JP2530013B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2530013B2 JP2530013B2 JP63292612A JP29261288A JP2530013B2 JP 2530013 B2 JP2530013 B2 JP 2530013B2 JP 63292612 A JP63292612 A JP 63292612A JP 29261288 A JP29261288 A JP 29261288A JP 2530013 B2 JP2530013 B2 JP 2530013B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 粘着テープ上の半導体チップをピックアップし所定の
トレー等に移送する際の半導体装置の製造方法に関し、 半導体チップ切断時に発生し該半導体チップ表面に付
着する微粒子を確実に除去することを目的とし、 粘着テープ上に半導体ウェハを接着してから該半導体
ウェハを複数の半導体チップに分割した後、該半導体チ
ップ表面をイオンガスにさらしかつ不活性ガスにさらし
て該半導体チップ表面の微粒子を除去する工程と、次い
で治具を用いて該半導体チップを吸着し、前記粘着テー
プから剥離して移送する工程とを有して構成する。
トレー等に移送する際の半導体装置の製造方法に関し、 半導体チップ切断時に発生し該半導体チップ表面に付
着する微粒子を確実に除去することを目的とし、 粘着テープ上に半導体ウェハを接着してから該半導体
ウェハを複数の半導体チップに分割した後、該半導体チ
ップ表面をイオンガスにさらしかつ不活性ガスにさらし
て該半導体チップ表面の微粒子を除去する工程と、次い
で治具を用いて該半導体チップを吸着し、前記粘着テー
プから剥離して移送する工程とを有して構成する。
本発明は粘着テープ上の切断された半導体チップをピ
ックアップして所定のトレーに移送する際の半導体装置
の製造方法に係り、特に半導体チップ切断時に発生し該
半導体チップ表面に付着する微粒子を確実に除去して半
導体装置としての特性と生産性の向上を図った半導体装
置の製造方法に関する。
ックアップして所定のトレーに移送する際の半導体装置
の製造方法に係り、特に半導体チップ切断時に発生し該
半導体チップ表面に付着する微粒子を確実に除去して半
導体装置としての特性と生産性の向上を図った半導体装
置の製造方法に関する。
第２図は従来の半導体装置の製造方法例を説明する概
念図である。
念図である。
図で、（イ）は図示されない治具上にセットした厚さ
30〜40μｍ程度の粘着テープ１に、所要サイズの半導体
ウェハ２がパターン非形成面で貼り付けられた状態を表
わしている。
30〜40μｍ程度の粘着テープ１に、所要サイズの半導体
ウェハ２がパターン非形成面で貼り付けられた状態を表
わしている。
ここでロータリカッタ等を使用し、図（ロ）に示す如
く上記半導体ウェハ２をパターンに沿って縦横に切断し
て所定サイズのチップ３を形成するが、この切断方法に
は該ウェハ２表面からの切断深さをウェハ２の厚さＨの
一部とするハーフカット法と該ウェハ２の厚さＨに粘着
テープ１の厚さの一部ｈ（約20μｍ程度）を加えた寸法
とするフルカット法がある。
く上記半導体ウェハ２をパターンに沿って縦横に切断し
て所定サイズのチップ３を形成するが、この切断方法に
は該ウェハ２表面からの切断深さをウェハ２の厚さＨの
一部とするハーフカット法と該ウェハ２の厚さＨに粘着
テープ１の厚さの一部ｈ（約20μｍ程度）を加えた寸法
とするフルカット法がある。
図（ロ）は例として上記後者のフルカット法による場
合を示したものであるが、何れの場合にもチップ３の粘
着テープ１との接合面側の切断エッヂ部分に例えば数〜
10μｍオーダの微細な背面カケを生じ、静電気を帯びた
微粒子が発生する。
合を示したものであるが、何れの場合にもチップ３の粘
着テープ１との接合面側の切断エッヂ部分に例えば数〜
10μｍオーダの微細な背面カケを生じ、静電気を帯びた
微粒子が発生する。
図（ロ）のチップ部分を拡大した図（ハ）に示す3a,3
bは上記の背面カケによる微粒子を表わしたものである
が、これらの微粒子3a,3b等は静電気を帯びているため
周囲の各チップ表面に吸引され易い状態にあり、一部の
微粒子は飛散して近傍のチップ表面に付着する。
bは上記の背面カケによる微粒子を表わしたものである
が、これらの微粒子3a,3b等は静電気を帯びているため
周囲の各チップ表面に吸引され易い状態にあり、一部の
微粒子は飛散して近傍のチップ表面に付着する。
次いで例えば粘着テープ１のチップ３に対応する領域
を図（ハ）に示す如く円筒状の吸着ステージ４の吸着面
4aに装着する。
を図（ハ）に示す如く円筒状の吸着ステージ４の吸着面
4aに装着する。
この吸着ステージ４の周壁内部の全周囲には、図示さ
れない真空ポンプに連なる吸引溝4bが開口部を端面に現
出して上記吸着面4aを構成するように形成されており、
また該吸着ステージ４の内径部分には図示されない例え
ばプランジヤのような駆動装置によって該内径部で円滑
に上下動し且つ上記吸着面4a側端面の該チップ３の領域
内に一列上にない３個以上複数個のピン5aを立てた押上
