JPH02111047A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH02111047A JPH02111047A JP63264640A JP26464088A JPH02111047A JP H02111047 A JPH02111047 A JP H02111047A JP 63264640 A JP63264640 A JP 63264640A JP 26464088 A JP26464088 A JP 26464088A JP H02111047 A JPH02111047 A JP H02111047A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- film
- wafer
- chips
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 claims description 11
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 4
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 2
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 24
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 241000270708 Testudinidae Species 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔１既要〕
半導体装置製造においてウェハをフィルムに接着してグ
イシングした後、フィルムよりチップを剥離する方法に
関し。
イシングした後、フィルムよりチップを剥離する方法に
関し。
チップ表面に非接触でチップを剥離してチップの傷を低
減し、交換部品をなくした方法を得ることにより、交換
に要する費用と時間を節約することを目的とし。
減し、交換部品をなくした方法を得ることにより、交換
に要する費用と時間を節約することを目的とし。
チップサイ、ズ以下の間隔で開けられた通気孔を有する
フィルム上にウェハを接着し、該ウェハを切断し且つ該
フィルムを切断しない深さの分割溝を形成して、該ウェ
ハを個々のチップに分割し。
フィルム上にウェハを接着し、該ウェハを切断し且つ該
フィルムを切断しない深さの分割溝を形成して、該ウェ
ハを個々のチップに分割し。
該フィルムより剥離しようとする所定チップの周囲を該
フィルム側より真空吸引し、同時に該所定チップに圧縮
気体を該通気孔を通して吹きつけて該所定チップを剥離
するように構成する。
フィルム側より真空吸引し、同時に該所定チップに圧縮
気体を該通気孔を通して吹きつけて該所定チップを剥離
するように構成する。
半導体装置の製造方法においてウェハをフィルムに接着
してグイシングした後、フィルムより千ノブを剥離する
方法に関するものである。
してグイシングした後、フィルムより千ノブを剥離する
方法に関するものである。
近年、高密度化された半導体チップでは１ミクロンオー
ダの小さな傷がついてもその機能が低下してしまうため
、製造工程においては少しでも傷のつき難いようにする
必要がある。
ダの小さな傷がついてもその機能が低下してしまうため
、製造工程においては少しでも傷のつき難いようにする
必要がある。
半導体ウェハ（第４図、ウェハの平面図参照）から個々
の半導体チップ１に分割するダイシング工程の後、チッ
プをフィルムより剥離するためにも傷に対する考慮が必
要である。
の半導体チップ１に分割するダイシング工程の後、チッ
プをフィルムより剥離するためにも傷に対する考慮が必
要である。
剥離したチップは、半導体装置の組み立て工程において
、チップをリードフレームに接着するチップポンディン
グ（グイボンディング）工程等に用いられる。
、チップをリードフレームに接着するチップポンディン
グ（グイボンディング）工程等に用いられる。
従来、ダイシング工程は第５図のウェハの断面図に示さ
れるようにウェハを厚さ方向に一部カットして分割溝を
形成するハーフカットと呼ばれる工程を行い、その後第
６図のようにハーフカットされたウェハをフィルム６１
．６２間に挟みｊ上からローラ６３を加圧しながら回転
させ、ウェハの分割溝の部分にクランクを入れてチップ
１に分割するクラッキングと呼ばれる工程が必要であっ
た。
