JP2003229469A - 半導体チップピックアップ装置 - Google Patents

半導体チップピックアップ装置

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JP2003229469A
JP2003229469A JP2002026269A JP2002026269A JP2003229469A JP 2003229469 A JP2003229469 A JP 2003229469A JP 2002026269 A JP2002026269 A JP 2002026269A JP 2002026269 A JP2002026269 A JP 2002026269A JP 2003229469 A JP2003229469 A JP 2003229469A
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Koichi Yajima
興一 矢嶋
Kuniaki Tsurushima
邦明 鶴島
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 半導体チップが著しく薄い場合でも、テープ
上に貼着されている多数の半導体チップを、破損せしめ
るとなく個々にテープから剥離してピックアップするこ
とができる半導体チップピックアップ装置を提供する。 【解決手段】 表面上に多数の半導体チップが貼着され
ているテープを支持するための支持手段２と、支持手段
に支持されているテープの表面から半導体チップを個々
にピックアップするピックアップ手段４とを具備する。
支持手段は、テープの裏面を支持するための、間隔をお
いて平行に延びる複数個の支持ライン８を含む。テープ
の裏面を吸引して、支持ライン以外の領域においてテー
プを半導体チップから剥離せしめるための吸引手段１２
が配設されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、テープの表面に貼
着されている多数の半導体チップを個々にテープの表面
から剥離してピックアップする、半導体チップピックア
ップ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップの製造においては、周知の
如く、半導体ウエーハの表面を格子状に配列されたスト
リートによって多数の矩形領域に区画し、矩形領域の各
々に半導体回路を形成する。次いで、必要に応じて半導
体ウエーハの裏面を研削してその厚さを低減せしめた後
に、半導体ウエーハをダイス、即ちストリートに沿って
切削して矩形領域を個々に分離する。分離された個々の
矩形領域は半導体チップを構成する。近時において、先
ダイシングと称される様式によって、即ち半導体ウエー
ハの表面からストリートに沿ってその厚さ全体に渡って
ではなくて所定深さでダイスして所定深さの溝を形成
し、しかる後に半導体ウエーハの裏面を研削して半導体
ウエーハの厚さを上記溝の深さ以下にせしめて矩形領域
を個々に分離することも実用に供されている。いずれの
場合においても、半導体ウエーハを個々の矩形領域に分
離する際には、半導体ウエーハの裏面又は表面をテープ
に貼着しており、従って矩形領域を個々に分離した時点
においては、個々に分離された矩形領域即ち半導体チッ
プはテープ上に貼着されている。従って、半導体ウエー
ハの研削及び切削に続いて、テープ上に貼着されている
多数の半導体チップを個々にテープから剥離してピック
アップすることが必要である。
【０００３】テープの表面から半導体チップを個々にピ
ックアップするための従来の半導体チップピックアップ
装置は、表面上に多数の半導体チップが貼着されている
テープを支持するための支持手段と、複数個の小さい針
を裏面からテープに挿通せしめて１個の半導体チップを
テープの表面から剥離して上昇せしめる剥離手段と、テ
ープの表面から剥離され上昇せしめられた半導体チップ
を真空吸引してピックアップするピックアップ手段とを
備えている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】而して、従来の半導体
チップピックアップ装置には、特に半導体チップが薄
く、例えば１００μｍ以下の厚さである場合、テープを
挿通せしめられた針を半導体チップに当接せしめた時
に、半導体チップが破損されてしまうことが少なくな
い、という問題がある。
【０００５】本発明は上記事実に鑑みてなされたもので