治具５が装着されている。なお図では該ピン5aを三角形
の各頂点位置に配置した３個の場合について表わしてい
る。
れない真空ポンプに連なる吸引溝4bが開口部を端面に現
出して上記吸着面4aを構成するように形成されており、
また該吸着ステージ４の内径部分には図示されない例え
ばプランジヤのような駆動装置によって該内径部で円滑
に上下動し且つ上記吸着面4a側端面の該チップ３の領域
内に一列上にない３個以上複数個のピン5aを立てた押上
治具５が装着されている。なお図では該ピン5aを三角形
の各頂点位置に配置した３個の場合について表わしてい
る。
ここで上記チップ３の周囲にある各隣接チップを該吸
着ステージ４の吸着面4aで吸着した後、押上治具５のみ
を矢印ａ方向に上昇させて該粘着テープ１を突き破る上
記ピン5aでチップ３を該テープ１から剥離させながら押
し上げる。
着ステージ４の吸着面4aで吸着した後、押上治具５のみ
を矢印ａ方向に上昇させて該粘着テープ１を突き破る上
記ピン5aでチップ３を該テープ１から剥離させながら押
し上げる。
この際静電気を帯びた前述の微粒子3a,3bの残部は、
該チップ３の該粘着テープ１からの剥離と共に浮動状態
となって該チップ３や隣接するチップ例えば３′や３″
の表面その他の部分に吸引付着する。
該チップ３の該粘着テープ１からの剥離と共に浮動状態
となって該チップ３や隣接するチップ例えば３′や３″
の表面その他の部分に吸引付着する。
一方ピン5aで押し上げられた上記のチップ３は、該チ
ップ３の上方対応位置に配設された図（ニ）に示す如き
図示されない排気系で矢印ｂ方向に排気されるピックア
ップ治具６に真空吸着され、他の所定位置に設置したト
レーまで該チップ３を移送するようにしている。
ップ３の上方対応位置に配設された図（ニ）に示す如き
図示されない排気系で矢印ｂ方向に排気されるピックア
ップ治具６に真空吸着され、他の所定位置に設置したト
レーまで該チップ３を移送するようにしている。
この場合、該ピックアップ治具６ではチップ表面に付
着した微粒子を除去することができないため、各チップ
のトレーへの移送はかかる微粒子が表面その他各面に付
着した状態で行われる。
着した微粒子を除去することができないため、各チップ
のトレーへの移送はかかる微粒子が表面その他各面に付
着した状態で行われる。
従来かかる微粒子は極めて小さいことからチップとし
ての特性に及ぼす影響が少ないが、チップとしての集積
度の向上によってこれら微粒子が無視できなくなり、爾
後の工程でチップとしての特性を低下させる要因となっ
てきている。
ての特性に及ぼす影響が少ないが、チップとしての集積
度の向上によってこれら微粒子が無視できなくなり、爾
後の工程でチップとしての特性を低下させる要因となっ
てきている。
従来の構成になる半導体装置の製造方法では、半導体
ウェハをチップ状に形成する段階で発生し且つ該チップ
上に付着する微粒子を該チップをトレー等に移送する段
階で除去することができないため、半導体チップとして
の特性を低下させると言う問題があった。
ウェハをチップ状に形成する段階で発生し且つ該チップ
上に付着する微粒子を該チップをトレー等に移送する段
階で除去することができないため、半導体チップとして
の特性を低下させると言う問題があった。
上記問題点は、粘着テープ上に半導体ウェハを接着し
てから該半導体ウェハを複数の半導体チップに分割した
後、該半導体チップ表面をイオンガスにさらしかつ不活
性ガスにさらして該半導体チップ表面の微粒子を除去す
る工程と、次いで治具を用いて該半導体チップを吸着
し、前記粘着テープから剥離して移送する工程と、を有
する半導体装置の製造方法によって解決される。
てから該半導体ウェハを複数の半導体チップに分割した
後、該半導体チップ表面をイオンガスにさらしかつ不活
性ガスにさらして該半導体チップ表面の微粒子を除去す
る工程と、次いで治具を用いて該半導体チップを吸着
し、前記粘着テープから剥離して移送する工程と、を有
する半導体装置の製造方法によって解決される。
本発明では、ピックアップ治具が複数の半導体チップ
を順にピックアップする間に、後でピックアップするチ
ップ表面に不活性ガスブローを吹き付けることによって
チップ表面に付着している微粒子を吹き飛ばすようにし
ている。
を順にピックアップする間に、後でピックアップするチ
ップ表面に不活性ガスブローを吹き付けることによって
チップ表面に付着している微粒子を吹き飛ばすようにし
ている。
従って、チップ上の微粒子が完全に除去されることか
らピックアップ治具は表面に微粒子のないチップをピッ
クアップすることになり、爾後の工程でも半導体チップ
としての特性を低下させることがない作業を実現させる
ことができる。
らピックアップ治具は表面に微粒子のないチップをピッ
クアップすることになり、爾後の工程でも半導体チップ
としての特性を低下させることがない作業を実現させる
ことができる。
第１図は本発明になる半導体装置の製造方法を説明す
る図であり、（Ａ）は微粒子がチップ表面に付着した状
態を、また（Ｂ）は該チップがピックアップ治具にピッ
クアップされた状態をそれぞれ表わしている。
る図であり、（Ａ）は微粒子がチップ表面に付着した状
態を、また（Ｂ）は該チップがピックアップ治具にピッ
