CN103086318A - 一种mems硅晶圆片划片切割和结构释放方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种MEMS硅晶圆片划片切割和结构释放方法，包括以下步骤：在MEMS硅晶圆片背面贴UV膜；根据硅晶圆片厚度，设置硅晶圆片的第一次划片的厚度或划片刀的刀高；第一次划片的厚度为硅晶圆片厚度的40～55%；设置第二次划片的厚度为所述硅晶圆片的残留硅厚度(全划透)或刀高为最后需要保留的残留硅厚度加UV膜厚度(半划透)；划片完成后,消除UV膜粘性的80%～90%；在UV膜上拾取芯片或取下整张硅晶圆片放在设有滤孔的托盘内；再将托盘放入去胶液中去胶；脱液和脱水；结构释放。采用两次划片工艺，解决了厚大芯片的蹦边，硅屑沾污，划片导致芯片内应力大的问题；同时，采用了设计的专用托盘，解决了MEMS硅晶圆片的划片和结构释放之间先后顺序的矛盾。

Description

一种MEMS硅晶圆片划片切割和结构释放方法

技术领域

本发明涉及一种MEMS硅晶圆片划片切割和结构释放方法，属于微机电系统微细加工和晶圆划片和切割方法。

背景技术

微机电系统（MEMS，Micro-electromechanical Systems）是一种基于微电子技术和微加工技术的一种高科技领域。MEMS技术可将机械构件、驱动部件、电控系统、数字处理系统等集成为一个整体的微型单元。MEMS器件具有微小、智能、可执行、可集成、工艺兼容性好、成本低等诸多优点。MEMS技术的发展开辟了一个全新的技术领域和产业，采用MEMS技术制作的微传感器、微执行器、微型构件、微机械光学器件、真空微电子器件、电力电子器件等在航空、航天、汽车、生物医学、环境监控、军事，物联网以及其他领域中都有着十分广阔的应用前景。

在MEMS器件的制造工艺中，很多复杂的三维或支撑结构都采用牺牲层释放工艺。即在形成微机械结构的空腔或可活动的微结构过程中，先在下层薄膜上用结构材料淀积所需的各种特殊结构件，再用刻蚀剂或蚀刻工艺气体将此层薄膜蚀刻掉，但不损伤微结构件，然后得到上层薄膜结构（空腔或微结构件）。由于被去掉的下层薄膜只起分离层作用，故称其为牺牲层（Sacrificial Layer）。常用的牺牲层材料有氧化硅、多晶硅、聚酰亚胺（Polyimide）等。利用牺牲层可制造出多种活动的微结构，如微型桥、悬臂梁、移动部件和质量块等。所以，MEMS器件制作完成后，MEMS结构释放（Release）是MEMS器件制造工艺中关键的一道工序。

MEMS晶圆需要在完成前道各种制造工序后进行切割划片，把圆片切割成单个的芯片（Die），然后进行测试封装。结构释放可以选择在划片之前进行，也可以选择在划片之后进行。但是，由于晶圆的芯片具有MEMS结构，所以在划片和结构释放的先后顺序上，二者存在矛盾，如果处理不好，会导致MEMS芯片损坏或全报废。

硅晶圆片划片和MEMS结构释放先后顺序的冲突问题：1）如果MEMS圆片先划片，那么不利于后面进行结构释放；2）如果MEMS圆片先进行结构释放，那么不利于后面进行划片操作。

原因在于：1）如果先划片，圆片分离为单个的Die，单个Die在后面清洗，去胶，结构释放过程中，需要进行反复的拾取，在拾取过程中，很容易损坏芯片的ASIC(Application Specific Integrated Circuit)电路和MEMS结构；或静电防护不到位，ASIC芯片电路被静电放电击穿失效。

2）如果先进行结构释放，传统的划片有冲水和清洗工艺，会导致MEMS结构破裂、桥损、甚至MEMS结构整体从ASIC电路上剥离；且划片过程中，会产生大量的硅屑沾污MEMS结构，导致MEMS结构无法进行正常的工作。如果是大芯片或晶圆没有经过一定的减薄处理，划片过程中很容易导致芯片崩边，裂纹，硅屑等异常。

