JP2024078021A - 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】サイズの異なる半導体チップが混在する場合でも、それぞれの半導体チップを適切にダイシングシートから剥がれやすい状態にして取り上げることを可能にする。【解決手段】ピックアップ装置１０は、半導体チップ１０１が貼り付いたダイシングシート１００の裏面に対向するように配置された複数の突起部１３を有するステージ１２と、外枠１１とダイシングシート１００とステージ１２との間の空間を真空引きする吸引ユニット１４と、を備える。複数の突起部１３は、互いに高さもしくは上下方向の弾性率の異なる複数の第１の突起部１３ａと複数の第２の突起部１３ｂとを含んでいる。【選択図】図１

Description

本開示は、半導体装置の製造に関し、特に、ダイシングされた半導体チップをダイシングシートから取り上げるピックアップ技術に関するものである。
半導体装置の製造装置の一つとして、ダイシングシート上でダイシングされた半導体チップをダイシングシートから取り上げるピックアップ装置が知られている。例えば下記の特許文献１には、半導体チップが貼り付いたダイシングシートを表面に複数の突起部が設けられたステージに真空吸着させ、半導体チップをダイシングシートと点接着した剥がれやすい状態した上で、半導体チップをダイシングシートから取り上げるピックアップ装置が提案されている。
特開２００８－１０３４９３号公報
特許文献１の技術において、半導体チップのサイズが大きく、半導体チップがダイシングシートと点接着する箇所が非常に多くなる場合、半導体チップをダイシングシートから剥がれやすい状態にする効果が十分に得られなくなるという問題が生じる。そのため、半導体チップのサイズが大きい場合は、ステージ上の突起物の間隔を広くする必要がある。一方、半導体チップのサイズが小さく、半導体チップがダイシングシートと点接着する箇所が非常に少なくなる場合、ダイシングシートを複数の突起部が設けられたステージに真空吸着させたときに半導体チップが剥がれて飛び散ってしまうという問題が生じる。そのため、半導体チップのサイズが小さい場合は、ステージ上の突起物の間隔を小さくする必要がある。従って、例えば、１枚の半導体ウエハから切り出される半導体チップに、サイズが大きいものと小さいものとが混在している場合、上記の２つの問題のいずれかが生じる。
本開示は以上のような課題を解決するためになされたものであり、サイズの異なる半導体チップが混在する場合でも、それぞれの半導体チップを適切にダイシングシートから剥がれやすい状態にして取り上げることができる半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
本開示に係る半導体装置の製造装置は、表面に半導体チップが貼り付いたダイシングシートの裏面に対向するように配置された複数の突起部を有するステージと、前記ダイシングシートと前記ステージとの間の空間を真空引きする吸引ユニットと、を備え、複数の前記突起部は、互いに高さもしくは上下方向の弾性率の異なる複数の第１の突起部と複数の第２の突起部とを含む。
本開示によれば、ステージ上に互いに高さもしくは上下方向の弾性率の異なる複数の第１の突起部と複数の第２の突起部とが設けられているため、ダイシングシートをステージに真空吸着させたときに、サイズの大きい半導体チップがダイシングシートと点接着する箇所が非常に多くなることを防止でき、且つ、サイズの小さい半導体チップがダイシングシートと点接着する箇所が非常に少なくなることを防止できる。よって、サイズの異なる半導体チップが混在する場合でも、それぞれの半導体チップを適切にダイシングシートから剥がれやすい状態にして取り上げることができる。
実施の形態１に係るピックアップ装置の構成（ステージが上昇する前の状態）を示す図である。 実施の形態１に係るピックアップ装置の構成（ステージが上昇した後の状態）を示す図である。 実施の形態１に係るピックアップ装置のステージの部分断面図である。 実施の形態１に係るピックアップ装置のステージの部分平面図である。 実施の形態１に係るピックアップ装置のステージにサイズの大きい半導体チップが貼り付いたダイシングシートを吸着させた状態を示す図である。 実施の形態１に係るピックアップ装置のステージにサイズの大きい半導体チップが貼り付いたダイシングシートを吸着させた状態を示す図である。 実施の形態２に係るピックアップ装置の構成を示す図である。 実施の形態３に係るピックアップ装置の構成を示す図である。 