れるようにウェハを厚さ方向に一部カットして分割溝を
形成するハーフカットと呼ばれる工程を行い、その後第
６図のようにハーフカットされたウェハをフィルム６１
．６２間に挟みｊ上からローラ６３を加圧しながら回転
させ、ウェハの分割溝の部分にクランクを入れてチップ
１に分割するクラッキングと呼ばれる工程が必要であっ
た。
しかし、クランキング工程は、チップｌの表面にフィル
ム６２が接触したり、ローラ６３により圧力が加えられ
たりするため、チップ表面に傷がつき易いという欠点が
ある。
ム６２が接触したり、ローラ６３により圧力が加えられ
たりするため、チップ表面に傷がつき易いという欠点が
ある。
そこで、第７図に示されるようにフルカットと呼ばれる
工程が導入された。この工程はウェハを予めフィルム２
に接着し、そのフィルムにわずかに食い込む程度にウェ
ハをカットすることにより。
工程が導入された。この工程はウェハを予めフィルム２
に接着し、そのフィルムにわずかに食い込む程度にウェ
ハをカットすることにより。
クランキング工程が不要となり、チップ１につ（傷が減
少することになった。
少することになった。
チップポンディング工程でフルカットされたウェハを用
いる場合、チップがフィルムに接着されているため、従
来は１個ずつチップを針で突き上げてフィルムより剥離
させ、千ノブをピックアップ装置のチャックに吸引して
リードフレームの接着位置に移送してボンディングを行
っていた。
いる場合、チップがフィルムに接着されているため、従
来は１個ずつチップを針で突き上げてフィルムより剥離
させ、千ノブをピックアップ装置のチャックに吸引して
リードフレームの接着位置に移送してボンディングを行
っていた。
この場合のチップ剥離方法を次の第３図を用いて説明す
る。
る。
第３図（１１，＋２）は従来のチップ剥離方法を説明す
る断面図と平面図である。
る断面図と平面図である。
図において、バキュームホルダ２１は、排気口２１Ａよ
り排気し、多数の吸引孔２１Ｂを開けた面でチップ１を
接着したフィルム２を吸引する。
り排気し、多数の吸引孔２１Ｂを開けた面でチップ１を
接着したフィルム２を吸引する。
複数個のチップ突き上げ針２２は台２２＾に固定され１
台２２Ａはバキュームホルダ２１の底部中央を気密を保
って貫通して上下する突き上げ棒２２Ｂの先端に固定さ
れる。
台２２Ａはバキュームホルダ２１の底部中央を気密を保
って貫通して上下する突き上げ棒２２Ｂの先端に固定さ
れる。
このような機構を用いて１フイルム２を真空吸引し９回
りのチップが上がらないようにして所望のチップのみ針
２２でフィルム２を突き破りチップ１を突き上げて剥離
していた。
りのチップが上がらないようにして所望のチップのみ針
２２でフィルム２を突き破りチップ１を突き上げて剥離
していた。
この方法においては、バキュームホルダ２１の吸着面の
中央部にチップ突き上げ針２２の上下運動を邪魔しない
ように開口部２ＩＣが設けられ、開口部２１Ｃはチップ
サイズごとに大きさが異なるため。
中央部にチップ突き上げ針２２の上下運動を邪魔しない
ように開口部２ＩＣが設けられ、開口部２１Ｃはチップ
サイズごとに大きさが異なるため。
バキュームホルダ２１とチップ突き上げ針２２はチップ
サイズごとに用意しなければならなかった。
サイズごとに用意しなければならなかった。
従来のチップ剥離方法では、チップ突き上げ針２２はフ
ィルム２を貫通してチップ１を上方へ突き上げるため、
磨耗がひどく、過大な力が加わると折れることがある。
ィルム２を貫通してチップ１を上方へ突き上げるため、
磨耗がひどく、過大な力が加わると折れることがある。
そのため、常に注意して交換しながら使用しなければな
らなかった。
らなかった。
又、チップサイズの変更ごとに、突き−ヒげ針２２とバ
キュームホルダ２１を取替えねばならず、チップサイズ
ごとに多数の部品を必要とした。
キュームホルダ２１を取替えねばならず、チップサイズ
ごとに多数の部品を必要とした。
本発明はチップ表面に非接触でチップを剥離してチップ
の傷を低減し、交換部品をなくした方法を得ることによ
り、交換に要する費用と時間を節約することを目的とす
る。
の傷を低減し、交換部品をなくした方法を得ることによ
り、交換に要する費用と時間を節約することを目的とす
る。
〔課題を解決するための手段〕
上記課題の解決は、チップサイズ以下の間隔で開けられ
た通気孔を有するフィルム上にウェハを接着し、該ウェ
ハを切断し且つ該フィルムを切断しない深さの分割溝を
形成して、該ウェハを個々のチップに分割し、該フィル
