JPH01134944A - 半導体素子のピックアップ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 半導体素子のピックアップの際のコレットによる真空吸
着時に発生する半導体素子が受けるダメージを防止する
方法に関し、 コレットへの真空の供給時点の変更により、半導体素子
に発生する角カケの障害を防止することが可能な半導体
素子のピックアップ方法の提供を目的とし、 粘着テープ上に接着して配置された半導体素子を、突き
上げピンで突き上げて前記粘着テープから前記半導体素
子を剥離し、コレットに真空吸着させる半導体素子のピ
ックアップ工程において、前記突き上げピンによる突き
上げにより、前記半導体素子が前記粘着テープから完全
に剥離した時点後に、前記コレットへの真空の供給を行
うよう構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、半導体素子のピックアップ方法に係り、特に
コレットによる真空吸着時に発生する半導体素子が受け
るダメージを防止する方法に関するものである。

粘着テープ上に接着して配置された半導体素子を、突き
上げピンで突き上げてこの粘着テープから半導体素子を
剥離し、コレットに真空吸着させる半導体素子のピック
アップ工程においては、突き上げピンで粘着テープ上の
半導体素子を突き上げて剥離するのと平行して、真空が
供給されて半導体素子を吸着できる状態のコレットを半
導体素子の上に接近させ、粘着テープから剥離した半導
体素子をコレットにより吸着している。

このために吸着される半導体素子に隣接する半導体素子
の角にカケが発生する障害が発生している。

以上のような状況から障害を発生させずに半導体素子を
粘着テープから剥離し、コレットに吸着させることが可
能な半導体素子のピックアップ方法が要望されている。

〔従来の技術〕

従来の半導体素子のピックアップ方法を第４図により説
明する。

先ず第４図（ａｌに示すように、粘着テープ５を移動さ
せて次にピックアップする半導体素子６を突き上げピン
１の上の所定の位置に停止させる。

次に粘着テープ固定用の真空を供給して粘着テープ５を
テープ吸着面３に吸着し、一方コレット４にも真空を供
給する。

次いで第４図（ｂ）に示すように、ピンホルダ２を上昇
して突き上げピン１で半導体素子６を突き上げると同時
に、コレット４を降下させて半導体素子６を吸着させる
。

最後に第４図（ｊ）に示すように、コレット４は半導体
素子６を吸着した状態で上昇し、ピンホルダ２が降下し
て元の位置に戻り、粘着テープ５をテープ吸着面３に吸
着していた真空を切り、半導体素子６のコレット４への
ピックアップが完了する。

〔発明が解決しようとする問題点３ 以上説明の従来の半導体素子のピックアップ方法で問題
となるのは、ピックアップされる半導体素子に隣接する
半導体素子の素子形成面の周辺の角にカケが発生するこ
とである。

即ち、半導体素子が突き上げピンにより粘着テープから
完全に剥離されていない時に、既に真空が供給されてい
るコレットが半導体素子に接近していて強力な吸着力が
半導体素子に働くと、半導体素子の早（粘着テープから
剥離した部分から吸着されるため、半導体素子が傾斜し
た状態でコレットに吸着され、その際に隣接する半導体
素子の素子形成面の周辺の角に、吸着される半導体素子
の角が強く当たりカケが発生するのである。

本発明は以上のような状況から容易に実施可能なコレッ
トへの真空の供給時点の変更により、半導体素子に発生
する角カケの障害を防止することが可能な半導体素子の
ピックアップ方法の提供を目的としたものである。

Ｃ問題点を解決するための手段〕 上記問題点は、粘着テープ上に接着して配置された半導
体素子を、突き上げピンで突き上げてこの粘着テープか
らこの半導体素子を剥離し、コレットに真空吸着させる
半導体素子のピックアップ工程において、この突き上げ
ピンによる突き上げにより、半導体素子が粘着テープか
ら完全に剥離した時点後に、このコレットへの真空の供
給を行う本発明による半導体素子のピックアップ方法に
よって解決される。

〔作用〕

即ち本発明においては、突き上げピンによる突き上げに
より、半導体素子が粘着テープから完全に剥離した時点
後に、半導体素子を吸着するコレットへの真空の供給を
行うので、半導体素子が粘着テープから完全に剥離しな
いで、傾斜したままで隣接する半導体素子の角に当たっ
た状態でコレットにより強力に吸着されることがないの
で、隣接する半導体素子に角カケ障害を発生させること
がなくなる。