実施の形態３に係るピックアップ装置において突起部にスプリングを設ける領域の例を説明するための図である。 実施の形態３に係るピックアップ装置において突起部にスプリングを設ける領域の例を説明するための図である。 実施の形態４に係るピックアップ装置のステージの部分平面図である。 実施の形態５に係るピックアップ装置のステージの部分平面図である。 実施の形態６に係るピックアップ装置のステージの部分断面図である。 実施の形態７に係るピックアップ装置のステージの概略上面図である。 実施の形態７に係るピックアップ装置のステージの部分平面図である。 実施の形態７に係るピックアップ装置のステージの部分断面図である。
＜実施の形態１＞
図１は、実施の形態１に係る半導体装置の製造装置であるピックアップ装置１０の構成を示す図である。図１に示すように、ピックアップ装置１０は、外枠１１と、表面に複数の突起部１３を有する剣山状のステージ１２と、吸引ユニット１４と、駆動ユニット１５を備えている。
外枠１１には、表面に半導体チップ１０１が貼り付いたダイシングシート１００が固定される。ステージ１２は、外枠１１の内側に設置され、その表面に設けられた突起部１３は、外枠１１に固定されたダイシングシート１００の裏面に対向するように配置されている。複数の突起部１３の頂点の間隔は、２ｍｍ以下が好ましい。なお、ダイシングシート１００はステージ１２に直接固定されてもよく、その場合、半導体装置の製造装置は外枠１１を有する必要はない。
ステージ１２における突起部１３の間の谷部には、チューブを通して吸引ユニット１４に繋がる吸着溝が設けられている。吸引ユニット１４は、外枠１１とダイシングシート１００との間の空間、すなわち、外枠１１とダイシングシート１００とステージ１２とで規定される空間を、吸着溝から真空引きすることで、ダイシングシート１００をステージ１２の突起部１３に吸着させることができる。駆動ユニット１５は、ステージ１２を支える支軸を上下に動かすことで、突起部１３を昇降させることができる。図２に、ステージ１２がダイシングシート１００の高さ付近まで上昇した状態を示す。また、図示は省略するが、ピックアップ装置１０は、半導体チップ１０１をダイシングシート１００から取り上げるピックアップユニットを備えている。ただし、ピックアップユニットは、ピックアップ装置１０とは別の装置であってもよい。つまり、ピックアップ装置１０は必ずしもヒックアップユニットを備えなくてもよい。
図３は、実施の形態１に係るピックアップ装置１０のステージ１２の部分断面図である。図３に示すように、ステージ１２に設けられた複数の突起部１３は、互いに高さの異なる複数の第１の突起部１３ａと複数の第２の突起部１３ｂとを含んでいる。ここでは、第２の突起部１３ｂの高さが、第１の突起部１３ａよりも低く設定されている。第１の突起部１３ａの高さと第２の突起部１３ｂの高さとの差は、１ｍｍ以下が好ましく、０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下がより好ましい。
図４は、実施の形態１に係るピックアップ装置１０のステージ１２の部分平面図である。理解を容易にするため、図４では、第１の突起部１３ａの頂点を黒色、第２の突起部１３ｂの頂点を白色にしている。本実施の形態では、図４に示すように、ステージ１２の上面に、第１の突起部１３ａと第２の突起部１３ｂとは交互に配置されている。
ピックアップ装置１０を用いた半導体装置の製造方法、特に、ダイシングシート１００に貼り付いた半導体チップ１０１のピックアップ方法を説明する。
まず、ピックアップ装置１０の外枠１１に、ダイシングシート１００を固定することで、ステージ１２上にダイシングシート１００を配置する。そして、外枠１１に固定されたダイシングシート１００上に、半導体チップ１０１が切り出される半導体ウエハをマウントする。その後、ダイシングシート１００にマウントされた半導体ウエハをダイシングして、半導体ウエハから半導体チップ１０１を切り出す。
その後、駆動ユニット１５により、ステージ１２を上昇させ、ステージ１２上の突起部１３の頂点をダイシングシート１００に接触させる。続いて、吸引ユニット１４により、外枠１１とダイシングシート１００とステージ１２とで規定される空間を真空引きすることで、ダイシングシート１００を突起部１３に沿って変形させる。これにより、半導体チップ１０１は、ダイシングシート１００と突起部１３の頂点で点接着した剥がれやすい状態になる。
