JP2006222142A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006222142A JP2006222142A JP2005031878A JP2005031878A JP2006222142A JP 2006222142 A JP2006222142 A JP 2006222142A JP 2005031878 A JP2005031878 A JP 2005031878A JP 2005031878 A JP2005031878 A JP 2005031878A JP 2006222142 A JP2006222142 A JP 2006222142A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tape
- semiconductor wafer
- dicing
- adhesive layer
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
【課題】ウエハ切断による半導体素子製造での切削屑に起因する不良発生の抑止。
【解決手段】回路素子が形成されない半導体ウエハ1の第2の面に、紫外線照射によって劣化する接着剤層30bを一面に有するダイシングテープ30を貼り付けた後、マスク31を使用して紫外線照射を行って、半導体ウエハ1のスクライブ領域8に対応する接着剤層部分を紫外線によって劣化させて変質した接着剤層部分とする。その後、ダイシングブレードで半導体ウエハ1を切断する際、紫外線が照射されずに接着力が高い部分は切断せず、紫外線照射によって硬化した変質した接着剤層部分に沿って切断する。従って、接着力が高い接着剤による切削屑は発生しなくなり、通常の洗浄水で除去できるようになり、残留しなくなる。この結果、製造された半導体素子25は、切削屑に起因する回路ショートが起きなくなる。
【選択図】 図13
【解決手段】回路素子が形成されない半導体ウエハ1の第2の面に、紫外線照射によって劣化する接着剤層30bを一面に有するダイシングテープ30を貼り付けた後、マスク31を使用して紫外線照射を行って、半導体ウエハ1のスクライブ領域8に対応する接着剤層部分を紫外線によって劣化させて変質した接着剤層部分とする。その後、ダイシングブレードで半導体ウエハ1を切断する際、紫外線が照射されずに接着力が高い部分は切断せず、紫外線照射によって硬化した変質した接着剤層部分に沿って切断する。従って、接着力が高い接着剤による切削屑は発生しなくなり、通常の洗浄水で除去できるようになり、残留しなくなる。この結果、製造された半導体素子25は、切削屑に起因する回路ショートが起きなくなる。
【選択図】 図13
Description
本発明は半導体素子の製造方法に係わり、例えば、携帯電話機及びビデオカメラ等に搭載する光学モジュール(カメラモジュール)に組み込むイメージセンサーを形成した半導体素子の製造方法に適用して有効な技術に関する。
携帯電話機やビデオカメラ等にはカメラモジュール(固体撮像装置)が搭載されている。カメラモジュールは基板に搭載した画像取込素子(固体撮像素子),CMOSセンサー,CCDセンサー等のイメージセンサー(回路素子)に、撮像用のレンズ(光学用凸レンズ)で集光した光(光信号)を取込み、この光信号を画素の配列により電気信号に変換して所定の映像を得る装置である。
イメージセンサーを構成する半導体素子は、1枚の半導体ウエハ(ウエハ)を縦横に切断することによって製造する。即ち、エピタキシャル成長技術、ホトリソグラフィ技術、ホトエッチング技術等によるウエハプロセスを行って、半導体ウエハの主面にイメージセンサー(回路素子)を整列配置形成する。各イメージセンサーは半導体ウエハに縦横に設けられるスクライブ領域に囲まれた四角形の領域に形成される。そこで、半導体ウエハを支持テープに貼り付け、その後、半導体ウエハの露出する表面側からダイシングブレードによってスクライブ領域の中央線に沿ってテープ表面に至る切断を行い、イメージセンサーを有する半導体素子を製造する(例えば、特許文献1)。
この特許文献1による半導体装置の製造方法では、イメージセンサーとしてCCD(charge coupled device )を有する半導体装置の製造方法について記載されている。また、この特許文献1には、ウェーハをダイシングして半導体装置を製造するいくつかの方法が開示されている。
その一つの方法は、ウェーハの回路面側に透明の表面保護テープを貼り合わせた後、ウェーハをダイシングテープ上に固定してダイシング加工を行い、表面保護テープからウェーハを通過してダイシングテープの表層に至る深さまでの切断を行い、その後表面保護テープを剥離し、さらにダイシングテープからチップをピックアップする方法が開示されている。
そして、この方法における表面保護テープの剥離方法として、(1)温風や温水によって加熱を行い透明テープ(表面保護テープ)の収縮を行い、続いてエアーを当てて収縮した透明テープを吹き飛ばして透明テープの剥離を行う。(2)前記(1)の方法において、透明テープに紫外線を照射したり、化学反応の利用等によって透明テープの収縮を行わせる。(3)透明テープの剥離の方法として、透明テープの上に剥離用テープを貼り合わせ、剥離用テープに外力を加えて透明テープを剥離用テープと共に剥離する。
特許文献1には、ウェーハの回路面側を表面保護テープで覆った後、ダイシング加工を行うことから、ダイシング加工で生じたダストやチッピングによるウェーハ破片がチップの表面に落下して生じる回路のショート不良の防止ができる旨記載されている。また、CCDの場合では、ダストによる黒点不良の抑止を図ることができる旨記載されている。
本発明者においても、ショート不良および黒点不良を低減するべく、ウエハ主面全体を表面保護テープで覆ってダイシング加工する方法について検討してきた。しかし、このダイシング方法では以下の問題が起きることを本発明者は見出した。
