JPH0430558A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 半導体装置の製造方法、特に半導体ウェーハのダイシン
グ方法に関し、 短絡障害等の原因となる微小破片等の発生を減少させる
ことが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目
的とし、 ［１１ウェーハ１の表面１＾側に粘着テープ１２を貼付
する工程と回転するダイシングソー２１により該ウェー
ハ１をその表面がメタライズされている背面１Ｂ側から
格子状に切断して複数のチップ２に分割する工程とを有
し、前記のダイシングソー２１によりウェーハ１を切断
する工程はダウンカット方式でフルカットするように構
成し、［２１又は前記のダイシングソー２１によりウェ
ーハ１を切断する工程は先ずダウンカット方式でハーフ
カットした後アップカット方式で更に切り込んでフルカ
ットするように構成し、［３］　前記の［１］　又は［
２］　において粘着テープ１２の粘着材は紫外線硬化性
粘着材であるように構成する。

〔産業上の利用分野］ 本発明は、半導体装置の製造方法、特に半導体ウェーへ
のダイシング方法に関する。

半導体装置を製造するには、先ずウェーハの状態で多数
のチップ分の素子形成を一括して行い、その後これを個
々のチップに分割する（これをダイシングと呼ぶ）。近
年、このダイシングは回転するダイシングソーにより切
断して分割する方式が一般的となっている。このダイシ
ングは、当初はダイシングソーでウェーハの厚さの一部
が残るように切断（これをハーフカットと呼ぶ）した後
、クランキングによりチップに分割していたが、微小破
片が生じ易いため最近ではダイシングソーでウェーハの
全厚を切断（これをフルカットと呼ぶ）する方式が主流
となっている。

〔従来の技術〕

従来のウェーハのダイシング方法の代表例を第４図によ
り説明する。

第４１（ａ）〜（ｂ）は従来のダイシング方法を示す模
式断面図である。同図中、１はウェーハであり、その表
面１Ａには素子が形成されており、一方、その背面１Ｂ
には素子が形成されておらず、金属膜が被着されている
場合がある。２はウェーハｌをダイシングして得た複数
個のチップであり、その表面２Ａ側には素子が形成され
ており、一方、背面２Ｂには金属膜が被着されている場
合がある。１４は粘着テープであり、片面に紫外線硬化
型粘着材を有しており、フレーム１４ａに張着されてい
る。２１はダイシング装置（図示は省略）のダイシング
ソーである。

先ず素子形成を終えたウェーハ１の背面１Ｂ側に粘着テ
ープ１４を貼付する。次にウェーハ１の表面１Ａ側を上
に向けてダイシング装置上に固定し、回転するダイシン
グソー２１によりウェーハ１の表面１Ａ側からそのスク
ライブラインに沿ってフルカット方式で格子状に切断す
る（同図（ａ）参照）。その後粘着テープ１４に紫外線
を照射してその粘着力を弱め（同図（ｂ）参照）、各チ
ップ２を粘着テープ１４から剥離する。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところがこのような従来の方法では、特につ工−ハの背
面側に金属膜が被着されている場合には、切断時にチッ
プのエツジ部分にその金属のパリが多数生じると共に、
ウェーハの破片がこの金属のパリに付着して残り、これ
らがその後の工程でのハンドリング等で脱落して導電性
の微小破片となり、チップ表面等に付着してしばしば短
絡障害を引き起こす、という問題があった。本発明は、
このような問題を解決して、短絡障害等の原因となる微
小破片等の発生を減少させることが可能な半導体装置の
製造方法を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段］ この目的は、本発明によれば、［１１ウェーハ１の表面
１Ａ側に粘着テープ１２を貼付する工程と回転するダイ
シングソー２１により該ウェーハ１をその表面がメタラ
イズされている背面１Ｂ側から格子状に切断して複数の
チップ２に分割する工程とを有し、前記のダイシングソ
ー２１によりウェーハ１を切断する工程はダウンカット
方式でフルカットすることを特徴とする半導体装置の製
造方法とすることで、［２１又は前記のダイシングソー
２１によりウェーハ１を切断する工程は先ずダウンカッ
ト方式でハーフカットした後アップカット方式で更に切
り込んでフルカットすることを特徴とする半導体装置の
製造方法とすることで、［３］前記の［１］又は（２］
　において粘着テープ１２の粘着材は紫外線硬化性粘着
材であることを特徴とする半導体装置の製造方法とする
ことで、達成される。

〔作用〕

一般に、シリコンウェーハを軟質の粘着テープに貼付し
て水平に固定し、回転するダイシングソーでフルカット
する場合、ダウンカット方式（ソーの回転方向に工作物
を送る方式）ではウエーノ＼の上面のエツジには殆どシ
リコンの欠けを生じないが、下面のエツジには多少のシ
リコンの欠けを生ずる。ウェーハ両面に金属が被着され
ていると、ウェーハの上面のエツジには金属のパリもシ
リコンの欠けも殆ど発生しないが、下面のエツジには多
くの金属のパリとシリコンの欠けを生ずる。アップカッ
ト方式（ソーの回転に逆らって工作物を送る方式）の場
合には、固定が強固でないために上向きの切削力によっ
てウェーハに振動を生ずることが原因で、特に金属のパ
リがダウンカットの場合よりもかなり多（なる。

従って、片面に金属が被着されているウェーハの場合に
は、金属が被着されている面を上にしてダウンカット方
式でフルカットすると、ウェーハの上面のエツジには金
属のパリもシリコンの欠けも殆ど発生せず、下面のエツ
ジも多少のシリコンの欠けを生ずる程度で済むことにな
る。

又、上記と同様、金属が被着されている面を上にし、先
ずダウンカット方式で上面側をハーフカットし、その後
このハーフカットにより出来た溝に沿ってアッパカット
方式で残りを切断してフルカットとすれば、両面のエツ
ジ共にシリコンの欠けも金属のパリも殆ど発生しない。

（実施例） 本発明に基づくダイシングの第一の実施例を第１図及び
第２図により説明する。

第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の第一の実施例の工程を
示す模式断面図である。同図中、■はウェーハであり、
厚さは約６００１１ｍである。その表面１Ａ側には素子
が形成されており、一方、背面１Ｂには金属膜（金、チ
タン金、等）が被着されている。

２はウェーハｌをダイシングして得た複数個のチップで
あり、その表面２Ａ側には素子が形成されており、一方
、背面２Ｂには金属膜が被着されている。

１１．１２．１３はそれぞれ第一の粘着テープ、第二の
粘着テープ、第三の粘着テープである。これらはいずれ
も厚さは約１００μｍであり、片面に紫外線硬化型粘着
材を有している。これらはそれぞれフレームｌｌａ　、
　１２ａ　、１３ａに張着されている。２１はダイシン
グ装置（図示は省略）のダイシングソーであり、２２は
ローラであり、２３は台である。

第２図（ａ）、（ｂ）は本発明の実施例における基準線
作成方法の説明図である。同図中、ＩＳはウェーハ１の
スクライブラインであり、１ｘは作成した基準線である
。

最初にウェーハ１に位置合わせ用の基準線ＩＸを作成す
る。これは本発明ではウェーハ１の背面ＩＳ側を上に向
けてダイシングする関係でスクライブラインを直接観察
することが出来ないため、これに代わるものとして作成
するものである。先ずウェーハ１の背面ＩＳ側を第一の
粘着テープ１１に貼付する。ウェーハ１の表面１Ａ側を
上に向けてダイシング装置上に固定し、ウェーハｌのス
クライブラインＩＳに平行にダイシングソー２１により
ウェーハ１をフルカットする。その結果得られるエツジ
が基準線ＩＸとなる。基準線ｌＸはＸ方向、Ｙ方向、各
−本設ける（第１図（ａ）、第２図参照）。尚、この基
準線ＩＸは第２図（ａ）のようにウェーハ１の周辺部に
設けるが、第２図（ｂ）のようにスクライブラインＩＳ
上に設けてもよい。次に第一の粘着テープ１１に紫外線
を照射してその粘着力を弱める（第１図（ｂ）参照）。

その後第−の粘着テープ１１からウェーハ１を剥離し、
今度はその表面１Ａ側を第二の粘着テープ１２に貼付す
る。ウェーハ１の背面ＩＳ側を上に向けてダイシング装
置上に固定し、基準線１ｘにより位置合わせし、ダイシ
ングソー２１によりウェーハｌをスクライブラインＩＳ
に沿って格子状に（Ｘ方向及びＹ方向に）ダウンカット
方式でフルカットする（第１図（ｃ）参照）。これによ
りウェーハ１は多数のチップ２に分割される。次に第二
の粘着テープ１２に紫外線を照射してその粘着力を弱め
る（第１図（ｄ）参照）。

次に第三の粘着テープ１３を台２３上に載置した第二の
粘着テープ１２に対向させ、ローラ２２により第三の粘
着テープ１３をチップ２の背面２Ｂに押圧して接着する
（第１図（ｅ）参照）。次に第二の粘着テープ１２をチ
ップ２の表面２Ａから剥離する。その後、第三の粘着テ
ープ１３に紫外線を照射してその粘着力を弱め（第１図
（ｆ）参照）、各チップ２を粘着テープ１３から剥離す
る。

本発明に基づくダイシングの第二の実施例を第３図によ
り説明する。第３図（ａ）　、（ｂ）は本発明の第二の
実施例の工程の一部を示す模式断面図である。同図にお
ける各部の記号は総て第１図と同じである。

この実施例は前述の第一の実施例とはウエーノ＼１をダ
イシングソー２１によりスクライブラインＩＳ（第２図
参照）に沿って格子状に切断する工程だけが相違し、他
は同一であるため、この切断工程だけを説明する。基準
線ＬＸ　（第２図参照）の作成を終えたウェーハ１の背
面１Ｂ側を上に向けてダイシング装置上に固定し、基準
線ＩＸにより位置合わせし、ダイシングソー２１により
ウェーハ１をスクライブラインＩｓ　（第２図参照）に
沿って格子状にダウンカット方式でハーフカットする（
同図（ａ）参照）。切り残し厚さは７０〜１００μｍ程
度とする。

引続きアップカット方式で更に切り込んでフルカットす
る（同図（ｂ）参照）。その他の工程は前述の第一の実
施例と同一であるから省略する。

以上の二つの実施例の方法で得たチップ２は、その背面
２Ｂ側のエツジ部の金属のパリとシリコンの欠けは極め
て僅少となった。又その表面２Ａへの粘着材の付着は・
全く認められなかった。

本発明は以上の実施例に限定されることなく、更に種々
変形して実施出来る。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、短絡障害等の原
因となる微小破片等の発生を減少させることが可能な半
導体装置の製造方法を提供することが出来、半導体装置
等製造工程の歩留り向上と半導体装置の信転性向上に寄
与するところが大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第一の実施例の工程を示す模式断面図
、 第２図は本発明の実施例における基準線作成方法の説明
図、 第３図は本発明の第二の実施例の工程の一部を示す模式
断面図、 第４図は従来のダイシング方法を示す模式断面図、であ
る。 図中、１はウェーハ、 １Ａは表面、 １Ｂは背面、 ２はチップ、 １１は第一の粘着テープ、 １２は第二の粘着テープ（粘着テープ）、１３は第三の
粘着テープ、 はダイシングソー、 である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ［１］ウェーハ（１）の表面（１Ａ）側に粘着テープ（
   １２）を貼付する工程と、 回転するダイシングソー（２１）により該ウェーハ（１
   ）をその表面がメタライズされている背面（１Ｂ）側か
   ら格子状に切断して複数のチップ（２）に分割する工程
   と、を有し、 前記のダイシングソー（２１）によりウェーハ（１）を
   切断する工程はダウンカット方式でフルカットするもの
   であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 ［２］ウェーハ（１）の表面（１Ａ）側に粘着テープ（
   １２）を貼付する工程と、 回転するダイシングソー（２１）により該ウェーハ（１
   ）をその表面がメタライズされている背面（１Ｂ）側か
   ら格子状に切断して複数のチップ（２）に分割する工程
   と、を有し、 前記のダイシングソー（２１）によりウェーハ（１）を
   切断する工程は先ずダウンカット方式でハーフカットし
   た後アップカット方式で更に切り込んでフルカットする
   ものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。 ［３］前記の粘着テープ（１２）の粘着材は紫外線硬化
   性粘着材であることを特徴とする請求項１又は２記載の
   半導体装置の製造方法。