JP2020177963A - 半導体チップの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 ダイシングテープが半導体ウェハを保持する保持力を確保しつつ、ダイシングテープの剥離不良を改善することができる技術を提供する。【解決手段】 半導体チップの製造方法は、半導体ウェハを加工する加工工程と、前記半導体ウェハの一方の主面をダイシングテープの一方の主面に貼り付ける貼付工程と、前記半導体ウェハをダイシングラインに沿ってダイシングし、前記半導体ウェハを複数の半導体チップに分割する分割工程と、前記半導体チップを前記ダイシングテープからピックアップするピックアップ工程と、を備えている。前記半導体チップを、中心領域と、前記中心領域の周囲であって前記ダイシングラインに隣接した周縁領域と、に区画したときに、前記半導体チップと前記ダイシングテープの接着力が、前記中心領域よりも前記周縁領域の少なくとも一部において低く調整されている。【選択図】図３

Description

本明細書が開示する技術は、半導体チップの製造方法に関する。

半導体チップの製造方法は、半導体ウェハを加工する加工工程と、半導体ウェハの一方の主面をダイシングテープの一方の主面に貼り付ける貼付工程と、半導体ウェハをダイシングラインに沿ってダイシングし、半導体ウェハを複数の半導体チップに分割する分割工程と、半導体チップをダイシングテープからピックアップするピックアップ工程と、を備えている。このような半導体チップの製造方法の一例が特許文献１に開示されている。

特開２０１３−２１４６８３号公報

図１１に、ダイシングテープから半導体チップをピックアップするピックアップ工程の概略を示す。図１１に示されるように、複数に分割された半導体チップ１０２がダイシングテープ１０４に貼り付けられている。複数の半導体チップ１０２は、ダイシングテープ１０４を介してダイシングテープ吸着台１１２に載置されている。ダイシングテープ吸着台１１２の内部には、ニードルホルダ１１４が設置されている。ニードルホルダ１１４は、ピックアップ対象の半導体チップ１０２に向けてニードル１１６を突出させ、ダイシングテープ１０４を介してピックアップ対象の半導体チップ１０２にニードル１１６の先端を接触させる。これにより、ピックアップ対象の半導体チップ１０２がダイシングテープ吸着台１１２の載置面から突き上げられる。ダイシングテープ吸着台１１２の内部が減圧されていることから、突き上げられた半導体チップ１０２に貼り付けられていたダイシングテープ１０４は、半導体チップ１０２の周縁部から剥離される。ダイシングテープ１０４が剥離された半導体チップ１０２は、コレット１１８によって吸着され、ダイシングテープ１０４からピックアップされる。

図１２に、ピックアップ不良が生じたときのピックアップ工程の概略を示す。図１２に示されるように、半導体チップ１０２が突き上げられたときに、ダイシングテープ１０４が半導体チップ１０２から剥離されない剥離不良が生じることがある。この場合、半導体チップ１０２が湾曲し、半導体チップ１０２が破損する虞がある。

半導体チップとダイシングテープの接着力を低下させれば、このような剥離不良は改善され得る。しかしながら、半導体チップとダイシングテープの接着力を低下させると、ダイシングテープが半導体ウェハを保持する保持力が低下し、半導体ウェハをダイシングするときに半導体ウェハの位置を安定させることができなくなる。本明細書は、ダイシングテープが半導体ウェハを保持する保持力を確保しつつ、ダイシングテープの剥離不良を改善することができる技術を提供する。

本明細書が開示する半導体チップの製造方法は、半導体ウェハを加工する加工工程と、前記半導体ウェハの一方の主面をダイシングテープの一方の主面に貼り付ける貼付工程と、前記半導体ウェハをダイシングラインに沿ってダイシングし、前記半導体ウェハを複数の半導体チップに分割する分割工程と、前記半導体チップを前記ダイシングテープからピックアップするピックアップ工程と、を備えることができる。前記半導体チップを、中心領域と、前記中心領域の周囲であって前記ダイシングラインに隣接した周縁領域と、に区画したときに、前記半導体チップと前記ダイシングテープの接着力が、前記中心領域よりも前記周縁領域の少なくとも一部において低く調整されている。このように、前記半導体チップの前記中心領域と前記ダイシングテープの接着力が相対的に高く調整されているので、前記ダイシングテープが前記半導体ウェハを保持する保持力を確保することができる。一方、前記半導体チップの前記周縁領域の少なくとも一部と前記ダイシングテープの接着力が相対的に低く調整されているので、前記ダイシングテープが前記半導体チップから剥離され易い。このように、上記半導体チップの製造方法によると、前記ダイシングテープが前記半導体ウェハを保持する保持力を確保しつつ、前記ダイシングテープの剥離不良を改善することができる。