〔実施例〕

以下第１図〜第２図について本発明の一実施例を、第３
図について他の実施例を工程順に説明する。

先ず第１図（ａ）に示すように、粘着テープ５を移動さ
せて次にピックアップする半導体素子６を突き上げピン
ｌの上の所定の位置に停止させ、粘着テープ固定用の真
空を供給して粘着テープ５をテープ吸着面３に吸着させ
る。

次に第１図（ｂ）に示すように、ピンホルダ２を上昇し
て突き上げピン１で半導体素子６を突き上げると同時に
、コレット４を降下させる。この時点ではコレット４に
は真空は供給されていない。

次いで第１図（Ｃ）に示すように、半導体素子６が粘着
テープ５から完全に剥離した状態でコレット４に真空を
供給して半導体素子６を吸着する。

その後第１図（ｄ）に示すように、コレット４は半導体
素子６を吸着した状態で上昇し、ピンホルダ２が降下し
て元の位置に戻り、粘着テープ５をテープ吸着面３に吸
着していた真空を切り、半導体素子６のコレット４への
ピックアップが完了する。

これらの動作のタイミングを第２図に示すタイミングチ
ャートのようなものにし、コレット４が最下点まで降下
した時点でコレット４へ真空を供給すると、吸着される
半導体素子による隣接する半導体素子の素子形成面の周
辺部の角カケの防止が可能となる。

尚、本実施例による効果は下記の実験結果によって実証
されている。

無し：突き上げピンで突き上げて半導体素子６を粘着テ
ープ５から剥離するのみで、コレットで吸着しない場合
。

Ａ：角カケがスクライブラインに達していない。

Ｂ：角カケがスクライブライン上に達している。

Ｃ：角カケがスクライブラインを越えている。

Ｄ：角カケが素子形成面に達しており不良レベルである
。

分子は発生件数で、分母は実験を行った半導体素子６の
数である。

以上の実験結果より、突き上げピンで突き上げて半導体
素子６を粘着テープ５から剥離するのみで、コレットで
吸着しない場合には角カケは発生していない。従来技術
では角カケがスクライブラインを越えているものが４２
件１θ件も発生している。本実施例では角カケがスクラ
イブラインに達していないものが１８６件中１件のみ発
生していることがわかる。

なお、第３図に示す他の実施例においては、第１図（ｂ
ｌを更に二工程に分けて、第３図Ｔａｌに示すように、
先ず突き上げピン１の上昇のみとし、次に第３図（ｂ）
に示すように、その後にコレット４を降下させると、半
導体素子６の粘着テープ５からの剥離がより確実となり
、更に安定した半導体素子６のピックアップを行うこと
が可能となる。

〔発明の効果〕

以上の説明から明らかなように本発明によれば極めて簡
単なコレットへの真空の供給のタイミング変更により、
ピックアップされる半導体素子に隣接する半導体素子の
素子形成面の周辺の角にカケを発生させないで半導体素
子のピックアップを行うことが可能となる利点があり、
著しい信頼性向上の効果が期待でき工業的には極めて有
用なものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による一実施例を工程順に示す側断面図
、 第２図は本発明による一実施例のタイミングチャート、 第３図は本発明による他の実施例を工程順に示す側断面
図、 第４図は従来の半導体素子のピックアップ方法を工程順
に示す側断面図、 である。 図において、 ■は突き上げピン、 ２はピンホルダ、 ３はテープ吸着面、 ４はコレット、 ５は粘着テープ・ ６は半導体素子、 を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　粘着テープ（５）上に接着して配置された半導体素子
   （６）を、突き上げピン（１）で突き上げて前記粘着テ
   ープ（５）から前記半導体素子（６）を剥離し、コレッ
   ト（４）に真空吸着させる半導体素子のピックアップ工
   程において、前記突き上げピン（１）による突き上げに
   より、前記半導体素子（６）が前記粘着テープ（５）か
   ら完全に剥離した時点後に、前記コレット（４）への真
   空の供給を行うことを特徴とする半導体素子のピックア
   ップ方法。