クアップされた状態をそれぞれ表わしている。
第２図（イ）のように粘着テープ１にウェハ２を接着
し、第２図（ロ）のように例えばロータリカッタで該半
導体ウェハ２を切断して複数の半導体チップに分割した
後、第２図（ハ）のように吸着ステージ４の吸着面4a上
に吸引させ、第２図（ニ）のように粘着テープ１に貼り
付けられた半導体チップ３をピックアップした後ピック
アップ位置を隣の半導体チップ３′に移動させた後の状
態が第１図（Ａ）である。
し、第２図（ロ）のように例えばロータリカッタで該半
導体ウェハ２を切断して複数の半導体チップに分割した
後、第２図（ハ）のように吸着ステージ４の吸着面4a上
に吸引させ、第２図（ニ）のように粘着テープ１に貼り
付けられた半導体チップ３をピックアップした後ピック
アップ位置を隣の半導体チップ３′に移動させた後の状
態が第１図（Ａ）である。
半導体チップ３′の表面上には、例えば破線で示す30
の部分にあった半導体チップ３をピックアップしたとき
に飛散した微粒子3aが静電気を帯びた状態で付着してい
る。
の部分にあった半導体チップ３をピックアップしたとき
に飛散した微粒子3aが静電気を帯びた状態で付着してい
る。
次に本実施例では、静電気を喪失させて微粒子3aの除
去をより良好に行うために不活性ガスブローに更にイオ
ンガスブローを加えて吹き付けるようにしている。
去をより良好に行うために不活性ガスブローに更にイオ
ンガスブローを加えて吹き付けるようにしている。
10は一般に市販されているイオンガス発生器をまた11
は例えば窒素ガス射出器を表わしており、いずれもチッ
プ３′の表面近傍で該チップ３′の表面に向かう方向に
設置しているものである。
は例えば窒素ガス射出器を表わしており、いずれもチッ
プ３′の表面近傍で該チップ３′の表面に向かう方向に
設置しているものである。
イオンガス発生器10からイオンブロー10aをチップ
３′の表面に吹きつけ、微粒子3aからイオン化して帯び
ている静電気を喪失させてチップ３′に対する吸引力を
なくす。
３′の表面に吹きつけ、微粒子3aからイオン化して帯び
ている静電気を喪失させてチップ３′に対する吸引力を
なくす。
同時に窒素ガス射出器11から射出する窒素ガスブロー
11aを吹き付けて矢印ｃのように該微粒子3aを吹き飛ば
して該チップ３′上に存在する微粒子を全て除去する。
なお窒素ガスブロー11aは化学的に安定した不活性ガス
であるため、該ガスを吹き付けることによってチップと
しての特性に影響を及ぼすことがない。
11aを吹き付けて矢印ｃのように該微粒子3aを吹き飛ば
して該チップ３′上に存在する微粒子を全て除去する。
なお窒素ガスブロー11aは化学的に安定した不活性ガス
であるため、該ガスを吹き付けることによってチップと
しての特性に影響を及ぼすことがない。
実験結果によれば、窒素ガスブロー11aの圧力を３〜5
Kg/cm2程度にして、この窒素ガスブローと同時にイオン
ガス発生器10からイオンブロー10aを射出させて吹き付
けると、微粒子が完全に吹き飛ばされて除去できること
を確認している。
Kg/cm2程度にして、この窒素ガスブローと同時にイオン
ガス発生器10からイオンブロー10aを射出させて吹き付
けると、微粒子が完全に吹き飛ばされて除去できること
を確認している。
次に吸着ステージ４の押上治具５を第２図（ニ）の場
合と同様に上昇させ、複数のピン5aで該チップ３′を押
上げてピックアップ治具６にチャックさせて図（Ｂ）に
示す状態とする。
合と同様に上昇させ、複数のピン5aで該チップ３′を押
上げてピックアップ治具６にチャックさせて図（Ｂ）に
示す状態とする。
従って該ピックアップ治具６には微粒子付着のないチ
ップのみがピックアップされることから、トレーに移送
された後の諸工程でも半導体チップとしての特性を低下
させることがない作業の実現が可能となる。以上のよう
に、本発明では電気的に吸着している微粒子をイオンガ
スにさらすことで剥がれ易くしつつ、不活性ガスにさら
して当該微粒子を飛び去らすものである。
ップのみがピックアップされることから、トレーに移送
された後の諸工程でも半導体チップとしての特性を低下
させることがない作業の実現が可能となる。以上のよう
に、本発明では電気的に吸着している微粒子をイオンガ
スにさらすことで剥がれ易くしつつ、不活性ガスにさら
して当該微粒子を飛び去らすものである。
なお本実施例では、半導体チップが粘着テープ上で既
に完全にカッティングされ、互いに分離している場合を
例としているが、粘着テープに貼られた状態で半分だけ
カットしたハーフカット状態にある半導体チップに本発
明を適用しても同様の効果を得ることができる。
に完全にカッティングされ、互いに分離している場合を
例としているが、粘着テープに貼られた状態で半分だけ
カットしたハーフカット状態にある半導体チップに本発
明を適用しても同様の効果を得ることができる。
上述の如く本発明により、微粒子付着のない半導体チ
ップを所定のトレーに移送することが可能となり、爾後
の諸工程でも半導体チップとしての特性を低下させるこ
とがない半導体装置の製造方法を提供することができ
る。
ップを所定のトレーに移送することが可能となり、爾後
の諸工程でも半導体チップとしての特性を低下させるこ