あり、その主たる技術的課題は、半導体チップが著しく
薄い場合でも、テープ上に貼着されている多数の半導体
チップを、破損せしめることなく個々にテープから剥離
してピックアップすることができる、新規な半導体チッ
プピックアップ装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は鋭意検討の
結果、テープの裏面を支持するための、間隔をおいて平
行に延びる複数個の支持ラインを含む形態の支持手段を
使用すると共に、複数個の支持ラインに支持されている
テープの裏面を吸引して支持ライン以外の領域において
テープを半導体チップから剥離せしめるための吸引手段
を配設することによって、上記主たる技術的課題を達成
することができることを見出した。
【０００７】即ち、本発明によれば、上記主たる技術的
課題を達成する半導体チップピックアップ装置として、
表面上に多数の半導体チップが貼着されているテープを
支持するための支持手段と、該支持手段に支持されてい
るテープの表面から半導体チップを個々にピックアップ
するピックアップ手段とを具備する、テープの表面上に
貼着されている多数の半導体チップを個々にテープから
剥離してピックアップする半導体チップピックアップ装
置にして、該支持手段は、テープの裏面を支持するため
の、間隔をおいて平行に延びる複数個の支持ラインを含
み、該支持手段の該複数個の支持ラインに支持されてい
るテープの裏面を吸引して、該支持ライン以外の領域に
おいてテープを半導体チップから剥離せしめるための吸
引手段が配設されている、ことを特徴とする半導体チッ
プピックアップ装置が提供される。
【０００８】好適には、該支持手段は多孔性部材及び該
多孔性部材の上方に配設された複数個の細線を含み、該
複数個の細線は相互に間隔をおいて平行に配列されて該
支持ラインを構成しており、該吸引手段は該多孔性部材
を通して吸引する。該支持手段は平板部及び該平板部上
に形成された複数個の突条を有する支持部材を含み、該
複数個の突条は相互に間隔をおいて平行に配列されて該
支持ラインを構成しており、該平板部には該突条間に位
置する複数個の通気孔が配設されており、該吸引手段は
該通気孔を通して吸引することも好適である。個々の半
導体チップはテープを介して少なくとも２個の支持ライ
ンに跨がって支持されるのが好ましい。該支持手段の該
支持ラインの各々とテープの裏面との接触幅は０．１乃
至１．０ｍｍであるのが好適である。該支持手段の該支
持ラインを、テープの表面上に貼着されている多数の半
導体チップの全ての存在領域面積と実質上同一乃至これ
より幾分大きい領域に渡って配設し、テープの表面上に
貼着されている半導体チップの全てが同時に該支持ライ
ンによって支持されるようにせしめることができる。こ
れに代えて、該支持手段の該支持ラインを、テープの表
面上に貼着されている１個の半導体チップの存在領域面
積と実質上同一乃至これより幾分大きい領域に渡って配
設し、、該支持手段をテープの裏面に沿って移動自在に
せしめることもできる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明に従って構成された半導体チップピックアップ装置の
好適実施形態について、更に詳述する。
【００１０】図１を参照して説明すると、半導体チップ
ピックアップ装置は支持手段２とピックアップ手段４と
を具備している。図示の支持手段２は略円板形状である
基板６を含んでいる。この基板６の上面には円形凹部８
が形成されている。基板６にはその下面から円形凹部８
まで延びる通気路１０も形成されており、かかる通気路
１０は適宜の連通路（図示していない）を介して真空源
１２に選択的に連通せしめられる。後の説明から理解さ
れる如く、真空源１２はテープの裏面を吸引するための
吸引手段を構成する。基板６の円形凹部８には円板形状
の多孔性部材１４が装着されている。多孔性部材１４は
多孔性セラミックの如き適宜の多孔性材料から形成する
ことができる。円形凹部８内にはリング部材１６も着脱
自在に装着されている。適宜の金属或いは合成樹脂から
形成することができるリング部材１６は多孔性部材１４
の周縁部上に積重せしめられている。図１と共に図２を
参照することによって明確に理解される如く、リング部
材１６には多数の細線１８が張設されている。金属細線
或いは合成樹脂細線でよい細線１８の各々は、例えばそ
の両端をリング部材１６の内周面に接着することによっ
