JPH07131069A - 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法Info
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- JPH07131069A JPH07131069A JP30094093A JP30094093A JPH07131069A JP H07131069 A JPH07131069 A JP H07131069A JP 30094093 A JP30094093 A JP 30094093A JP 30094093 A JP30094093 A JP 30094093A JP H07131069 A JPH07131069 A JP H07131069A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 サファイアを基板とする窒化ガリウム系化合
物半導体ウエハーをチップ状に切断するに際し、切断面
のクラック、チッピングの発生を防止し、歩留良く、所
望の形状、サイズに切断する方法を提供する。 【構成】 サファイア基板１上に窒化物半導体を積層し
たウエハーの窒化物半導体面に所望のチップ形状で第一
の割り溝１１を線状に形成し、第一の割り溝１１の線と
合致する位置で、ウエハーのサファイア基板１面に新た
に第二の割り溝２２を線状に形成して、前記第一の割り
溝１１の線幅（Ｗ１）よりも、第二の割り溝２２の線幅
（Ｗ２）を狭く調整した後、第一の割り溝１１と、第二
の割り溝２２に沿ってウエハーをチップ状に分離する。
物半導体ウエハーをチップ状に切断するに際し、切断面
のクラック、チッピングの発生を防止し、歩留良く、所
望の形状、サイズに切断する方法を提供する。 【構成】 サファイア基板１上に窒化物半導体を積層し
たウエハーの窒化物半導体面に所望のチップ形状で第一
の割り溝１１を線状に形成し、第一の割り溝１１の線と
合致する位置で、ウエハーのサファイア基板１面に新た
に第二の割り溝２２を線状に形成して、前記第一の割り
溝１１の線幅（Ｗ１）よりも、第二の割り溝２２の線幅
（Ｗ２）を狭く調整した後、第一の割り溝１１と、第二
の割り溝２２に沿ってウエハーをチップ状に分離する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、青色、緑色あるいは赤
色発光ダイオード、レーザーダイオード等の発光デバイ
スに使用される窒化ガリウム系化合物半導体チップの製
造方法に係り、特に、サファイア基板上に一般式ＩｎX
ＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦X＜１、０≦Y＜１）で表される
窒化ガリウム系化合物半導体（以下、窒化物半導体と記
載する。）が積層された窒化物半導体ウエハーをチップ
状に切断する方法に関する。
色発光ダイオード、レーザーダイオード等の発光デバイ
スに使用される窒化ガリウム系化合物半導体チップの製
造方法に係り、特に、サファイア基板上に一般式ＩｎX
ＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦X＜１、０≦Y＜１）で表される
窒化ガリウム系化合物半導体（以下、窒化物半導体と記
載する。）が積層された窒化物半導体ウエハーをチップ
状に切断する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に発光ダイオード、レーザダイオー
ド等の発光デバイスにはステム上に発光源である半導体
チップが設けられている。半導体チップを構成する材料
として、例えば赤色、橙色、黄色、緑色ダイオードの場
合ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＰ等が知られており、
また青色ダイオードであればＺｎＳｅ、ＩｎＡｌＧａ
Ｎ、ＳｉＣ等が知られている。
ド等の発光デバイスにはステム上に発光源である半導体
チップが設けられている。半導体チップを構成する材料
として、例えば赤色、橙色、黄色、緑色ダイオードの場
合ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＰ等が知られており、
また青色ダイオードであればＺｎＳｅ、ＩｎＡｌＧａ
Ｎ、ＳｉＣ等が知られている。
【０００３】従来、半導体材料が積層されたウエハーか
ら、発光デバイス用のチップに切り出す装置には一般に
ダイサー、またはスクライバーが使用されている。ダイ
サーとは一般にダイシングソーとも呼ばれ、刃先をダイ
ヤモンドとするブレードの回転運動により、ウエハーを
直接フルカットするか、または刃先巾よりも広い巾の溝
を切り込んだ後（ハーフカット）、外力によってウエハ
ーを割る装置である。一方、スクライバーとは同じく先
端をダイヤモンドとする針の往復直線運動によりウエハ
ーに極めて細いスクライブライン（罫書線）を例えば碁
盤目状に引いた後、外力によってウエハーを割る装置で