本実施の形態では、ステージ１２には、突起部１３として、第１の突起部１３ａと、第１の突起部１３ａよりも低い第２の突起部１３ｂとが交互に配置されている。そのため、半導体チップ１０１のサイズが大きい場合は、図５のように、半導体チップ１０１は、第１の突起部１３ａの頂点のみでダイシングシート１００と点接着し、第２の突起部１３ｂの上ではダイシングシート１００から剥離した状態となり、半導体チップ１０１がダイシングシート１００と点接着する箇所が非常に多くなることが防止される。また、半導体チップ１０１のサイズが小さい場合は、図６のように、半導体チップ１０１は、第１の突起部１３ａおよび第２の突起部１３ｂの頂点の両方でダイシングシート１００と点接着した状態となり、半導体チップ１０１がダイシングシート１００から剥がれて飛び散ることが防止される。
このような状態で、ピックアップユニット（不図示）により、ダイシングシート１００から半導体チップ１０１を取り上げることで、半導体チップ１０１のピックアップを容易に行うことができる。
ダイシングシート１００を突起部１３に沿って変形させる工程の前に、真空状態で半導体チップ１０１にＵＶ（紫外線）照射を行ってもよい。ダイシングシート１００にＵＶ商社を行うことで、ダイシングシート１００の粘着力が低下し、ダイシングシート１００を突起部１３に沿って変形させるときに、半導体チップ１０１からダイシングシート１００が剥がれやすくなり、半導体チップ１０１にかかる応力を抑制できる。
また、ピックアップ装置１０は、外枠１１に固定されたダイシングシート１００の温度を調整できる温度調整ユニットを備えていてもよい。ダイシングシート１００は温度を上がると弾性率が低下して撓みやすくなるため、ダイシングシート１００を突起部１３に沿って変形させる際に、ダイシングシート１００の温度を上げることで、半導体チップ１０１からダイシングシート１００が剥がれやすくなり、半導体チップ１０１にかかる応力を抑制できる。
以上のように、実施の形態１に係るピックアップ装置１０によれば、ステージ１２上の突起部１３として、互いに高さの異なる第１の突起部１３ａと第２の突起部１３ｂとが設けられているため、ダイシングシート１００をステージ１２に真空吸着させたときに、サイズの大きい半導体チップ１０１がダイシングシート１００と点接着する箇所が非常に多くなることを防止でき、且つ、サイズの小さい半導体チップ１０１がダイシングシート１００と点接着する箇所が非常に少なくなることを防止できる。よって、サイズの異なる半導体チップ１０１が混在する場合でも、それぞれの半導体チップ１０１を適切にダイシングシート１００から剥がれやすい状態にして取り上げることができる。
なお、突起部１３は、ステージ１２から個々に脱着可能でもよい。その場合、突起部１３それぞれの高さや形状（頂点の尖りの角度など）、頂点間の距離、突起部１３の設置数などを任意に変更できるため、半導体チップ１０１のサイズやダイシングシート１００の粘着力などに応じて最適な突起部１３の配置および高さを実現できる。
＜実施の形態２＞
図７は、実施の形態２に係るピックアップ装置１０の構成を示す図である。実施の形態２に係るピックアップ装置１０は、ステージ１２を、第１の突起部１３ａの部分と第２の突起部１３ｂの部分とをそれぞれ独立して昇降できる２軸制御としたものである。すなわち、実施の形態２に係るピックアップ装置１０は、駆動ユニット１５として、第１の突起部１３ａを昇降させる第１の駆動ユニット１５ａと、第２の突起部１３ｂを昇降させる第２の駆動ユニット１５ｂとを備えており、第１の突起部１３ａと第２の突起部１３ｂとを互いに独立して昇降させることができる。
実施の形態２に係るピックアップ装置１０によれば、第１の突起部１３ａの高さと第２の突起部１３ｂの高さとをそれぞれ制御できるため、半導体チップ１０１のサイズやダイシングシート１００の粘着力などに応じて、第１の突起部１３ａおよび第２の突起部１３ｂの高さ、および、それらの高さの差を調整することができる。
本実施の形態においても、突起部１３は、ステージ１２から個々に脱着可能でもよい。
＜実施の形態３＞
図８は、実施の形態３に係るピックアップ装置１０の構成を示す図である。実施の形態３に係るピックアップ装置１０は、複数の突起部１３の少なくとも一部に、突起部１３に上下方向の弾性を持たせるスプリング１６を挿入したものである。
スプリング１６を有する突起部１３は、ダイシングシート１００のステージ１２への吸着が進むとその頂点が下がる。そのため、本実施の形態では、半導体チップ１０１からのダイシングシート１００の剥離が、スプリング１６を有する突起部１３の部分から優先的に進むようにできる。