且上述工艺在划片过程中，对于厚大芯片容易产生的蹦边，硅屑沾污，划片导致芯片内应力大的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种MEMS硅晶圆片划片切割和结构释放方法，克服现有技术中的划片工艺对于较厚的大芯片容易产生的蹦边，硅屑沾污，划片导致芯片内应力大的缺陷问题；另外由于晶圆的芯片具有MEMS结构，所以在划片和结构释放的先后顺序上，二者存在矛盾的缺陷。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种MEMS硅晶圆片划片切割和结构释放方法，包括以下步骤：

步骤1：贴UV膜,在MEMS硅晶圆片背面贴UV膜；

步骤2：第一次划片，将贴UV膜的硅晶圆片正面朝上放置在划片机的划片台上，根据硅晶圆片厚度，设置硅晶圆片的第一次划片的厚度或划片刀的刀高；第一次划片的厚度为硅晶圆片厚度的40%至55%；设置划片刀的进刀速度小于10毫米/秒；设置硅晶圆片的划片参数，对硅晶圆片进行对位操作，进行第一次划片；

步骤3：第二次划片，全划透时，设置第二次划片的厚度为所述硅晶圆片厚度或划片刀的刀高为UV膜厚度；半划透时，设置第二次划片的刀高为所述硅晶圆片需要保留的残留硅厚度加UV膜厚度，进行第二次划片；

步骤4：划片后，对硅晶圆片进行划片后的清洗和甩干。

步骤5：消除UV粘性，对划片后的硅晶圆片的背面的UV膜进行照射2～10分钟，消除UV膜粘性的80%～90%；

步骤6：湿法去胶，对半划片处理的硅晶圆片，揭下硅晶圆片背面的UV膜后，放置在设有滤孔的托盘内；对全划透处理的硅晶圆片，在UV膜上拾取芯片放在设有滤孔的十字架内；再将托盘放入去胶液中去胶；

步骤7：脱液和脱水，将放置硅晶圆片或芯片的托盘浸入异丙醇（IPA）溶液中脱液和脱水；

步骤8：结构释放，将放置硅晶圆片或芯片的托盘放在结构释放设备的工艺腔体（Chamber）中，进行结构释放。

本发明的有益效果是：采用了两次划片工艺，第一次划圆片总厚度的45～55%或40～45%,第二次划透或者残留的一小部分硅厚度（在后期可以轻压滚裂开的厚度）解决了厚大芯片的蹦边，硅屑沾污，划片导致芯片内应力大的问题，且由于采用了设有滤孔的托盘可以实现去胶、清洗、结构释放在同一托盘中进行，多硅晶圆片和多芯片可同时进行结构释放，作业效率高；成本低；不反复拾取芯片，良率高，降低了成本，提高了生产效率，更提高了产品的良率，解决了划片和结构释放的先后顺序上二者之间的矛盾，会导致MEMS芯片损坏或全报废问题。

在上述技术方案的基础上，本发明还可做如下改进。

进一步，还包括步骤9：对半划片处理的硅晶圆片，在结构释放后，对硅晶圆片的每个芯片进行电学测试；

步骤10：测试结束后，对于半划片处理的硅晶圆片进行背面第二次贴膜，在按照划片痕迹X或Y方向用手从硅晶圆片背面贴膜处把硅晶圆片顶裂开，从背面用塑料滚轮轻滚，确保所有的芯片完全分开；

步骤11：对步骤10处理后的硅晶圆片进行扩晶处理，使得芯片向四周扩散开。

采用上述进一步方案的有益效果是：对半划片处理的硅晶圆片，可以在结构释放后，经过第二次贴膜和扩晶处理使得芯片散开，利于后面芯片的拾取。

进一步，所述步骤11得到扩散开的芯片，每个芯片之间的间距大于120μm。

采用上述进一步方案的有益效果是：圆片结构释放后，进行扩晶工艺，使每个芯片在UV膜或蓝膜之间相对引申间距大于120μm，便于去除UV膜粘性后的芯片拾取。

进一步，包括步骤12，在拾取芯片前，对第二次贴膜的UV膜进行照射2～10分钟，然后进行芯片的筛选拾取，放置在设有滤孔的托盘内。对放置在设有滤孔的托盘内芯片进行取用时，使用真空吸笔，吸住芯片背面，把芯片从滤孔向上顶出，再用另一支真空吸笔吸取芯片。