本方法ではウエハ主面全体を表面保護テープで覆うため、ダイシング時にウエハと一緒に保護テープも切断する。一方、保護テープの接着剤はダイシング時に洗浄水が当たっても接着力が落ちることはない。実際、保護テープ自身の接着剤および保護テープの切削片の一部は、ダイシングブレードや半導体チップ切断縁に付着、残留することを本発明者は確認した。この付着した接着剤および保護テープの切削片を介して、ウエハ切削屑が半導体チップ切断縁に付着する。
上記接着剤、保護テープの切削片、及びウエハ切削屑は、その後の製造過程で半導体チップ表面、またはセンサー表面に落下する。これらが上記黒点不良およびショート不良の原因になる。
そこで今回、保護テープを使わずに、ショート不良および黒点不良を低減することのできるウエハダイシング加工方法を考案した。
先ず最初に、センサーウエハを含めた半導体ウエハのダイシング加工方法の問題点について説明する。
半導体素子の製造においては、半導体ウエハ(ウエハ)をダイシングテープに貼り付け、その後ダイシングブレードでウエハをダイシングテープの表層に至る深さに縦横に切断(以下、フルカットと呼称)して、ダイシングテープ上に複数の半導体素子を形成する方法が採用されている。
ダイシングテープは、基材と、この基材の前面に塗布された接着剤層(粘着剤層)の2層からなり、前記接着剤層を介してウエハにダイシングテープを貼り付ける構造になっている。ここで、ダイシングテープの剥離を容易にするため、接着剤には紫外線照射によって接着力が小さくなる特性を持たせている。使用方法は、直前にダイシングテープに紫外線を照射し、次にテープを剥がす。従って、ダイシングしている間はずっと、接着剤層は接着力を持ち続けていることに注目されたい。
一方、フルカットの際、半導体チップを確実に切断させるため、ダイシングブレードはテープ基材表面を所定の深さ(30μm)まで切り込む必要がある。この結果、ダイシング時、ダイシングブレードは未硬化で粘着性を持った接着剤層をも切断することになる。この現象を詳細に説明すると以下のようになる。ウエハ切断屑(半導体屑)及び接着剤がダイシングブレードによって攪拌され・成長し、掻き上げられ、洗浄水によってウエハ表面にまき散らされる。このダイシングテープの接着剤とウエハ切断屑の混ざったものが、切断が終了して形成された半導体素子の表面に付着する。この接着剤とウエハ切削屑の混ざったものは、ダイシング時、洗浄水の流れによって一部は洗い流されずに半導体素子の表面に残留する。そして、半導体素子がイメージセンサーの場合、このダイシングテープの接着剤とウエハ切断屑の混ざったものが黒点不良の原因となる。
図19はCMOSイメージセンサー70の一部を示すものであり、整列配置形成された画素表面を覆うマイクロレンズ71の表面に切削屑である接着剤屑72が付着した状態を示す模式図である。この図は写真をトレースしたものである。
本発明の目的は、ダイシングテープに貼りつけた半導体ウエハをダイシングして半導体素子を製造する方法において、ダイシング時の切削屑に起因する不良発生を抑止することにある。
本発明の他の目的は、ダイシングテープに貼りつけた半導体ウエハをダイシングしてイメージセンサーを形成する半導体素子を製造する方法において、ダイシング時の切削屑に起因する黒点不良の発生を抑止することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
(1)半導体素子は、
(a)第1の面に縦横に所定ピッチで形成されるスクライブ領域に囲まれる各半導体素子形成部に回路素子(例えば、イメージセンサー)を形成した半導体ウエハを準備する工程、
(b)前記半導体ウエハの前記第1の面に第1のテープを貼り付ける工程、
(c)前記半導体ウエハの前記第1の面の反対面となる第2の面に前記スクライブ領域に沿って溝を形成する工程、
(d)前記第1のテープを除去する工程、
(e)前記半導体ウエハの前記第2の面にダイシングテープを貼り付ける工程、
(f)前記半導体ウエハの前記第1の面から前記溝の底を除去するようにダイシングブレードで前記スクライブ領域に沿って切断して前記半導体ウエハを複数の半導体素子に形成する工程とによって製造される。
(a)第1の面に縦横に所定ピッチで形成されるスクライブ領域に囲まれる各半導体素子形成部に回路素子(例えば、イメージセンサー)を形成した半導体ウエハを準備する工程、
(b)前記半導体ウエハの前記第1の面に第1のテープを貼り付ける工程、
(c)前記半導体ウエハの前記第1の面の反対面となる第2の面に前記スクライブ領域に沿って溝を形成する工程、
(d)前記第1のテープを除去する工程、
(e)前記半導体ウエハの前記第2の面にダイシングテープを貼り付ける工程、
(f)前記半導体ウエハの前記第1の面から前記溝の底を除去するようにダイシングブレードで前記スクライブ領域に沿って切断して前記半導体ウエハを複数の半導体素子に形成する工程とによって製造される。
また、前記工程(b)の前記第1のテープの貼り付けにおいては、紫外線を透過しかつ一面に紫外線照射によって接着力が劣化する接着剤層を有する第1のテープを前記半導体ウエハに貼り付け、前記工程(d)の第1のテープの剥離においては、前記第1のテープに紫外線を照射して前記接着剤層の接着力を劣化させた後前記第1のテープを前記半導体ウエハから剥離する。
(2)半導体素子は、
(a)第1の面に縦横に所定ピッチで形成されるスクライブ領域に囲まれる各半導体素子形成部に回路素子(例えば、イメージセンサー)を形成した半導体ウエハを準備する工程、
(b)前記半導体ウエハの前記第1の面の反対面となる第2の面に、透明のテープ基材と、このテープ基材の一面に設けられかつ紫外線照射によって接着力が劣化する接着剤層とからなるダイシングテープを前記接着剤層を介して貼り付ける工程、
(c)前記スクライブ領域に対応する部分が光を透過する透過部となり、他の部分が光を遮断する遮光部となるマスクを、前記透過部が前記半導体ウエハの前記スクライブ領域に対面するように前記ダイシングテープに重ね合わせる工程、
(d)前記マスクに紫外線を照射して前記マスクの透過部に対応する前記ダイシングテープの前記接着剤層を劣化させる工程、