て、或いはリング部材１６に形成された半径方向貫通孔
（図示していない）に両端部を挿通せしめて係止するこ
とによって、リング部材１６に張設することができる。
多数の細線１８は等間隔をおいて平行に延在せしめられ
ている。後の説明から明確に理解される如く、多数の細
線１８は表面上に多数の半導体チップが貼着されたテー
プを支持するための支持ラインを構成する。細線１８上
に支持すべき半導体チップが寸法が異なったものに変更
される場合には、リング部材１６を細線１８間の間隔が
変更される半導体チップの寸法に対応したものに変更す
ることができる。
【００１１】図示の実施形態におけるピックアップ手段
４は任意方向に移動自在である吸着ヘッド２０を含んで
いる。それ自体は周知の形態でよい吸着ヘッド２０の下
面には多孔性吸着板（図示していない）が配設され、か
かる吸着板は適宜の連通ライン（図示していない）を介
して真空源２２に選択的に連通せしめられる。
【００１２】図３には、テープ２４及びこのテープ２４
の表面に貼着された多数の半導体チップ２６が図示され
ている。図示の実施形態においては、テープ２４自体が
中央に円形開口３０を有するフレーム２８の下面に貼着
されており、テープ２４はフレーム２８の開口３０を跨
がって延在せしめられている。そして、フレーム２８の
円形開口３０内にて、テープ２４の表面に多数の半導体
チップ２６が貼着されている。半導体チップ２６は略円
板形状の半導体ウエーハ３２を格子状に配列されたスト
リート３４に沿って分離することによって形成されてお
り、従ってテープ２４の表面上に行と列とをなして配列
されている。
【００１３】テープ２４の表面上から半導体チップ２６
を個々に分離してピックアップするためには、図１及び
図４に実線で示し図２に二点鎖線で示す如く、テープ２
４が貼着されているフレーム２８を支持手段２の基板６
における上面周縁部（即ち円形凹部８の周縁部）上に載
置する。半導体チップ２６の各々の両側縁が細線１８と
実質上平行になるように基板６上にフレーム２８を位置
せしめるのが望ましい。かくすると、図４に明確に図示
する如く、テープ２４の表面上に貼着されている多数の
半導体チップ２６はテープ２４を介して支持手段２の細
線１８上に支持される。半導体チップ２６の各々が細線
１８上に充分安定して支持されるようになすためには、
個々の半導体チップ２６がテープ２４を介して２個又は
３個以上の細線１８に跨がって支持されるようになすの
が好適である。細線１８の各々とテープ２４の裏面との
接触幅は充分に小さく、例えば０．１乃至１．０ｍｍ程
度であるのが好都合である。次いで、基板６の通気路１
０を真空源１２に連通せしめる。かくすると、テープ２
４の裏面が多孔性部材１４を介して吸引され、図４に二
点鎖線で誇張して示す如くテープ２４が細線１８以外の
領域において下方に強制されて半導体チップ２６の各々
から剥離せしめられる。かような状態維持しながら、ピ
ックアップ手段４を構成する吸着ヘッド２０の下面を個
々の半導体チップ２６の上面に密接乃至近接せしめて半
導体チップ２６を吸着ヘッド２０に吸着し、テープ２４
の表面からピックアップし所要部位に搬送する。半導体
チップ２６の各々をテープ２４の表面から剥離せしめる
際に半導体チップ２６に局部的に大きな力が加えられる
ことはなく、半導体チップ２６の厚さが相当薄い場合で
も、半導体チップ２６が破損される虞は皆無乃至著しく
小さい。
【００１４】図５には支持手段の変形実施形態が図示さ
れている。図５に図示する支持手段１０２は平板形状の
支持部材１０６から構成されている。支持部材１０６は
平板部１０８を有し、この平板部１０８の周縁には上方
に突出した環状周壁１１０が一体に形成され、そしてま
た平板部１０８の上面には複数個の突条１１２が一体に
形成されている。突条１１２は等間隔をおいて平行に図
５において紙面に垂直な方向に延びている。突条１１２
の上端と環状周壁１１０の上面とは実質上同高でよい。
各突条１１２間において、平板部１０８には図５におい
て紙面に垂直な方向（従って突条１１２の延在方向）に
間隔をおいて上下に貫通して延びる複数個の通気孔１１
４が形成されている。かような支持手段１０２において
は、複数個の突条１１２がテープ２４を介して半導体チ
ップ２６を支持する支持ラインを構成する（図３も参照
されたい）。即ち、テープ２４の表面から半導体チップ
２６を個々に剥離してピックアップする場合には、フレ
ーム２８を支持部材１０６の環状周壁１１０上に載置