例えば図９のように、外枠１１に固定されたダイシングシート１００に張り付いた半導体チップ１０１の外周部に対応する領域に配置された突起部１３にスプリング１６を設けることで、ダイシングシート１００の剥離が半導体チップ１０１の外周部から内側に向かって進むようになり、半導体チップ１０１にダイシングシート１００の粘着剤が残ることを抑制できる。
さらに、図１０のように、外枠１１に固定されたダイシングシート１００に張り付いた半導体チップ１０１の外周部に近い位置に配置された突起部１３に、弾性率の比較的低い（変形しやすい）スプリングを設け、半導体チップ１０１の中央部に近い位置に配置された突起部１３に、弾性率の比較的高い（変形しにくい）スプリングを設けてもよい。それにより、ダイシングシート１００の剥離が半導体チップ１０１の外周部から内側に向かってよりスムーズに進むようになる。
本実施の形態においても、突起部１３は、ステージ１２から個々に脱着可能でもよい。また、スプリング１６も個々に着脱可能にし、スプリング１６を有する突起部１３の位置を変更可能にしてもよい。
＜実施の形態４＞
図４では、ステージ１２の上面に第１の突起部１３ａと第２の突起部１３ｂとが交互に配置された例を示したが、第１の突起部１３ａと第２の突起部１３ｂとの配置は交互でなくてもよい。
図１１に、第１の突起部１３ａと第２の突起部１３ｂとの配置が交互でない例を示す。図１１においては、平面視で、縦方向には第１の突起部１３ａと第２の突起部１３ｂとが交互に配置されるが、横方向には隣り合う第１の突起部１３ａの間に２つの第２の突起部１３ｂが配置されている。つまり、互いに隣り合う４つの第１の突起部１３ａの頂点は、平面視で矩形（図１１に示す点線）の頂点をなすように配置されている。
このように、互いに隣り合う４つの第１の突起部１３ａの頂点が矩形の４つの頂点をなすように配置される場合、その矩形の対角線の長さが４ｍｍ以下になるように配置されることが好ましい（０．５ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であればさらに好ましい）。
第１の突起部１３ａと第２の突起部１３ｂとの配置を交互に限定せず、配置の自由度を持たせることで、半導体チップ１０１の形状に対する突起部１３の配置の最適化を図ることができる。つまり、半導体チップ１０１を支持するのに適した位置に第１の突起部１３ａを配置することが可能になる。
＜実施の形態５＞
図４および図１１には、ステージ１２の上面に突起部１３（第１の突起部１３ａおよび第２の突起部１３ｂ）が格子状に敷き詰められた例を示したが、突起部１３が配置されない箇所が部分的に存在してもよい。
図１２に、突起部１３が配置されない箇所が部分的に存在する例を示す。図１２の配置は、図１１の配置から、第１の突起部１３ａに隣接しない第２の突起部１３ｂを取り除いたものである。言い換えれば、第２の突起部１３ｂは、平面視で、第１の突起部１３ａが配置された領域の上下左右に隣接する領域にのみ配置され、それ以外の領域には、第１の突起部１３ａも第２の突起部１３ｂも配置されない。
このように、ステージ１２の上面に突起部１３が配置されない領域が残ることを許容することで、半導体チップ１０１の形状に対する突起部１３の配置の最適化を図ることができる。つまり、半導体チップ１０１を支持するのに不要な位置に突起部１３を配置しないことが可能になる。
本実施の形態においても、互いに隣り合う４つの第１の突起部１３ａの頂点が矩形（図１２に示す点線）の頂点をなすように配置される場合、その矩形の対角線の長さが４ｍｍ以下になるように配置されることが好ましい（０．５ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であればさらに好ましい）。
＜実施の形態６＞
実施の形態１～５では、ステージ１２に設けられる第１の突起部１３ａと第２の突起部１３ｂとで高さを異ならせた。それに対し、実施の形態６では、第１の突起部１３ａと第２の突起部１３ｂとで上下方向の弾性率を異ならせる。
図１３は、実施の形態６に係るピックアップ装置１０のステージ１２の部分断面図である。図１３に示すように、ステージ１２に設けられた複数の突起部１３は、スプリング１６を有しない第１の突起部１３ａと、スプリング１６を有する第２の突起部１３ｂとを含んでいる。スプリング１６は、第２の突起部１３ｂに上下方向の弾性を持たせるように作用するため、第２の突起部１３ｂの上下方向の弾性率は、第１の突起部１３ａのそれよりも低いものとなる。