(e)ダイシングブレードによって前記半導体ウエハの前記第1の面から前記接着剤層の劣化部分に至る溝を前記スクライブ領域に沿って形成し、前記半導体ウエハを複数の半導体素子に形成する工程とによって製造される。
(a)第1の面に縦横に所定ピッチで形成されるスクライブ領域に囲まれる各半導体素子形成部に回路素子(例えば、イメージセンサー)を形成した半導体ウエハを準備する工程、
(b)前記半導体ウエハの前記第1の面の反対面となる第2の面に、透明のテープ基材と、このテープ基材の一面に設けられかつ紫外線照射によって接着力が劣化する接着剤層とからなるダイシングテープを前記接着剤層を介して貼り付ける工程、
(c)前記スクライブ領域に対応する部分が光を透過する透過部となり、他の部分が光を遮断する遮光部となるマスクを、前記透過部が前記半導体ウエハの前記スクライブ領域に対面するように前記ダイシングテープに重ね合わせる工程、
(d)前記マスクに紫外線を照射して前記マスクの透過部に対応する前記ダイシングテープの前記接着剤層を劣化させる工程、
(e)ダイシングブレードによって前記半導体ウエハの前記第1の面から前記接着剤層の劣化部分に至る溝を前記スクライブ領域に沿って形成し、前記半導体ウエハを複数の半導体素子に形成する工程とによって製造される。
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
前記(1)の手段によれば、(a)半導体ウエハの第2の面にダイシングブレードで溝を形成する。その後、溝を塞ぐように半導体ウエハの第2の面に接着剤層を介してダイシングテープを貼り付ける。ついで、半導体ウエハの第1の面のスクライブ領域に沿ってダイシングブレードによって切断して前記溝の溝底を除去することによって複数の半導体素子を形成する。従って、ダイシング時、接着力が高い接着剤層をダイシングブレードで切断しないため、前記ダイシングテープの接着剤とウエハ切削屑の混ざったもの等の切削屑は発生しなくなり、半導体素子の表面に付着する切削屑は、接着力を持たない切削屑のみとなり、これらは洗浄水で容易に洗い流され、半導体素子の表面に切削屑が残留し難くなる。この結果、製造された半導体素子の表面は前記ダイシングテープの接着剤とウエハ切削屑の混ざったもの等の切削屑に起因する回路ショートが起きなくなる。また、回路素子がイメージセンサーの場合、イメージセンサーの表面のマイクロレンズを汚すこともなく、前記ダイシングテープの接着剤とウエハ切削屑の混ざったもの等の切削屑に起因する黒点発生不良が発生しなくなる。
前記(2)の手段によれば、(a)回路素子が形成されない半導体ウエハの第2の面に、紫外線照射によって劣化する接着剤層を一面に有するダイシングテープを貼り付けた後、マスクを使用して紫外線照射を行って、半導体ウエハのスクライブ領域に対応する接着剤層部分を選択的に紫外線によって硬化し、接着力を消失させる。その後、ダイシングブレードで半導体ウエハを切断する際、紫外線が照射されずに接着力が高い(大きい)部分を切断することなく、紫外線照射によって接着力が消失した接着剤層部分に沿ってのみ切断する。従って、ダイシング時、接着力が高い接着剤層をダイシングブレードで切断しないため、前記ダイシングテープの接着剤とウエハ切削屑の混ざったものは発生しなくなり、半導体素子の表面に付着する切削屑は接着力を持たない切削屑のみとなり、これらは洗浄水で容易に洗い流され、半導体素子の表面に切削屑が残留し難くなる。この結果、製造された半導体素子の表面は前記ダイシングテープの接着剤とウエハ切削屑の混ざったもの等の切削屑で汚染されなくなり、切削屑に起因する回路ショートが起きなくなる。また、回路素子がイメージセンサーの場合、イメージセンサーの表面のマイクロレンズを汚すこともなく、前記ダイシングテープの接着剤と、ウエハ切削屑の混ざったもの等の切削屑に起因する黒点発生不良が発生しなくなる。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。なお、発明の実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
図1乃至図10は本実施例1の半導体素子の製造方法に係わる図である。本実施例1では、本発明をカメラモジュールに組み込むイメージセンサー(例えば、CMOSイメージセンサー)を形成した半導体素子(半導体チップ)の製造に本発明を適用した例について説明する。
本実施例1の半導体素子は、図1のフローチャートに示すように、半導体ウエハ準備(S01)、第1のテープ貼り付け(ウエハ主面:S02)、溝形成(ウエハ裏面:S03)、第1のテープ除去(S04)、ダイシングテープ貼り付け(ウエハ裏面:S05)、ダイシング(ウエハ主面から:S06)の各工程を経て製造される。
本実施例1の半導体素子の製造においては、半導体ウエハ1、治具2及び枠3を準備する(S01)。そして、図3に示すように、枠3及び半導体ウエハ1を治具2の上方から供給し、図2に示すように、治具2の各所定部に枠3及び半導体ウエハ1を載置する。半導体ウエハ1は回路素子を形成した第1の面(ウエハ主面)が上面となる状態で供給する。
図3及び図4に示すように、治具2は上面に枠3を挿入する矩形溝からなる枠収容溝5を有している。この枠収容溝5の内側には、半導体ウエハ1を収容する円形窪みからなるウエハ収容窪み6が設けられている。
半導体ウエハ1は、その第1の面(主面)に縦横に回路素子が整列配置形成(マトリックス状)されている。各回路素子部は縦横に設けられるスクライブ領域8によって囲まれている。半導体ウエハ1は最終工程でスクライブ領域8の中央線に沿って一定の幅で切断されて半導体素子(半導体チップ)とされる。スクライブ領域8は図2において、半導体ウエハ1の主面の表層部分を薄黒に色付けしてその領域を示してある。スクライブ領域8は半導体ウエハ1の主面からその裏面に至る領域でもある。図2、図3、図5〜図10では半導体ウエハ1の端のダイシング領域8は省略してある。図4では回路素子部及びスクライブ領域も省略してある。
