JP2011134975A - 半導体レーザの製造方法及び製造装置 - Google Patents
半導体レーザの製造方法及び製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011134975A JP2011134975A JP2009294866A JP2009294866A JP2011134975A JP 2011134975 A JP2011134975 A JP 2011134975A JP 2009294866 A JP2009294866 A JP 2009294866A JP 2009294866 A JP2009294866 A JP 2009294866A JP 2011134975 A JP2011134975 A JP 2011134975A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- collet
- laser
- spacers
- spacer
- bar
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 154
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 18
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 16
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 40
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 40
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 30
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 15
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 15
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 11
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】巻き線状のスペーサ材28の一部をローラー26により引き出し、刃32により切断してスペーサ34を形成する。スペーサ34をスペーサ吸着用コレット36によりピックアップする。複数の半導体レーザが形成された半導体ウェハを劈開して複数の半導体レーザがバー状に並んだレーザバー16を形成する。レーザバー16をレーザバー吸着用コレット44によりピックアップする。スペーサ吸着用コレット36及びレーザバー吸着用コレット44によりスペーサ34及びレーザバー16を交互に積み重ねてコーティング用上治具及びコーティング用下治具58で挟み、複数のレーザバー16の端面に誘電体膜を形成する。
【選択図】図1
Description
まず、実施の形態1に係る半導体レーザの製造装置の構造について説明する。図1は、実施の形態1に係る半導体レーザの製造装置を示す斜視図である。
実施の形態2に係る半導体レーザの製造方法及び製造装置について、実施の形態1と異なる点のみについて説明する。
実施の形態3に係る半導体レーザの製造方法及び製造装置について、実施の形態1,2と異なる点のみについて説明する。
実施の形態4に係る半導体レーザの製造方法について実施の形態1,2と異なる点のみについて説明する。図19−図27は、実施の形態4に係る半導体レーザの製造方法を示す工程図である。
26 ローラー(引き出し部)
28,82 スペーサ材
32 刃(切断部)
34 スペーサ
36 スペーサ吸着用コレット(第1コレット)
44 レーザバー吸着用コレット(第2コレット)
58 コーティング用下治具(治具)
72 半導体ウェハ
74 コーティング用上治具(治具)
90 粘着性シート
92 漏斗
94 アパーチャ
96 位置決めピン
98 トレイ
Claims (14)
- 巻き線状のスペーサ材の一部を引き出し部により引き出し、切断部により切断してスペーサを形成する工程と、
前記スペーサを第1コレットによりピックアップする工程と、
複数の半導体レーザが形成された半導体ウェハを劈開して前記複数の半導体レーザがバー状に並んだレーザバーを形成する工程と、
前記レーザバーを第2コレットによりピックアップする工程と、
前記第2コレット及び前記第1コレットにより前記スペーサ及び前記レーザバーを交互に積み重ねて治具で挟む工程と、
前記治具で挟んだ前記レーザバーの端面に誘電体膜を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 複数のスペーサが整列した状態で互いに繋がったスペーサ材を切断部により切断して個々のスペーサに分離する工程と、
分離された前記スペーサを第1コレットによりピックアップする工程と、
複数の半導体レーザが形成された半導体ウェハを劈開して前記複数の半導体レーザがバー状に並んだレーザバーを形成する工程と、
前記レーザバーを第2コレットによりピックアップする工程と、
前記第2コレット及び前記第1コレットにより前記スペーサ及び前記レーザバーを交互に積み重ねて治具で挟む工程と、
前記治具で挟んだ前記レーザバーの端面に誘電体膜を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 前記切断部により、前記スペーサ材の前記複数のスペーサを一括で切断して分離することを特徴とする請求項2に記載の半導体レーザの製造方法。
- 複数のスペーサが整列した状態で接着された粘着性シートから前記スペーサを第1コレットによりピックアップする工程と、
複数の半導体レーザが形成された半導体ウェハを劈開して前記複数の半導体レーザがバー状に並んだレーザバーを形成する工程と、
前記レーザバーを第2コレットによりピックアップする工程と、
前記第2コレット及び前記第1コレットにより前記スペーサ及び前記レーザバーを交互に積み重ねて治具で挟む工程と、
前記治具で挟んだ前記レーザバーの端面に誘電体膜を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 複数のスペーサが整列した状態で互いに繋がったスペーサ材を切断部により切断して個々のスペーサに分離する工程と、
分離された前記複数のスペーサを第1コレットにより同時にピックアップする工程と、
複数の半導体レーザが形成された半導体ウェハを劈開して前記複数の半導体レーザがバー状に並んだ複数のレーザバーを形成する工程と、
前記複数のレーザバーを第2コレットにより同時にピックアップする工程と、
