JPS6234444Y2 - - Google Patents
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- JPS6234444Y2 JPS6234444Y2 JP1983016685U JP1668583U JPS6234444Y2 JP S6234444 Y2 JPS6234444 Y2 JP S6234444Y2 JP 1983016685 U JP1983016685 U JP 1983016685U JP 1668583 U JP1668583 U JP 1668583U JP S6234444 Y2 JPS6234444 Y2 JP S6234444Y2
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- JP
- Japan
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- chuck stage
- stage
- cutting
- base sheet
- chuck
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- 238000009423 ventilation Methods 0.000 claims description 8
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Description
本考案は、断裁用チヤツクステージに係り、特
に固体撮像素子用のカラーフイルターや半導体ウ
エハーの断裁用のチヤツクステージに関する。 IC等の半導体装置の製造において、多数のIC
素子が形成された半導体ウエハーを各IC素子の
境界に沿つて断裁し、個々のチツプに分離するこ
とが必要である。このウエハーの断裁は、従来、
第１図に示すようなチヤツクステージ上にウエハ
ーを固定して行なわれていた。 即ち、多数の通気孔１を有するチヤツクステー
ジ２の上面をポリ塩化ビニル等からなる粘着性の
ベースシート３で覆い、このベースシート３上に
ウエハー４を載置固定した後、チヤツクステージ
２の裏面側から通気孔１を通して真空引きし、ウ
エハー４をベースシート３を介してチヤツクステ
ージ２上に密着固定する。次いで、ダイシングソ
ーやダイヤモンドカツター等を用いてウエハー４
を個々のチツプに断裁する。その後、チヤツクス
テージ２の裏面側から通気孔１を通して空気を吹
き上げ、ベースシート３をチヤツクステージ２か
ら剥離し、次いでベースシート３の周辺部を引張
つて個々のチツプに分離し、取りはずす。 このような従来のチヤツクステージには、次の
ような欠点がある。即ち、断裁後に真空吸引を解
く際の空気の吹き上げが通気孔１の付近に局所的
に生じ均一に行なわれないため、ベースシート３
とチヤツクステージ２との間に冷却水が局部的に
溜つてその部分のベースシート３の平面性が損わ
れる。そのうえ、チヤツクステージ２の表面が平
滑面であるので、ベースシート３がチヤツクステ
ージ２に貼り付いてしまい、ウエハー断裁後のベ
ースシート３の剥離が困難となる。そのため、断
裁直後の真空吸引の解除時やベースシート３の剥
離時、はてはエキスパンド等の際に、第２図に示
すように、各チツプ５の角部６が互いに接触し合
い、破損するという、いわゆる「チツピング」と
呼ばれる不良現象が生ずる。もちろん、半導体ウ
エハーの断裁の場合に限らず、カラーフイルター
等の断裁の場合にも同様の現象が生ずる。 本考案は、上記事情の下になされたものであつ
て、断裁チツプのチツピングの防止を可能とする
断裁チヤツクステージを提供することを目的とす
る。 即ち、本考案の断裁チヤツクステージは、凹部
が形成された上面と、凹凸状傾斜側面とを有する
ステージ本体と、前記凹部に嵌合された表面微細
凹凸状の気孔質板とからなる。そして、前記ステ
ージ本体には、前記凹部の底面からステージ本体
の裏面に通ずるひとつまたは多数の通気孔が形成
されている。 以下、図面を参照して、本考案の断裁チヤツク
ステージの具体例について説明する。 第３図は、本考案の一実施例を示す断裁チヤツ
クステージの断面図である。チヤツクステージ本
体１１の上面には凹部１２が形成され、この凹部
１２に、気孔質板１３が嵌合している。気孔質板
１３は、平面精度が良好な材質、例えばセラミツ
クで構成することが好ましい。チヤツクステージ
本体１１には、凹部１２の底面からチヤツクステ
ージ１１の裏面に通ずるひとつまたは多数の通気
孔１４が形成されている。これら通気孔１４を通
して、真空引きおよび真空解除による空気の吹き
