JP2004103857A - ダイシング装置およびダイシング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ブレード13を、その先端部分を除いてカバー14で覆う。ダイシング時、カバー14の下端は、接触部21を介して半導体基板100の表面と接する。カバー14には吸引口22を介して吸引部17が接続されている。吸引部17は、カバー14の内部を吸引し、発生した切削粉およびこれを含む汚水を吸引する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、MEMS(Micro Elecro Mechanical System)デバイス等の、基板表面に微細構造を有する素子の製造に用いるダイシング装置およびダイシング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、MEMS(Micro Elecro Mechanical System)と呼ばれる微細な3次元構造を有する電子デバイスが開発されている。このようなMEMSデバイスとして、例えば、RFスイッチ、光スイッチ、加速度センサ、圧力センサ、レゾネータ、アクチュエータ等の半導体デバイスが開発されている。
【0003】
MEMSデバイスは、微細3次元構造として、例えば、自由端を有する可動構造、いわゆるカンチレバーを備える。図10に、基板200に形成されたRFスイッチ201の一例を示す。図10に示すRFスイッチ201は、2本のRF信号線202a、202bを接続するよう設けられ、RF信号線の一方202aに接続されて他方のRF信号線202bの上方まで延びる、導体からなるカンチレバー203を備える。
【0004】
他方のRF信号線202bに、例えば、正電圧が印加されたときにその表面に発生する正電荷によって、カンチレバー203の表面には負電荷が発生し、両者の間に静電吸引力が発生する。この力により、カンチレバー203は下方に湾曲する。カンチレバー203の先端には絶縁体104が設けられており、絶縁体104と他方のRF信号線202bとが接触すると、容量結合により2本のRF信号線202a、202bは高周波的に接続される。電圧印加が停止されると静電力は消失し、カンチレバー203はその弾性により他方のRF信号線202bから離間する。このように、RFスイッチ201は、2本のRF信号線202a、202bの間の高周波接続のオン・オフを切り替える。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記のようなMEMSデバイスは、基板の表面に微細構造を形成した後に、ダイシングにより素子チップに分割して製造する。ダイシングは通常、ダイシングソーを用いた切削加工により行われる。
【0006】
微細構造の立体性が低い場合には、基板表面を膜等で保護してダイシングを行うことにより、切削粉の付着は防止可能である。しかし、高度な立体性を備えた微細構造を有する場合、この方法は採用できず、微細構造が基板表面に露出した状態でダイシングすることとなる。この場合、通常と同様の処理を行うと、切削粉が微細構造に付着しやすく、高い歩留まり等の高い生産性が得られない。
【0007】
このため、微細構造が露出した基板をダイシングする場合には、通常よりも切削速度を低下させて切削粉の飛散を抑え、微細構造への付着を抑制している。しかし、切削速度の低下は、生産性の低下を意味する。
このように、従来のMEMSデバイスの製造には、ダイシング工程において高い生産性が得られない、という問題があった。
【0008】
上記問題を解決するため、本発明は、高い生産性で、表面に微細構造を有する基板のダイシングが可能なダイシング装置およびダイシング方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を解決するため、本発明の第1の観点に係るダイシング装置は、
基板を切削するための円盤状のブレードと、
その先端を除いて前記ブレードを覆うカバーと、
前記カバーの内側に、前記ブレードおよび前記基板を洗浄または冷却するための水を供給する水供給部と、
前記カバーに開設され、前記カバーの内側の切削粉およびこれを含む水の少なくとも一方を吸引する吸引部に接続される吸引口と、
を備える、ことを特徴とする。
【0010】
上記構成のダイシング装置において、例えば、
前記基板には、表面に3次元構造体を有する素子が複数形成され、
前記ブレードによって前記素子を個別に分割する。
【0011】
上記構成のダイシング装置において、前記カバーは、前記ブレードが前記基板を切削する状態で、前記基板の表面と接するように構成されていてもよい。
【0012】
上記構成のダイシング装置において、前記カバーの前記基板との接触部分には、低抵抗性材料からなる接触部が設けられていてもよい。
【0013】
上記構成のダイシング装置において、前記カバーは、前記基板との接触に応じて可動に構成されていてもよい。
【0014】
上記構成のダイシング装置は、さらに、前記カバーの内側に気体を供給するための気体供給部を備えてもよい。
【0015】
上記目的を解決するため、本発明の第2の観点に係るダイシング方法は、
表面に微細構造を有する素子が形成された基板を、その先端部分を除いてカバーで覆われたブレードを用いてダイシングするダイシング方法であって、
水を供給しつつ、ブレードを回転駆動させて、前記カバーの内側で前記基板を切削する切削工程と、
前記カバーの内側の切削粉および切削粉を含む水の少なくとも一方を吸引する吸引工程と、
を備える、ことを特徴とする。
【0016】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態に係るダイシング装置およびダイシング方法について、以下図面を参照して説明する。
本実施の形態では、MEMS(Micro Elecro Mechanical System)デバイスが形成されたシリコン半導体基板をダイシングする場合について説明する。
【0017】
MEMSデバイスとしては、例えば、図10に示すようなRFスイッチ201が基板200に形成されている。図10に示すRFスイッチ201は、2本のRF信号線202a、202bを隔てる位置に設けられ、これらの接続のオン・オフを切り替える。RFスイッチ201は、RF信号線の一方202aに接続されて他方のRF信号線202bの上方まで延びるカンチレバー203を備える。カンチレバー203は、所定の弾性を有する導体材料から構成されている。また、カンチレバー203の先端の他方のRF信号線と対向する部分には、絶縁体104が配置されている。
【0018】
RFスイッチ201は以下のように動作する。まず、他方のRF信号線202bに、例えば、正電圧が印加されると、その表面には正電荷が発生する。このとき、カンチレバー203の表面には負電荷が誘起され、両者の間に静電吸引力が発生する。この力により、カンチレバー203は下方に湾曲する。カンチレバー203の先端の絶縁体104と、他方のRF信号線202bと、が接触すると、容量結合により2本のRF信号線202a、202bは高周波的に接続される。電圧印加が停止されると静電力は消失し、カンチレバー203はその弾性により他方のRF信号線202bから離間する。このようにして、RFスイッチ201は、2本のRF信号線202a、202bの間の高周波接続のオン・オフを切り替える。
【0019】
上記のようなMEMSデバイスは、基板に、通常よりも広い間隔で形成されている。例えば、MEMSデバイス同士の間隔は、後述する接触部が素子領域と接触しないように構成されている。
【0020】
次に、上記のようなMEMSデバイスが形成された半導体基板100をダイシングするための、本実施の形態に係るダイシング装置について説明する。
図1および2にダイシング装置11の構成を示す。図1および2は、後述するブレードの主面に垂直な方向および平行な方向からそれぞれ見た図である。
【0021】
図1および2に示すように、ダイシング装置11は、ステージ12と、ブレード13と、カバー14と、第1および第2の水供給部15、16と、吸引部17と、を備える。
【0022】
ステージ12上には、被処理体である半導体基板100が載置される。半導体基板100は、周縁が環状のフレーム101に支持された粘着シート102に貼り付けられた状態で、ステージ12上に載置される。ステージ12上に載置された半導体基板100(粘着シート102)は、ステージ12内部に設けられた、図示しない真空チャック構造によって固定される。
【0023】
ステージ12は、いわゆるXYθステージから構成され、同一平面上を移動可能、かつ、回転可能に構成されている。ステージ12上の半導体基板100は、ステージ12とともに所定のパターンおよび速度で移動する。
【0024】
ブレード13は、ダイヤモンドブレード等から構成され、円盤状に形成されている。図2に示すように、ブレード13はスピンドル18に支持され、その主面がステージ12に対して直交するように配置される。スピンドル18はモータ19に接続され、ブレード13は、高速で回転駆動される。
【0025】