片側にテーパが設けられた複数の漏斗を有するアパーチャを、複数の位置決めピンを有するトレイ上に配置する工程と、
前記第2コレット及び前記第1コレットによりピックアップした前記複数のスペーサ及び前記複数のレーザバーを前記アパーチャの上方でそれぞれ放して、前記複数の漏斗を通して前記トレイ上の前記複数の位置決めピン間に交互に整列させる工程と、
前記トレイ上に整列された前記複数のスペーサ及び前記複数のレーザバーを治具で保持した状態で前記トレイを外して、前記複数のスペーサ及び前記複数のレーザバーの隙間を詰める工程と、
前記治具で挟んだ前記複数のレーザバーの端面に誘電体膜を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 前記第2コレットにより、前記複数のレーザバーのそれぞれの中心からずれた位置を吸着することを特徴とする請求項5に記載の半導体レーザの製造方法。
- 前記トレイの前記複数の位置決めピンは先端に向かってテーパが設けられ、
前記トレイを外す際に、前記複数の位置決めピンの前記テーパで前記複数のレーザバーを滑らせることを特徴とする請求項5に記載の半導体レーザの製造方法。 - 巻き線状のスペーサ材の一部を引き出す引き出し部と、
前記引き出し部により引き出された前記スペーサ材を切断してスペーサを形成する切断部と、
前記スペーサをピックアップする第1コレットと、
レーザバーをピックアップする第2コレットと、
巻き線状のスペーサ材の一部を引き出す引き出し部と、
前記第2コレット及び前記第1コレットにより交互に立てて整列された前記スペーサ及び前記レーザバーを挟む治具とを備えることを特徴とする半導体レーザの製造装置。 - 複数のスペーサが整列した状態で互いに繋がったスペーサ材を切断して個々のスペーサに分離する切断部と、
分離された前記スペーサをピックアップする第1コレットと、
レーザバーをピックアップする第2コレットと、
前記第2コレット及び前記第1コレットにより交互に立てて整列された前記スペーサ及び前記レーザバーを挟む治具とを備えることを特徴とする半導体レーザの製造装置。 - 前記切断部は、前記スペーサ材の前記複数のスペーサを一括で切断して分離することを特徴とする請求項9に記載の半導体レーザの製造装置。
- 複数のスペーサが整列した状態で接着された粘着性シートから前記スペーサをピックアップする第1コレットと、
レーザバーをピックアップする第2コレットと、
前記第2コレット及び前記第1コレットにより交互に立てて整列された前記スペーサ及び前記レーザバーを挟む治具とを備えることを特徴とする半導体レーザの製造装置。 - 複数のスペーサが整列した状態で互いに繋がったスペーサ材を切断して個々のスペーサに分離する切断部と、
分離された前記複数のスペーサを同時にピックアップする第1コレットと、
複数のレーザバーを同時にピックアップする第2コレットと、
複数の位置決めピンを有するトレイと、
前記トレイ上に配置され、片側にテーパが設けられた複数の漏斗を有するアパーチャと、
前記複数のスペーサ及び前記複数のレーザバーを挟む治具とを備え、
前記第2コレット及び前記第1コレットはピックアップした前記複数のスペーサ及び前記複数のレーザバーを前記アパーチャの上方でそれぞれ放して、前記複数の漏斗を通して前記トレイ上の前記複数の位置決めピン間に交互に整列させ、
前記治具は、前記トレイ上に整列された前記複数のスペーサ及び前記複数のレーザバーを保持した状態で前記トレイを外して、前記複数のスペーサ及び前記複数のレーザバーの隙間を詰めることを特徴とする半導体レーザの製造装置。 - 前記第2コレットは、前記複数のレーザバーのそれぞれの中心からずれた位置を吸着することを特徴とする請求項12に記載の半導体レーザの製造装置。
- 前記トレイの前記複数の位置決めピンは先端に向かってテーパが設けられていることを特徴とする請求項12に記載の半導体レーザの製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009294866A JP5560703B2 (ja) | 2009-12-25 | 2009-12-25 | 半導体レーザの製造方法及び製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009294866A JP5560703B2 (ja) | 2009-12-25 | 2009-12-25 | 半導体レーザの製造方法及び製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011134975A true JP2011134975A (ja) | 2011-07-07 |
JP5560703B2 JP5560703B2 (ja) | 2014-07-30 |
Family
ID=44347369
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009294866A Active JP5560703B2 (ja) | 2009-12-25 | 2009-12-25 | 半導体レーザの製造方法及び製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5560703B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013058593A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ素子の製造装置および製造方法 |
DE112019007051B4 (de) | 2019-03-18 | 2024-04-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaservorrichtung |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0983072A (ja) * | 1995-09-11 | 1997-03-28 | Denso Corp | 半導体表面処理用治具 |
JPH11274636A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-08 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ半製品の保護膜形成用スペーサおよびその製造方法 |
JP2001077454A (ja) * | 1999-09-08 | 2001-03-23 | Denso Corp | 半導体製造装置及び製造方法 |
JP2005109061A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Renesas Technology Corp | 半導体装置製造用治具、治具の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