进一步，所述托盘上设置有放置芯片的格子和放置硅晶圆片的十字架；所述托盘底部通过十字架隔开形成多个格子，每个所述格子内设置有两个相互平行的用来放置芯片的横梁；所述滤孔设置在所述横梁之间的托盘本体上。

采用上述进一步方案的有益效果是：由于采用了该托盘，芯片或硅晶圆片可以实现去胶，清洗，释放一体进行。托盘用石英材料制成，可用做芯片的存储。由于工艺中采用了该托盘，解决了划片和MEMS芯片去胶，清洗和结构释放先后之间的矛盾问题，并且防止半划透的硅晶圆片在划片后揭膜、去胶、清洗和结构释放过程中裂开的问题。

本发明还提供一种MEMS硅晶圆片划片切割和结构释放方法中使用的托盘，包括托盘本体，所述托盘本体底部上设置有滤孔，所述托盘本体底部通过十字架隔开形成多个格子,所述格子内设置有两个相互平行的用来放置芯片的横梁,所述滤孔设置在所述横梁之间的托盘本体上。

进一步，所述十字架的高度为4.0～6.0mm，宽度为2.5～3.5mm。

进一步，所述滤孔的直径为0.5cm。

进一步，每个所述格子内的两个相互平行的横梁之间的距离为0.8～1.2cm，长度为0.8～1.2cm，高度为1.8～2.0mm，宽度为1.8～2.0mm。

附图说明

图1为本发明一种MEMS硅晶圆片划片切割和结构释放方法中使用的托盘结构示意图；

图2为一种MEMS硅晶圆片划片切割和结构释放方法中使用的托盘结构示意图；

图3一种MEMS硅晶圆片划片切割和结构释放方法中使用的托盘另一种实施方式的结构示意图。

附图中，各标号所代表的部件列表如下：

1、托盘本体，2、十字架，3、滤孔，4、横梁，5、托盘把手，6、格子，7、盖子，8、硅晶圆，9、芯片。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。

实施例1

一种MEMS硅晶圆片划片切割和结构释放方法，包括以下步骤：

步骤1：贴UV膜,在MEMS硅晶圆片背面贴UV膜；将硅晶圆片正面朝下，背面朝上，下面垫一层无尘滤纸，大小和圆片一致，放置在贴膜机的正中央。从贴膜机后卷筒中拉出UV膜，长度超过贴片圆形铁环10cm，如膜局部有皱，还需要进一步拉紧，直到四周均匀、平整后，用滚轮轻撵使膜平整紧贴硅晶圆片背面及圆形铁环上；将超出圆形铁环上的UV膜切割掉。

步骤2：第一次划片，将贴UV膜的硅晶圆片正面朝上放置在划片机的划片台上，根据划片厚度设置硅晶圆片，根据硅晶圆片厚度，设置硅晶圆片的第一次划片的厚度或划片刀的刀高；全划透时，第一次划片的厚度为硅晶圆片厚度的50%；如675μm的6英寸硅晶圆片，全划透设置划片厚度为350μm，刀片厚度为35μm，设置划片刀的进刀速度小于10毫米/秒，进行低速划片；设置硅晶圆片的pitch（即芯片大小的X和Y方向的大小）大小及其它的划片参数，对硅晶圆片进行对位操作，对Ch1，进行θ轴方向调整，左右移动工作台并调整划片基准线，确认划片槽与划片基准线一致后，进一步进行确认，确认步进设置是否正确。确认OK后，进行CH2的划片道和步进确认。正式划片：确认好CH1,θ，CH2后，开始进行第一次划片。

步骤3：第一次划片后通过再次设置划片参数进行第二次划片。全划透时，设置第二次划片的厚度为所述硅晶圆片厚度或划片刀的刀高厚度为UV膜厚度；如675μm的6英寸硅晶圆片，全划透设置划片厚度为675μm；其它设置的参数不变。划片完成后，关闭划片机的真空，连同硅晶圆片小心取下贴片铁环。

步骤4：划片后，对硅晶圆片进行划片后的清洗和甩干；

步骤5：消除UV粘性，对划片后使用UV照射机对硅晶圆片的背面的UV膜进行照射2～10分钟，消除UV膜粘性的80%～90%即可；

步骤6：湿法去胶，对全划透处理的硅晶圆片，可以使用镊子小心从UV膜上拾取芯片放在设有滤孔的石英托盘内；再将石英托盘放入去胶液中去胶，去胶完成后，把托盘从去胶液中提取出来，去胶液和沾污颗粒可从托盘的滤孔流出；石英托盘可以根据需要和结构释放设备腔体的大小进行延伸，可以设计大尺寸的托盘，盛放几张圆片的芯片。