上記半導体チップの製造方法の一実施態様は、前記貼付工程の後であって前記ピックアップ工程の前に、前記半導体チップの前記中心領域に対応する位置の前記ダイシングテープを遮蔽するとともに前記半導体チップの前記周縁領域の少なくとも一部に対応する位置の前記ダイシングテープを露出させる遮蔽マスク越しに、前記ダイシングテープに光を照射する照射工程、をさらに有していてもよい。この場合、前記ダイシングテープが、光硬化型粘着シートである。この製造方法によると、前記半導体チップの前記周縁領域の少なくとも一部に貼り付けられた前記ダイシングテープが硬化し、その部分の接着力を選択的に低下させることができる。

上記半導体チップの製造方法の他の一実施態様では、前記貼付工程が、前記半導体チップの前記中心領域に対応する位置の前記ダイシングテープに接触するとともに前記半導体チップの前記周縁領域の少なくとも一部に対応する位置の前記ダイシングテープには接触しない加圧調整板を用いて前記ダイシングテープを前記半導体ウェハに向けて押圧させる押圧工程、を有していてもよい。この製造方法によると、前記半導体チップの前記中心領域に貼り付けられた前記ダイシングテープの接着力を選択的に向上させることができる。換言すると、前記半導体チップの前記周縁領域の少なくとも一部に貼り付けられた前記ダイシングテープの接着力を選択的に低下させることができる。

上記半導体チップの製造方法の他の一実施態様では、前記加工工程が、前記半導体ウェハの前記一方の主面側であって前記半導体チップの前記周縁領域の少なくとも一部に溝を形成する溝形成工程、を有していてもよい。この製造方法によると、前記半導体チップの前記周縁領域の少なくとも一部に形成された前記溝が前記ダイシングテープと接着することが防止されるので、前記半導体チップの前記周縁領域の少なくとも一部と前記ダイシングテープの接着面積が低下する。これにより、前記半導体チップの前記周縁領域の少なくとも一部に貼り付けられた前記ダイシングテープの接着力を選択的に低下させることができる。

前記半導体チップの前記周縁領域の少なくとも一部に前記溝を形成する実施態様では、前記溝が、前記半導体チップの前記中心領域の周囲を一巡するように前記周縁領域内に形成されていてもよい。あるいは、前記溝の複数個が、前記半導体チップの前記周縁領域に分散して形成されていてもよい。

本実施形態の半導体ウェハの平面図を模式的に示す。 本実施形態の半導体ウェハの要部拡大平面図を模式的に示す。 本実施形態の半導体チップを製造する方法のフローを示す。 本実施形態の半導体ウェハの要部拡大平面図であって、ＵＶ硬化型粘着シートを利用した製造方法における要部拡大平面図を模式的に示す。 図４のＶ−Ｖ線に対応した断面図であって、半導体ウェハの裏面に貼り付けられたダイシングテープの一部を遮蔽する遮蔽マスクが設置されている様子を模式的に示す。 図４のＶ−Ｖ線に対応した断面図であって、遮蔽マスク越しにダイシングテープに向けて紫外線を照射する様子を模式的に示す。 本実施形態の半導体ウェハの要部拡大平面図であって、加圧調整板を利用した製造方法における要部拡大平面図を模式的に示す。 図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に対応した断面図であって、半導体ウェハの裏面に貼り付けられたダイシングテープの一部を押圧するための加圧調整板が設置されている様子を模式的に示す。 本実施形態の半導体ウェハの裏面構造の一例の要部拡大斜視図を模式的に示す。 本実施形態の半導体ウェハの裏面構造の他の一例の要部拡大斜視図を模式的に示す。 半導体チップをダイシングテープからピックアップするピックアップ工程の概略図であり、正常にピックアップできるときの状態を模式的に示す。 半導体チップをダイシングテープからピックアップするピックアップ工程の概略図であり、ダイシングテープの剥離不良が生じたときの状態を模式的に示す。

図１に、半導体ウェハ１０の平面図を示す。半導体ウェハ１０は、ダイシングライン３０によって区画された複数の半導体チップ２０を含んでいる。半導体チップ２０の各々には、特定機能を発揮することができる半導体素子、例えばＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）又はＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）と称されるスイッチング機能を発揮することができる半導体素子が形成されている。半導体ウェハ１０に用いられる半導体基板の材料は、特に限定されるものではないが、例えば炭化珪素又はシリコンが例示される。

図２に、図１の２点破線で囲まれた領域の要部拡大平面図を示す。図２に示される領域は、半導体ウェハ１０を分割する前の半導体チップ２０の領域に対応している。図２に示されるように、分割前の半導体チップ２０は、ダイシングライン３０で囲まれており、中心領域２０Ａと、中心領域２０Ａの周囲であってダイシングライン３０に隣接した周縁領域２０Ｂと、に区画されている。後述するように、半導体チップ２０の周縁領域２０Ｂには、ダイシングテープとの接着力が選択的に低下した部分が形成される。半導体チップ２０の周縁領域２０Ｂの幅Ｗ、換言すると、ダイシングライン３０と半導体チップ２０の中心領域２０Ａの間の最小幅は、一例ではあるが、８０μｍ以上に設定されている。なお、この例では、半導体チップ２０の中心領域２０Ａの平面形状が矩形状であるが、この例に限らず、例えば円形状又は多角形状であってもよい。

図３に、半導体チップ２０を製造するフローを示す。まず、半導体ウェハ１０を加工する加工工程（Ｓ１）が実施される。この半導体ウェハ１０の加工工程では、半導体ウェハ１０の半導体基板内に複数種類の半導体領域が形成されるとともに、半導体基板の表面及び裏面に電極等が形成される。これにより、半導体ウェハ１０の半導体チップ２０に対応した領域に、特定機能を発揮することができる半導体素子が形成される。

次に、半導体ウェハ１０の一方の主面をダイシングテープの一方の主面に貼り付ける貼付工程（Ｓ２）が実施される。例えば、半導体ウェハ１０の半導体チップ２０に対応した領域にＭＯＳＦＥＴが形成されている場合、半導体ウェハ１０の裏面（ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極が形成されている側の面）にダイシングテープが貼り付けられる。

次に、半導体ウェハ１０をダイシングライン３０に沿ってダイシングし、半導体ウェハ１０を複数の半導体チップ２０に分割する分割工程（Ｓ３）が実施される。この分割工程では、半導体ウェハ１０の表面からダイシングライン３０に沿って半導体ウェハ１０がダイシングされる。このため、分割された複数の半導体チップ２０は、ダイシングテープに貼り付けられた状態で並んでいる。

次に、半導体チップ２０をダイシングテープからピックアップするピックアップ工程（Ｓ４）が実施される。背景技術でも説明したように、このピックアップ工程では、ダイシングテープ吸着台に載置された複数の半導体チップ２０のうちのピックアップ対象の半導体チップ２０をニードルで突き上げることでダイシングテープを剥離し、ダイシングテープが剥離された半導体チップ２０をコレットによって吸着してダイシングテープからピックアップする。

背景技術でも説明したように、このピックアップ工程では、半導体チップ２０の周縁部からダイシングテープが剥離されない剥離不良が生じることがある。以下では、このような剥離不良が改善されるいくつかの技術について説明する。

（ＵＶ硬化型粘着シートを利用した製造方法）
図４に半導体ウェハ１０の要部拡大平面図、図５に図４のＶ−Ｖ線に対応した断面図を示す。これらの図に示されるように、半導体ウェハ１０の裏面にはダイシングテープ４０が貼り付けられており、さらに、ダイシングテープ４０の一部を遮蔽する遮蔽マスク５２が設置されている。遮蔽マスク５２は、半導体チップ２０の中心領域２０Ａに対応する位置のダイシングテープ４０を遮蔽するとともに、半導体チップ２０の周縁領域２０Ｂに対応する位置のダイシングテープ４０を露出させるように設置されている。

