JP2014011280A - 半導体ウェーハのダイシング方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】化合物半導体を材料とし第1主面112側にデバイス形成面を有する半導体ウェーハ110をダイシングする半導体ウェーハのダイシング方法であって、第1主面112側とは反対側の第2主面114側から入り込んで第1主面112側から抜け出るようにダイシングブレード200を回転させるとともにダイシングブレード200を相対的に移動させながら半導体ウェーハ110をダイシングすることを特徴とする半導体ウェーハのダイシング方法。
【選択図】図2
Description
図13は、従来の半導体ウェーハのダイシング方法を用いて化合物半導体を材料とする半導体ウェーハをダイシングする場合の問題点を説明するために示す図である。なお、図中、符号Pはダイシングブレードにかかる圧力を示す。
まず、実施形態1に係る半導体装置の製造方法を、実施形態1に係る半導体ウェーハのダイシング方法とともに説明する。
図1は、実施形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するために示すフローチャートである。
図2は、実施形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図2(a)〜図2(e)は各工程図である。なお、図2(e)中、符号Pはダイシングブレードにかかる圧力を示す。
図3は、実施形態1における半導体ウェーハ110を説明するために示す図である。
図4は、実施形態1における半導体ウェーハ110を説明するために示す図である。図4(a)は第1主面側スクライブライン形成工程を実施した後の半導体ウェーハ110における第1主面112の平面図を示し、図4(b)は図4(a)の破線枠aで囲まれた領域の拡大図を示し、図4(c)は第1主面側スクライブライン形成工程を実施した後の半導体ウェーハ110における第2主面114の平面図を示し、図4(d)は図4(c)の破線枠bで囲まれた領域の拡大図を示す。
まず、化合物半導体を材料とし第1主面112側に複数のデバイス形成面120を有する半導体ウェーハ110を準備して、当該デバイス形成面120にデバイス(図示せず。)を形成する(図2(a)参照。)。複数のデバイス形成面120は、隣り合うデバイス形成面120が所定の間隔を有するように形成されており、全体としてマス目状のパターンを構成している。
次に、図2(b)及び図4(a)に示すように、デバイス形成面120を区切るように第1主面112側に第1主面側スクライブライン116を形成する。具体的には、まず、第1主面112側にレジストを塗布する。次に、第1主面側スクライブライン116を形成する領域のレジストを感光させて除去する。その後、残ったレジストをマスクとしてドライエッチングを行う。このようにして第1主面側スクライブライン116を形成する。その後、レジストを除去する。
次に、図2(c)及び図4(c)に示すように、第1主面側スクライブライン116を基準として第2主面114にスクライブライン118を形成する。具体的には、第1主面側スクライブライン116が形成されている位置と対応する第2主面114側の位置にレーザー光を集光し、第1主面側スクライブライン116をなぞるようにレーザー光を2次元的にスキャンしてスクライブライン118を形成する。スクライブライン形成工程S13においては、第1主面112側からレーザー光を照射する。照射するレーザー光は、波長が266nm〜355nmの紫外線レーザーである。レーザー光のスキャン速度は、例えば10〜100mm/秒である。レーザー光の加工出力は、3W以下であり、例えば、2.0W〜2.5Wの範囲内にある。
次に、図2(d)に示すように、ダイシングを行う台(図示せず。)と第1主面112とを固定用テープ210を介して第2主面114側が上になるように半導体ウェーハ110を固定する。次に、図2(e)に示すように、第2主面114側から入り込んで第1主面112側から抜け出るようにダイシングブレード200を回転させるとともにダイシングブレード200をスクライブライン118に沿って移動させながら半導体ウェーハ110をダイシングする。このように、半導体ウェーハ110をダイシングして半導体ウェーハ110を半導体装置ごとに切り分けることにより半導体装置を製造する。
図5は、変形例1に係る半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図5(a)〜図5(e)は各工程図を示す図である。なお、図5(e)中、符号Pはダイシングブレードにかかる圧力を示す。
図6は、実施形態2に係る半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。
図7は、実施形態3に係る半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。
図8は、実施形態4に係る半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図8(a)は第1主面側スクライブライン形成工程を実施した後の半導体ウェーハ110における第2主面114の平面図を示し、図8(b)は図8(a)の破線枠bで囲まれた領域の拡大図を示す。
実施形態5に係る半導体装置の製造方法は、基本的には実施形態1に係る半導体装置の製造方法と同様の工程を有するが、半導体ウェーハの種類が実施形態1に係る半導体装置の製造方法の場合とは異なる。すなわち、実施形態4に係る半導体装置の製造方法において、半導体ウェーハ110は、GaNウェーハである。
図9は、実施形態6における半導体ウェーハを説明するために示す図である。図9(a)はGaAsウェーハのGa面を示す図であり、図9(b)はGaAsウェーハのAs面を示す図である。
Claims (13)
- 化合物半導体を材料とし第1主面側にデバイス形成面を有する半導体ウェーハをダイシングする半導体ウェーハのダイシング方法であって、
前記第1主面側とは反対側の第2主面側から入り込んで前記第1主面側から抜け出るようにダイシングブレードを回転させるとともに前記ダイシングブレードを相対的に移動させながら前記半導体ウェーハをダイシングすることを特徴とする半導体ウェーハのダイシング方法。 - 請求項1に記載の半導体ウェーハのダイシング方法において、
前記半導体ウェーハは、前記第1主面における半導体ウェーハの硬さが前記第2主面における半導体ウェーハの硬さよりも硬いことを特徴とする半導体ウェーハのダイシング方法。 - 請求項1又は2に記載の半導体ウェーハのダイシング方法において、
前記半導体ウェーハの第1主面及び第2主面は、共に六方晶の(0001)面であることを特徴とする半導体ウェーハのダイシング方法。 - 請求項3に記載の半導体ウェーハのダイシング方法において、
前記半導体ウェーハは、SiCウェーハであることを特徴とする半導体ウェーハのダイシング方法。 - 請求項3に記載の半導体ウェーハのダイシング方法において、
前記半導体ウェーハは、GaNウェーハであることを特徴とする半導体ウェーハのダイシング方法。 - 請求項1又は2に記載の半導体ウェーハのダイシング方法において、
前記半導体ウェーハの第1主面及び第2主面は、共に立方晶の(111)面であることを特徴とする半導体ウェーハのダイシング方法。 - 化合物半導体を材料とし第1主面側にデバイス形成面を有する半導体ウェーハを準備する半導体ウェーハ準備工程と、
請求項1〜6のいずれかに記載の半導体ウェーハのダイシング方法を用いて半導体ウェーハをダイシングして半導体装置を製造するダイシング工程とをこの順序で含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項7に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体ウェーハ準備工程は、
前記デバイス形成面を区切るように前記第1主面側に第1主面側スクライブラインを形成する第1主面側スクライブライン形成工程と、
前記第1主面側スクライブラインを基準として前記第2主面側にスクライブラインを形成するスクライブライン形成工程とをこの順序で含み、
前記ダイシング工程は、前記スクライブラインに沿って前記半導体ウェーハをダイシングする工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項7に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体ウェーハ準備工程は、
前記第1主面側に位置決めマークを形成する位置決めマーク形成工程と、
前記位置決めマークを基準として前記第2主面側にスクライブラインを形成するスクライブライン形成工程とをこの順序で含み、
前記ダイシング工程は、前記スクライブラインに沿って前記半導体ウェーハをダイシングする工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項7に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体ウェーハ準備工程は、
前記第1主面側における前記デバイス形成面の所定のパターンを基準として前記第2主面側にスクライブラインを形成するスクライブライン形成工程を含み、
前記ダイシング工程は、前記スクライブラインに沿って前記半導体ウェーハをダイシングする工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8〜10のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記スクライブライン形成工程においては、レーザー光を照射することによって前記スクライブラインを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項11に記載の半導体装置の製造方法において、
前記スクライブライン形成工程においては、レーザー光を前記第1主面側から照射することによって前記スクライブラインを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項11又は12に記載の半導体装置の製造方法において、
前記スクライブライン形成工程においては、前記半導体ウェーハをダイシングする際に前記第2主面における前記ダイシングブレードが入り込む領域に前記レーザー光を照射することによって前記スクライブラインを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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