步骤7：脱液和脱水，然后再把盛装芯片的托盘浸入盛有异丙醇（IPA）溶液中脱液和脱水10分钟；然后可以使用氮气枪从正面小心对和芯片进行吹干处理。

步骤8：结构释放，将放置芯片的托盘放在结构释放设备的工艺腔体（Chamber）中，进行结构释放。在释放过程中，可以连托盘取出来，使用检查设备确认结构释放是否完成,否则，托盘放置调整60°～120°继续进行结构释放，调整托盘方向，可以提高释放的均匀性。在结构释放后，对硅晶圆片的每个芯片进行电学测试。

该方法中所使用的托盘可以采用本发明的一种MEMS硅晶圆片划片切割和结构释放方法中使用的托盘。且该托盘为石英材料，可以存放结构释放后的芯片。

实施例2

一种MEMS硅晶圆片划片切割和结构释放方法，包括以下步骤：

步骤1：贴UV膜，在MEMS硅晶圆片背面贴UV膜；将硅晶圆片正面朝下，背面朝上，下面垫一层无尘滤纸，大小和圆片一致，放置在贴膜机的正中央。从贴膜机后卷筒中拉出UV膜，长度超过贴片圆形铁环10cm，如膜局部有皱，还需要进一步拉紧，直到四周均匀、平整后，用滚轮轻撵使膜平整紧贴硅晶圆片背面及圆形铁环上；将超出圆形铁环上的UV膜切割掉。

步骤2：第一次划片，将贴UV膜的硅晶圆片正面朝上放置在划片机的划片台上，根据划片厚度设置硅晶圆片，根据硅晶圆片厚度，设置硅晶圆片的第一次划片的厚度或划片刀的刀高；半划透时，第一次划片的厚度或划片刀的刀高为硅晶圆片厚度的40～45%；如675的6英寸硅晶圆片，半划透设置划片厚度为270μm，刀片厚度为35μm，设置划片刀的进刀速度小于10毫米/秒，进行低速划片；设置硅晶圆片的pitch大小及其它的划片参数，对硅晶圆片进行对位操作，对CH1，进行θ轴方向调整，左右移动工作台并调整划片基准线，确认划片槽与划片基准线一致后，进行步进确认，确认步进设置是否正确。确认OK后，进行CH2的划片道和步进确认。正式划片，确认好CH1,θ，CH2后，开始进行第一次划片。

步骤3：第一次划片后通过再次设置划片参数进行第二次划片。半划透时，设置第二次划片的厚度为所述硅晶圆片厚度减去残留硅厚度或划片刀的刀高为需保留的硅厚度加UV膜的厚度；如675μm的6英寸硅晶圆片，半划透设置划片厚度为550μm；其它设置的参数不变。划片完成后，关闭划片机的真空，连同硅晶圆片小心取下贴片铁环。

步骤4：划片后，对硅晶圆片进行划片后的清洗和甩干；

步骤5：消除UV粘性，对划片后使用UV照射机对硅晶圆片背面的UV膜进行照射2～10分钟，消除UV膜粘性的80%～90%即可；

步骤6：湿法去胶，对半划片处理的硅晶圆片，揭下硅晶圆片背面的UV膜后，放置在设有滤孔的石英托盘内；再将石英托盘放入去胶液中去胶，去胶完成后，把托盘从去胶液中提取出来，去胶液和沾污颗粒可从托盘的滤孔流出；石英托盘可以根据需要和结构释放设备腔体的大小进行延伸，可以设计大尺寸的托盘，盛放几张圆片。

步骤7：脱液和脱水，然后再把盛装硅晶圆片的托盘浸入盛有异丙醇（IPA）溶液中脱液和脱水10分钟；然后可以使用氮气枪从正面小心对整个圆片进行吹干处理。也可以自然晾干。

步骤8：结构释放，将放置硅晶圆片的托盘放在结构释放设备的工艺腔体（Chamber）中，进行结构释放。在释放过程中，可以连托盘取出来，使用检查设备确认结构释放是否完成；否则，托盘放置调整60°～120°后继续进行结构释放，调整托盘方向，可以提高释放的均匀性。

