JP2005262249A - レーザー加工装置のチャックテーブル - Google Patents

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Abstract

【課題】 被加工物にレーザー光線を照射する際に、被加工物をオーバーランしてレーザー光線が照射されても被加工物を保持する被加工物保持領域が損傷されないレーザー加工装置のチャックテーブルを提供する。
【解決手段】 被加工物を保持する被加工物保持領域を備えたレーザー加工装置のチャックテーブルであって、被加工物保持領域が被加工物と相似形で小さく形成されており、該被加工物保持領域の外側周囲に緩衝溝が形成されている。
【選択図】 図2

Description

本発明は、レーザー加工装置における被加工物を保持するためのチャックテーブルに関する。
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等の回路を形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することにより回路が形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハも分割予定ラインに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
上述した半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の分割予定ラインに沿った切断は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって行われている。この切削装置は、半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる切削送り手段とを具備している。切削手段は、回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードおよび回転スピンドルを回転駆動する駆動機構を備えたスピンドルユニットを含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径3μm程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって基台に固定し厚さ20μm程度に形成されている。
しかるに、サファイヤ基板、炭化珪素基板等はモース硬度が高いため、上記切削ブレードによる切断は必ずしも容易ではない。更に、切削ブレードは20μm程度の厚さを有するため、デバイスを区画する分割予定ラインとしては幅が50μm程度必要となる。このため、例えば大きさが300μm×300μm程度のデバイスの場合には、ストリートの占める面積比率が14%にもなり、生産性が悪いという問題がある。
一方、近年半導体ウエーハ等の板状の被加工物を分割する方法として、その被加工物に対して透過性を有するパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法も試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、被加工物の一方の面側から内部に集光点を合わせて被加工物に対して透過性を有する赤外光領域のパルスレーザー光線を照射し、被加工物の内部に分割予定ラインに沿って変質層を連続的に形成し、この変質層が形成されることによって強度が低下した分割予定ラインに沿って外力を加えることにより、被加工物を分割するものである。(例えば、特許文献1参照。)
特許第3408805号公報
また、近時においては、IC、LSI等の回路の処理能力を向上するために、シリコンウエーハの如き半導体基板の表面にSiOF、BSG(SiOB)等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜(Low−k膜)を積層せしめた形態の半導体ウエーハが実用化されている。しかるに、Low−k膜は、雲母のように多層(5〜15層)に積層されているとともに非常に脆いことから、切削ブレードにより分割予定ラインに沿って切削すると、Low−k膜が剥離し、この剥離が回路にまで達し半導体チップに致命的な損傷を与えるという問題がある。
上述した問題を解消するために、半導体ウエーハの分割予定ラインに形成されているLow−k膜にレーザー光線を照射してLow−k膜を除去し、Low−k膜が除去された分割予定ラインを切削ブレードにより切削する加工装置が提案されている。(例えば、特許文献2参照。)
特開2003−320466号公報
半導体ウエーハにレーザー加工を施すためには、半導体ウエーハをチャックテーブル上に保持した状態でレーザー光線照射手段からレーザー光線を照射しつつ、チャックテーブルとレーザー光線照射手段を加工送り方向に相対移動せしめる。しかるに、半導体ウエーハの外周縁を越えてレーザー光線が照射されると、半導体ウエーハを保持しているチャックテーブルにレーザー光線が照射され、チャックテーブルの被加工物保持領域が損傷され表面精度が低下するという問題がある。また、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って分割する際には、半導体ウエーハをダイシングテープに貼着した状態で分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射する。しかるに、上述したように半導体ウエーハの外周縁を越えてレーザー光線が照射されると、ダイシングテープが加熱されて溶融しチャックテーブルの被加工物保持領域に付着する。この付着したダイシングテープによって被加工物保持領域に形成されたバキュームを吸引するための空孔が目詰まりしたり、被加工物保持領域の表面精度が低下するという問題がある。このため、被加工物保持領域に付着したダイシングテープを砥石によって削ぎ落とすことが必要となり、場合によってはチャックテーブルを交換しなければならない。
上述した問題を解消するために、本出願人はチャックテーブルに保持された被加工物に形成された分割予定ラインの始点座標値と終点座標値を検出してこれを記憶手段に記憶させておき、該記憶手段に記憶された始点座標値から終点座標値までの間レーザー光線を照射するようにしたレーザー加工装置を特願2004−58380として提案した。
而して、特願2004−58380として提案した技術は、チャックテーブルの被加工物保持領域に保持された被加工物の加工領域の座標値をその都度検出する必要があるため、生産性の面で必ずしも満足し得るものではない。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、被加工物にレーザー光線を照射する際に、被加工物をオーバーランしてレーザー光線が照射されても被加工物を保持する被加工物保持領域が損傷されないレーザー加工装置のチャックテーブルを提供することである。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持する被加工物保持領域を備えたレーザー加工装置のチャックテーブルにおいて、
該被加工物保持領域が被加工物と相似形で小さく形成されており、該被加工物保持領域の外側周囲にレーザー光線緩衝溝が形成されている、
ことを特徴とするレーザー加工装置のチャックテーブルが提供される。
上記レーザー光線緩衝溝の底面には、レーザー光線吸収部材が配設されていることが望ましい。
本発明によるチャックテーブルは、被加工物保持領域が被加工物と相似形で小さく形成されており、該被加工物保持領域の外側周囲にレーザー光線緩衝溝が形成されているので、レーザー光線が被加工物をオーバーランして照射されても被加工物保持領域は存在せず、レーザー光線はレーザー光線緩衝溝に照射されるので、被加工物保持領域が損傷することはない。また、レーザー光線が上記レーザー光線緩衝溝に照射されてもその底面はレーザー光線の集光点から十分に離れておりレーザーが拡散しているため、加工できる程のエネルギー密度は無くチャックテーブルを損傷することはない。また、被加工物がダイシングテープに貼着されている場合には、上記オーバーランが発生すると、レーザー光線がダイシングテープに照射されダイシングテープが加熱されて溶融するが、レーザー光線がダイシングテープに照射される領域にはチャックテーブルの被加工物保持領域が存在しないので、溶融されたダイシングテープが被加工物保持領域に付着することはない。従って、チャックテーブルのメンテナンスが不要となり、ランニングコストの低減を図ることができる。
以下、本発明に従って構成されたレーザー加工装置のチャックテーブルの好適な実施形態について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
図1には、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図が示されている。図1に示すレーザー加工装置は、静止基台2と、該静止基台2に矢印Xで示す加工送り方向に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構3と、静止基台2に上記矢印Xで示す方向と直角な矢印Yで示す割り出し送り方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構4と、該レーザー光線ユニット支持機構4に矢印Zで示す方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット5とを具備している。
上記チャックテーブル機構3は、静止基台2上に矢印Xで示す加工送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール31、31と、該案内レール31、31上に矢印Xで示す加工送り方向に移動可能に配設された第一の滑動ブロック32と、該第1の滑動ブロック32上に矢印Yで示す割り出し送り方向に移動可能に配設された第2の滑動ブロック33と、該第2の滑動ブロック33上に円筒部材34によって支持された支持テーブル35と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル36を具備している。このチャックテーブル36はステンレス鋼等の金属材によって形成されており、図2および図3に示すように被加工物を保持する被加工物保持領域360を備えている。被加工物保持領域360には上方が開放された嵌合穴361が形成されており、この嵌合穴361にポーラスセラミックス等の多孔性材料によって形成された吸着チャック362が嵌合される。上記嵌合穴361の底面には中央部に円形状の吸引溝363が形成されているとともに、該吸引溝363の外側に環状の吸引溝364が形成されている。そして、吸引溝363および364は、吸引通路365を通して図示しない吸引手段に連通されている。なお、上記被加工物保持領域360の形状は、後述する被加工物と相似形で外周が被加工物の外周より僅かに(3〜5mm)小さく形成されている。このように被加工物保持領域360を備えたチャックテーブル36には、被加工物保持領域360の外側周囲に環状の緩衝溝366が形成されている。この環状のレーザー光線緩衝溝366は、深さが5〜10mmで、幅が20〜30 mmでよい。なお、レーザー光線緩衝溝366の底面にはレーザー光線を吸収するアルマイト等のレーザー光線吸収部材367が配設されている。このように構成されたチャックテーブル36は、被加工物保持領域360上に被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを載置し、図示しない吸引手段を作動することによって吸引保持するようになっている。また、チャックテーブル36は、図1に示す円筒部材34内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。図示の実施形態におけるチャックテーブル36は、被加工物である後述する半導体ウエーハを貼着したダイシングテープが装着されたダイシングフレームを固定するためのクランプ機構368を備えている。
図1を参照して説明を続けると、上記第1の滑動ブロック32は、その下面に上記一対の案内レール31、31と嵌合する一対の被案内溝321、321が設けられているとともに、その上面に矢印Yで示す割り出し送り方向に沿って平行に形成された一対の案内レール322、322が設けられている。このように構成された第1の滑動ブロック32は、被案内溝321、321が一対の案内レール31、31に嵌合することにより、一対の案内レール31、31に沿って矢印Xで示す加工送り方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、第1の滑動ブロック32を一対の案内レール31、31に沿って矢印Xで示す加工送り方向に移動させるための加工送り手段37を具備している。加工送り手段37は、上記一対の案内レール31と31の間に平行に配設された雄ネジロッド371と、該雄ネジロッド371を回転駆動するためのパルスモータ372等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド371は、その一端が上記静止基台2に固定された軸受ブロック373に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ372の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド371は、第1の滑動ブロック32の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ372によって雄ネジロッド371を正転および逆転駆動することにより、第一の滑動ブロック32は案内レール31、31に沿って矢印Xで示す加工送り方向に移動せしめられる。
上記第2の滑動ブロック33は、その下面に上記第1の滑動ブロック32の上面に設けられた一対の案内レール322、322と嵌合する一対の被案内溝331、331が設けられており、この被案内溝331、331を一対の案内レール322、322に嵌合することにより、矢印Yで示す割り出し送り方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、第2の滑動ブロック33を第1の滑動ブロック32に設けられた一対の案内レール322、322に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向に移動させるための第1の割り出し送り手段38を具備している。第1の割り出し送り手段38は、上記一対の案内レール322と322の間に平行に配設された雄ネジロッド381と、該雄ネジロッド381を回転駆動するためのパルスモータ382等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド381は、その一端が上記第1の滑動ブロック32の上面に固定された軸受ブロック383に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ382の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド381は、第2の滑動ブロック33の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ382によって雄ネジロッド381を正転および逆転駆動することにより、第2の滑動ブロック33は案内レール322、322に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。
上記レーザー光線照射ユニット支持機構4は、静止基台2上に矢印Yで示す割り出し送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール41、41と、該案内レール41、41上に矢印Yで示す方向に移動可能に配設された可動支持基台42を具備している。この可動支持基台42は、案内レール41、41上に移動可能に配設された移動支持部421と、該移動支持部421に取り付けられた装着部422とからなっている。装着部422は、一側面に矢印Zで示す方向に延びる一対の案内レール423、423が平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構4は、可動支持基台42を一対の案内レール41、41に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向に移動させるための第2の割り出し送り手段43を具備している。第2の割り出し送り手段43は、上記一対の案内レール41、41の間に平行に配設された雄ネジロッド431と、該雄ねじロッド431を回転駆動するためのパルスモータ432等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド431は、その一端が上記静止基台2に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ432の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド431は、可動支持基台42を構成する移動支持部421の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ432によって雄ネジロッド431を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台42は案内レール41、41に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。
図示の実施形態のおけるレーザー光線照射ユニット5は、ユニットホルダ51と、該ユニットホルダ51に取り付けられたレーザー光線照射手段52を具備している。ユニットホルダ51は、上記装着部422に設けられた一対の案内レール423、423に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝511、511が設けられており、この被案内溝511、511を上記案内レール423、423に嵌合することにより、矢印Zで示す方向に移動可能に支持される。
図示のレーザー光線照射手段52は、上記ユニットホルダ51に固定され実質上水平に延出する円筒形状のケーシング521を含んでいる。ケーシング521内には図4に示すようにパルスレーザー光線発振手段522と伝送光学系523とが配設されている。パルスレーザー光線発振手段522は、YAGレーザー発振器或いはYVO4レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器522aと、これに付設された繰り返し周波数設定手段522bとから構成されている。伝送光学系523は、ビームスプリッタの如き適宜の光学要素を含んでいる。上記ケーシング521の先端部には、それ自体は周知の形態でよい組レンズから構成される集光レンズ(図示せず)を収容した集光器524が装着されている。
上記パルスレーザー光線発振手段522から発振されたレーザー光線は、伝送光学系523を介して集光器524に至り、集光器524から上記チャックテーブル36に保持される被加工物に所定の集光スポット径Dで照射される。この集光スポット径Dは、図5に示すようにガウス分布を示すパルスレーザー光線が集光器524の対物レンズ524aを通して照射される場合、D(μm)=4×λ×f/(π×W)、ここでλはパルスレーザー光線の波長(μm)、Wは対物レンズ524aに入射されるパルスレーザー光線の直径(mm)、fは対物レンズ524aの焦点距離(mm)、で規定される。
図1に戻って説明を続けると、上記レーザー光線照射手段52を構成するケーシング521の前端部には、上記レーザー光線照射手段52によってレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段6が配設されている。この撮像手段6は、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子(CCD)等を備え、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット5は、ユニットホルダ51を一対の案内レール423、423に沿って矢印Zで示す方向に移動させるための移動手段53を具備している。移動手段53は、一対の案内レール423、423の間に配設された雄ネジロッド(図示せず)と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ532等の駆動源を含んでおり、パルスモータ532によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ51およびレーザビーム照射手段52を案内レール423、423に沿って矢印Zで示す方向に移動せしめる。なお、図示の実施形態においてはパルスモータ532を正転駆動することによりレーザビーム照射手段52を上方に移動し、パルスモータ532を逆転駆動することによりレーザビーム照射手段52を下方に移動するようになっている。
次に、上述したレーザー加工装置を用いて被加工物をレーザー加工する手順について説明する。
図6にはレーザー加工される被加工物としての半導体ウエーハの斜視図が示されており、図7には図6に示す半導体ウエーハの分割予定ラインにおける拡大断面図が示されている。図6および図7に示す半導体ウエーハ20は、シリコンウエーハからなる半導体基板21の表面21aに格子状に配列された複数の分割予定ライン211によって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等の回路212が形成されている。なお、この半導体ウエーハ20は、半導体基板21の表面に低誘電率絶縁体被膜213が積層して形成されている。
上記のように構成された半導体ウエーハ20は、図8に示すように環状のダイシングフレーム25に装着された塩化ビニール等の合成樹脂シートからなるダイシングテープ26に表面21aを上側にして貼着する。
このようにしてダイシングフレーム25にダイシングテープ26を介して支持された半導体ウエーハ20は、図1に示すレーザー加工装置のチャックテーブル機構3を構成するチャックテーブル36の被加工物保持領域360上に表面21aを上側にして搬送され、該被加工物保持領域360上にダイシングテープ26を介して載置される。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ20は被加工物保持領域360上 に吸引保持される。このとき、被加工物保持領域360は上述したように半導体ウエーハ20と相似形でその外周が半導体ウエーハ20の外周より僅かにちいさく形成されているので、半導体ウエーハ20の外周部は被加工物保持領域360の外周縁から外方にはみ出して環状の緩衝溝366の上方に位置付けられる。また、ダイシングフレーム25はチャックテーブル36に配設されたクランプ機構368によって固定される。このようにして半導体ウエーハ20を吸引保持したチャックテーブル36は、移動手段37の作動により案内レール31、31に沿って移動せしめられレーザー光線照射ユニット5に配設された撮像手段6の直下に位置付けられる。
チャックテーブル36が撮像手段6の直下に位置付けられると、撮像手段6および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ20のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段6および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ20の所定方向に形成されている分割予定ライン211と、分割予定ライン211に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射ユニット5の集光器524との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ20に形成されている上記所定方向に対して直角な方向に延びる分割予定ライン211に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。
上述したようにチャックテーブル36上に保持されている半導体ウエーハ20に形成されている分割予定ライン211を検出し、レーザビーム照射位置のアライメントが行われたならば、チャックテーブル36を移動して所定方向(図9の(a)において左右方向)に延びる所定の分割予定ライン211をレーザー光線照射手段52の集光器524の直下に位置付ける。そして、更に図9の(a)で示すように分割予定ライン211の一端(図9の(a)において左端)を集光器524の直下に位置付ける。次に、レーザー光線照射手段52の集光器524から分割予定ライン211に形成された低誘電率絶縁体被膜213にレーザー光線を照射しつつチャックテーブル36を矢印X1で示す加工送り方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。このとき、集光器524から照射されるレーザー光線の集光点Pは、低誘電率絶縁体被膜213の表面に合わされている。そして、図9の(b)で示すように分割予定ライン211の他端(図9の(b)において右端)まで移動したらレーザー光線の照射を停止する。この結果、分割予定ライン211に形成された低誘電率絶縁体被膜213が除去される(レーザー光線照射工程)。
上述したレーザー光線照射工程においては、反応時間の遅れや誤差等により図10に示すようにレーザー光線照射手段52の集光器524から照射されるレーザー光線が半導体ウエーハ20をオーバーランして照射される場合がある。このとき、レーザー光線がダイシングテープ26に照射されダイシングテープ26が加熱されて溶融するが、レーザー光線がダイシングテープ26に照射される領域にはチャックテーブル36の被加工物保持領域361が存在しないので、溶融されたダイシングテープが被加工物保持領域360に付着することはない。また、図11に示すように、被加工物である半導体ウエーハ20がダイシングテープに貼着せずに直接チャックテーブル36の被加工物保持領域保持領域360に保持された場合には、上記レーザー光線照射工程においてレーザー光線照射手段52の集光器524から照射されるレーザー光線が半導体ウエーハ20をオーバーランした場合には、レーザー光線が直接チャックテーブル36のレーザー光線緩衝溝366に照射される。しかるに、レーザー光線緩衝溝366の底面は集光点Pから十分に離れておりレーザーが拡散しているため、加工できる程のエネルギー密度は無くチャックテーブル36を損傷することはない。なお、図示の実施形態においてはレーザー光線緩衝溝366の底面にはレーザー光線吸収部材367が配設されているので、チャックテーブル36の損傷を確実に防止することができる。