-
2009
- 2009-12-25 JP JP2009294866A patent/JP5560703B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0983072A (ja) * | 1995-09-11 | 1997-03-28 | Denso Corp | 半導体表面処理用治具 |
JPH11274636A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-08 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ半製品の保護膜形成用スペーサおよびその製造方法 |
JP2001077454A (ja) * | 1999-09-08 | 2001-03-23 | Denso Corp | 半導体製造装置及び製造方法 |
JP2005109061A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Renesas Technology Corp | 半導体装置製造用治具、治具の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013058593A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ素子の製造装置および製造方法 |
DE112019007051B4 (de) | 2019-03-18 | 2024-04-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaservorrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5560703B2 (ja) | 2014-07-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6869264B2 (en) | Method and apparatus for picking up a semiconductor chip, method and apparatus for removing a semiconductor chip from a dicing tape, and a method of forming a perforated dicing tape | |
TWI278943B (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
WO2015056303A1 (ja) | 半導体素子の製造方法、ウエハマウント装置 | |
US7687375B2 (en) | Lamination device manufacturing method | |
JP2009525601A (ja) | ウェハ個片切断用支持体 | |
JP2001118862A (ja) | ペレットピックアップ装置 | |
TW200426954A (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JP2018026498A (ja) | 半導体パッケージのマスキング方法 | |
JP2011257463A (ja) | 偏光板貼付け装置及び該装置を用いた偏光板貼付け方法 | |
WO2007114433A1 (ja) | 半導体ウエハのチップ加工方法 | |
JP5560703B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法及び製造装置 | |
JP4984921B2 (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
JP5373496B2 (ja) | 切削溝検出装置および切削加工機 | |
US20130244351A1 (en) | Method of inspecting semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and inspection tool | |
JP5287276B2 (ja) | 電子部品のピックアップ方法及びピックアップ装置 | |
JP2010283016A (ja) | 半導体パッケージの製造方法及び切断装置 | |
JP6228058B2 (ja) | 半導体製造装置及び半導体の製造方法 | |
JPS59117235A (ja) | ウエハブレ−キング方法および装置 | |
JP2004311980A (ja) | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP6670190B2 (ja) | 支持体分離装置、および支持体分離方法 | |
KR101915572B1 (ko) | 피시비용 분리코어 박리장치 | |
KR101504147B1 (ko) | 디스플레이용 유리 제거장치 | |
US10170443B1 (en) | Debonding chips from wafer | |
JP5281611B2 (ja) | 分離装置及びその分離方法 | |
JP2003340787A (ja) | 基板の固定装置及び固定方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121102 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131016 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131022 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131204 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140311 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140417 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140513 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140526 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5560703 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |