JPH03239346A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03239346A JPH03239346A JP2035471A JP3547190A JPH03239346A JP H03239346 A JPH03239346 A JP H03239346A JP 2035471 A JP2035471 A JP 2035471A JP 3547190 A JP3547190 A JP 3547190A JP H03239346 A JPH03239346 A JP H03239346A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 17
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［ａｌｌ要］
半導体装置の製造方法におけるチップ選別方法に関し、
ウェーハのフルカットスクライブ後のチップ選別工程で
、Ｓｉ片がチップ表面に′付着することを防止し、また
ハンドリングミス等で生ずるチップコーナの欠けを減少
させる半導体装置の製造方法を提供することを目的とし
、 ウェーハをＵＶテープに貼付し、前記ウェーハをスクラ
イブラインに沿ってフルカットしてデツプごとに分離し
、前記ＵＶテープに紫外線を照射することにより前記Ｕ
Ｖテープの粘着剤の粘着力を低下させ、前記チップをピ
ックアップする半導体装置の製造方法において、前記ウ
ェーハのフルカット後、前記ＵＶテープのスクライブラ
イン領域をマスクし、前記ＵＶテープに紫外線を照射す
ることにより、前記スクライブライン領域以外の前記ｔ
Ｊ Ｖテープの粘着剤の粘着力を低下させ、前記ｔＪＶ
テープを伸長させて、前記チップをピックアップするよ
うに構成する。
、Ｓｉ片がチップ表面に′付着することを防止し、また
ハンドリングミス等で生ずるチップコーナの欠けを減少
させる半導体装置の製造方法を提供することを目的とし
、 ウェーハをＵＶテープに貼付し、前記ウェーハをスクラ
イブラインに沿ってフルカットしてデツプごとに分離し
、前記ＵＶテープに紫外線を照射することにより前記Ｕ
Ｖテープの粘着剤の粘着力を低下させ、前記チップをピ
ックアップする半導体装置の製造方法において、前記ウ
ェーハのフルカット後、前記ＵＶテープのスクライブラ
イン領域をマスクし、前記ＵＶテープに紫外線を照射す
ることにより、前記スクライブライン領域以外の前記ｔ
Ｊ Ｖテープの粘着剤の粘着力を低下させ、前記ｔＪＶ
テープを伸長させて、前記チップをピックアップするよ
うに構成する。
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置の製造方法におけるチップ選別方
法に関する。
法に関する。
近年のチップ処理工程は高信頼性か要求される。
そのため、チップ表面の欠け、ひび及びチップ背面の欠
け、ひびによるＳｉ（シリコン）片の発生を減少させる
必要がある。
け、ひびによるＳｉ（シリコン）片の発生を減少させる
必要がある。
［従来の技術］
従来のチップ選別方法においては、フルカットスクライ
ブ後、ｔＪＶテープに紫外線を照射し、ＵＶテープの粘
着剤の粘着力を弱めてからチップのピックアップを行っ
ている。
ブ後、ｔＪＶテープに紫外線を照射し、ＵＶテープの粘
着剤の粘着力を弱めてからチップのピックアップを行っ
ている。
［発明が解決しようとする課題］
ところが、チップをＵＶテープがら剥がすときにチップ
背面の欠け、ひびであるＳｉ片がスクライブラインの溝
底から飛びｌ； Ｌ、チップ表面に付着するという問題
があった。
背面の欠け、ひびであるＳｉ片がスクライブラインの溝
底から飛びｌ； Ｌ、チップ表面に付着するという問題
があった。
また、チッグピックアソプ時のハンドリングミス等でチ
ップコーナが欠けるという問題があった。
ップコーナが欠けるという問題があった。
本発明の目的は、ウェーハのフルカットスクライブ後の
チップ選別工程で、Ｓｉ片がチップ表面に付着すること
を防止し、またハンドリングミス等で生ずるチップコー
ナの欠けを減少させる半導体装置の製造方法を提供する
ことにある。
チップ選別工程で、Ｓｉ片がチップ表面に付着すること
を防止し、またハンドリングミス等で生ずるチップコー
ナの欠けを減少させる半導体装置の製造方法を提供する
ことにある。
［課題を解決するための手段］
上記目的は、ウェーハをＵＶテープに貼付し、前記ウェ
ーハをスクライブラインに沿ってフルカットしてチップ
ことに分離し、前記ＵＶテープに紫外線を照射すること
により前記ＵＶテープの粘着剤の粘着力を低下させ、前
記チップをピックアップする半導体装置の製造方法にお
いて、前記ウェーハのフルカット後、前記ＵＶテープの
スクライブライン領域をマスクし、前記ＵＶテープに紫
外線を照射することにより、前記スクライブライン領域
以外の前記ＵＶテープの粘着剤の粘着力を低下させ、前
記ＵＶテープを伸長させて、前記チップをピックアップ
することを特徴とする半導体装置の製造方法によって達
成される。
ーハをスクライブラインに沿ってフルカットしてチップ
ことに分離し、前記ＵＶテープに紫外線を照射すること
により前記ＵＶテープの粘着剤の粘着力を低下させ、前
記チップをピックアップする半導体装置の製造方法にお
いて、前記ウェーハのフルカット後、前記ＵＶテープの
スクライブライン領域をマスクし、前記ＵＶテープに紫
外線を照射することにより、前記スクライブライン領域
以外の前記ＵＶテープの粘着剤の粘着力を低下させ、前
記ＵＶテープを伸長させて、前記チップをピックアップ
することを特徴とする半導体装置の製造方法によって達
成される。
［作用］
本発明によれば、スクライブライン領域のＵＶテープの
粘着剤の粘着力が低下せず、Ｓｉ片かＵＶテープに付着
したままなので、ウェーハのフルカットスクライブ後の
チップ選別工程で、Ｓｉ片がチップ表面に付着すること
を防止でき、またハンドリングミス等で生ずるチップコ
ーナの欠けを減少させることができる。
粘着剤の粘着力が低下せず、Ｓｉ片かＵＶテープに付着
したままなので、ウェーハのフルカットスクライブ後の
チップ選別工程で、Ｓｉ片がチップ表面に付着すること
を防止でき、またハンドリングミス等で生ずるチップコ
ーナの欠けを減少させることができる。
［実施例］
本発明の一実施例による半導体装置の製造方法を第１図
を用いて説明する。
を用いて説明する。
まず、ウェーハ背面に伸縮可能なＵＶテープ４を貼り付
け、スクライビング装置でウェーハをフルカットスクラ
イブする。
け、スクライビング装置でウェーハをフルカットスクラ
イブする。
ＵＶテープ４は全面に粘着剤が塗布されており、フルカ
ットスクライブにより個々に分離されたチップ２を固定
しておくことかできる。また、この粘着剤は紫外線を照
射すると粘着力が低下する性質のもので、チップ２を剥
がしやすくし、チップ２をピックアップするときに利用
する。
ットスクライブにより個々に分離されたチップ２を固定
しておくことかできる。また、この粘着剤は紫外線を照
射すると粘着力が低下する性質のもので、チップ２を剥
がしやすくし、チップ２をピックアップするときに利用
する。
フルカットスクライブ後はスクライブライン領＃４１４
の溝底部であるＵＶテープ４の粘着剤に８１片８が付着
し、チップ２背面には欠け１０が発生している（第１図
（ａ））。
の溝底部であるＵＶテープ４の粘着剤に８１片８が付着
し、チップ２背面には欠け１０が発生している（第１図
（ａ））。
フルカットスクライブ後、スクライブライン領域１４の
紫外線照射をカットするマスク６をＵｖテープ４背面に
密着させ、ＵＶテープ４背面を紫外線照射するく第１図
（ｂ））。
紫外線照射をカットするマスク６をＵｖテープ４背面に
密着させ、ＵＶテープ４背面を紫外線照射するく第１図
（ｂ））。
紫外線照射後、マスク６を外しＵＶテープ４を伸長する
（第１図（Ｃ））。マスク６により紫外線照射されなか
ったスクライブライン領域１４の粘着剤は粘着性を有し
ているので、ＵＶテープ４を伸長してもＳｉ片８がスク
ライブライン領域１４の粘着剤に付着したままで、チッ
プ２表面に移動することがない。
（第１図（Ｃ））。マスク６により紫外線照射されなか
ったスクライブライン領域１４の粘着剤は粘着性を有し
ているので、ＵＶテープ４を伸長してもＳｉ片８がスク
ライブライン領域１４の粘着剤に付着したままで、チッ
プ２表面に移動することがない。
次に、チップ２をエアピンセット１２でピックアップす
る。Ｕ■テープ４が伸長したことにより、チップ間隔が
広がっているので容易にピックアップすることかでき、
ハンドリングミスによるチップ２表面の欠けを防止でき
る（第１図（Ｃ））。
る。Ｕ■テープ４が伸長したことにより、チップ間隔が
広がっているので容易にピックアップすることかでき、
ハンドリングミスによるチップ２表面の欠けを防止でき
る（第１図（Ｃ））。
さらに、チップ背面の欠け１０等もスクライブライン領
域１４の粘着剤に付着したままで、チップ２表面に移動
することがない（第１図（ｄ））。
域１４の粘着剤に付着したままで、チップ２表面に移動
することがない（第１図（ｄ））。
このように、ウェーハのフルカットスクライブ後のチッ
プ選別工程で、Ｓｉ片がチップ表面に付着することを防
止し、またハンドリングミス等で生ずるチップコーナの
欠けを減少させることができる。
プ選別工程で、Ｓｉ片がチップ表面に付着することを防
止し、またハンドリングミス等で生ずるチップコーナの
欠けを減少させることができる。
本発明は上記実施例に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施例ではウェーハにＳｔウェーハを用い
たが、それ以外のウェーハ、例えばＧａＡｓウェーハを
用いてもよい。
たが、それ以外のウェーハ、例えばＧａＡｓウェーハを
用いてもよい。
１４・・・スクライブライン領域
［発明の効果］
以上の通り、本発明によれば、ウェーハのフルカットス
クライブ後のチップ選別工程で、Ｓｉ片がチップ表面に
付着せず、またハンドリンクミス等で生ずるチップコー
ナの欠けを減少させることができるので、Ｓｉ片による
チップの不良を低減し、作業効率を向上することかでき
る。
クライブ後のチップ選別工程で、Ｓｉ片がチップ表面に
付着せず、またハンドリンクミス等で生ずるチップコー
ナの欠けを減少させることができるので、Ｓｉ片による