カバー14は、図1に示すように、一辺に半円形状を有する長方形状に形成され、ブレード13をその先端部分(切削部分)を除いて覆うとともに、ブレード13とステージ12上の半導体基板100とが接する部分およびその近傍を所定範囲にわたって覆うように形成されている。また、図2に示すように、カバー14はその一辺を構成する部分(下方部分)に開放部分を有し、開放部分からブレード13が露出するように構成されている。
【0026】
また、カバー14のブレード13の主面に略平行な一面には、スピンドル18を通すための穴が設けられている。穴の内周部には軸受20が設けられており、スピンドル18は軸受20によって支持される。なお、軸受20を設けない構成も可能である。
【0027】
開放部分が形成されたカバー14の下部には、接触部21が設けられている。接触部21は、カバー14の、ステージ12上の半導体基板100の表面と接触する部分を覆うように設けられている。接触部21は、低抵抗性および弾性を有する有機材料から構成されている。
【0028】
図3に、ダイシング時の、ブレード13と半導体基板100との接触部分の拡大図を示す。図3に示すように、ブレード13の先端は接触部21よりも下方に突出し、半導体基板100を切削する。このとき、接触部21は、半導体基板100の表面と弾性的に接する状態にあり、半導体基板100の表面に密着する。ステージ12の移動とともに半導体基板100は移動し、接触部21はその低抵抗性によって、表面を低抵抗に摺動する。
【0029】
このようにして、ダイシング時、カバー14の内側には、ある程度の気密性を有する空間が形成される。これにより、後述するように、発生する切削粉およびこれを含む汚水の拡散は抑制される。
【0030】
ここで、上述したように、半導体基板100に形成されたMEMSデバイス同士の間隔は、比較的広く、接触部21が素子領域と接触しない幅に設定されている。このため、接触部21による素子破壊は防がれ、また、汚水等による隣接するMEMSデバイスの汚染も防がれる。
【0031】
カバー14の側部には、吸引口22が開設されている。吸引口22は、ブレード13と半導体基板100とが接触する部分から、ブレード13の回転方向の下流側に設けられ、飛散した切削粉を最も受けられやすいように設けられている。
【0032】
吸引口22は、吸引管23に接続されている。吸引管23は、吸引口22から遠ざかるにつれて、その径が次第に減少するように構成されている。吸引管23は後述する吸引部17に接続されている。
【0033】
第1および第2の水供給部15、16は、純水を供給する水源に接続されている。
【0034】
第1の水供給部15は、ノズル状に構成され、その先端がカバー14の内部に突出した状態で固定されている。第1の水供給部15は、カバー14内部で回転するブレード13の刃に対して水を噴出する。第1の水供給部15からの水により、ブレード13の刃の間に詰まった切削粉が除去され、また、ブレード13および半導体基板100は冷却される。
【0035】
第2の水供給部16は、複数の噴出穴16aを有するパイプ状に構成されている。図2に示すように、第2の水供給部16は、カバー14の内部のブレード13の両側に配置された2つのパイプ状部分を備え、噴出穴16aからブレード13の主面に水が噴出される。噴出された水により、ブレード13および半導体基板100は冷却および洗浄される。
【0036】
吸引部17は、吸引装置24と、清浄化装置25と、を備える。
吸引装置24は、サクションポンプから構成されている。サクションポンプは、吸引管23に接続され、吸引口22を介してカバー14内部から、切削粉を含む汚水を吸引する。
【0037】
清浄化装置25は、吸引装置24と吸引口22との間に設けられ、汚水中に含まれる切削粉を除去し、水を清浄化する。
【0038】
上記構成の吸引部17は、切削加工時に吸引口22からカバー14内部を吸引する。上述したように、吸引口22は、ブレード13の回転方向の下流側に設けられ、回転により飛散した切削粉を含む汚水は、吸引口22を介して吸引部17によって吸引される。吸引部17が吸引した汚水は、清浄化装置25によって切削粉が除去されて排出される。
【0039】
以下、上記構成のダイシング装置11を用いたダイシング方法について説明する。
まず、ステージ12上に被処理体である半導体基板100が載置される。このとき、半導体基板100の裏面には、周縁がフレーム101に支持された粘着シート102に貼り付けられている。ステージ12上に載置された半導体基板100は、図示しない真空チャックによって固定される。
【0040】