步骤9：对半划片处理的硅晶圆片，在结构释放后，对硅晶圆片上的每个芯片（Die）进行电学测试。

步骤10：测试结束后，对于半划透片处理的硅晶圆片进行第二次贴膜：先把UV（或蓝膜）拉直绷紧在铁环上，然后小心把结构释放的圆片（背面）贴在UV膜（或蓝膜）上，并把圆片背面的气泡移出，再按照划片痕迹X或Y方向用手从硅晶圆片背面贴膜处把硅晶圆片顶裂开，从背面用塑料滚轮轻滚，确保所有的芯片完全分开。

步骤11：对步骤9处理后的硅晶圆片进行扩晶处理，使得芯片向四周扩散开，得到扩散开的芯片，每个芯片之间的间距大于120μm。扩晶后，把扩晶环外多余的UV膜划掉。

步骤12：在拾取芯片前，对第二次贴膜的UV膜进行照射2～10分钟，然后进行芯片的筛选拾取，放置在设有滤孔的托盘内。

对放置在设有滤孔的托盘内芯片进行取用时，使用真空吸笔，吸住芯片背面，把芯片从滤孔向上顶出，再用另一支真空吸笔吸住芯片的背面拾取芯片。可进行芯片结构释放后的封装，测试作业流程。

如图1所示，本发明还提供一种MEMS硅晶圆片划片切割和结构释放方法中使用的托盘，包括托盘本体1，所述托盘本体1底部上设置有滤孔3，所述托盘上设置有放置芯片的格子6；所述托盘本体1底部通过十字架2隔开成多个格子，每个所述格子6内设置有用来放置芯片的横梁4；所述滤孔3设置在所述横梁4之间的托盘本体1上。托盘的两侧可以设置有托盘把手5，还包括与托盘适配的盖子7。

本发明托盘为一种MEMS硅晶圆片切割和结构释放方法中使用的托盘，由于采用了十字架将托盘底部分隔成若干的格子，每个格子可以单独放置芯片9，避免了工艺和存放过程中，芯片之间相互叠在一起，损坏MEMS结构的情况发生，且可减少单独为MEMS芯片9，MEMS晶圆8去胶，清洗，结构释放和MEMS芯片，MEMS圆片存放采购专用工具等成本。

用来放置芯片的横梁可以使两个相互平行的的两个小凸条。

由于在每个格子内设置有两个相互平行的横梁，所述的横梁可以上可以放置芯片，进而不用移动芯片即可实现去胶，清洗，将溶液通过滤孔滤掉。

所述十字架的高度为4.0～6.0mm，宽度为2.5～3.5mm。所述滤孔的直径为0.5cm。

每个所述格子内的两个相互平行的横梁之间的距离为0.8～1.2cm，长度为0.8～1.2cm，高度为1.8～2.0mm，宽度为1.8～2.0mm。

还包括托盘盖子7，与所述托盘相互适配，且可以直接用来存放芯片（Die）。芯片不取用时，可以直接使用本发明的托盘做为MEMS芯片和MEMS圆片的存储盒，盖上托盘盖子，把芯片放在氮气存储柜或真空箱中进行保存。

本发明托盘可以再实现硅晶圆片8或芯片9的去胶，清洗，释放和储存均可以在托盘中进行而不用移动圆片或者芯片。

在划片过程中产生的少量硅屑沾污在去胶和清洗的过程中，MEMS芯片可以平放在托盘的每个格子中的两相互平行的横梁（小凸条）上，在不移动硅晶圆片和MEMS芯片的情况下，使硅屑从托盘底部的通孔随液体自动流出。且因为石英托盘的每个格子内布满了小孔，也利于IPA对芯片脱水干燥，也方便后期取用芯片时使用真空吸笔，从芯片的背面把芯片吸住顶出使用，而不是夹取芯片进行操作，防止了夹取损坏芯片；更为重要的是可以同时进行多片或多芯片的结构释放工艺，极大地提高了生产效率。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种MEMS硅晶圆片划片切割和结构释放方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：贴UV膜,在MEMS硅晶圆片背面贴UV膜；对硅晶圆片正面进行涂胶保护；