チップの不良を低減し、作業効率を向上することかでき
る。
第１図は本発明の一実施例による半導体装置の製造方法
の説明図である。 図において、 ２・・・チップ ４・・・ＵＶテープ ６・・・マスク ８・・・Ｓｉ片 １０・・・欠け １２・・・エアピンセット
の説明図である。 図において、 ２・・・チップ ４・・・ＵＶテープ ６・・・マスク ８・・・Ｓｉ片 １０・・・欠け １２・・・エアピンセット
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ウェーハをＵＶテープに貼付し、前記ウェーハをス
クライブラインに沿ってフルカットしてチップごとに分
離し、前記ＵＶテープに紫外線を照射することにより前
記ＵＶテープの粘着剤の粘着力を低下させ、前記チップ
をピックアップする半導体装置の製造方法において、 前記ウェーハのフルカット後、 前記ＵＶテープのスクライブライン領域をマスクし、 前記ＵＶテープに紫外線を照射することにより、前記ス
クライブライン領域以外の前記ＵＶテープの粘着剤の粘
着力を低下させ、 前記ＵＶテープを伸長させて、前記チップをピックアッ
プすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2035471A JPH03239346A (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2035471A JPH03239346A (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03239346A true JPH03239346A (ja) | 1991-10-24 |
Family
ID=12442694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2035471A Pending JPH03239346A (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03239346A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100431282B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2004-05-12 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체칩의 픽업 방법 및 이를 위한 클램프 |
| JP2006222180A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ搭載装置およびチップ搭載方法 |
| JP2006222181A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ搭載装置およびチップ搭載方法 |
| JP2006222179A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ搭載装置およびチップ搭載方法 |
| JP2013084794A (ja) * | 2011-10-11 | 2013-05-09 | Tdk Corp | チップ部品支持装置及びその製造方法 |
| JP2020177963A (ja) * | 2019-04-16 | 2020-10-29 | 株式会社デンソー | 半導体チップの製造方法 |
-
1990
- 1990-02-16 JP JP2035471A patent/JPH03239346A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100431282B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2004-05-12 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체칩의 픽업 방법 및 이를 위한 클램프 |
| JP2006222180A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ搭載装置およびチップ搭載方法 |
| JP2006222181A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ搭載装置およびチップ搭載方法 |
| JP2006222179A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ搭載装置およびチップ搭載方法 |
| JP2013084794A (ja) * | 2011-10-11 | 2013-05-09 | Tdk Corp | チップ部品支持装置及びその製造方法 |
| JP2020177963A (ja) * | 2019-04-16 | 2020-10-29 | 株式会社デンソー | 半導体チップの製造方法 |
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