ムより剥離しようとする所定チップの周囲を該フィルム
側より真空吸引し、同時に該所定チップに圧縮気体を該
通気孔を通して吹きつけて該所定チップを剥離する半導
体装置の製造方法により達成される。
た通気孔を有するフィルム上にウェハを接着し、該ウェ
ハを切断し且つ該フィルムを切断しない深さの分割溝を
形成して、該ウェハを個々のチップに分割し、該フィル
ムより剥離しようとする所定チップの周囲を該フィルム
側より真空吸引し、同時に該所定チップに圧縮気体を該
通気孔を通して吹きつけて該所定チップを剥離する半導
体装置の製造方法により達成される。
本発明は、多数の通気孔を開けたフィルムを用いてチッ
プを接着し、バキュームホルダで剥離しようとするチッ
プの周囲を吸引してフィルムが押し上げられるのを防止
し、同時に剥離しようとするチップに対してはフィルム
の通気孔位置に合わせて開口した孔より吹き出す圧縮気
体でチップを押し上げるようにしたものである。
プを接着し、バキュームホルダで剥離しようとするチッ
プの周囲を吸引してフィルムが押し上げられるのを防止
し、同時に剥離しようとするチップに対してはフィルム
の通気孔位置に合わせて開口した孔より吹き出す圧縮気
体でチップを押し上げるようにしたものである。
この際、吹き出し孔の代わりに、フィルムと接触し゛ζ
圧縮気体を吹き出す部分に粉体を焼結した多孔体を用い
ると、吹き出し孔を一々フィルムの通気孔に合わせる必
要がな（便利である。
圧縮気体を吹き出す部分に粉体を焼結した多孔体を用い
ると、吹き出し孔を一々フィルムの通気孔に合わせる必
要がな（便利である。
第１図は本発明の一実施例の製造月方法を説明する断面
図と平面図である。
図と平面図である。
図において、バキュームホルダ１１は、排気口１１Ａよ
り排気し、多数の吸引孔１１Ｂを開けた面でチップ１を
接着したフィルム２Ａを吸引する。
り排気し、多数の吸引孔１１Ｂを開けた面でチップ１を
接着したフィルム２Ａを吸引する。
この際、フィルム２Ａはチップサイズ以下の間隔で配列
された通気孔２Ａ）Ｉが開けられている。
された通気孔２Ａ）Ｉが開けられている。
図では、吸引孔１１Ｂは通気孔２ＡＨの位置に一致して
いるが、必ずしもこの必要はない。
いるが、必ずしもこの必要はない。
加圧容器１２はバキュームホルダｌｌ内に設けられ。
バキュームホルダ１１の底部中央を貫通する圧縮気体Ａ
！入口１２Ａと、フィルム吸引面にフィルムの通気孔の
位置に合わせて開口された圧縮気体の吹き出し孔１２Ｂ
を持つ。
！入口１２Ａと、フィルム吸引面にフィルムの通気孔の
位置に合わせて開口された圧縮気体の吹き出し孔１２Ｂ
を持つ。
このような機構を用いて、フィルム２八を真空吸引し１
回りのチップが上がらないようにして所望のチップのみ
を吹き出し孔１２Ｂより吹き出す圧１宿気体で押し上げ
てチップ１を！＾り離する。
回りのチップが上がらないようにして所望のチップのみ
を吹き出し孔１２Ｂより吹き出す圧１宿気体で押し上げ
てチップ１を！＾り離する。
剥離したチップはピックアップ装置のチャック１３に吸
引されて次工程に移される。
引されて次工程に移される。
この方法においては、剥離しようとするチップの下側に
、即ちバキュームホルダ１工の吸着面の中央部にチップ
押し上げ用の圧縮気体の吹き出し孔１２Ｂを設けるだけ
の構造であるため、チップサイズの変動に対する順応性
は従来例よりよい。
、即ちバキュームホルダ１工の吸着面の中央部にチップ
押し上げ用の圧縮気体の吹き出し孔１２Ｂを設けるだけ
の構造であるため、チップサイズの変動に対する順応性
は従来例よりよい。
第２図は本発明の応用例を示す斜視図である。
この図は、チップボンディング工程に本発明を適用した
例を示し、フィルム２Ａ上に接着され且つフルカットさ
れたウェハはチップごとに本発明の方法によりピックア
ップ装置１４のチャック１３に吸引されて、リードフレ
ーム１５のステージ十に移送されてボンディングされる
。
例を示し、フィルム２Ａ上に接着され且つフルカットさ
れたウェハはチップごとに本発明の方法によりピックア
ップ装置１４のチャック１３に吸引されて、リードフレ
ーム１５のステージ十に移送されてボンディングされる
。
以上説明したように本発明によれば、チップ表面に非接
触でチップをフィルムより剥離でき、チ・７プに付く傷
を減少させることができる。
触でチップをフィルムより剥離でき、チ・７プに付く傷
を減少させることができる。
更に、従来の突き上げ針等の交換部品は不要となり、交
換の費用と時間と手間が節約できる。
