であるため、ウェハ１３の脱落等の発生は確実に防止可
能である。
以上のようにこの発明によれば、バキュームチャックの
吸着カップ内側に、ウェハ吸着面に近接したウェハガー
ドを収り付けることにより、吸着時のウェハに反りや変
形が生じる範囲を充分に小さくすることができ、さらに
吸着９Ｊ、 前のウェハが、すでに傷や歪等を有してい
ても、これを原因とするウェハの割れが発生しなくなる
。
吸着カップ内側に、ウェハ吸着面に近接したウェハガー
ドを収り付けることにより、吸着時のウェハに反りや変
形が生じる範囲を充分に小さくすることができ、さらに
吸着９Ｊ、 前のウェハが、すでに傷や歪等を有してい
ても、これを原因とするウェハの割れが発生しなくなる
。
したがって半導体ウェハ製造過程における不良ウェハの
数を軽減することが可能となる。
数を軽減することが可能となる。
第１図は従来のノ々キュームチャツクを説明する断面図
、第２図はこの発明の一実施例に係るノぐキュームウエ
ハチャックを説明する断面構成図、勇３図は上記実施例
のウェハとウェハガード部を取り出して示す図である。 １１ ＝−°バキュームチャック、１２・・・吸着カッ
プ、１３°°・ウェハ、１４・・・エツジ、１５・・・
バキューム通路、２１・・・ウェハガード、２１ａ・・
・ガード板、２１ｂ・・・支柱。
、第２図はこの発明の一実施例に係るノぐキュームウエ
ハチャックを説明する断面構成図、勇３図は上記実施例
のウェハとウェハガード部を取り出して示す図である。 １１ ＝−°バキュームチャック、１２・・・吸着カッ
プ、１３°°・ウェハ、１４・・・エツジ、１５・・・
バキューム通路、２１・・・ウェハガード、２１ａ・・
・ガード板、２１ｂ・・・支柱。
Claims (1)
- 半導体ウェハを吸着保持する吸着カップと、この吸着カ
ップの内側に設けられウェハ吸着面忙近接した面を備え
たウェハが−ドとを具備したことを特徴とするバキュー
ムウェハチャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10510982A JPS58222536A (ja) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | バキユ−ムウエハチヤツク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10510982A JPS58222536A (ja) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | バキユ−ムウエハチヤツク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58222536A true JPS58222536A (ja) | 1983-12-24 |
Family
ID=14398674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10510982A Pending JPS58222536A (ja) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | バキユ−ムウエハチヤツク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58222536A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0715340A3 (en) * | 1994-11-30 | 1998-02-04 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to semiconductor processing |
-
1982
- 1982-06-18 JP JP10510982A patent/JPS58222536A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0715340A3 (en) * | 1994-11-30 | 1998-02-04 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to semiconductor processing |
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