し、テープ２４の表面上に貼着されている多数の半導体
チップ２６がテープ２４を介して突条１１２上に、望ま
しは各半導体チップ２６の両側縁を突条１１２と実質状
平行にせしめて、支持されるようにせしめる。この場合
にも、半導体チップ２６の各々が突条１１２上に充分安
定して支持されるようになすためには、個々の半導体チ
ップ２６がテープ２４を介して２個又は３個以上の突条
１１２に跨がって支持されるようになすのが好適であ
る。突条１１２の各々とテープ２４の裏面との接触幅は
充分に小さく、例えば０．１乃至１．０ｍｍ程度である
のが好都合である。次いで、支持部材１０４の平板部１
０８に形成されている通気孔１１４を適宜の連通路（図
示していない）を介して吸引手段即ち真空源１１６に連
通せしめる。かくすると、テープ２４の裏面が通気孔１
１４を介して吸引され、テープ２４が突条１１２以外の
領域において下方に強制されて半導体チップ２６の各々
から剥離せしめられる。テープ２４の表面から剥離され
た半導体チップ２６の各々は、図１乃至図４を参照して
説明した半導体チップピックアップ装置の場合と同様
に、適宜のピックアップ手段によってピックアップし所
要部位に搬送することができる。
【００１５】図１乃至図４を参照して説明した半導体チ
ップピックアップ装置における支持手段２、及び図５に
図示する支持手段１０２においては、テープ２４を介し
て半導体チップ２６を支持する支持ライン、即ち細線１
８及び突条１１２は、テープ２４上に貼着されている多
数の半導体チップ２６の全ての存在領域面積（従ってス
トリート３４に沿って個々の半導体チップ２６に分離さ
れる前の半導体ウエーハの面積）と実施上同一乃至これ
より幾分大きい領域に渡って配設されており、テープ２
４上に貼着されている半導体チップ２６の全てが同時に
支持ライン（即ち細線１８又は突条１１２）に支持さ
れ、半導体チップ２６を個々にピックアップする際にピ
ックアップ手段４はテープ２４に沿って移動せしめられ
るが支持手段２及び１０２は静止せしめられている。し
かしながら、所望ならば、図６に簡略に図示する如く、
支持手段２０２における支持ラインをテープ２４の表面
に貼着された１個の半導体チップ２６の存在領域面積と
実質上同一乃至これより幾分大きい領域のみに渡って配
設することもできる。図６に図示する支持手段２０２
は、図１及び図２に図示する支持手段２における基板
６、多孔性部材１４、リング部材１６に対応する基板２
０６、多孔性部材２１４、リング部材２１６を１個（乃
至数個）の半導体チップ２６に適した寸法に縮小すると
共に、１個の半導体チップ２６を支持するために充分で
ある２個の細線２０８のみをリング部材２１６に張設し
たものである。かような支持手段２０２を使用する場
合、テープ２４が貼着されたフレーム２８を別個に配設
した適宜の支持手段（図示していない）によって支持
し、個々の半導体チップ２６をテープ２４の表面上から
剥離してピックアップする際には、支持手段２０２をテ
ープ２４の裏面に沿って適宜に移動せしめ、ピックアッ
プ手段４と共に支持手段２０２を個々の半導体チップ２
６対して順次に位置付けることが必要である。
【００１６】
【発明の効果】本発明の半導体チップピックアップ装置
によれば、半導体チップが著しく薄い場合でも、テープ
上に貼着されている多数の半導体チップを、破損せしめ
るとなく個々にテープから剥離してピックアップするこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に従って構成された半導体チップピック
アップ装置の好適実施形態を示す断面図。
【図２】図１の半導体チップピックアップ装置における
支持手段を示す斜面図。
【図３】フレームに貼着されたテープの表面に多数の半
導体チップが貼着されている状態を示す斜面図。
【図４】図１の半導体チップピックアップ装置の一部を
拡大して示す断面図。
【図５】支持手段の変形実施形態を示す断面図。
【図６】支持手段の他の変形実施形態を示す断面図。
【符号の説明】
２：支持手段 ４：ピックアップ手段 １２：真空源（吸引手段） １４：多孔性部材 １８：細線（支持ライン） ２４：テープ ２６：半導体チップ ２８：フレーム １０２：支持手段 １０６：支持部材 １０８：平板部 １１２：突条（支持ライン） １１４：通気孔 １１６：真空源（吸引手段） ２０２：支持手段 ２１４：多孔性部材 ２０８：細線（支持ライン）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F031 CA13 DA15 FA05 FA07 FA12 GA23 HA05 HA08 HA13 HA78 MA39 5F047 FA01

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 表面上に多数の半導体チップが貼着され
    ているテープを支持するための支持手段と、該支持手段
    に支持されているテープの表面から半導体チップを個々
    にピックアップするピックアップ手段とを具備する、テ
    ープの表面上に貼着されている多数の半導体チップを個
    々にテープから剥離してピックアップする半導体チップ
    ピックアップ装置にして、 該支持手段は、テープの裏面を支持するための、間隔を
    おいて平行に延びる複数個の支持ラインを含み、 該支持手段の該複数個の支持ラインに支持されているテ
    ープの裏面を吸引して、該支持ライン以外の領域におい
    てテープを半導体チップから剥離せしめるための吸引手
    段が配設されている、ことを特徴とする半導体チップピ
    ックアップ装置。
  2. 【請求項２】 該支持手段は多孔性部材及び該多孔性部
    材の上方に配設された複数個の細線を含み、該複数個の
    細線は相互に間隔をおいて平行に配列されて該支持ライ
    ンを構成しており、該吸引手段は該多孔性部材を通して
    吸引する、請求項１記載の半導体チップピックアップ装
    置。
  3. 【請求項３】 該支持手段は平板部及び該平板部上に形
    成された複数個の突条を有する支持部材を含み、該複数
    個の突条は相互に間隔をおいて平行に配列されて該支持
    ラインを構成しており、該平板部には該突条間に位置す
    る複数個の通気孔が配設されており、該吸引手段は該通
    気孔を通して吸引する、請求項１記載の半導体チップピ
    ックアップ装置。
  4. 【請求項４】 個々の半導体チップはテープを介して少
    なくとも２個の支持ラインに跨がって支持される、請求
    項１から３までのいずれかに記載の半導体チップピック
    アップ装置。
  5. 【請求項５】 該支持手段の該支持ラインの各々とテー
    プの裏面との接触幅は０．１乃至１．０ｍｍである、請
    求項１から４までのいずれかに記載の半導体チップピッ
    クアップ装置。
  6. 【請求項６】 該支持手段の該支持ラインは、テープの
    表面上に貼着されている多数の半導体チップの全ての存
    在領域面積と実質上同一乃至これより幾分大きい領域に
    渡って配設されており、テープの表面上に貼着されてい
    る半導体チップの全てが同時に該支持ラインによって支
    持される、請求項１から５までのいずれかに記載の半導
    体チップピックアップ装置。
  7. 【請求項７】 該支持手段の該支持ラインは、テープの
    表面上に貼着されている１個の半導体チップの存在領域
    面積と実質上同一乃至これより幾分大きい領域に渡って
    配設されており、該支持手段はテープの裏面に沿って移
    動自在である、請求項１から５までのいずれかに記載の
    半導体チップピックアップ装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008047732A1 (fr) * 2006-10-18 2008-04-24 Lintec Corporation Dispositif de serrage stationnaire, procédé de saisie de puce et appareil de saisie de puce
WO2008047731A1 (fr) * 2006-10-18 2008-04-24 Lintec Corporation Procédé de saisie de puces et appareil de saisie de puces
CN106067438A (zh) * 2015-04-23 2016-11-02 日月光半导体制造股份有限公司 载具以及将半导体元件附接到载具的方法与半导体方法
KR101675915B1 (ko) * 2016-02-26 2016-11-14 (주) 에스에스피 가이드 수단을 포함하는 반도체 디바이스 자재 분리 및 픽업 방법과 이를 이용하는 장치.