上げが行なわれる。チヤツクステージ１１の側面
は傾斜面となつており、かつ凹凸状に形成されて
いる。この凹凸１５は、ナイロンメツシユの被
覆、表面加工、ポツチ加工、凹凸加工、エンボス
加工等により形成することが出来る。また、チヤ
ツクステージ本体１１の周縁部には、マグネツト
１６が埋設されている。 以上のように構成されたチヤツクステージを用
いて、例えば半導体ウエハーを個々のチツプに断
裁するに際しては、まずチヤツクステージ上に例
えば伸張性のポリ塩化ビニル等を基体とする粘着
性のベースシート１７を載置し、更にその上に半
導体ウエハー１８を載置固定する。ベースシート
１７の周縁部は、マグネツト１６に引きつけられ
る鉄又はステンレス製のフレーム１９により固定
される。もちろん、ベースシート１７のウエハー
１８との対向面には粘着層が施されており、その
ためウエハー１８はベースシート１７と強く密着
する。この状態でチヤツクステージ本体１１の裏
面側から真空引きを行なうと、ウエハー１８はベ
ースシート１７を介してチヤツクステージ上に緊
密に固定される。次いでダイシングソーやダイヤ
モンドカツター等を用いてウエハー１８を個々の
チツプに断裁した後、チヤツクステージの裏面側
から通気孔１４を通して空気を吹き上げ、ベース
シート１７をチヤツクステージから剥離する。こ
の場合、気孔質板は表面が微細な多孔質であり、
空気は気孔質板を通して均一に吹き上げられ、し
かもベースシート１７との接触面積も小さいので
ベースシート１７の剥離は簡単に行なわれる。ま
た、チヤツクステージ本体１１の傾斜側面は凹凸
状に形成されているため、ベースシート１７とチ
ヤツクステージの傾斜側面との接触面積も小さ
く、故に両者の密着力は弱いので、ベースシート
１７を簡単に剥離できる。従つて、空気の吹き上
げによつてベースシート１７の平面性が局部的に
損われることはなく、チヤツクステージからベー
スシートを剥離することも簡単に為しうるのであ
り、ベースシート１７の剥離およびエキスパンド
の際におけるチツピングによるチツプの破損が生
ずることはない。 以下の表は、従来のチヤツクステージと本考案
のチヤツクステージを用いて半導体ウエハーの断
裁を行なつた場合のチツピングの発生率を示す。
に固体撮像素子用のカラーフイルターや半導体ウ
エハーの断裁用のチヤツクステージに関する。 IC等の半導体装置の製造において、多数のIC
素子が形成された半導体ウエハーを各IC素子の
境界に沿つて断裁し、個々のチツプに分離するこ
とが必要である。このウエハーの断裁は、従来、
第１図に示すようなチヤツクステージ上にウエハ
ーを固定して行なわれていた。 即ち、多数の通気孔１を有するチヤツクステー
ジ２の上面をポリ塩化ビニル等からなる粘着性の
ベースシート３で覆い、このベースシート３上に
ウエハー４を載置固定した後、チヤツクステージ
２の裏面側から通気孔１を通して真空引きし、ウ
エハー４をベースシート３を介してチヤツクステ
ージ２上に密着固定する。次いで、ダイシングソ
ーやダイヤモンドカツター等を用いてウエハー４
を個々のチツプに断裁する。その後、チヤツクス
テージ２の裏面側から通気孔１を通して空気を吹
き上げ、ベースシート３をチヤツクステージ２か
ら剥離し、次いでベースシート３の周辺部を引張
つて個々のチツプに分離し、取りはずす。 このような従来のチヤツクステージには、次の
ような欠点がある。即ち、断裁後に真空吸引を解
く際の空気の吹き上げが通気孔１の付近に局所的
に生じ均一に行なわれないため、ベースシート３
とチヤツクステージ２との間に冷却水が局部的に
溜つてその部分のベースシート３の平面性が損わ
れる。そのうえ、チヤツクステージ２の表面が平
滑面であるので、ベースシート３がチヤツクステ
ージ２に貼り付いてしまい、ウエハー断裁後のベ
ースシート３の剥離が困難となる。そのため、断
裁直後の真空吸引の解除時やベースシート３の剥
離時、はてはエキスパンド等の際に、第２図に示
すように、各チツプ５の角部６が互いに接触し合
い、破損するという、いわゆる「チツピング」と
呼ばれる不良現象が生ずる。もちろん、半導体ウ
エハーの断裁の場合に限らず、カラーフイルター
等の断裁の場合にも同様の現象が生ずる。 本考案は、上記事情の下になされたものであつ
て、断裁チツプのチツピングの防止を可能とする
断裁チヤツクステージを提供することを目的とす
る。 即ち、本考案の断裁チヤツクステージは、凹部
が形成された上面と、凹凸状傾斜側面とを有する
ステージ本体と、前記凹部に嵌合された表面微細
凹凸状の気孔質板とからなる。そして、前記ステ
ージ本体には、前記凹部の底面からステージ本体
の裏面に通ずるひとつまたは多数の通気孔が形成
されている。 以下、図面を参照して、本考案の断裁チヤツク
ステージの具体例について説明する。 第３図は、本考案の一実施例を示す断裁チヤツ
クステージの断面図である。チヤツクステージ本
体１１の上面には凹部１２が形成され、この凹部
１２に、気孔質板１３が嵌合している。気孔質板
１３は、平面精度が良好な材質、例えばセラミツ
クで構成することが好ましい。チヤツクステージ
本体１１には、凹部１２の底面からチヤツクステ
ージ１１の裏面に通ずるひとつまたは多数の通気
孔１４が形成されている。これら通気孔１４を通
して、真空引きおよび真空解除による空気の吹き
上げが行なわれる。チヤツクステージ１１の側面
は傾斜面となつており、かつ凹凸状に形成されて
いる。この凹凸１５は、ナイロンメツシユの被
覆、表面加工、ポツチ加工、凹凸加工、エンボス
加工等により形成することが出来る。また、チヤ
ツクステージ本体１１の周縁部には、マグネツト
１６が埋設されている。 以上のように構成されたチヤツクステージを用
いて、例えば半導体ウエハーを個々のチツプに断
裁するに際しては、まずチヤツクステージ上に例
えば伸張性のポリ塩化ビニル等を基体とする粘着
性のベースシート１７を載置し、更にその上に半
導体ウエハー１８を載置固定する。ベースシート
１７の周縁部は、マグネツト１６に引きつけられ
る鉄又はステンレス製のフレーム１９により固定
される。もちろん、ベースシート１７のウエハー
１８との対向面には粘着層が施されており、その
ためウエハー１８はベースシート１７と強く密着
する。この状態でチヤツクステージ本体１１の裏
面側から真空引きを行なうと、ウエハー１８はベ
ースシート１７を介してチヤツクステージ上に緊
密に固定される。次いでダイシングソーやダイヤ
モンドカツター等を用いてウエハー１８を個々の
チツプに断裁した後、チヤツクステージの裏面側
から通気孔１４を通して空気を吹き上げ、ベース
シート１７をチヤツクステージから剥離する。こ
の場合、気孔質板は表面が微細な多孔質であり、
空気は気孔質板を通して均一に吹き上げられ、し
かもベースシート１７との接触面積も小さいので
ベースシート１７の剥離は簡単に行なわれる。ま
た、チヤツクステージ本体１１の傾斜側面は凹凸
状に形成されているため、ベースシート１７とチ
ヤツクステージの傾斜側面との接触面積も小さ
く、故に両者の密着力は弱いので、ベースシート
１７を簡単に剥離できる。従つて、空気の吹き上
げによつてベースシート１７の平面性が局部的に
損われることはなく、チヤツクステージからベー
スシートを剥離することも簡単に為しうるのであ
り、ベースシート１７の剥離およびエキスパンド
の際におけるチツピングによるチツプの破損が生
ずることはない。 以下の表は、従来のチヤツクステージと本考案
のチヤツクステージを用いて半導体ウエハーの断
裁を行なつた場合のチツピングの発生率を示す。
【表】
上記表から、本考案のチヤツクステージを用い
て半導体ウエハーの断裁を行なつた場合、チツピ
ングの発生率は、従来のチヤツクステージを用い
た場合に比べ、ほぼ半減していることがわかる。 以上説明したように、本考案のチヤツクステー
ジによると、従来大きな問題となつていた半導体
チツプ等のチツピングを大幅に減少させることが
可能となり、また断裁の作業性も改善された。な
お、以上、半導体ウエハーの断裁について説明し
たが、被断裁物は半導体ウエハーに限らず、固体
撮像素子用のカラーフイルター等であつてもよ
い。
て半導体ウエハーの断裁を行なつた場合、チツピ
ングの発生率は、従来のチヤツクステージを用い
た場合に比べ、ほぼ半減していることがわかる。 以上説明したように、本考案のチヤツクステー
ジによると、従来大きな問題となつていた半導体
チツプ等のチツピングを大幅に減少させることが
可能となり、また断裁の作業性も改善された。な
お、以上、半導体ウエハーの断裁について説明し
たが、被断裁物は半導体ウエハーに限らず、固体
撮像素子用のカラーフイルター等であつてもよ
い。
第１図は従来のチヤツクステージの断面図、第
２図はチツピング現象を説明するための図、およ
び第３図は本考案のチヤツクステージの断面図で
ある。 １，１４……通気孔、２……チヤツクステー
ジ、３，１７……ベースシート、４，１８……ウ
エハー、５……チツプ、１１……チヤツクステー
ジ本体、１２……凹部、１３……気孔質板、１５
……凹凸部、１６……マグネツト、１９……フレ
ーム。
２図はチツピング現象を説明するための図、およ
び第３図は本考案のチヤツクステージの断面図で
ある。 １，１４……通気孔、２……チヤツクステー
ジ、３，１７……ベースシート、４，１８……ウ
エハー、５……チツプ、１１……チヤツクステー
ジ本体、１２……凹部、１３……気孔質板、１５
……凹凸部、１６……マグネツト、１９……フレ
ーム。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 凹部が形成された上面と凹凸状傾斜側面とを
有するステージ本体と、前記凹部に嵌合された
気孔質板とからなり、前記ステージ本体には前
記凹部の底面からステージ本体の裏面に通ずる
ひとつまたは多数の通気孔が形成されている断
裁用チヤツクステージ。 (2) 前記ステージ本体の周縁部にはマグネツトが
埋設されている実用新案登録請求の範囲第１項
記載の断裁用チヤツクステージ。 (3) 前記気孔質板はセラミツク製である実用新案
登録請求の範囲第１項記載の断裁用チヤツクス
テージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1668583U JPS59123340U (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | 断裁用チヤツクステ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1668583U JPS59123340U (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | 断裁用チヤツクステ−ジ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59123340U JPS59123340U (ja) | 1984-08-20 |
| JPS6234444Y2 true JPS6234444Y2 (ja) | 1987-09-02 |
Family
ID=30147955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1668583U Granted JPS59123340U (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | 断裁用チヤツクステ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59123340U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI689376B (zh) * | 2015-04-14 | 2020-04-01 | 日商迪思科股份有限公司 | 切割盤 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003007650A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-10 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ダイシングマシン |
| JP5025282B2 (ja) * | 2007-02-21 | 2012-09-12 | 株式会社ディスコ | フレームクランプ装置および切削装置 |
| JP6625397B2 (ja) * | 2015-10-26 | 2019-12-25 | 株式会社ディスコ | バイト切削装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5927941A (ja) * | 1982-07-16 | 1984-02-14 | ヘキスト・アクチエンゲゼルシヤフト | ポリビニルエステル水性分散物、その製造方法及びその用途 |
-
1983
- 1983-02-09 JP JP1668583U patent/JPS59123340U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5927941A (ja) * | 1982-07-16 | 1984-02-14 | ヘキスト・アクチエンゲゼルシヤフト | ポリビニルエステル水性分散物、その製造方法及びその用途 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI689376B (zh) * | 2015-04-14 | 2020-04-01 | 日商迪思科股份有限公司 | 切割盤 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59123340U (ja) | 1984-08-20 |
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