換の費用と時間と手間が節約できる。
今後、チップのフルカット方法はすべての半導体装置の
製造に適用されろ傾向にあり１本発明の方法は製造コス
ト面、装置のメンテナンス面での寄与が大きい。
製造に適用されろ傾向にあり１本発明の方法は製造コス
ト面、装置のメンテナンス面での寄与が大きい。
第１図は本発明の一実施例の製造方法を説明する断面図
と平面図。 第２図は本発明の応用例を示す斜視図 第３図（１１，（２）は従来のチノプヱ１１．紺方法を
説明する断面図と平面図 第４図はダイシング後のウェハの平面図。 第５図はハーフカットのウェハの断面図。 第６図はタラソキングを説明するウェハの断面図 第７図はフルカットのウェハの断面図 図において。 １はチップ。 ２Ａはフィルム。 ２＾Ｈは通気孔。 １１はバキュームホルダ。 １１Ａは排気口。 １１Ｂは吸引孔。 １２は加圧容器。 １２Ａは圧縮気体導入口 １２Ｂ は圧縮気体吹き出し孔。 １３はチャック ７、亀甲９・）０躬才り図 ５゛ ７フ ？ 薬だノ列のざ１面図と？！２面！ 鴇 □ 図 咬スＩり・ｌ、Ｑ、ｇの星とヱ面Σ 弓 ３ 図 タ゛インン２４表ｔフエハ９千面刀 男 図 ハーフつ・ソト Ｘ２フイ２，４ 厚 フルカット 第 ２貴・ノ穴／フ 嶌
と平面図。 第２図は本発明の応用例を示す斜視図 第３図（１１，（２）は従来のチノプヱ１１．紺方法を
説明する断面図と平面図 第４図はダイシング後のウェハの平面図。 第５図はハーフカットのウェハの断面図。 第６図はタラソキングを説明するウェハの断面図 第７図はフルカットのウェハの断面図 図において。 １はチップ。 ２Ａはフィルム。 ２＾Ｈは通気孔。 １１はバキュームホルダ。 １１Ａは排気口。 １１Ｂは吸引孔。 １２は加圧容器。 １２Ａは圧縮気体導入口 １２Ｂ は圧縮気体吹き出し孔。 １３はチャック ７、亀甲９・）０躬才り図 ５゛ ７フ ？ 薬だノ列のざ１面図と？！２面！ 鴇 □ 図 咬スＩり・ｌ、Ｑ、ｇの星とヱ面Σ 弓 ３ 図 タ゛インン２４表ｔフエハ９千面刀 男 図 ハーフつ・ソト Ｘ２フイ２，４ 厚 フルカット 第 ２貴・ノ穴／フ 嶌
Claims (1)
- チップサイズ以下の間隔で開けられた通気孔を有するフ
ィルム上にウェハを接着し、該ウェハを切断し且つ該フ
ィルムを切断しない深さの分割溝を形成して、該ウェハ
を個々のチップに分割し、該フィルムより剥離しようと
する所定チップの周囲を該フィルム側より真空吸引し、
同時に該所定チップに圧縮気体を該通気孔を通して吹き
つけて該所定チップを剥離することを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63264640A JPH02111047A (ja) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63264640A JPH02111047A (ja) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02111047A true JPH02111047A (ja) | 1990-04-24 |
Family
ID=17406161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63264640A Pending JPH02111047A (ja) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02111047A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108583981A (zh) * | 2018-04-26 | 2018-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 曲面载台、柔性面板加工设备及拉伸底部保护膜的方法 |
| KR20200049002A (ko) * | 2018-10-31 | 2020-05-08 | 세메스 주식회사 | 다이 이젝팅 장치 |
-
1988
- 1988-10-20 JP JP63264640A patent/JPH02111047A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108583981A (zh) * | 2018-04-26 | 2018-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 曲面载台、柔性面板加工设备及拉伸底部保护膜的方法 |
| CN108583981B (zh) * | 2018-04-26 | 2020-06-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 曲面载台、柔性面板加工设备及拉伸底部保护膜的方法 |
| KR20200049002A (ko) * | 2018-10-31 | 2020-05-08 | 세메스 주식회사 | 다이 이젝팅 장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100766512B1 (ko) | 반도체 칩의 박리 방법 및 장치 | |
| KR100506109B1 (ko) | 접착성 테이프의 박리 기구, 접착성 테이프의 박리 장치,접착성 테이프의 박리 방법, 반도체 칩의 픽업 장치,반도체 칩의 픽업 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및반도체 장치의 제조 장치 | |
| US6869264B2 (en) | Method and apparatus for picking up a semiconductor chip, method and apparatus for removing a semiconductor chip from a dicing tape, and a method of forming a perforated dicing tape | |
| KR101970884B1 (ko) | 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| KR20080112127A (ko) | 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법 | |
| KR101596461B1 (ko) | 칩 디테칭 장치 및 칩 디테칭 방법 | |
| KR20010029981A (ko) | 웨이퍼의 분할 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP2007036153A (ja) | ウエーハの保護テープ貼着方法および貼着装置 | |
| JPWO2005029574A1 (ja) | コレット、ダイボンダおよびチップのピックアップ方法 | |
| JP2015076410A (ja) | ボンディング方法及びダイボンダ | |
| JP2009049127A (ja) | 半導体装置の製造方法及び吸着コレット | |
| JPH09181150A (ja) | 半導体チップのピックアップ装置及びこれを用いたピックアップ方法 | |
| JP2002141392A (ja) | 半導体チップのピックアップ方法及び装置、並びに該装置を有するダイボンド装置 | |
| JPH02111047A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP6324857B2 (ja) | ダイボンダ並びにボンディング方法及びピックアップ装置 | |
| JP6366223B2 (ja) | 半導体チップのピックアップ装置 | |
| US20100038031A1 (en) | Pick-up apparatus for semiconductor chips and pick-up method for semiconductor chips using the same | |
| JP2004311980A (ja) | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH0376139A (ja) | 半導体素子突上げ方法 | |
| JP2010062473A (ja) | 半導体チップのピックアップ装置およびこれを用いた半導体チップのピックアップ方法 | |
| JPH05286568A (ja) | ウエハ吸着装置とこれを用いた半導体装置製造方法 | |
| JP2014239090A (ja) | ピックアップシステム | |
| KR101175918B1 (ko) | 박형 기판용 지지체 탈부착 설비 및 그에 의한 탈착 방법 | |
| TWI820938B (zh) | 晶粒吸取輔助裝置 | |
| WO2021240840A1 (ja) | ピックアップ装置およびピックアップ方法 |