ある。
ら、発光デバイス用のチップに切り出す装置には一般に
ダイサー、またはスクライバーが使用されている。ダイ
サーとは一般にダイシングソーとも呼ばれ、刃先をダイ
ヤモンドとするブレードの回転運動により、ウエハーを
直接フルカットするか、または刃先巾よりも広い巾の溝
を切り込んだ後（ハーフカット）、外力によってウエハ
ーを割る装置である。一方、スクライバーとは同じく先
端をダイヤモンドとする針の往復直線運動によりウエハ
ーに極めて細いスクライブライン（罫書線）を例えば碁
盤目状に引いた後、外力によってウエハーを割る装置で
ある。
【０００４】例えばＧａＰ、ＧａＡｓ等のせん亜鉛構造
の結晶はへき開性が＜１１０＞方向にあるため、この性
質を利用してスクライバーでこの方向にスクライブライ
ンを入れることにより簡単にチップ状に破断できる。
の結晶はへき開性が＜１１０＞方向にあるため、この性
質を利用してスクライバーでこの方向にスクライブライ
ンを入れることにより簡単にチップ状に破断できる。
【０００５】しかしながら、一般に窒化物半導体はサフ
ァイア基板の上に積層されるため、そのウエハーは六方
晶系というサファイア結晶の性質上へき開性を有してお
らず、スクライバーで切断することは困難であった。一
方、ダイサーで切断する場合においても、窒化物半導体
ウエハーは、前記したようにサファイアの上に窒化物半
導体を積層したいわゆるヘテロエピタキシャル構造であ
り格子定数不整が大きく、また熱膨張率も異なるため、
窒化物半導体がサファイア基板から剥がれやすいという
問題があった。さらにサファイア、窒化物半導体両方と
もモース硬度がほぼ９と非常に硬い物質であるため、切
断面にクラック、チッピングが発生しやすくなり正確に
切断することができなかった。
ァイア基板の上に積層されるため、そのウエハーは六方
晶系というサファイア結晶の性質上へき開性を有してお
らず、スクライバーで切断することは困難であった。一
方、ダイサーで切断する場合においても、窒化物半導体
ウエハーは、前記したようにサファイアの上に窒化物半
導体を積層したいわゆるヘテロエピタキシャル構造であ
り格子定数不整が大きく、また熱膨張率も異なるため、
窒化物半導体がサファイア基板から剥がれやすいという
問題があった。さらにサファイア、窒化物半導体両方と
もモース硬度がほぼ９と非常に硬い物質であるため、切
断面にクラック、チッピングが発生しやすくなり正確に
切断することができなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】窒化物半導体の結晶性
を傷めずに、ウエハーを正確にチップ状に分離すること
ができれば、チップ形状を小さくでき、一枚のウエハー
から多くのチップが得られるので生産性を向上させるこ
とができる。従って、本発明はこのような事情を鑑みて
なされたもので、その目的とするところは、サファイア
を基板とする窒化物半導体ウエハーをチップ状に分離す
るに際し、切断面のクラック、チッピングの発生を防止
し、歩留良く、所望の形状、サイズを得るチップの製造
方法を提供することにある。
を傷めずに、ウエハーを正確にチップ状に分離すること
ができれば、チップ形状を小さくでき、一枚のウエハー
から多くのチップが得られるので生産性を向上させるこ
とができる。従って、本発明はこのような事情を鑑みて
なされたもので、その目的とするところは、サファイア
を基板とする窒化物半導体ウエハーをチップ状に分離す
るに際し、切断面のクラック、チッピングの発生を防止
し、歩留良く、所望の形状、サイズを得るチップの製造
方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の窒化物半導体チ
ップの製造方法は、サファイア基板上に窒化物半導体を
積層したウエハーの窒化物半導体面に所望のチップ形状
で第一の割り溝を線状に形成する工程と、前記第一の割
り溝の線と合致する位置で、前記ウエハーのサファイア
基板面に新たに第二の割り溝を線状に形成すると共に、
前記第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも、第二の割り溝
の線幅（Ｗ２）を狭く調整する工程と、前記第一の割り
溝、および前記第二の割り溝に沿って前記ウエハーをチ
ップ状に分離する工程とを具備することを特徴とする。
ップの製造方法は、サファイア基板上に窒化物半導体を
積層したウエハーの窒化物半導体面に所望のチップ形状
で第一の割り溝を線状に形成する工程と、前記第一の割
り溝の線と合致する位置で、前記ウエハーのサファイア
基板面に新たに第二の割り溝を線状に形成すると共に、
前記第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも、第二の割り溝
の線幅（Ｗ２）を狭く調整する工程と、前記第一の割り
溝、および前記第二の割り溝に沿って前記ウエハーをチ
ップ状に分離する工程とを具備することを特徴とする。
【０００８】本発明の製造方法において、第一の割り溝