とがない半導体装置の製造方法を提供することができ
る。
第１図は本発明になる半導体装置の製造方法を説明する
図、 第２図は従来の半導体装置の製造方法例を説明する概念
図、 である図において、 １は粘着テープ、3,3′は半導体チップ、 3aは微粒子、 ４は吸着ステージ、4aは吸着面、 ５は押上治具、5aはピン、 ６はピックアップ治具、 10はイオンガス発生器、 11は窒素ガス射出器、 をそれぞれ表わす。
図、 第２図は従来の半導体装置の製造方法例を説明する概念
図、 である図において、 １は粘着テープ、3,3′は半導体チップ、 3aは微粒子、 ４は吸着ステージ、4aは吸着面、 ５は押上治具、5aはピン、 ６はピックアップ治具、 10はイオンガス発生器、 11は窒素ガス射出器、 をそれぞれ表わす。
Claims (1)
- 【請求項１】粘着テープ上に半導体ウェハを接着してか
ら該半導体ウェハを複数の半導体チップに分割した後、 該半導体チップ表面をイオンガスにさらしかつ不活性ガ
スにさらして該半導体チップ表面の微粒子を除去する工
程と、 次いで、治具を用いて該半導体チップを吸着し、前記粘
着テープから剥離して移送する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63292612A JP2530013B2 (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63292612A JP2530013B2 (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02138755A JPH02138755A (ja) | 1990-05-28 |
| JP2530013B2 true JP2530013B2 (ja) | 1996-09-04 |
Family
ID=17784051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63292612A Expired - Fee Related JP2530013B2 (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2530013B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104319251A (zh) * | 2014-10-29 | 2015-01-28 | 三星半导体(中国)研究开发有限公司 | 芯片拾取装置 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4666469B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2011-04-06 | 大日本スクリーン製造株式会社 | テープ剥離装置 |
| JP4530966B2 (ja) * | 2005-10-21 | 2010-08-25 | 株式会社新川 | ボンディング装置及びボンディング方法 |
| JP2008053260A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Nidec Tosok Corp | ピックアップ装置 |
| JP2008135455A (ja) * | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Ngk Insulators Ltd | チップ移載装置 |
| JP2012015231A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | テープ貼着方法 |
| JP5718601B2 (ja) * | 2010-09-15 | 2015-05-13 | 株式会社日立ハイテクインスツルメンツ | ダイボンダ及び半導体製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3973682A (en) * | 1974-12-20 | 1976-08-10 | International Business Machines Corporation | Pick up assembly for fragile devices |
-
1988
- 1988-11-18 JP JP63292612A patent/JP2530013B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104319251A (zh) * | 2014-10-29 | 2015-01-28 | 三星半导体(中国)研究开发有限公司 | 芯片拾取装置 |
| CN104319251B (zh) * | 2014-10-29 | 2018-02-06 | 三星半导体(中国)研究开发有限公司 | 芯片拾取装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02138755A (ja) | 1990-05-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |