JP2014013812A - SiC基板の加工方法 - Google Patents
SiC基板の加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014013812A JP2014013812A JP2012150403A JP2012150403A JP2014013812A JP 2014013812 A JP2014013812 A JP 2014013812A JP 2012150403 A JP2012150403 A JP 2012150403A JP 2012150403 A JP2012150403 A JP 2012150403A JP 2014013812 A JP2014013812 A JP 2014013812A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sic substrate
- cutting
- cutting blade
- holding means
- held
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 76
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
【解決手段】保持手段に保持され、Siが露出したSi面とSi面の反対側の面でCが露出したC面とから表面及び裏面が形成されるSiC基板に切削ブレードを切り込ませて個々のチップに分割する場合において、切削ブレードとSiC基板との接触点における切削ブレードの回転方向を、C面側からSi面側に向かう方向としてSiC基板を切削することで、チップの欠けを減少させることができるとともに。大きな欠けの発生を抑制する。
【選択図】図5
Description
すなわち、本発明では、切削ブレードとSiC基板との接触点における切削ブレードの回転方向を、C面側からSi面側に向かう方向としてSiC基板を切削することにより、チップの欠けを減少させることができるとともに、大きな欠けの発生を抑制することができる。
切削水 : 純水1リットル/分
切削ブレードの回転数 : 30000rpm
切り込み深さ : 300μm
加工送り速度 : 20mm/秒
超音波周波数 : 50kHz
超音波電圧 : 50V
超音波振幅 : 5μm
2:保持手段
3:切削手段
30:スピンドル 31:ハウジング
32:切削工具 320:基台 321:切削ブレード
33:モータ 330:ロータ 331:ステータ
4:加工送り手段
5:超音波振動子
6:ロータリートランス 60:受電手段 61:給電手段
70:超音波電源部 71:電源
8:SiC基板
8a:Si面(表面) S:分割予定ライン D:デバイス
8b:C面(裏面)
80:長辺部 81:短辺部
T:保護部材 F:フレーム
Claims (4)
- 被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物を切削する切削ブレードを回転可能に備えた切削手段と、該保持手段と該切削手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、を少なくとも備えた切削装置を用いてSiC基板を個々のチップに分割するSiC基板の加工方法であって、
SiC基板は、Siが露出したSi面と、該Si面の反対側の面でCが露出したC面と、から表面及び裏面が形成され、
該切削ブレードとSiC基板との接触点における該切削ブレードの回転方向をC面側からSi面側に向かう方向としてSiC基板を切削するSiC基板の加工方法。 - SiC基板のC面側が保護部材を介して保持手段に保持されている場合は、接触点における切削ブレードの回転方向は、加工送り方向に対して逆方向である請求項1に記載のSiC基板の加工方法。
- SiC基板のSi面側が保護部材を介して保持手段に保持されている場合は、接触点における切削ブレードの回転方向は、加工送り方向に対して順方向である請求項1に記載のSiC基板の加工方法。
- 切削ブレードに超音波が付与される請求項1、2または3に記載のSiC基板の加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012150403A JP2014013812A (ja) | 2012-07-04 | 2012-07-04 | SiC基板の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012150403A JP2014013812A (ja) | 2012-07-04 | 2012-07-04 | SiC基板の加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014013812A true JP2014013812A (ja) | 2014-01-23 |
Family
ID=50109332
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012150403A Pending JP2014013812A (ja) | 2012-07-04 | 2012-07-04 | SiC基板の加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014013812A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017228660A (ja) * | 2016-06-22 | 2017-12-28 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2019161078A (ja) * | 2018-03-14 | 2019-09-19 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR20200099488A (ko) | 2019-02-14 | 2020-08-24 | 가부시기가이샤 디스코 | 척 테이블 및 검사 장치 |
KR20200141930A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-21 | 가부시기가이샤 디스코 | 환상의 지석 |
DE102023131433A1 (de) | 2022-11-15 | 2024-05-16 | Denso Corporation | Herstellungsverfahren für halbleiterbauelement |
JP7523938B2 (ja) | 2020-04-10 | 2024-07-29 | 株式会社ディスコ | SiC基板の切削方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5715438A (en) * | 1980-06-30 | 1982-01-26 | Nec Home Electronics Ltd | Dicing method |
JPH0430558A (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-03 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2005340431A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2008159864A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 超音波振動子を備えた切削工具 |
JP2010118573A (ja) * | 2008-11-14 | 2010-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2014011280A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体ウェーハのダイシング方法及び半導体装置の製造方法 |
-
2012
- 2012-07-04 JP JP2012150403A patent/JP2014013812A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5715438A (en) * | 1980-06-30 | 1982-01-26 | Nec Home Electronics Ltd | Dicing method |
JPH0430558A (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-03 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2005340431A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2008159864A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 超音波振動子を備えた切削工具 |
JP2010118573A (ja) * | 2008-11-14 | 2010-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2014011280A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体ウェーハのダイシング方法及び半導体装置の製造方法 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017228660A (ja) * | 2016-06-22 | 2017-12-28 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
WO2017221577A1 (ja) * | 2016-06-22 | 2017-12-28 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
US20190035684A1 (en) * | 2016-06-22 | 2019-01-31 | Denso Corporation | Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device |
JP2019161078A (ja) * | 2018-03-14 | 2019-09-19 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US10636708B2 (en) | 2018-03-14 | 2020-04-28 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
KR20200099488A (ko) | 2019-02-14 | 2020-08-24 | 가부시기가이샤 디스코 | 척 테이블 및 검사 장치 |
US11152246B2 (en) | 2019-02-14 | 2021-10-19 | Disco Corporation | Chuck table and inspection apparatus |
DE102020201863B4 (de) | 2019-02-14 | 2024-02-22 | Disco Corporation | Einspanntisch und Untersuchungsvorrichtung |
KR20200141930A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-21 | 가부시기가이샤 디스코 | 환상의 지석 |
JP7523938B2 (ja) | 2020-04-10 | 2024-07-29 | 株式会社ディスコ | SiC基板の切削方法 |
DE102023131433A1 (de) | 2022-11-15 | 2024-05-16 | Denso Corporation | Herstellungsverfahren für halbleiterbauelement |
EP4372795A1 (en) | 2022-11-15 | 2024-05-22 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2014013812A (ja) | SiC基板の加工方法 | |
JP6230422B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2009246098A (ja) | ウエーハの研削方法 | |
JP6166106B2 (ja) | サファイア基板の加工方法 | |
JP2015164751A (ja) | 歯車加工装置 | |
JP2010245254A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6066672B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2014123601A (ja) | 研削装置及び研削方法 | |
JP2015174180A (ja) | 超音波面取り機 | |
JP2015123514A (ja) | 加工方法 | |
JP5837815B2 (ja) | 被加工物の分割方法 | |
JP2011171451A (ja) | 砥石工具による加工方法および加工装置 | |
JP5244548B2 (ja) | 保持テーブルおよび加工装置 | |
JP5574913B2 (ja) | 研削装置 | |
JP2010245253A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6125357B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5911714B2 (ja) | 分割方法 | |
JP2012091305A (ja) | 旋削加工装置及び旋削加工方法 | |
JP6066673B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
KR20210126496A (ko) | SiC 기판의 절삭 방법 | |
JP2015126022A (ja) | 加工方法 | |
TWM411311U (en) | Operating table ultrasonic device for tooling machine | |
JP2007290046A (ja) | 切削工具 | |
JP2008105114A (ja) | ハブブレードおよび切削装置 | |
JP2014090126A (ja) | 切削方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20150428 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150629 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160616 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160616 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160812 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20161115 |