半導体基板100の載置後、ステージ12の回転駆動(θ方向の駆動)と、撮像装置等を用いる図示しないアラインメント機構と、により、半導体基板100は位置決めされる。
【0041】
位置決めの後、ステージ12はXY方向に、所定パターンで駆動を開始する。ブレード13は、モータ19により高速回転駆動されており、半導体基板100は、ステージ12の移動に応じて切削され、ダイス状に分割される。ここで、図中では半導体基板100をセミフルカットした状態を示すが、勿論フルカットであってもよい。
【0042】
切断の際、ブレード13の回転により、特に回転方向下流側には、切削粉およびこれを含む汚水が飛散する。切削粉および汚水の飛散方向は、ブレード13を覆うカバー14によって限定される。よって、切削粉および汚水による半導体基板100の広範な汚染は回避される。
【0043】
また、接触部21により、カバー14と半導体基板100の表面との間隙は埋められている。このため、カバー14の下部における切削粉等の拡散も回避される。
【0044】
カバー14により、切削粉および汚水の飛散方向は、吸引口22に向かう方向に限定されている。さらに、吸引口22を介して吸引部17が吸引していることから、切削粉および汚水は集約されて吸引される。
【0045】
例えば、汚水は勿論ブレード13の回転方向の下流側に飛散し、吸引口22より吸引される。また、乾燥した切削粉も、カバー14の内部で舞うことなく、吸引口22より吸引される。さらに、接触部21により、カバー14の内部にはわずかに減圧雰囲気が形成されており、カバー14の内部から切削粉および汚水は一層効果的に吸引される。
【0046】
上記のように、カバー14の内部で発生した切削粉等を吸引部17によって速やかに吸引することにより、発生した切削粉の半導体基板100の表面への付着は抑制され、従って、歩留まりの向上が図られる。
【0047】
上述したように、単位素子領域の間隔は比較的広く設定されており、1枚の半導体基板100から得られるMEMSデバイスの数は比較的少ない。しかし、上記構成によれば、切削粉の飛散を抑制するために切削速度を低下させる必要もなく、通常の切削速度で、かつ、歩留まりの高いダイシングが可能となる。従って、上記ダイシング装置11およびダイシング方法を用いることにより、実質的な生産性の向上が可能となる。
【0048】
本発明は、上記実施の形態に限られず、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明を適用可能な上記実施の形態の変形態様について、説明する。
【0049】
上記実施の形態では、洗浄あるいは冷却に用いた水は、清浄化装置25によって清浄化された後に排出されるものとした。しかし、清浄化された水を水源に循環させて供給し、再利用するようにしてもよい。このように、水を循環させることにより、コストの低減等が可能となる。
【0050】
上記実施の形態では、吸引口22は、ブレード13の回転方向の下流側に1つ設ける構成とした。しかし、吸引口22の配置およびその数は、これに限られない。例えば、図4に示すように、さらにカバー14の両側にそれぞれ設けてカバー14内部を吸引する構成も可能である。
【0051】
上記実施の形態では、カバー14内部に減圧雰囲気を形成する構成とした。しかし、これに限らず、例えば、図5に示すように、カバー14の、ブレード13の回転方向の上流側に給気口26を設け、給気口26から吸引口22へと至る気体の流れを形成するようにしてもよい。これにより、カバー14の内部に飛散する切削粉や汚水は、より効率的に吸引される。また、カバー14内部の乾燥も避けられる。
【0052】
さらに、図6に示すように、給気口26に接続されたガス供給部27を設け、カバー14の内部に、吸引量に応じた量の気体を供給するようにしてもよい。この場合、用いる気体としては、圧縮空気、窒素ガス、不活性ガス等、いかなるものも可能である。
【0053】
また、上記実施の形態では、カバー14内に2つの水供給部15、16を設ける構成とした。しかし、水供給部の数および配置は上記例に限られない。例えば、図7に示すように、カバー14内部の上部に第3の水供給部28を設けた構成としてもよい。この場合、ブレード13およびカバー14の洗浄を行うことができる。
【0054】
また、カバー14の内部に減圧雰囲気が形成されることにより、内部は水が蒸発しやすい環境となる。このため、半導体基板100の表面に切削粉が張り付きやすくなるおそれがある。これを防ぐため、さらに、図8に示すように、カバー14の外部に設けた第4の水供給部29から半導体基板100の表面に水を供給するようにしてもよい。
【0055】
上記実施の形態では、弾性を有する接触部21を用いて半導体基板100の表面と接触されることにより、密着させる構成とした。しかし、図9に示すように、接触部21を備えたカバー14の少なくとも下部を上下に可動な構成として接触部21と半導体基板100の表面とを接触させるようにしてもよい。
【0056】
上記実施の形態では、MEMS素子を備えたシリコン半導体基板の加工処理を行う場合について説明した。しかし、本発明は、MEMS素子以外の素子が形成された基板に適用することができ、特に、表面に微細な3次元構造が形成された基板の加工に好適に適用可能である。
【0057】
また、上記実施の形態では、シリコン半導体基板をダイシングする場合について説明した。しかし、これに限らず、SiGe等の他のシリコン系材料から構成される半導体基板100に適用することができる。また、シリコン系材料に限らず、GaAs、InP等の他の材料から構成される化合物半導体基板に適用しても良い。また、半導体材料と絶縁材料とを積層した、いわゆるSOI(Silicon On Insulator)を用いることもできる。
【0058】
さらに、半導体基板に限らず、ガラス基板等の他のいかなる基板の加工にも、本発明は好適に適用可能である。
【0059】
【発明の効果】
本発明によれば、高い生産性で、表面に微細構造を有する基板のダイシングが可能なダイシング装置およびダイシング方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態にかかるダイシング装置の構成を示す図である。
【図2】本発明の実施の形態にかかるダイシング装置の構成を示す図である。
【図3】半導体基板100の切削部分の拡大図である。
【図4】本発明の実施の形態にかかるダイシング装置の変形例を示す図である。
【図5】本発明の実施の形態にかかるダイシング装置の変形例を示す図である。
【図6】本発明の実施の形態にかかるダイシング装置の変形例を示す図である。
【図7】本発明の実施の形態にかかるダイシング装置の変形例を示す図である。
【図8】本発明の実施の形態にかかるダイシング装置の変形例を示す図である。
【図9】本発明の実施の形態にかかるダイシング装置の変形例を示す図である。
【図10】MEMS素子の一例としてのRFスイッチの構成を示す図である。
【符号の説明】
11 ダイシング装置
12 ステージ
13 ブレード
14 カバー
15 第1の水供給部
16 第2の水供給部
17 吸引部
21 接触部
22 吸引口
23 吸引管
24 吸引装置
25 清浄化装置
100 半導体基板
201 RFスイッチ
Claims (7)
- 基板を切削するための円盤状のブレードと、
その先端を除いて前記ブレードを覆うカバーと、
前記カバーの内側に、前記ブレードおよび前記基板を洗浄または冷却するための水を供給する水供給部と、
前記カバーに開設され、前記カバーの内側の切削粉およびこれを含む水の少なくとも一方を吸引する吸引部に接続される吸引口と、
を備える、ことを特徴とするダイシング装置。 - 前記基板には、表面に3次元構造体を有する素子が複数形成され、
前記ブレードによって前記素子を個別に分割する、
ことを特徴とする請求項1に記載のダイシング装置。 - 前記カバーは、前記ブレードが前記基板を切削する状態で、前記基板の表面と接するように構成されている、ことを特徴とする請求項1または2に記載のダイシング装置。
- 前記カバーの前記基板との接触部分には、低抵抗性材料からなる接触部が設けられている、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のダイシング装置。
- 前記カバーは、前記基板との接触に応じて可動に構成されている、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のダイシング装置。
- さらに、前記カバーの内側に気体を供給するための気体供給部を備える、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のダイシング装置。
- 表面に微細構造を有する素子が形成された基板を、その先端部分を除いてカバーで覆われたブレードを用いてダイシングするダイシング方法であって、
水を供給しつつ、ブレードを回転駆動させて、前記カバーの内側で前記基板を切削する切削工程と、
前記カバーの内側の切削粉および切削粉を含む水の少なくとも一方を吸引する吸引工程と、
を備える、ことを特徴とするダイシング方法。
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