JPS59117235A - ウエハブレ−キング方法および装置 - Google Patents
ウエハブレ−キング方法および装置Info
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- JPS59117235A JPS59117235A JP57226318A JP22631882A JPS59117235A JP S59117235 A JPS59117235 A JP S59117235A JP 57226318 A JP57226318 A JP 57226318A JP 22631882 A JP22631882 A JP 22631882A JP S59117235 A JPS59117235 A JP S59117235A
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- Japan
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- vacuum
- fixed
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は部分切断状態のウェハを個々のベレットに分離
するウェハブレーキング方法および装置に関する。
するウェハブレーキング方法および装置に関する。
従来、半導体製品の製造過程においてウエノ・を個々の
ベレットに分離する場合、まずスクライプまたはダイシ
ングによりウエノ・を部分切断状態とした後、第１図に
示すようにウェハ１な保護フィルムシート２で上下両側
から包み込むかあるいは接着テープに貼り付けた状態で
ウェハブレーク台３上に搬送して、上方からウェハ押え
４で圧着固定すると共に、ウェハ１の被破断部なブレー
ク板５により押し曲げることによって、個々のベレット
６に分離している。
ベレットに分離する場合、まずスクライプまたはダイシ
ングによりウエノ・を部分切断状態とした後、第１図に
示すようにウェハ１な保護フィルムシート２で上下両側
から包み込むかあるいは接着テープに貼り付けた状態で
ウェハブレーク台３上に搬送して、上方からウェハ押え
４で圧着固定すると共に、ウェハ１の被破断部なブレー
ク板５により押し曲げることによって、個々のベレット
６に分離している。
しかし、この従来方式では、ウェハ１が上面側をウェハ
押え４で圧着固定するので、ウエノ・１０回路形成面に
傷が付いたり、汚れが付着したりし易い。また、接着テ
ープでウェハ１の固定を行なう場合には、接着テープの
接着糊がウェハ１の裏面に付着するので、その除去のた
めに付加的な作業が必要となり、特性的にも悪影響を及
ぼすおそれがある。接着テープな使用しない時には、分
離後のベレット６は保護フィルムシート２内で自由状態
になるので、整列状態を維持できず、その後のハンドリ
ングは目視確認で人手により行なわなければならなくな
るという問題もある。
押え４で圧着固定するので、ウエノ・１０回路形成面に
傷が付いたり、汚れが付着したりし易い。また、接着テ
ープでウェハ１の固定を行なう場合には、接着テープの
接着糊がウェハ１の裏面に付着するので、その除去のた
めに付加的な作業が必要となり、特性的にも悪影響を及
ぼすおそれがある。接着テープな使用しない時には、分
離後のベレット６は保護フィルムシート２内で自由状態
になるので、整列状態を維持できず、その後のハンドリ
ングは目視確認で人手により行なわなければならなくな
るという問題もある。
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決し、ウェ
ハの表面すなわち回路形成面等の損傷や汚れを防止しな
がら自動的にウェハの破断分離を行なうことのできるウ
ェハブレーキング方法および装置を提供することにある
。
ハの表面すなわち回路形成面等の損傷や汚れを防止しな
がら自動的にウェハの破断分離を行なうことのできるウ
ェハブレーキング方法および装置を提供することにある
。
以下、本発明を図面に示す一実施例にしたがって詳細に
説明する。
説明する。
第２図は本発明によるウェハブレーキング装置の一実施
例をブレ、−り前の状態で示す断面図、第３図はそのブ
レーク時の状態を示す断面図である。
例をブレ、−り前の状態で示す断面図、第３図はそのブ
レーク時の状態を示す断面図である。
この実施例においては、ウェハ１０は固定ウェハブレー
ク台１１（第１のウェハブレーク台）および可動ウェハ
ブレーク台１２（第２のウェハブレーク台）の上に部分
切断状態で搬送されて来る。
ク台１１（第１のウェハブレーク台）および可動ウェハ
ブレーク台１２（第２のウェハブレーク台）の上に部分
切断状態で搬送されて来る。
その場合、ウェハ１０の後端側（図の左側）は固定ウェ
ハブレーク台１１の上に載せられ、前端側（図の右側）
の被破断部は可動ウェハブレーク台１２の上に載せられ
、被切断個所のスクライブ溝またはダイシング溝は両ウ
ェハブレーク台１１と１２との間に位置させられる。
ハブレーク台１１の上に載せられ、前端側（図の右側）
の被破断部は可動ウェハブレーク台１２の上に載せられ
、被切断個所のスクライブ溝またはダイシング溝は両ウ
ェハブレーク台１１と１２との間に位置させられる。
固定ウェハブレーク台１１はウェハ１ｏの後端側の裏面
を真空吸着して固定するため、その内部に真空吸着孔１
３を有し、この真空吸着孔１３は図示しない真空源に連
通されており、この真空源からの矢印Ａ方向への真空吸
着力によりウェハ１゜の後端側の裏面を真空吸着固定す
る。
を真空吸着して固定するため、その内部に真空吸着孔１
３を有し、この真空吸着孔１３は図示しない真空源に連
通されており、この真空源からの矢印Ａ方向への真空吸
着力によりウェハ１゜の後端側の裏面を真空吸着固定す
る。
一方、可動ウェハブレーク台１２はウェハ１゜の前端側
の被破断部の裏面を真空吸着固定するため、その内部に