本実施例1では、回路素子はカメラモジュールに組み込まれるイメージセンサー(CMOSイメージセンサー)であり、表面には画素を覆うマイクロレンズ7が複数設けられている。また、半導体ウエハ1はウエハ収容窪み6にマイクロレンズ7を配置する主面が下面となる状態でウエハ収容窪み6に収容される場合がある(図8参照)。従って、前記マイクロレンズ7を含む回路素子部が当接しないように、ウエハ収容窪み6の底には逃げ空間を形成する逃げ窪み6aが設けられている。半導体ウエハ1はその周縁部分がウエハ収容窪み6の外周縁部分で支持される(図2参照)。
図2に示すように、治具2に枠3及び半導体ウエハ1を収容した状態では、枠3の上面及び半導体ウエハ1の上面(第1の面)が治具2の上面に一致して露出し、かつ半導体ウエハ1の上面と枠3の上面は略同一の平面上に位置するようになる。図4には、治具2に収容する半導体ウエハ1を二点鎖線で示す。半導体ウエハ1の一部は直線的に切り掛かれ、方向識別用面(オリエンテーション・フラット)となっている。回路素子部はこのオリエンテーション・フラットに対して縦横に整列配置形成されている。
つぎに、図5に示すように、第1のテープ4の周縁部分を枠3に貼り付けるとともに、半導体ウエハ1に貼り付ける(S02)。第1のテープ4は例えば、紫外線を透過する透明なテープ基材4aと、このテープ基材4aの一面に形成された接着剤層4bとからなっている。接着剤層4bは紫外線が照射されると反応を起こして変質し、接着力が劣化(消失)する材質で形成されている。例えば、テープ基材4aは厚さ35μmのPOF(ポリオレフィンフィルム)で形成され、接着剤層4bは厚さ20μmのアクリル系接着剤からなる粘着材で形成されている。図5に示すように、接着剤層4bが設けられた面に半導体ウエハ1及び枠3が貼り付けられる。
つぎに、治具2から第1のテープ4を貼り付けた枠3を取り出し、枠3を反転させて半導体ウエハ1が上面となるようにする。そして、図6に示すように、図示しないダイシング装置のテーブル上に枠3を載置する。ついで、半導体ウエハ1の上方に配置した赤外線カメラ10で半導体ウエハ1の主面側にあるスクライブ領域8を裏面側から検出する。そして、この検出情報を基準にして、例えばその幅が約30μmであるダイシングブレード11a(第1のダイシングブレード)の位置を設定し、ダイシングして、半導体ウエハ1の第2の面に所定深さの溝12を形成する(S03)。ここでスクライブ領域8の検出情報を基準にしてと述べたが、この基準はスクライブ領域8に限らず、位置検出を目的としたその他の認識パターンを用いても良い。
溝12はスクライブ領域8の中心線に沿って一定の幅で形成される。また、繰り返して行うダイシングによって溝12を半導体ウエハ1の第2の面に縦横に形成する。図6において、ダイシングブレード11の右側のスクライブ領域8を上下に貫くように記載される一点鎖線がダイシングブレード11による次のダイシング位置である。
つぎに、図7に示すように、第1のテープ4のテープ基材4a側から紫外線(UV)13を照射し、接着剤層4bを変質させて接着力を消失させ、半導体ウエハ1から第1のテープ4を剥離する(S04)。また、この際、枠3から第1のテープ4も剥離する。
つぎに、ステップ1(S01)で使用した治具2を使用して、半導体ウエハ1の第2の面(ウエハ裏面)にダイシングテープ20を貼り付ける(S05)。即ち、図8に示すように、治具2の枠収容溝5に枠3を載置収容するとともに、ウエハ収容窪み6に半導体ウエハ1を収容する。半導体ウエハ1は回路素子を形成した第1の面(ウエハ主面)が下面となり、ウエハ裏面(第2の面)が上面となる状態でウエハ収容窪み6に載置収容される。下面に位置するマイクロレンズ7は逃げ窪み6a内に位置し、治具2と接触することはない。そして、この状態でダイシングテープ20が貼り付けられる。ダイシングテープ20は、樹脂テープからなるテープ基材20aと、このテープ基材20aの一面に形成された接着剤層20bとからなっている。ここで、ダイシングテープ20の基材は厚さ約70μmのPVC(ポリ塩化ビニル)から成り、粘着材層は厚さ約20μmのアクリル系接着剤からなる粘着剤から成っている。半導体ウエハ1の第2の面に形成された溝12はダイシングテープ20によって塞がれる。
つぎに、図9に示すように、半導体ウエハ1の主面(第1の面)のスクライブ領域8に沿って溝12を形成するときに用いたダイシングブレード11aよりも幅が大きく、例えば約70μmの幅であるダイシングブレード11b(第2のダイシングブレード)で切断する。即ち、ダイシングブレード11をスクライブ領域8の中心線に沿って移動させる。この際、スクライブ領域8の半導体ウエハ1の第2の面から溝12が形成されていることから、ダイシングブレード11bによってこの溝12の溝底を開口するように切断し、ダイシングブレード11bの先端がダイシングテープ20に接触しないようにする。即ち、ダイシングブレード11bでダイシングテープ20の接着剤層20bを切断しないようにする。これによって、接着剤層20bの切削屑は発生しなくなり、半導体ウエハ1のダイシングでは接着力が殆どない半導体屑となる。この結果、ダイシング時に同時に行われる洗浄によって、ダイシングによって形成された半導体素子(半導体チップ)25に前記ダイシングテープの接着剤とウエハ切削屑の混ざったもの等の切削屑が残留し難くなる。図9では、下方から上方に向かって延在する溝12の底の高さを一点鎖線で示してある。ダイシングブレード11bの下縁はこの溝12の溝高さよりもわずかに下方に位置するが、ダイシングテープ20の接着剤層20bとの間に一定の距離を有している。図9において、ダイシングブレード11bの右側のスクライブ領域8を上下に貫くように記載される一点鎖線がダイシングブレード11bによる次のダイシング位置である。
ここでダイシングブレードの幅は上述したように、第1のダイシングブレードは幅を小さく(約30μm)、第2のダイシングブレードは幅を大きく(約70μm)した方が良い。その理由は、第1のダイシングによってウエハがダイシングテープに接触する面積は減少し、剥がれ易くなるためである。尚、図6乃至図10ではこの幅の違いは省略してある。
ダイシングテープ20に支持される半導体ウエハ1の溝12の底を開口するようにダイシングブレード11bで切断することによって、図10に示すように、ダイシングテープ20に貼り付いた状態の複数の半導体素子25が製造される。半導体素子25はこの状態でつぎの半導体装置の組立に供されたり、あるいは図示しない保管用トレー等に移されて保管される。
本実施形態1によれば以下の効果を有する。
(1)半導体ウエハ1の第2の面にダイシングブレード11aで溝12を形成する。その後、溝12を塞ぐように半導体ウエハ1の第2の面に接着剤層20bを介してダイシングテープ20を貼り付ける。ついで、半導体ウエハ1の第1の面のスクライブ領域8に沿ってダイシングブレード11bによって切断して溝12の溝底を除去(開口)することによって複数の半導体素子25を形成する。従って、ダイシング時、接着力が高い接着剤層20bをダイシングブレード11bで切断しないため、前記ダイシングテープの接着剤とウエハ切削屑の混ざったもの等の切削屑は発生しなくなり、半導体素子25の表面に付着する切削屑は接着力を持たない切削屑のみとなり、これらは洗浄水で容易に洗い流され、半導体素子の表面に切削屑が残留し難くなる。この結果、製造された半導体素子25の表面は前記ダイシングテープの接着剤とウエハ切削屑の混ざったもの等の切削屑で汚染されなくなり、切削屑に起因する回路ショートが起きなくなる。また、回路素子がイメージセンサーの場合、イメージセンサーの表面のマイクロレンズ7を汚すこともなく、前記ダイシングテープの接着剤とウエハ切削屑の混ざったもの等の切削屑に起因する黒点発生不良が発生しなくなる。
(1)半導体ウエハ1の第2の面にダイシングブレード11aで溝12を形成する。その後、溝12を塞ぐように半導体ウエハ1の第2の面に接着剤層20bを介してダイシングテープ20を貼り付ける。ついで、半導体ウエハ1の第1の面のスクライブ領域8に沿ってダイシングブレード11bによって切断して溝12の溝底を除去(開口)することによって複数の半導体素子25を形成する。従って、ダイシング時、接着力が高い接着剤層20bをダイシングブレード11bで切断しないため、前記ダイシングテープの接着剤とウエハ切削屑の混ざったもの等の切削屑は発生しなくなり、半導体素子25の表面に付着する切削屑は接着力を持たない切削屑のみとなり、これらは洗浄水で容易に洗い流され、半導体素子の表面に切削屑が残留し難くなる。この結果、製造された半導体素子25の表面は前記ダイシングテープの接着剤とウエハ切削屑の混ざったもの等の切削屑で汚染されなくなり、切削屑に起因する回路ショートが起きなくなる。また、回路素子がイメージセンサーの場合、イメージセンサーの表面のマイクロレンズ7を汚すこともなく、前記ダイシングテープの接着剤とウエハ切削屑の混ざったもの等の切削屑に起因する黒点発生不良が発生しなくなる。
(2)上記(1)により、品質の優れたイメージセンサーを形成した半導体素子25を安価に製造することができる。
図11乃至図18は本実施例2の半導体素子の製造方法に係わる図である。本実施例2は実施例1と同様に、カメラモジュールに組み込むCMOSイメージセンサーを形成した半導体素子の製造に本発明を適用した例について説明する。
本実施例2の半導体素子は、図11のフローチャートに示すように、半導体ウエハ準備(S11)、透明なダイシングテープ貼り付け(ウエハ裏面:S12)、ダイシングテープにマスク貼り付け(S13)、紫外線照射(テープの接着剤層を選択的に変質:S14)、マスク除去(S15)、ダイシング(S16)の各工程を経て製造される。
本実施例2の半導体素子の製造においては、実施例1と同様な半導体ウエハ1、治具2及び枠3を準備する(S11)。そして、図12に示すように、治具2に枠3及び半導体ウエハ1を載置収容する。この際、半導体ウエハ1の第1の面(ウエハ主面)が下面となるように半導体ウエハ1を治具2のウエハ収容窪み6に収容する。半導体ウエハ1の下面のマイクロレンズ7は逃げ窪み6a内に位置する。
つぎに、図12に示すように、ダイシングテープ30を枠3に貼り付けるとともに、ダイシングテープ30に半導体ウエハ1を貼り付ける(S12)。半導体ウエハ1の上面である第2の面がダイシングテープ30に貼り付けられる。
ダイシングテープ30は、紫外線を透過するテープ基材30aと、このテープ基材30aの一面に形成された接着剤層30bとからなっている。接着剤層30bは紫外線が照射されると反応を起こして変質し、接着力が劣化(消失)する材質で形成されている。例えば、テープ基材30aは厚さ約70μmのPVC(ポリ塩化ビニル)で形成され、接着剤層30bは厚さ約20μmのアクリル系接着剤からなる粘着剤で形成されている。ダイシングテープ30への枠3及び半導体ウエハ1の貼り付けは、接着剤層30bの粘着性によって接着する。
つぎに、図13及び図14に示すように、ダイシングテープ30にマスク31を貼り付ける(S13)。マスク31は、図13に示すように、半導体ウエハ1のダイシング領域8に対応する部分が光を透過する透過部32となり、他の部分が光を遮断する遮光部33とからなる平板体となっている。具体的には、透明なガラス板等の一表面に遮光性の物質を選択的に形成するものである。図において遮光部33は黒色部分で示してある。
マスク31は位置決め制御され、マスク31の透過部32が半導体ウエハ1のダイシング領域8の真上に一致して重なるように配置される。この位置決め制御は、特に限定はされないが、図13に示すように、例えば、マスク合わせ装置の回転ローラ35の回転によってマスク31はダイシングテープ30との間に所定の隙間を有する状態で図中左右に移動する。回転ローラ35の回転量は、マスク31の上方に配置した赤外線カメラ36による半導体ウエハ1のスクライブ領域8の位置の検出情報を基準にして決定される。図13では回転ローラ35は左右2個配置してあるが、駆動ローラはどちらか一方でもよい。スクライブ領域8の検出情報を基準にしてと述べたが、この基準はスクライブ領域8に限らず、位置検出を目的としたその他の認識パターンを用いても良い。また、左右方向に直交する平面方向の位置制御は、図示しない同様の回転ローラによって行われる。位置決め後、図14に示すように、マスク31はダイシングテープ30上に重ねられる。マスクは紫外線がマスクパターンから漏れるのを防ぐため、ダイシングテープ30上に完全な状態で重ねる必要がある。