なお、上記レーザー光線照射工程における加工条件は、図示の実施形態においては次のように設定されている。
光源 ;YAGレーザーまたはYVO4レーザー
波長 ;355nm
出力 ;0.5W
繰り返し周波数:50kHz
パルス幅 ;10nsec
集光スポット径;φ9.2μm
加工送り速度 ;100mm/秒
上述したように図9の(a)に示すように所定の分割予定ライン211に対してレーザー光線照射工程を実施したならば、分割予定ライン211と直角な方向に分割予定ラインの間隔分だけ割り出し送りし、上記レーザー光線照射工程を実施する。この割り出し送りとレーザー光線照射工程を繰り返し実行することにより、半導体ウエーハ20の所定方向に延びる全ての分割予定ライン211に形成された低誘電率絶縁体被膜213が除去される。以上のようにして、半導体ウエーハ20の所定方向に延びる分割予定ライン211に対してレーザー光線照射工程を実施したならば、チャックテーブル36従って半導体ウエーハ20を90度回動して、上述した所定方向に延びる分割予定ライン211と直角な方向に延びる切断予定ライン211に対して上述したレーザー光線照射工程を実施する。この結果、半導体ウエーハ20の全ての分割予定ライン211に形成された低誘電率絶縁体被膜213が除去される。
以上のようにして、半導体ウエーハ20の全ての分割予定ライン211に形成されている低誘電率絶縁体被膜213を除去したならば、半導体ウエーハ20を保持しているチャックテーブル36は、最初に半導体ウエーハ20を吸引保持した位置に戻され、ここで半導体ウエーハ20の吸引保持を解除する。そして、半導体ウエーハ20は、図示しない搬送手段によってダイシング工程に搬送される。このダイシング工程において半導体ウエーハ20は、切削ブレードを備えた切削装置により分割予定ライン211に沿って切削され、個々の半導体チップに分割される。このとき、分割予定ライン211に形成されている低誘電率絶縁体被膜213が除去されているので、ブレードによって低誘電率絶縁体被膜を切削する際に発生する剥離を未然に防止することができる。
以上、半導体ウエーハの分割予定ラインに形成された低誘電率絶縁体被膜を除去するためのレーザー加工を実施した例を示したが、本発明によるレーザー加工装置は半導体ウエーハの分割予定ラインに沿って半導体ウエーハに対して透過性を有する例えば波長が1064nmのパルスレーザー光線を照射し、半導体ウエーハの内部に連続した変質層を形成するレーザー加工等に適用することができる。
本発明に従って構成されたチャックテーブルを装備したレーザー加工装置の斜視図。 本発明に従って構成されたチャックテーブルの要部斜視図。 図3に示すチャックテーブルの断面図。 図1に示すレーザー加工装置に装備されるレーザビーム加工手段の構成を簡略に示すブロック図。 図4に示すレーザビーム加工手段から照射されるレーザー光線の集光スポット径を説明するための簡略図。 被加工物としての半導体ウエーハの斜視図。 図6に示す半導体ウエーハの拡大断面図。 図6に示す半導体ウエーハを環状のダイシングフレームに装着されたダイシングテープに貼着した状態を示す斜視図。 図1に示すレーザー加工装置によって実施するレーザー光線照射工程の説明図。 図9に示すレーザー光線照射工程においてレーザー光線が被加工物をオーバーランして照射された場合の一実施形態を示す説明図。 図9に示すレーザー光線照射工程においてレーザー光線が被加工物をオーバーランして照射された場合の他の実施形態を示す説明図。
符号の説明
2:静止基台
3:チャックテーブル機構
31:案内レール
36:チャックテーブル
360:被加工物保持領域
362:吸着チャック
367:レーザー光線緩衝溝
362:レーザー光線吸収部材
4:レーザー光線照射ユニット支持機構
41:案内レール
42:可動支持基台
5:レーザー光線照射ユニット
51:ユニットホルダ
52:レーザー光線加工手段
522:レーザー光線発振手段
523:レーザー光線変調手段
524:集光器
6:撮像手段
20:半導体ウエーハ
21:半導体基板
211:分割予定ライン
212:回路
213:低誘電率絶縁体被膜

Claims (2)

  1. 被加工物を保持する被加工物保持領域を備えたレーザー加工装置のチャックテーブルにおいて、
    該被加工物保持領域が被加工物と相似形で小さく形成されており、該被加工物保持領域の外側周囲に緩衝溝が形成されている、
    ことを特徴とするレーザー加工装置のチャックテーブル。
  2. 該緩衝溝の底面には、レーザー光線吸収部材が配設されている、請求項1記載のレーザー加工装置のチャックテーブル。
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