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7235139B2 (en) * 2003-10-28 2007-06-26 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier for growing GaN wafers
WO2006088448A1 (en) * 2005-02-16 2006-08-24 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier for growing gan wafers
US8137050B2 (en) * 2005-09-29 2012-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pickup device and pickup method
US20070187039A1 (en) * 2006-02-10 2007-08-16 Chi-Yun Chang Wafer carrying apparatus
US8226796B2 (en) * 2009-01-14 2012-07-24 Asm Assembly Automation Ltd Flanged collet for die pick-up tool
CN102800559B (zh) * 2011-05-24 2016-04-20 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 从料盒中取晶片的装置、晶片上料设备和晶片上料系统
JP5923876B2 (ja) * 2011-06-15 2016-05-25 富士電機株式会社 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法
JP2013191781A (ja) * 2012-03-14 2013-09-26 Fuji Electric Co Ltd 半導体製造装置および半導体製造装置の制御方法
JP2017212255A (ja) * 2016-05-23 2017-11-30 株式会社ジェイデバイス 半導体製造装置及び製造方法
EP3841046B1 (en) * 2018-08-20 2024-04-10 Kornit Digital Ltd. Loading mechanism for shirts
TWI696867B (zh) * 2019-03-22 2020-06-21 友達光電股份有限公司 膠帶結構及使用其之顯示面板和顯示裝置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3448510A (en) * 1966-05-20 1969-06-10 Western Electric Co Methods and apparatus for separating articles initially in a compact array,and composite assemblies so formed
US3809050A (en) * 1971-01-13 1974-05-07 Cogar Corp Mounting block for semiconductor wafers
US4667944A (en) * 1985-08-29 1987-05-26 Vichem Corporation Means for handling semiconductor die and the like
JPH05335405A (ja) * 1992-05-29 1993-12-17 Toshiba Corp ウエハ載置台および半導体装置製造装置
JPH07335720A (ja) * 1994-06-10 1995-12-22 Toshiba Corp 半導体チップ取上装置およびその取上方法
JPH088327A (ja) * 1994-06-21 1996-01-12 Sony Corp ステージ装置
JPH1092768A (ja) * 1996-09-13 1998-04-10 Suinkusu:Kk 半導体バー部材剥離供給装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008047732A1 (fr) * 2006-10-18 2008-04-24 Lintec Corporation Dispositif de serrage stationnaire, procédé de saisie de puce et appareil de saisie de puce
WO2008047731A1 (fr) * 2006-10-18 2008-04-24 Lintec Corporation Procédé de saisie de puces et appareil de saisie de puces
JP2008103493A (ja) * 2006-10-18 2008-05-01 Lintec Corp チップのピックアップ方法及びピックアップ装置
JP2008103494A (ja) * 2006-10-18 2008-05-01 Lintec Corp 固定ジグおよびチップのピックアップ方法並びにピックアップ装置
US8182649B2 (en) 2006-10-18 2012-05-22 Lintec Corporation Fixed jig, chip pickup method and chip pickup apparatus
CN106067438A (zh) * 2015-04-23 2016-11-02 日月光半导体制造股份有限公司 载具以及将半导体元件附接到载具的方法与半导体方法
CN106067438B (zh) * 2015-04-23 2020-09-25 日月光半导体制造股份有限公司 载具以及将半导体元件附接到载具的方法与半导体方法
KR101675915B1 (ko) * 2016-02-26 2016-11-14 (주) 에스에스피 가이드 수단을 포함하는 반도체 디바이스 자재 분리 및 픽업 방법과 이를 이용하는 장치.

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