高さの低い第２の突起部１３ｂの代わりにスプリング１６を有する第２の突起部１３ｂが用いられること以外は、実施の形態１～５と同様である。なお、スプリング１６を有しない第１の突起部１３ａと、スプリング１６を有する第２の突起部１３ｂとの高さは同じでよい。
外枠１１とダイシングシート１００とステージ１２とで規定される空間を真空引きしてダイシングシート１００を突起部１３に沿って変形させる工程において、スプリング１６を有する第２の突起部１３ｂは縮んで低くなるため、実施の形態１の第２の突起部１３ｂと同様に作用する。よって、実施の形態６でも実施の形態１と同様の効果が得られる。
また、実施の形態６の第２の突起部１３ｂは上下方向に弾性を有するため、ダイシングシート１００を突起部１３に沿って変形させるとき、第２の突起部１３ｂは徐々に低くなる。そのため、実施の形態１と比較して、ダイシングシート１００を緩やかに変形させることができ、ダイシングシート１００が変形するときの衝撃で半導体チップ１０１が破損したり、意図せず剥離することが抑えられる。
＜実施の形態７＞
実施の形態７の説明において、「第１の突起部１３ａ」は、高さの高い実施の形態１の第２の突起部１３ｂ、もしくは、スプリング１６を有しない実施の形態６の第２の突起部１３ｂの両方を指しており、「第２の突起部１３ｂ」は、高さの低い実施の形態１の第２の突起部１３ｂ、もしくは、スプリング１６を有する実施の形態６の第２の突起部１３ｂとの両方を指している。
図１４は、実施の形態７に係るピックアップ装置１０のステージ１２の概略上面図である。図１４のように、ステージ１２の上面は、中央部１２ａとその外側の外周部１２ｂとに区分けされている。ここで、ステージ１２の中央部１２ａは、半導体チップ１０１が切り出される前の半導体ウエハが載置される領域であるウエハ載置領域１２ｃに内包されている。よって、ウエハ載置領域１２ｃの外縁部は、ステージ１２の外周部１２ｂ内に位置する。
本実施の形態では、第２の突起部１３ｂは、ステージ１２の中央部１２ａには配置されず、外周部１２ｂにのみ配置される。つまり、中央部１２ａには、図１５に示す部分平面図上および図１６に示す部分断面図のように、第１の突起部１３ａのみが配置され、外周部１２ｂには、実施の形態１～５と同様に、第１の突起部１３ａと外周部１２ｂとの両方が配置される。
ステージ１２上に載置された半導体ウエハの外周部には、ダイシングによって小片の切れ端が発生する。この切れ端が意図せずして半導体チップ１０１から剥がれて飛び散ると、製品となる半導体チップ１０１上に切れ端が付着する不具合が発生する。本実施の形態のように、ステージ１２の外周部１２ｂに第２の突起部１３ｂを配置することで、半導体ウエハの外周部における切れ端の飛び散りを抑制することができる。
なお、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。
＜付記＞
以下、本開示の諸態様を付記としてまとめて記載する。
（付記１）
表面に半導体チップが貼り付いたダイシングシートの裏面に対向するように配置された複数の突起部を有するステージと、
前記ダイシングシートと前記ステージとの間の空間を真空引きする吸引ユニットと、
を備え、
複数の前記突起部は、互いに高さもしくは上下方向の弾性率の異なる複数の第１の突起部と複数の第２の突起部とを含む、
半導体装置の製造装置。
（付記２）
前記第１の突起部と前記第２の突起部とは互いに高さが異なり、
前記第１の突起部の高さと前記第２の突起部の高さとの差は１ｍｍ以下である、
付記１に記載の半導体装置の製造装置。
（付記３）
前記第１の突起部と前記第２の突起部とは互いに上下方向の弾性率が異なり、
前記第２の突起部は、上下方向の弾性を持たせるスプリングを有し、
前記第１の突起部は、前記スプリングを有さない、
付記１に記載の半導体装置の製造装置。
（付記４）
複数の前記突起部の頂点の間隔は２ｍｍ以下である、
付記１から付記３のいずれか一つに記載の半導体装置の製造装置。
（付記５）
前記第１の突起部と前記第２の突起部とは交互に配置されている、
付記１から付記４のいずれか一つに記載の半導体装置の製造装置。
（付記６）
複数の前記第１の突起部は、互いに隣り合う４つの前記第１の突起部の頂点が、対角線の長さが４ｍｍ以下の矩形の頂点をなすように配置されている、
付記１から付記３のいずれか一つに記載の半導体装置の製造装置。
（付記７）
前記ステージ上に、前記突起部が配置されない箇所が部分的に存在する、
付記１から付記６のいずれか一つに記載の半導体装置の製造装置。