次に、図６に示されるように、遮蔽マスク５２越しにダイシングテープ４０に向けて紫外線（ＵＶ）を照射する。なお、この紫外線の照射は、半導体ウェハ１０をダイシングテープ４０に貼り付ける貼付工程（図３のＳ２）の後であって、半導体チップ２０をダイシングテープ４０からピックアップするピックアップ工程（図３のＳ４）の間に実施される。また、この紫外線の照射は、半導体ウェハ１０を複数の半導体チップ２０に分割する分割工程（図３のＳ３）の前に実施してもよく、後に実施してもよい。この例では、ダイシングテープ４０の材料にＵＶ硬化型粘着シートが用いられている。ＵＶ硬化型粘着シートは、紫外線が照射されると硬化し、接着力が低下する材料である。このため、遮蔽マスク５２越しに紫外線（ＵＶ）を照射すると、半導体チップ２０の周縁領域２０Ｂに対応する位置のダイシングテープ４０が硬化し、その位置のダイシングテープ４０の接着力が選択的に低下する。

このように、半導体ウェハ１０の裏面に貼り付けられたダイシングテープ４０の接着力は、半導体チップ２０の中心領域２０Ａに対応する位置において相対的に高く調整され、半導体チップ２０の周縁領域２０Ｂに対応する位置において相対的に低く調整される。これにより、半導体ウェハ１０をダイシングして半導体ウェハ１０を複数の半導体チップ２０に分割する分割工程（図３のＳ３）では、半導体チップ２０の中心領域２０Ａとダイシングテープ４０の接着力が相対的に高く調整されているので、ダイシングテープ４０が半導体ウェハ１０を保持する保持力が確保されている。一方、半導体チップ２０をダイシングテープ４０からピックアップするピックアップ工程（図３のＳ４）では、半導体チップ２０の周縁領域２０Ｂとダイシングテープ４０の接着力が相対的に低く調整されているので、ダイシングテープ４０が半導体チップ２０の周縁部から剥離され易い。このように、上記の製造方法によると、ダイシングテープ４０が半導体ウェハ１０を保持する保持力を確保しつつ、ダイシングテープ４０の剥離不良を改善することができる。

（加圧調整板を利用した製造方法）
図７に半導体ウェハ１０の要部拡大平面図、図８に図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に対応した断面図を示す。これらの図に示されるように、半導体ウェハ１０の裏面にはダイシングテープ４０が貼り付けられており、さらに、ダイシングテープ４０の一部に接触する加圧調整板５４が設置されている。加圧調整板５４は、半導体チップ２０の中心領域２０Ａに対応する位置のダイシングテープ４０に接触するとともに、半導体チップ２０の周縁領域２０Ｂに対応する位置のダイシングテープ４０に接触しないように設置されている。この加圧調整板５４は、半導体ウェハ１０をダイシングテープ４０に貼り付ける貼付工程（図３のＳ２）において設置される。

図７及び図８に示されるように、半導体ウェハ１０をダイシングテープ４０に貼り付ける貼付工程（図３のＳ２）では、加圧用ローラ５６が加圧調整板５４を介してダイシングテープ４０を半導体ウェハ１０に向けて押圧させる押圧工程が実施される。この押圧工程により、半導体ウェハ１０の裏面に貼り付けられたダイシングテープ４０の接着力は、半導体チップ２０の中心領域２０Ａに対応する位置において相対的に高く調整され、半導体チップ２０の周縁領域２０Ｂに対応する位置において相対的に低く調整される。これにより、半導体ウェハ１０をダイシングして半導体ウェハ１０を複数の半導体チップ２０に分割する分割工程（図３のＳ３）では、半導体チップ２０の中心領域２０Ａとダイシングテープ４０の接着力が相対的に高く調整されているので、ダイシングテープ４０が半導体ウェハ１０を保持する保持力が確保されている。一方、半導体チップ２０をダイシングテープ４０からピックアップするピックアップ工程（図３のＳ４）では、半導体チップ２０の周縁領域２０Ｂとダイシングテープ４０の接着力が相対的に低く調整されているので、ダイシングテープ４０が半導体チップ２０の周縁部から剥離され易い。このように、上記の製造方法によると、ダイシングテープ４０が半導体ウェハ１０を保持する保持力を確保しつつ、ダイシングテープ４０の剥離不良を改善することができる。

（半導体ウェハの加工を利用した製造方法）
図９に、半導体ウェハ１０の裏面、すなわち、ダイシングテープが貼り付けられる側の面の要部拡大斜視図を示す。この要部拡大斜視図は、半導体ウェハ１０のうちの半導体チップ２０の周縁領域２０Ｂとダイシングライン３０の境界近傍に対応している。

図９に示されるように、半導体ウェハ１０は、半導体基板１２と、ニッケルシリサイド膜１４と、金属膜１６と、を有している。ニッケルシリサイド膜１４は、半導体基板１２の裏面を被膜しており、半導体基板１２とのオーミック性を改善するために形成されている。金属膜１６は、ニッケルシリサイド膜１４上に被膜しており、例えばアルミニウム（Ａｌ）にシリコンを含有させたアルミニウム合金で構成されている。なお、ニッケルシリサイド膜１４と金属膜１６の間に、例えばチタン（Ｔｉ）又は窒化チタン（ＴｉＮ）で構成されたバリアメタル層が介在していてもよい。また、金属膜１６上には、はんだとの濡れ性を改善するためのニッケル膜、酸化防止用のＡｕ膜が形成されていてもよい。図９に示す構造は一例であり、半導体ウェハ１０の裏面構造には様々な構造を採用し得る。

図９に示されるように、半導体チップ２０の周縁領域２０Ｂに対応する位置に金属膜１６が形成されておらず、半導体ウェハ１０の裏面に溝１０Ａが形成されている。溝１０Ａは、半導体チップ２０の中心領域２０Ａの周囲を一巡するように、半導体チップ２０の周縁領域２０Ｂ内に形成されている。溝１０Ａは、半導体チップ２０の周縁領域２０Ｂとダイシングライン３０の境界を越えてダイシングライン３０に対応する位置にも形成されている。換言すると、ダイシングライン３０に対応する位置に金属膜１６が形成されていない。なお、図１０に示されるように、溝１０Ａは、半導体チップ２０の中心領域２０Ａの周囲を一巡する方向に沿って分散して配置されていてもよい。また、溝１０Ａが分散して形成されている場合、溝１０Ａの各々の位置及び形状は適宜に調整可能である。

図９及び図１０に示されるように、半導体チップ２０の周縁領域２０Ｂに溝１０Ａが形成されていると、ダイシングテープを貼り付けたときに、溝１０Ａに対応する位置のダイシングテープが半導体ウェハ１０の裏面から離れた状態となるので、半導体チップ２０の周縁領域２０Ｂとダイシングテープの接着面積が低下する。このように、半導体ウェハ１０の裏面に貼り付けられたダイシングテープの接着力は、半導体チップ２０の中心領域２０Ａに対応する位置において相対的に高く調整され、半導体チップ２０の周縁領域２０Ｂに対応する位置において相対的に低く調整される。これにより、半導体ウェハ１０をダイシングして半導体ウェハ１０を複数の半導体チップ２０に分割する分割工程（図３のＳ３）では、半導体チップ２０の中心領域２０Ａとダイシングテープの接着力が相対的に高く調整されているので、ダイシングテープが半導体ウェハ１０を保持する保持力が確保されている。一方、半導体チップ２０をダイシングテープからピックアップするピックアップ工程（図３のＳ４）では、半導体チップ２０の周縁領域２０Ｂとダイシングテープの接着力が相対的に低く調整されているので、ダイシングテープが半導体チップ２０の周縁部から剥離され易い。このように、上記の製造方法によると、ダイシングテープが半導体ウェハ１０を保持する保持力を確保しつつ、ダイシングテープの剥離不良を改善することができる。

溝１０Ａを形成する工程は、半導体ウェハ１０を加工する加工工程（図３のＳ１）において実施される。例えば、蒸着技術を利用して金属膜１６を成膜するときに、半導体チップ２０の周縁領域２０Ｂに対応する位置を遮蔽する遮蔽マスクを設置し、半導体チップ２０の周縁領域２０Ｂに対応する位置に金属膜１６が形成されないようにしてもよい。このように、半導体ウェハ１０を加工する加工工程（図３のＳ１）において、溝１０Ａを容易に形成することができる。

なお、図９及び図１０の例では、半導体ウェハ１０の裏面構造のうちの金属膜１６の有無によって溝１０Ａが形成されていた。しかしながら、ダイシングテープとの接着面積を低下させるためには、半導体ウェハ１０の裏面に溝が形成されていればよく、そのような溝は様々な構成によって実現し得る。以下、半導体ウェハ１０の裏面に溝を形成する形成方法を例示する。

半導体基板１２の裏面を被膜するニッケルシリサイド膜１４は、半導体基板１２の裏面にニッケル膜を成膜した後に、レーザーアニール処理を利用したシリサイド化によって形成される。このレーザーアニール処理において、半導体チップ２０の周縁領域２０Ｂに対応する位置に成膜されたニッケル膜に対して追加でレーザーを照射してもよい。追加でレーザー照射を実施すると、中心領域２０Ａよりも周縁領域２０Ｂに対応する位置に形成されたニッケルシリサイド膜１４の表面粗さが増大し、周縁領域２０Ｂに対応する位置に形成されたニッケルシリサイド膜１４の表面に凹凸が形成される。このため、金属膜１６を成膜したときに、ニッケルシリサイド膜１４の凹凸を反映して周縁領域２０Ｂに対応した位置に成膜される金属膜１６の表面にも凹凸が形成される。これにより、半導体ウェハ１０の裏面のうちの半導体チップ２０の周縁領域２０Ｂに対応する位置に溝が形成される。

また、半導体基板１２の裏面のうちの半導体チップ２０の周縁領域２０Ｂに対応する位置に、ドライエッチング技術を利用して溝を形成してもよい。半導体基板１２の裏面に溝が形成されていると、その溝を反映してニッケルシリサイド膜１４及び金属膜１６にも溝が形成される。これにより、半導体ウェハ１０の裏面のうちの半導体チップ２０の周縁領域２０Ｂに対応する位置に溝が形成される。

上記したように、本明細書が開示する製造方法によれば、ダイシングテープが半導体ウェハを保持する保持力を確保しつつ、ダイシングテープの剥離不良を改善することができる。背景技術でも説明したように、ダイシングテープの剥離不良が生じると、半導体チップの破損が懸念される。このような破損は、半導体チップが薄い場合に特に問題となり得る。通常、半導体基板の材料に炭化珪素が用いられている場合、その破壊電界強度の高さから半導体基板が薄層化される。このため、半導体基板の材料に炭化珪素が用いられている場合、半導体チップが薄く構成されていることが多く、ダイシングテープの剥離不良による半導体チップの破損という問題が顕在化する。本明細書が開示する技術は、このような場合に対処することができる。すなわち、本明細書が開示する技術は、半導体基板の材料が炭化珪素の場合に特に有用である。

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。

１０ ：半導体ウェハ
２０ ：半導体チップ
２０Ａ ：中心領域
２０Ｂ ：周縁領域
３０ ：ダイシングライン
４０ ：ダイシングテープ

Claims (6)

1. 半導体チップの製造方法であって、
   半導体ウェハを加工する加工工程と、
   前記半導体ウェハの一方の主面をダイシングテープの一方の主面に貼り付ける貼付工程と、
   前記半導体ウェハをダイシングラインに沿ってダイシングし、前記半導体ウェハを複数の半導体チップに分割する分割工程と、
   前記半導体チップを前記ダイシングテープからピックアップするピックアップ工程と、を備えており、
   前記半導体チップを、中心領域と、前記中心領域の周囲であって前記ダイシングラインに隣接した周縁領域と、に区画したときに、前記半導体チップと前記ダイシングテープの接着力が、前記中心領域よりも前記周縁領域の少なくとも一部において低く調整されている、半導体チップの製造方法。
2. 前記貼付工程の後であって前記ピックアップ工程の前に、前記半導体チップの前記中心領域に対応する位置の前記ダイシングテープを遮蔽するとともに前記半導体チップの前記周縁領域の少なくとも一部に対応する位置の前記ダイシングテープを露出させる遮蔽マスク越しに、前記ダイシングテープに光を照射する照射工程、をさらに有しており、
   前記ダイシングテープが、光硬化型粘着シートである、請求項１に記載の半導体チップの製造方法。
3. 前記貼付工程は、
   前記半導体チップの前記中心領域に対応する位置の前記ダイシングテープに接触するとともに前記半導体チップの前記周縁領域の少なくとも一部に対応する位置の前記ダイシングテープには接触しない加圧調整板を用いて前記ダイシングテープを前記半導体ウェハに向けて押圧させる押圧工程、を有する、請求項１に記載の半導体チップの製造方法。
4. 前記加工工程は、
   前記半導体ウェハの前記一方の主面側であって前記半導体チップの前記周縁領域の少なくとも一部に溝を形成する溝形成工程、を有する、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記溝は、前記半導体チップの前記中心領域の周囲を一巡するように前記周縁領域内に形成されている、請求項４に記載の半導体チップの製造方法。
6. 前記溝の複数個が、前記半導体チップの前記周縁領域に分散して形成されている、請求項４に記載の半導体チップの製造方法。

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