TWI803445B

TWI803445B - 負壓式晶片分離設備及其晶片剝離裝置

Info

Publication number: TWI803445B
Application number: TW111143882A
Authority: TW
Inventors: 黃良印; 劉黃頌凱; 吳健平
Original assignee: 均華精密工業股份有限公司
Priority date: 2022-11-17
Filing date: 2022-11-17
Publication date: 2023-05-21

Abstract

本發明公開一種負壓式晶片分離設備及其晶片剝離裝置。所述晶片剝離裝置包含一載台、對應所述載台設置的一頂抵機構、及一負壓模組。所述載台用來固定一黏著膜，其黏接多個晶片。所述頂抵機構包含一腔體及多個頂抵器。當所述腔體抵接於所述黏著膜的周圍，以共同形成有一預剝離腔室時，多個所述頂抵器位於所述預剝離腔室內、並用來通過抵接於所述黏著膜而分別頂抵於多個所述晶片。所述負壓模組能用來在所述預剝離腔室形成小於1大氣壓的一負壓環境，以使未抵接於多個所述頂抵器的所述黏著膜部位，其能通過所述負壓環境而與多個所述晶片分離。

Description

負壓式晶片分離設備及其晶片剝離裝置

本發明涉及一種剝離裝置，尤其涉及一種負壓式晶片分離設備及其晶片剝離裝置。

由於電子產品的構造越來越複雜，並且各式晶片的需求量也越來越高，因而也衍生出大量的晶片在生產製造的過程中，需要進行大量的轉移作業。然而，現有的剝離裝置已逐漸地難以負荷越來越大量的晶片轉移作業。

於是，本發明人認為上述缺陷可改善，乃特潛心研究並配合科學原理的運用，終於提出一種設計合理且有效改善上述缺陷的本發明。

本發明實施例在於提供一種負壓式晶片分離設備及其晶片剝離裝置，能有效地改善現有剝離裝置所可能產生的缺陷。

本發明實施例公開一種負壓式晶片分離設備，其包括：一晶片剝離裝置，包含：一載台，用來固定一黏著膜，其黏接有多個晶片；一頂抵機構，對應於所述載台設置，並且所述頂抵機構包含有：一腔體，用來抵接於所述黏著膜的周圍，以共同形成有一預剝離腔室；及多個頂抵器，設置於所述腔體內；其中，當所述腔體抵接於所述黏著膜的所述周圍時，多個所述晶片位在所述預剝離腔室外，多個所述頂抵器位於所述預剝離腔室內、並用來通過抵接於所述黏著膜而分別頂抵於多個所述晶片；及一負壓模組，對應於所述腔體設置；其中，所述負壓模組能用來在所述預剝離腔室形成有小於1大氣壓的一負壓環境，以使未抵接於多個所述頂抵器的所述黏著膜的部位，其能夠通過所述負壓環境而與多個所述晶片分離；以及一晶片擷取裝置，位於所述晶片剝離裝置的下游，並且所述晶片擷取裝置能用來擷取通過所述晶片剝離裝置處理後的任一個所述晶片，以使其自所述黏著膜分離。

本發明實施例也公開一種負壓式晶片分離設備的晶片剝離裝置，其包括：一載台，用來固定一黏著膜，其黏接有多個晶片；一頂抵機構，對應於所述載台設置，並且所述頂抵機構包含有：一腔體，用來抵接於所述黏著膜的周圍，以共同形成有一預剝離腔室；及多個頂抵器，設置於所述腔體內；其中，當所述腔體抵接於所述黏著膜的所述周圍時，多個所述晶片位在所述預剝離腔室外，多個所述頂抵器位於所述預剝離腔室內、並用來通過抵接於所述黏著膜而分別頂抵於多個所述晶片；以及一負壓模組，對應於所述腔體設置；其中，所述負壓模組能用來在所述預剝離腔室形成小於1大氣壓的一負壓環境，以使未抵接於多個所述頂抵器的所述黏著膜的部位，其能夠通過所述負壓環境而與多個所述晶片分離。

綜上所述，本發明實施例所公開的負壓式晶片分離設備及其晶片剝離裝置，能通過所述腔體與多個所述頂抵器搭配所述負壓模組於所述預剝離腔室內建立的所述負壓環境，以使得多個所述頂抵器能夠於同個流程中運作來將多個所述晶片自所述黏著膜剝離，據以有效地提升晶片轉移作業的效率。

為能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，但是此等說明與附圖僅用來說明本發明，而非對本發明的保護範圍作任何的限制。

以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“負壓式晶片分離設備及其晶片剝離裝置”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。

應當可以理解的是，雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件或者信號，但這些元件或者信號不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件，或者一信號與另一信號。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。

請參閱圖1至圖10所示，其為本發明的一實施例。本實施例公開一種負壓式晶片分離設備，包含有一晶片剝離裝置100、及位於所述晶片剝離裝置100下游的一晶片擷取裝置200。也就是說，非採用負壓式運作的任何晶片分離設備是不同於本實施例所指的所述負壓式晶片分離設備。

需額外說明的是，所述負壓式晶片分離設備於本實施例中雖是以所述晶片剝離裝置100搭配於所述晶片擷取裝置200，並且所述晶片擷取裝置200是以包含有多個吸取器201來說明，但本發明不受限於此。舉例來說，於本發明未繪示的其他實施例中，所述晶片剝離裝置100也可以被單獨地應用（如：販賣）或搭配其他裝置使用。

於本實施例中，如圖1至圖5所示，所述晶片剝離裝置100包含一載台1、對應於所述載台1設置的一頂抵機構2、及對應於所述頂抵機構2設置的一負壓模組3。其中，所述載台1是用來固定一黏著膜F，其黏接有多個晶片C。需說明的是，黏接於所述黏著膜F的多個所述晶片C較佳是來自一膜片（圖未示）轉貼而配置，據以能夠利於微幅更動（或擴大）多個所述晶片C之間的間距。

進一步地說，於所述黏著膜F上，相鄰任兩個所述晶片C之間形成有不小於0.5毫米（mm）的一間隔D，但本發明不受限於此。舉例來說，於本發明未繪示的其他實施例中，多個所述晶片C也可以是通過切割黏接於所述黏著膜F的晶圓而形成。

所述頂抵機構2包含有一腔體21、設置於所述腔體21內的多個頂抵器22、及承載多個所述頂抵器22的一載板23。其中，所述腔體21用來抵接於所述黏著膜F的周圍，以共同形成有一預剝離腔室P。再者，所述載台1能與所述頂抵機構2能沿一高度方向H彼此相對地移動，用以使固定於所述載台1的所述黏著膜F能被所述頂抵機構2（如：所述腔體21）頂抵而拉伸，但本發明不受限於此。

進一步地說，所述負壓模組3對應於所述腔體21設置，用以在所述預剝離腔室P形成有小於1大氣壓的一負壓環境。當所述腔體21抵接於所述黏著膜F的所述周圍時，多個所述晶片C位在所述預剝離腔室P外，多個所述頂抵器22位於所述預剝離腔室P內、並用來通過抵接於所述黏著膜F而分別頂抵於多個所述晶片C，據以使得未抵接於多個所述頂抵器22的所述黏著膜F的部位，其能夠通過所述負壓模組3於所述預剝離腔室P內建立的所述負壓環境來與多個所述晶片C分離。接著，所述晶片擷取裝置200能用來擷取通過所述晶片剝離裝置100處理後的任一個所述晶片C，以使其自所述黏著膜F分離且將其輸送至預定位置。

依上所述，本發明實施例所公開的所述負壓式晶片分離設備（或所述晶片剝離裝置100），其能通過所述腔體21與多個所述頂抵器22搭配所述負壓模組3於所述預剝離腔室P內建立的所述負壓環境，以使得多個所述頂抵器22能夠於同個流程中運作來將多個所述晶片C自所述黏著膜F剝離，據以有效地提升晶片C轉移作業的效率。

需額外說明的是，當所述腔體21抵接於所述黏著膜F的所述周圍時，所述負壓式晶片分離設備除了以多個所述頂抵器22通過抵接於所述黏著膜F而分別頂抵於多個所述晶片C的一側之外，還能進一步以所述晶片擷取裝置200（如：多個所述吸取器201）壓抵於多個所述晶片C的另一側（如：圖8中的頂側），據以使任一個所述晶片C被夾持（或壓制）於一個所述頂抵器22與所述晶片擷取裝置200（如：一個所述吸取器201）之間，進而利於通過所述負壓環境而使所述黏著膜F與每個所述晶片C分離，而後所述晶片擷取裝置200再直接對已經自所述黏著膜F剝離的所述晶片C進行輸送，但本發明不受限於此。

舉例來說，在本發明未繪示的其他實施例中，所述晶片擷取裝置200的功能可以僅用來輸送已經自所述黏著膜F剝離的所述晶片C；也就是說，所述晶片擷取裝置200可以不具備有協同多個所述頂抵器22來共同夾持（或壓制）多個所述晶片C的功用。

此外，為使所述晶片剝離裝置100能夠具備有較佳的運作效能，所述頂抵機構2較佳是具備有下述結構技術特徵的至少部分，但不以此為限。進一步地說，如圖3、圖6、及圖7所示，由每個所述頂抵器22的構造來看，其包含有用來頂抵於相對應所述晶片C的多個頂針221（如：一個所述晶片C由四個所述頂針221來頂抵），並且每個所述頂抵器22的多個所述頂針221呈兩兩相向排列。

於每個所述頂抵器22之中，每個所述頂針221包含有相連於所述載板23的一長方體部222及相連於所述長方體部222的一錐形部223，並且相向排列的任兩個所述頂針221是各以其所述長方體部222的寬側面來面向彼此，但本發明不以此為限。舉例來說，在本發明未繪示的其他實施例中，每個所述頂抵器22也可以僅採用單個所述頂針221（如：一個所述晶片C以單個所述頂針221來頂抵），並且所述頂針221的具體構造也可依據設計需求而加以調整變化。

改由所述頂抵機構2的整體架構來看，其可以採用沿所述高度方向H交錯運行的結構設計，並且下述採用其中一種可能的實施架構來說明，但本發明不以此為限。於本實施例中，如圖8至圖10所示，多個所述頂抵器22於本實施例中呈矩陣狀排列且區分為多個第一頂抵器22a及多個第二頂抵器22b，並且多個所述第一頂抵器22a能沿所述高度方向H而與多個所述第二頂抵器22b彼此相對地移動，用來通過所述黏著膜F而分別頂抵於相對應的所述晶片C。其中，多個所述頂抵器22沿所述高度方向H的交錯運行方式較佳是由所述載板23進行驅動，但不以此為限。

進一步地說，所述載板23於本實施例中包含有位於所述腔體21內的一第一載板231與一第二載板232，並且所述第一載板231與所述第二載板232的形狀較佳是彼此互補且為彼此可分離地插接組合。其中，多個所述第一頂抵器22a形成於所述第一載板231，並且多個所述第二頂抵器22b形成於所述第二載板232。據此，所述頂抵機構2能通過所述第一載板231與所述第二載板232沿所述高度方向H的相對移動，而使多個所述第一頂抵器22a沿所述高度方向H與多個所述第二頂抵器22b彼此相對地移動。

更詳細地說，所述第一載板231具有一第一L形邊框2311及傾斜地相連於所述第一L形邊框2311的多個第一承載條2312，並且多個所述第一頂抵器22a分別形成於多個所述第一承載條2312上。所述第二載板232具有一第二L形邊框2321及傾斜地相連於所述第二L形邊框2321的多個第二承載條2322，並且多個所述第二頂抵器22b分別形成於多個所述第二承載條2322上。其中，多個所述第一承載條2312與多個所述第二承載條2322的形狀較佳是彼此互補且為彼此可分離地插接組合，並且多個所述第一承載條2312與多個所述第二承載條2322彼此交錯地排列。

[本發明實施例的技術效果]

再者，本發明實施例所公開的負壓式晶片分離設備，其在多個所述頂抵器壓抵於多個所述晶片一側的時候，還能進一步以所述晶片擷取裝置來壓抵多個所述晶片的另一側，據以利於通過所述負壓環境而使所述黏著膜與每個所述晶片分離。

以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的專利範圍內。

100:晶片剝離裝置 1:載台 2:頂抵機構 21:腔體 22:頂抵器 22a:第一頂抵器 22b:第二頂抵器 221:頂針 222:長方體部 223:錐形部 23:載板 231:第一載板 2311:第一L形邊框 2312:第一承載條 232:第二載板 2321:第二L形邊框 2322:第二承載條 3:負壓模組 200:晶片擷取裝置 201:吸取器 P:預剝離腔室 H:高度方向 F:黏著膜 C:晶片 D:間隔

圖1為本發明實施例的晶片剝離裝置的立體示意圖。

圖2為圖1的晶片剝離裝置上設置有黏著膜及其所黏接的多個晶片的立體示意圖。

圖3為圖1的區域III的放大示意圖。

圖4為圖2沿剖線IV-IV的剖視示意圖。

圖5為圖4的後續作動示意圖。

圖6為本發明實施例的載板及其上的多個頂抵器的立體示意圖。

圖7為圖6的分解示意圖。

圖8為圖5的後續作動示意圖。

圖9為圖8的區域IX的放大示意圖。

圖10為圖8的後續作動示意圖。

100:晶片剝離裝置

1:載台

2:頂抵機構

21:腔體

22:頂抵器

22a:第一頂抵器

22b:第二頂抵器

221:頂針

23:載板

231:第一載板

232:第二載板

3:負壓模組

200:晶片擷取裝置

201:吸取器

P:預剝離腔室

H:高度方向

F:黏著膜

C:晶片

Claims

一種負壓式晶片分離設備，其包括：一晶片剝離裝置，包含：一載台，用來固定一黏著膜，其黏接有多個晶片；一頂抵機構，對應於所述載台設置，並且所述頂抵機構包含有：一腔體，用來抵接於所述黏著膜的周圍，以共同形成有一預剝離腔室；及多個頂抵器，設置於所述腔體內；其中，當所述腔體抵接於所述黏著膜的所述周圍時，多個所述晶片位在所述預剝離腔室外，多個所述頂抵器位於所述預剝離腔室內、並用來通過抵接於所述黏著膜而分別頂抵於多個所述晶片；及一負壓模組，對應於所述腔體設置；其中，所述負壓模組能用來在所述預剝離腔室形成有小於1大氣壓的一負壓環境，以使未抵接於多個所述頂抵器的所述黏著膜的部位，其能夠通過所述負壓環境而與多個所述晶片分離；以及一晶片擷取裝置，位於所述晶片剝離裝置的下游，並且所述晶片擷取裝置能用來擷取通過所述晶片剝離裝置處理後的任一個所述晶片，以使其自所述黏著膜分離。
如請求項1所述的負壓式晶片分離設備，其中，所述載台能與所述頂抵機構能沿一高度方向彼此相對地移動，用以使固定於所述載台的所述黏著膜能被所述頂抵機構頂抵而拉伸。
如請求項1所述的負壓式晶片分離設備，其中，多個所述頂抵器區分為多個第一頂抵器及多個第二頂抵器，並且多個所述第一頂抵器能沿一高度方向而與多個所述第二頂抵器彼此相對地移動，用來通過所述黏著膜而分別頂抵於相對應的所述晶片。
如請求項1所述的負壓式晶片分離設備，其中，多個所述頂抵器呈矩陣狀排列且區分為多個第一頂抵器及多個第二頂抵器，並且所述頂抵機構進一步包含有：一第一載板，位於所述腔體內，並且多個所述第一頂抵器形成於所述第一載板；及一第二載板，位於所述腔體內，並且多個所述第二頂抵器形成於所述第二載板；其中，所述頂抵機構能通過所述第一載板與所述第二載板沿所述高度方向的相對移動，而使多個所述第一頂抵器沿所述高度方向與多個所述第二頂抵器彼此相對地移動。
如請求項4所述的負壓式晶片分離設備，其中，所述第一載板與所述第二載板的形狀彼此互補且為彼此可分離地插接組合。
如請求項4所述的負壓式晶片分離設備，其中，所述第一載板具有一第一L形邊框及傾斜地相連於所述第一L形邊框的多個第一承載條，並且多個所述第一頂抵器分別形成於多個所述第一承載條上；所述第二載板具有一第二L形邊框及傾斜地相連於所述第二L形邊框的多個第二承載條，並且多個所述第二頂抵器分別形成於多個所述第二承載條上；其中，多個所述第一承載條與多個所述第二承載條的形狀彼此互補且為彼此可分離地插接組合，並且多個所述第一承載條與多個所述第二承載條彼此交錯地排列。
如請求項1所述的負壓式晶片分離設備，其中，每個所述頂抵器包含有用來頂抵於相對應所述晶片的多個頂針，並且每個所述頂抵器的多個所述頂針呈兩兩相向排列。
如請求項1所述的負壓式晶片分離設備，其中，當所述腔體抵接於所述黏著膜的所述周圍時，多個所述頂抵器用來通過抵接於所述黏著膜而分別頂抵於多個所述晶片的一側，而所述晶片擷取裝置則用來壓抵於多個所述晶片的另一側。
如請求項1所述的負壓式晶片分離設備，其中，黏接於所述黏著膜的多個所述晶片是來自一膜片轉貼而配置，並且相鄰任兩個所述晶片之間形成有不小於0.5毫米（mm）的一間隔。
一種負壓式晶片分離設備的晶片剝離裝置，其包括：一載台，用來固定一黏著膜，其黏接有多個晶片；一頂抵機構，對應於所述載台設置，並且所述頂抵機構包含有：一腔體，用來抵接於所述黏著膜的周圍，以共同形成有一預剝離腔室；及多個頂抵器，設置於所述腔體內；其中，當所述腔體抵接於所述黏著膜的所述周圍時，多個所述晶片位在所述預剝離腔室外，多個所述頂抵器位於所述預剝離腔室內、並用來通過抵接於所述黏著膜而分別頂抵於多個所述晶片；以及一負壓模組，對應於所述腔體設置；其中，所述負壓模組能用來在所述預剝離腔室形成小於1大氣壓的一負壓環境，以使未抵接於多個所述頂抵器的所述黏著膜的部位，其能夠通過所述負壓環境而與多個所述晶片分離。