（付記８）
前記第２の突起部は、前記第１の突起部よりも高さが低い、もしくは、上下方向の弾性率が低く、
前記ステージの中央部には前記第１の突起部のみが配置され、前記ステージの外周部には前記第１の突起部と前記複数の第２の突起部との両方が配置される、
付記１から付記７のいずれか一つに記載の半導体装置の製造装置。
（付記９）
前記突起部は、前記ステージから個々に脱着可能である、
付記１から付記８のいずれか一つに記載の半導体装置の製造装置。
（付記１０）
複数の前記突起部を昇降させる駆動ユニットをさらに備える、
付記１から付記９のいずれか一つに記載の半導体装置の製造装置。
（付記１１）
前記駆動ユニットは、複数の前記第１の突起部を昇降させる第１の駆動ユニットと、複数の前記第２の突起部を昇降させる第２の駆動ユニットとを含み、複数の前記第１の突起部と複数の前記第２の突起部とを互いに独立して昇降させる、
付記１０に記載の半導体装置の製造装置。
（付記１２）
複数の前記突起部の少なくとも一部は、前記突起部に上下方向の弾性を持たせるスプリングを備える、
付記１または付記２に記載の半導体装置の製造装置。
（付記１３）
前記スプリングは、少なくとも、前記ダイシングシートに張り付いた前記半導体チップの外周部に対応する領域に配置された前記突起部に設けられている、
付記１２に記載の半導体装置の製造装置。
（付記１４）
前記ダイシングシートに張り付いた前記半導体チップの中央部に近い領域に配置された前記突起部に設けられた前記スプリングの弾性率は、前記半導体チップの外周部に近い領域に配置された前記突起部に設けられた前記スプリングの弾性率よりも高い、
付記１２に記載の半導体装置の製造装置。
（付記１５）
前記ダイシングシートの温度を調整する温度調整ユニットをさらに備える、
付記１から付記１４のいずれか一つに記載の半導体装置の製造装置。
（付記１６）
前記半導体チップを前記ダイシングシートから取り上げるピックアップユニットをさらに備える、
付記１から付記１５のいずれか一つに記載の半導体装置の製造装置。
（付記１７）
付記１から付記１６のいずれか一つに記載の半導体装置の製造装置の前記ステージ上に前記ダイシングシートを配置する工程と、
前記ダイシングシート上に半導体ウエハをマウントする工程と、
マウントされた前記半導体ウエハをダイシングして前記半導体チップを切り出す工程と、
前記半導体チップを切り出す工程の後に、前記吸引ユニットにより、前記ダイシングシートと前記ステージとの間の空間を真空引きすることで、前記ダイシングシートを前記突起部に沿って変形させる工程と、
前記ダイシングシートを変形させる工程の後に、前記半導体チップを前記ダイシングシートから取り上げる工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
（付記１８）
前記ダイシングシートを前記突起部に沿って変形させる工程の前に、真空状態で前記半導体チップに紫外線照射を行う工程をさらに備える、
付記１７に記載の半導体装置の製造方法。
１０ ピックアップ装置、１１ 外枠、１２ ステージ、１２ａ ステージの中央部、１２ｂ ステージの外周部、１２ｃ ウエハ載置領域、１３ 突起部、１３ａ 第１の突起部、１３ｂ 第２の突起部、１４ 吸引ユニット、１５ 駆動ユニット、１５ａ 第１の駆動ユニット、１５ｂ 第２の駆動ユニット、１６ スプリング、１００ ダイシングシート、１０１ 半導体チップ。

Claims (18)

  1. 表面に半導体チップが貼り付いたダイシングシートの裏面に対向するように配置された複数の突起部を有するステージと、
    前記ダイシングシートと前記ステージとの間の空間を真空引きする吸引ユニットと、
    を備え、
    複数の前記突起部は、互いに高さもしくは上下方向の弾性率の異なる複数の第１の突起部と複数の第２の突起部とを含む、
    半導体装置の製造装置。
  2. 前記第１の突起部と前記第２の突起部とは互いに高さが異なり、
    前記第１の突起部の高さと前記第２の突起部の高さとの差は１ｍｍ以下である、
    請求項１に記載の半導体装置の製造装置。
  3. 前記第１の突起部と前記第２の突起部とは互いに上下方向の弾性率が異なり、
    前記第２の突起部は、上下方向の弾性を持たせるスプリングを有し、
    前記第１の突起部は、前記スプリングを有さない、
    請求項１に記載の半導体装置の製造装置。
  4. 複数の前記突起部の頂点の間隔は２ｍｍ以下である、
    請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造装置。
  5. 前記第１の突起部と前記第２の突起部とは交互に配置されている、
    請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造装置。
  6. 複数の前記第１の突起部は、互いに隣り合う４つの前記第１の突起部の頂点が、対角線の長さが４ｍｍ以下の矩形の頂点をなすように配置されている、
    請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造装置。
  7. 前記ステージ上に、前記突起部が配置されない箇所が部分的に存在する、
    請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造装置。
  8. 前記第２の突起部は、前記第１の突起部よりも高さが低い、もしくは、上下方向の弾性率が低く、
    前記ステージの中央部には前記第１の突起部のみが配置され、前記ステージの外周部には前記第１の突起部と前記複数の第２の突起部との両方が配置される、
    請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造装置。
  9. 前記突起部は、前記ステージから個々に脱着可能である、
    請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造装置。
  10. 複数の前記突起部を昇降させる駆動ユニットをさらに備える、
    請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造装置。
  11. 前記駆動ユニットは、複数の前記第１の突起部を昇降させる第１の駆動ユニットと、複数の前記第２の突起部を昇降させる第２の駆動ユニットとを含み、複数の前記第１の突起部と複数の前記第２の突起部とを互いに独立して昇降させる、
    請求項１０に記載の半導体装置の製造装置。
  12. 複数の前記突起部の少なくとも一部は、前記突起部に上下方向の弾性を持たせるスプリングを備える、
    請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造装置。
  13. 前記スプリングは、少なくとも、前記ダイシングシートに張り付いた前記半導体チップの外周部に対応する領域に配置された前記突起部に設けられている、
    請求項１２に記載の半導体装置の製造装置。
  14. 前記ダイシングシートに張り付いた前記半導体チップの中央部に近い領域に配置された前記突起部に設けられた前記スプリングの弾性率は、前記半導体チップの外周部に近い領域に配置された前記突起部に設けられた前記スプリングの弾性率よりも高い、
    請求項１２に記載の半導体装置の製造装置。
  15. 前記ダイシングシートの温度を調整する温度調整ユニットをさらに備える、
    請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造装置。
  16. 前記半導体チップを前記ダイシングシートから取り上げるピックアップユニットをさらに備える、
    請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造装置。
  17. 請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造装置の前記ステージ上に前記ダイシングシートを配置する工程と、
    前記ダイシングシート上に半導体ウエハをマウントする工程と、
    マウントされた前記半導体ウエハをダイシングして前記半導体チップを切り出す工程と、
    前記半導体チップを切り出す工程の後に、前記吸引ユニットにより、前記ダイシングシートと前記ステージとの間の空間を真空引きすることで、前記ダイシングシートを前記突起部に沿って変形させる工程と、
    前記ダイシングシートを変形させる工程の後に、前記半導体チップを前記ダイシングシートから取り上げる工程と、
    を備える半導体装置の製造方法。
  18. 前記ダイシングシートを前記突起部に沿って変形させる工程の前に、真空状態で前記半導体チップに紫外線照射を行う工程をさらに備える、
    請求項１７に記載の半導体装置の製造方法。
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