つぎに、図15に示すように、マスク31に紫外線(UV)40を照射する。紫外線40はマスク31の透過部32を透過してダイシングテープ30の接着剤層30bに到達する。この結果、半導体ウエハ1のスクライブ領域8に対応した接着剤層30bが紫外線40の照射によって変質して接着力が消失する。ここで、接着剤層30b使われる接着剤は選択硬化性が必要なため、一部にあるような紫外線をトリガーにしてウエハ前面に硬化反応が進む特性を持った接着剤は使用できない。
図15乃至図18において、変質した接着剤層部分41をスクライブ領域8と同様に薄黒色にして示してある。
つぎに、マスク31を外し(S15)、枠3を治具2から取り外し、さらに、枠3を反転させて半導体ウエハ1が上面側となる状態にする(図16参照)。そして、図17に示すように、図示しないダイシング装置のテーブル上に枠3を載置し、実施例1と同様に半導体ウエハ1のダイシングを行う(S16)。
ダイシングブレード11は半導体ウエハ1のスクライブ領域8の中心線に沿って回転移動し、完全に半導体ウエハ1を切断する。ここで、スクライブ領域8の幅を約10μm前後とした場合、半導体チップのサイズが例えば2mm以下のように極端に小さいと、ダイシング時の洗浄水の勢いで半導体素子25がダイシングテープから剥がれることがある。このような場合はダイシングテープ30の接着剤層30bに使われる接着剤の強度をより大きいものに変更するか、ダイシング時の洗浄水の条件(水量、強度、角度)を見直す必要がある。上記で説明した通り、ダイシングブレード11によって切断されるダイシングテープの接着剤層部分は(変質した接着剤層部分41)、マスク31を使って紫外線(UV)40を選択的に照射され、接着力が消失されている。従って、ダイシングブレード11は接着剤層部分のうち、接着力が消失し、変質した接着剤層部分41のみ切断し、接着力を保持しているその他の部分(接着剤層30b)は切断しない。このため、接着力の大きい接着剤層30bによる切削屑は発生しなくなり、半導体ウエハ1のダイシングでは接着力が殆どない半導体層と、変質して接着力の消失した接着剤層部分41による切削屑のみとなる。この結果、ダイシング時の洗浄水によって、切断(ダイシング)によって形成された半導体素子(半導体チップ)25に切削屑が残留しなくなる。
半導体素子25はダイシングテープ30に支持された状態になる。そして、この状態でつぎの半導体装置の組立に供されたり、あるいは図示しない保管用トレー等に移されて保管される。
本実施形態2によれば以下の効果を有する。
(1)回路素子が形成されない半導体ウエハ1の第2の面に、紫外線照射によって劣化する接着剤層30bを一面に有するダイシングテープ30を貼り付けた後、マスク31を使用して紫外線照射を行って、半導体ウエハ1のスクライブ領域8に対応する接着剤層部分を紫外線によって劣化させて変質した接着剤層部分41とする。その後、ダイシングブレード11で半導体ウエハ1を切断する際、紫外線40が照射されずに接着力が高い部分(接着剤層30b)は切断せず、紫外線照射によって硬化した接着剤層部分(変質した接着剤層部分41)に沿って切断する。従って、ダイシング時、接着力が高い接着剤層30bをダイシングブレード11で切断しないため、接着力が高い接着剤による切削屑は発生しなくなり、半導体素子25の表面に付着する切削屑は通常の洗浄水で除去できるようになり、半導体素子25の表面に切削屑が残留しなくなる。この結果、製造された半導体素子25の表面は切削屑で汚染されなくなり、切削屑に起因する回路ショートが起きなくなる。また、回路素子がイメージセンサーの場合、イメージセンサーの表面のマイクロレンズ7を汚すこともなく、接着剤屑に起因する黒点発生不良が発生しなくなる。
(1)回路素子が形成されない半導体ウエハ1の第2の面に、紫外線照射によって劣化する接着剤層30bを一面に有するダイシングテープ30を貼り付けた後、マスク31を使用して紫外線照射を行って、半導体ウエハ1のスクライブ領域8に対応する接着剤層部分を紫外線によって劣化させて変質した接着剤層部分41とする。その後、ダイシングブレード11で半導体ウエハ1を切断する際、紫外線40が照射されずに接着力が高い部分(接着剤層30b)は切断せず、紫外線照射によって硬化した接着剤層部分(変質した接着剤層部分41)に沿って切断する。従って、ダイシング時、接着力が高い接着剤層30bをダイシングブレード11で切断しないため、接着力が高い接着剤による切削屑は発生しなくなり、半導体素子25の表面に付着する切削屑は通常の洗浄水で除去できるようになり、半導体素子25の表面に切削屑が残留しなくなる。この結果、製造された半導体素子25の表面は切削屑で汚染されなくなり、切削屑に起因する回路ショートが起きなくなる。また、回路素子がイメージセンサーの場合、イメージセンサーの表面のマイクロレンズ7を汚すこともなく、接着剤屑に起因する黒点発生不良が発生しなくなる。
(2)上記(1)により、品質の優れたイメージセンサーを形成した半導体素子25を安価に製造することができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野であるCMOSイメージセンサーが形成される半導体素子の製造方法に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、例えばCCDイメージセンサーが形成される半導体素子の製造方法にも適用できる。本発明は少なくとも半導体素子の製造に適用することができる。
1…半導体ウエハ、2…治具、3…枠、4…第1のテープ、4a…テープ基材、4b…接着剤層、5…枠収容溝、6…ウエハ収容窪み、6a…逃げ窪み、7…マイクロレンズ、8…スクライブ領域、10…赤外線カメラ、11…ダイシングブレード、11a…ダイシングブレード(幅小)、11b…ダイシングブレード(幅大)12…溝、13…紫外線(UV)、20…ダイシングテープ、20a…テープ基材、20b…接着剤層、25…半導体素子(半導体チップ)、30…ダイシングテープ、30a…テープ基材、30b…接着剤層、31…マスク、32…透過部、33…遮光部、35…回転ローラ、36…赤外線カメラ、40…紫外線(UV)、41…変質した接着剤層部分、42…溝、70…CMOSイメージセンサー、71…マイクロレンズ、72…接着剤屑。
Claims (5)
- (a)第1の面に縦横に所定ピッチで形成されるスクライブ領域に囲まれる各半導体素子形成部に回路素子を形成した半導体ウエハを準備する工程、
(b)前記半導体ウエハの前記第1の面に第1のテープを貼り付ける工程、
(c)前記半導体ウエハの前記第1の面の反対面となる第2の面に前記スクライブ領域に沿って溝を形成する工程、
(d)前記第1のテープを除去する工程、
(e)前記半導体ウエハの前記第2の面にダイシングテープを貼り付ける工程、
(f)前記半導体ウエハの前記第1の面から前記溝の底を除去するようにダイシングブレードで前記スクライブ領域に沿って切断して前記半導体ウエハを複数の半導体素子に形成する工程とを有することを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記工程(b)の前記第1のテープの貼り付けにおいては、
紫外線を透過しかつ一面に紫外線照射によって接着力が劣化する接着剤層を有する第1のテープを前記半導体ウエハに貼り付け、
前記工程(d)の第1のテープの剥離においては、
前記第1のテープに紫外線を照射して前記接着剤層の接着力を劣化させた後前記第1のテープを前記半導体ウエハから剥離することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記回路素子はイメージセンサーであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- (a)第1の面に縦横に所定ピッチで形成されるスクライブ領域に囲まれる各半導体素子形成部に回路素子を形成した半導体ウエハを準備する工程、
(b)前記半導体ウエハの前記第1の面の反対面となる第2の面に、テープ基材と、このテープ基材の一面に設けられかつ紫外線照射によって接着力が劣化する接着剤層とからなるダイシングテープを前記接着剤層を介して貼り付ける工程、
(c)前記スクライブ領域に対応する部分が光を透過する透過部となり、他の部分が光を遮断する遮光部となるマスクを、前記透過部が前記半導体ウエハの前記スクライブ領域に対面するように前記ダイシングテープに重ね合わせる工程、
(d)前記マスクに紫外線を照射して前記マスクの透過部に対応する前記ダイシングテープの前記接着剤層を劣化させる工程、
(e)ダイシングブレードによって前記半導体ウエハの前記第1の面から前記接着剤層の劣化部分に至る溝を前記スクライブ領域に沿って形成し、前記半導体ウエハを複数の半導体素子に形成する工程とを有することを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記回路素子はイメージセンサーであることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005031878A JP2006222142A (ja) | 2005-02-08 | 2005-02-08 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005031878A JP2006222142A (ja) | 2005-02-08 | 2005-02-08 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006222142A true JP2006222142A (ja) | 2006-08-24 |
Family
ID=36984267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005031878A Pending JP2006222142A (ja) | 2005-02-08 | 2005-02-08 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006222142A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008226982A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | デバイスの製造方法 |
JP2009010056A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Yamaha Corp | 識別マークの読取方法 |
US8247773B2 (en) | 2007-06-26 | 2012-08-21 | Yamaha Corporation | Method and apparatus for reading identification mark on surface of wafer |
CN103086318A (zh) * | 2013-01-11 | 2013-05-08 | 烟台睿创微纳技术有限公司 | 一种mems硅晶圆片划片切割和结构释放方法 |
JP2014003155A (ja) * | 2012-06-19 | 2014-01-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
JP2016207820A (ja) * | 2015-04-22 | 2016-12-08 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2020177963A (ja) * | 2019-04-16 | 2020-10-29 | 株式会社デンソー | 半導体チップの製造方法 |
CN112447560A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-03-05 | 青岛歌尔微电子研究院有限公司 | 一种切割辅助装置、芯片封装结构的切割方法、以及电子器件 |
-
2005
- 2005-02-08 JP JP2005031878A patent/JP2006222142A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008226982A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | デバイスの製造方法 |
JP2009010056A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Yamaha Corp | 識別マークの読取方法 |
US8247773B2 (en) | 2007-06-26 | 2012-08-21 | Yamaha Corporation | Method and apparatus for reading identification mark on surface of wafer |
JP2014003155A (ja) * | 2012-06-19 | 2014-01-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
CN103086318A (zh) * | 2013-01-11 | 2013-05-08 | 烟台睿创微纳技术有限公司 | 一种mems硅晶圆片划片切割和结构释放方法 |
JP2016207820A (ja) * | 2015-04-22 | 2016-12-08 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2020177963A (ja) * | 2019-04-16 | 2020-10-29 | 株式会社デンソー | 半導体チップの製造方法 |
CN112447560A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-03-05 | 青岛歌尔微电子研究院有限公司 | 一种切割辅助装置、芯片封装结构的切割方法、以及电子器件 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006222142A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
TWI404196B (zh) | 固體攝像元件模組之製造方法 | |
JP5751615B2 (ja) | ウエハ加工用粘着シート、該シートを用いたマーキング方法およびマーキングチップの製造方法 | |
JP5091066B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
US7495315B2 (en) | Method and apparatus of fabricating a semiconductor device by back grinding and dicing | |
TWI591753B (zh) | 用於固持一晶圓或晶圓子堆疊之真空吸頭之使用 | |
KR20030070361A (ko) | 이미지 센서 소자 웨이퍼 소잉 방법 | |
JP2007134390A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
KR20150142597A (ko) | 웨이퍼 가공 방법 | |
EP2014086B1 (en) | Method for mounting protective covers on image capture devices | |
JP2010103490A (ja) | 光学素子、光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器 | |
KR20080049845A (ko) | 고체 촬상 장치를 절단하는 방법 | |
KR102631710B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP2007214268A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2006196823A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JP6716403B2 (ja) | 積層ウェーハの加工方法 | |
KR102581138B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP2009086092A (ja) | 光学部品の製造方法及び撮影装置の製造方法 | |
JP2010129623A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
US6610167B1 (en) | Method for fabricating a special-purpose die using a polymerizable tape | |
US20090098711A1 (en) | Micromachine device processing method | |
US6572944B1 (en) | Structure for fabricating a special-purpose die using a polymerizable tape | |
JP2010129622A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
KR102619266B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
KR102581127B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 |