步骤2：第一次划片，将贴UV膜的硅晶圆片正面朝上放置在划片机的划片台上，根据硅晶圆片厚度，设置硅晶圆片的第一次划片的厚度或划片刀的刀高；第一次划片的厚度为硅晶圆片厚度的40～55%；设置划片刀的进刀速度小于10毫米/秒；设置硅晶圆片的划片切割参数，对硅晶圆片进行对位操作，进行第一次划片；

步骤3：第二次划片，全划透时，设置第二次划片的厚度为所述硅晶圆片厚度或划片刀的刀高为UV膜厚度；半划透时，设置第二次划片的刀高为所述硅晶圆片需要保留的残留硅厚度加UV膜厚度，进行第二次划片；

步骤4：划片后，对硅晶圆片进行划片后的清洗和甩干；

步骤5：消除UV粘性，对划片后的硅晶圆片的背面粘贴的UV膜进行照射2～10分钟，消除UV膜粘性的80%～90%；

步骤6：湿法去胶，对半划透的硅晶圆片，揭下硅晶圆片背面的UV膜后，放置在设有滤孔的托盘内；对全划透的硅晶圆片，在UV膜上拾取芯片放在设有滤孔的托盘格子内；再将托盘放入去胶液中去胶；

步骤7：去胶后，脱液和脱水，将放置硅晶圆片或芯片的托盘浸入异丙醇（IPA）溶液中脱液和脱水；

步骤8：结构释放，将放置硅晶圆片或芯片的托盘放在结构释放设备的工艺腔体中，进行结构释放。

2.根据权利要求1所述一种MEMS硅晶圆片划片切割和结构释放方法，其特征在于，还包括步骤9：对半划片处理的硅晶圆片，在结构释放后，对硅晶圆片的每个芯片进行电学测试；

步骤10：测试结束后，对于半划片处理的硅晶圆片进行背面第二次贴膜，再按照划片痕迹X或Y方向用手从硅晶圆片背面贴膜处把硅晶圆片顶裂开，从背面用塑料滚轮轻滚，确保所有的芯片完全分开；

步骤11：对步骤10处理后的硅晶圆片进行扩晶处理，使芯片向四周扩散开。

3.根据权利要求2所述一种MEMS硅晶圆片划片切割和结构释放方法，其特征在于，所述步骤11得到扩散开的芯片，每个芯片之间的间距大于120μm。

4.根据权利要求3所述一种MEMS硅晶圆片划片切割和结构释放方法，其特征在于，包括步骤12，在拾取芯片前，对第二次贴膜的UV膜进行照射2～10分钟，然后进行芯片的筛选拾取，放置在设有滤孔的托盘格子内。

5.根据权利要求1至4任一项所述一种MEMS硅晶圆片划片切割和结构释放方法，其特征在于，所述托盘上设置有放置芯片的格子和放置圆片的十字架；所述托盘底部通过十字架隔开形成多个格子，每个所述格子内设置有两个相互平行的用来放置芯片的横梁；所述滤孔设置在所述横梁之间的托盘本体上。

6.根据权利要求1至4任一项所述一种MEMS硅晶圆片划片切割和结构释放方法，其特征在于，全划透时，第一次划片的厚度为硅晶圆片厚度的50-55%；半划透时，第一次划片的厚度为硅晶圆片厚度的40-45%。

7.一种MEMS硅晶圆片划片切割和结构释放方法中使用的托盘，包括托盘本体，其特征在于，所述托盘本体底部上设置有滤孔，所述托盘本体底部通过十字架隔开形成多个格子,所述格子内设置有两个相互平行的用来放置芯片的横梁,所述滤孔设置在所述横梁之间的托盘本体上。

8.根据权利要求7所述的一种MEMS硅晶圆片划片切割和结构释放方法中使用的托盘，其特征在于，所述十字架的高度为4.0～6.0mm，宽度为2.5～3.5mm。

9.根据权利要求7所述的一种MEMS硅晶圆片划片切割和结构释放方法中使用的托盘，其特征在于，所述滤孔的直径为0.5cm。

10.根据权利要求7至9任一项所述的一种MEMS硅晶圆片划片切割和结构释放方法中使用的托盘，其特征在于，每个所述格子内的两个相互平行的横梁之间的距离为0.8～1.2cm，长度为0.8～1.2cm，高度为1.8～2.0mm，宽度为1.8～2.0mm。

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