JP2009525601A - ウェハ個片切断用支持体 - Google Patents
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Abstract
Description
レーザービームを提供するステップと、
アイランドのアレイを備え、アイランドの上面は、ウェハ上のダイのアレイで位置を合わされて、支持用基板の主面より上に引き上げられている支持用基板を提供するステップと、
アイランドのアレイとダイのアレイの位置を合わせて、支持用基板上にウェハを装着するステップと、
ウェハを通過した後、レーザービームのエネルギーが、支持用基板を実質的に機械加工することなく、アイランド間のチャネル内で放散するように、レーザービームを用いてウェハからダイを個別切断する間、それぞれのアイランド上のダイを支持するステップと、
を備える。
ダイ11を支持しながらも、レーザービーム30がアイランド21の間を通過できるように、通常、アイランドの寸法Wx、Wyは、最大でも、それぞれ、ダイの寸法dx、dyと同じぐらいの大きさでなければならない。
アイランドサイズWx、Wyに関する要件に次いで、アイランド切り溝kx、ky、すなわち、ある特定の軸における二つのアイランドの最も近い端部間の間隔は、それぞれのウェハストリートsx、syと少なくとも同じ大きさであることが好ましい。いずれにしても、アイランドの間隔は、レーザー切り溝またはソーブレード幅と少なくとも同じ大きさでなければならない。これによって、レーザーダイシングにおいて、ダイシングまたはカッティングプロセスの間、アイランド21間のチャネル22、23の基部に、レーザービームが常に放散される。または、使用中に、ソーブレードがアイランド上で汚れることがない。
チャネル22、23の深度、または、アイランド21間のトレンチ(trench)、すなわち、アイランドの高さは、「機械加工深度」、すなわち、焦点深度よりも大きくなければならない。それにより、ビーム焦点またはウエスト(waist)の面から距離dのところにあるレーザービーム30の強度を、チャック20を形成している材料を加工する強度よりも小さくなるよう低下させる。これを図4に例示する。焦点深度dofが、アイランド21の高さhより小さいことが好ましい。
Claims (10)
- ウェハのダイシング中およびダイシング後の、ウェハのダイを支持するための支持用基板であって、
前記支持用基板はアイランドのアレイを備え、
前記アイランドの上面は、ウェハ上のダイのアレイ、または、ウェハから個別切断されたダイのアレイで位置合わせされて、支持用基板の主面より上に引き上げられている支持用基板であって、
前記アイランド間の間隔は、ウェハをダイシングするために使用されるレーザーの切り溝、または、ブレードの幅より大きく、
前記アイランドの上面は、主面より上の十分な高さを有し、ウェハをダイシングするために使用されるレーザービームのエネルギーを、支持用基板を実質的に機械加工することなく、アイランド間のチャネル内で放散させること
を特徴とする支持用基板。 - 請求項1に記載の支持用基板であって、
主面より上の前記アイランドの上面の高さは、レーザービームの焦点深度より大きいこと
を特徴とする支持用基板。 - 請求項1または2に記載の支持用基板であって、
前記支持用基板は、部分真空によって、ダイが前記支持用基板上で保持されている真空チャックであること
を特徴とする支持用基板。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の支持用基板であって、
ダイシングの後、次のプロセスのために、部分真空によって、ダイが前記支持用基板に保持されていること
を特徴とする支持用基板。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の支持用基板であって、
前記支持用基板は、支持用基板は中空であり、ウェハのアクティブ面を支持用基板の方へ向けるようにして半導体ウェハを支持すること
を特徴とする支持用基板。 - ウェハをダイシングする方法であって、
a.レーザービームを提供するステップと、
b.アイランドのアレイを備え、前記アイランドの上面は、ウェハ上のダイのアレイで位置を合わされて、支持用基板の主面より上に引き上げられている支持用基板を提供するステップと、
c.アイランドのアレイとダイのアレイの位置を合わせて、支持用基板上にウェハを装着するステップと、
d.ウェハを通過した後、レーザービームのエネルギーが、支持用基板を実質的に機械加工することなく、アイランド間のチャネル内で放散するように、レーザービームを用いてウェハからダイを個別切断する間、それぞれのアイランド上のダイを支持するステップと、
を備えること
を特徴とする方法。 - 請求項6に記載の方法であって、
前記支持用基板を提供するステップは、真空チャックを提供するステップを備え、
前記支持用基板上にウェハを装着するステップは、部分真空によって、支持用基板上にウェハを保持するステップを備えること
を特徴とする方法。 - 請求項7に記載の方法であって、
個別切断されたダイは、個片切断後の更なるプロセスのために、部分真空によって、支持用基板に保持されること
を特徴とする方法。 - 請求項8に記載の方法であって、
個別切断されたダイは、洗浄、湿式エッチング、乾式エッチング、 二フッ化キセノンエッチング、ダイテスティング、および、ダイピッキングのうちの少なくとも一つのために、支持用基板に保持されること
を特徴とする方法。 - 請求項6〜9のいずれか1項に記載の方法であって、
前記支持用基板は、中空であり、前記ウェハは、アクティブ面を前記支持用基板に向けて支持用基板上に装着され、前記ウェハは、アクティブ面に対向する裏側からダイシングされること
を特徴とする方法。
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