真空吸着孔１４を有している。この真空吸着孔１４は図
示しない真空源に連通され、この真空源からの矢印Ｂ方
向への真空吸着力によりウェハ１０の最前端の被破断部
の裏面を可動ウェハブレーク台１２の上に真空吸着固定
する。また、可動ウェハブレーク台１２は矢印Ｃで示す
如く回動でき、それにより前記のように両つェハプＶ−
り台１１，１２で真空吸着固定したウェハ１゜を折曲げ
力で破断して個々のペレット１５（第３図）に分離する
ようになっている。
の被破断部の裏面を真空吸着固定するため、その内部に
真空吸着孔１４を有している。この真空吸着孔１４は図
示しない真空源に連通され、この真空源からの矢印Ｂ方
向への真空吸着力によりウェハ１０の最前端の被破断部
の裏面を可動ウェハブレーク台１２の上に真空吸着固定
する。また、可動ウェハブレーク台１２は矢印Ｃで示す
如く回動でき、それにより前記のように両つェハプＶ−
り台１１，１２で真空吸着固定したウェハ１゜を折曲げ
力で破断して個々のペレット１５（第３図）に分離する
ようになっている。
次に、本実施例の作用について説明する。
まず、予めスクライブ溝またはダイシング溝１６を形成
することにより部分切断状態にしたウェハ１０を真空吸
引作用または加工空気の吹出し作用等を利用して、固定
ウェハブレーク台１１および可動ウェハブレーク台１２
の上に搬送する。その場合、破断しようとするスクライ
ブ溝またはダイシング溝１６ａが両ウェハブレーク台１
１と１２との間の破断位置に来るようにウェハ１０を位
置決めする。
することにより部分切断状態にしたウェハ１０を真空吸
引作用または加工空気の吹出し作用等を利用して、固定
ウェハブレーク台１１および可動ウェハブレーク台１２
の上に搬送する。その場合、破断しようとするスクライ
ブ溝またはダイシング溝１６ａが両ウェハブレーク台１
１と１２との間の破断位置に来るようにウェハ１０を位
置決めする。
この状態で、両りエハプレーク台１１．１２の各真空吸
着孔１３．１４を経てそれぞれの真空源（図示せず）に
より矢印Ａ、Ｂ方向に真空吸引力を加え、ウェハ１０の
後端側の裏面を固定ウェハブレーク台１１の上に、また
前端側の被破断部の裏面を可動ウェハブレーク台１２の
上に真空吸着固定する。
着孔１３．１４を経てそれぞれの真空源（図示せず）に
より矢印Ａ、Ｂ方向に真空吸引力を加え、ウェハ１０の
後端側の裏面を固定ウェハブレーク台１１の上に、また
前端側の被破断部の裏面を可動ウェハブレーク台１２の
上に真空吸着固定する。
その後、この真空吸着固定状態で、第３図に示すように
、可動ウェハブレーク台１２を矢印Ｃ方向に回動させる
と、ウェハ１０はスクライブ溝またはダイシング溝１６
ａの位置で破断され、個別的なペレット１５として分離
される。
、可動ウェハブレーク台１２を矢印Ｃ方向に回動させる
と、ウェハ１０はスクライブ溝またはダイシング溝１６
ａの位置で破断され、個別的なペレット１５として分離
される。
したがって、本実施例では、ウエノ・１０の裏面を真空
吸着固定してハンドリングするので、ウェハ１０の表面
すなわち回路形成面が損傷したり、汚れたりすることを
防止できる。勿論、ウェハ１０の裏面も同様である。も
っとも、ウェハ１０の破断分離が進んでウェハ１０の未
破断部が小さくなって真空吸着力のみではウェハ保持力
が不十分になったような場合には、ウェハ１０を表面側
から補助的に押えて真空吸着力な補助することも回路−
形成面を損傷または汚染することなく可能である。
吸着固定してハンドリングするので、ウェハ１０の表面
すなわち回路形成面が損傷したり、汚れたりすることを
防止できる。勿論、ウェハ１０の裏面も同様である。も
っとも、ウェハ１０の破断分離が進んでウェハ１０の未
破断部が小さくなって真空吸着力のみではウェハ保持力
が不十分になったような場合には、ウェハ１０を表面側
から補助的に押えて真空吸着力な補助することも回路−
形成面を損傷または汚染することなく可能である。
なお、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、
他の様々な変形が可能であり、たとえばウェハブレーク
台１１，１２の固定側と可動側を逆にすること等もでき
る。
他の様々な変形が可能であり、たとえばウェハブレーク
台１１，１２の固定側と可動側を逆にすること等もでき
る。
以上説明したように、本発明によれば、ウェハを裏面か
ら真空吸着固定することＫより、ウェハの表面が損傷し
たり、汚れたりすることを防止し、自動的にブレーキン
グ作業を行なうことができる。
ら真空吸着固定することＫより、ウェハの表面が損傷し
たり、汚れたりすることを防止し、自動的にブレーキン
グ作業を行なうことができる。
第１図は従来のウェハブレーキング装置の断面図、
第２図は本発明によるウェハブレーキング装置の一実施
例をブレーク前の状態で示す断面図、第３図はクエハプ
レーク時の状態を示す断面図である。 １０・・・ウェハ、１１・・・固定ウェハブレーク台、
１２・・・可動ウェハブレーク台、１３・・・真空吸着
孔、１４・・・真空吸着孔、１５・・・分離後のベレッ
ト、１６．１６ａ・・・スクライプ溝またはダイシング
溝。 第 ２ 圀 ／Ｊ 第 ３ 図 ／ｊ
例をブレーク前の状態で示す断面図、第３図はクエハプ
レーク時の状態を示す断面図である。 １０・・・ウェハ、１１・・・固定ウェハブレーク台、
１２・・・可動ウェハブレーク台、１３・・・真空吸着
孔、１４・・・真空吸着孔、１５・・・分離後のベレッ
ト、１６．１６ａ・・・スクライプ溝またはダイシング
溝。 第 ２ 圀 ／Ｊ 第 ３ 図 ／ｊ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、部分切断状態のウェハを破断して個々のベレットに
分離するウェハブレーキング方法において、ウェハの裏
面を真空吸着して折曲げて破断することを特徴とするウ
ェハブレーキング方法。 ２、部分切断状態のウエノ・を破断じて個々のベレット
に分離するウエノ）ブレーキング装置において、ウェハ
な裏面側から真空吸着する第１のウニ・・ブレーク台と
、ウェハの被破断部の裏面を真空吸着する第２のウェハ
ブレーク台とからなり、前記第１および第２のウェハブ
レーク台の少なくとも一方がウェハ折曲げ方向に可動で
あることを特徴とするウェハブレーキング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57226318A JPS59117235A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | ウエハブレ−キング方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57226318A JPS59117235A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | ウエハブレ−キング方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59117235A true JPS59117235A (ja) | 1984-07-06 |
Family
ID=16843310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57226318A Pending JPS59117235A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | ウエハブレ−キング方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59117235A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006120797A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割装置 |
| JP2006525137A (ja) * | 2003-05-09 | 2006-11-09 | オリジン エナジー ソーラー ピーティワイ リミテッド | 半導体ストリップの切り離しおよび組み立て |
| JP2007173345A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | ブレーキング装置 |
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| WO2014106155A2 (en) * | 2012-12-31 | 2014-07-03 | Sunedison, Inc. | Processes and apparatus for preparing heterostructures with reduced strain by radial distension |
| US8772135B2 (en) | 2005-11-10 | 2014-07-08 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device manufacturing method using laser irradiation and dicing saw and semiconductor device thereof |
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| US9793421B2 (en) | 2014-12-05 | 2017-10-17 | Solarcity Corporation | Systems, methods and apparatus for precision automation of manufacturing solar panels |
-
1982
- 1982-12-24 JP JP57226318A patent/JPS59117235A/ja active Pending
Cited By (25)
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| CN105144341A (zh) * | 2012-12-31 | 2015-12-09 | 太阳能爱迪生半导体有限公司 | 用于制备具有通过径向扩张降低的应变的异质结构的方法和装置 |
| CN105210172A (zh) * | 2012-12-31 | 2015-12-30 | 太阳能爱迪生半导体有限公司 | 用于制备具有通过径向压缩降低的应变的异质结构的方法和装置 |
| WO2014106155A3 (en) * | 2012-12-31 | 2014-10-30 | Sunedison, Inc. | Processes and apparatus for preparing heterostructures with reduced strain by radial distension |
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| US11764071B2 (en) | 2012-12-31 | 2023-09-19 | Globalwafers Co., Ltd. | Apparatus for stressing semiconductor substrates |
| US11282715B2 (en) | 2012-12-31 | 2022-03-22 | Globalwafers Co., Ltd. | Apparatus for stressing semiconductor substrates |
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