を形成するには、最も好ましくはウエットエッチング、
ドライエッチング等のエッチングを用いる。なぜならエ
ッチングが最も窒化物半導体表面、側面を傷めにくいか
らである。ドライエッチングであれば、例えば反応性イ
オンエッチング、イオンミリング、集束ビームエッチン
グ、ＥＣＲエッチング等の手法を用いることができ、ウ
エットエッチングであれば、例えば硫酸とリン酸の混酸
を用いることができる。但し、エッチングを行う前に、
窒化物半導体表面に、所望のチップ形状となるように、
所定の形状のマスクを形成することは言うまでもない。
また、エッチングの他、ダイシングによるハーフカッ
ト、スクライブ等を使用してもよいが、ダイシングは窒
化物半導体の表面、側面を物理的に傷め易く、サファイ
ア基板と、窒化物半導体層との界面にストレスが係り、
窒化物半導体がサファイア基板から剥がれ易い傾向にあ
り、またスクライブは、第二の割り溝よりも広い割り溝
を形成することが難しいため、あまり好ましいとはいえ
ない。
を形成するには、最も好ましくはウエットエッチング、
ドライエッチング等のエッチングを用いる。なぜならエ
ッチングが最も窒化物半導体表面、側面を傷めにくいか
らである。ドライエッチングであれば、例えば反応性イ
オンエッチング、イオンミリング、集束ビームエッチン
グ、ＥＣＲエッチング等の手法を用いることができ、ウ
エットエッチングであれば、例えば硫酸とリン酸の混酸
を用いることができる。但し、エッチングを行う前に、
窒化物半導体表面に、所望のチップ形状となるように、
所定の形状のマスクを形成することは言うまでもない。
また、エッチングの他、ダイシングによるハーフカッ
ト、スクライブ等を使用してもよいが、ダイシングは窒
化物半導体の表面、側面を物理的に傷め易く、サファイ
ア基板と、窒化物半導体層との界面にストレスが係り、
窒化物半導体がサファイア基板から剥がれ易い傾向にあ
り、またスクライブは、第二の割り溝よりも広い割り溝
を形成することが難しいため、あまり好ましいとはいえ
ない。
【０００９】次に、第二の割り溝をサファイア基板側に
形成するには、エッチング、ダイシング、スクライブ等
の手法を用いることができる。第二の割り溝はサファイ
ア基板側に形成し、直接窒化物半導体層にダイサー、ス
クライバー等の刃先が触れることはないので、この工程
では第二の割り溝を形成する手法は特に問わないが、そ
の中でも特に好ましくはスクライブを用いる。なぜな
ら、スクライブは第二の割り溝の線幅を、第一の割り溝
の線幅よりも狭くしやすく、また、エッチングに比べて
迅速に割り溝を形成できる。さらに、ダイシングに比べ
て、ウエハー切断時にサファイア基板を削り取る面積が
少なくて済むので、単一ウエハーから多くのチップが得
られるという利点がある。
形成するには、エッチング、ダイシング、スクライブ等
の手法を用いることができる。第二の割り溝はサファイ
ア基板側に形成し、直接窒化物半導体層にダイサー、ス
クライバー等の刃先が触れることはないので、この工程
では第二の割り溝を形成する手法は特に問わないが、そ
の中でも特に好ましくはスクライブを用いる。なぜな
ら、スクライブは第二の割り溝の線幅を、第一の割り溝
の線幅よりも狭くしやすく、また、エッチングに比べて
迅速に割り溝を形成できる。さらに、ダイシングに比べ
て、ウエハー切断時にサファイア基板を削り取る面積が
少なくて済むので、単一ウエハーから多くのチップが得
られるという利点がある。
【００１０】また、第二の割り溝を形成する前に、サフ
ァイア基板側を研磨して薄くすることが好ましい。研磨
後のサファイア基板の厚さは２００μｍ以下、さらに好
ましくは１５０μｍ以下に調整することが望ましい。な
ぜなら、窒化物半導体ウエハーは、サファイア基板の厚
さが通常３００〜８００μｍ、その上に積層された窒化
物半導体の厚さが多くとも数十μｍあり、そのほとんど
がサファイア基板の厚さで占められている。しかも、前
記したように窒化物半導体は格子定数、および熱膨張率
の異なる材料の上に積層されているため、非常に切断し
にくい性質を有している。サファイア基板の厚さが厚す
ぎると、後に第二の割り溝を形成してウエハーを分離す
る際、第一の割り溝と、第二の割り溝とを合致させた位
置で割りにくくなる傾向にある。つまり、図１のａの破
線に示すように、第一の割り溝線の中央線と、第二の割
り溝線の中央線が一致した位置でウエハーをチップ状に
分離できることが最も好ましいのであるが、ウエハーの
厚みが厚すぎると、その位置が、同じく図１のｃの破線
に示すように斜めになって割れ、ｐ−ｎ接合界面まで切
断されて、目的としない形状でチップ化されやすい傾向
にある。従って、サファイア基板を前記範囲内に研磨し
て薄くすることにより、前記割り溝の合致位置、つまり
目的とするチップ形状で、ウエハーをさらに分離しやす
くすることができる。基板の厚さの下限値は特に問わな
いが、あまり薄くすると研磨中にウエハー自体が割れ易
くなるため、実用的な値としては５０μｍ以上が好まし
い。
ァイア基板側を研磨して薄くすることが好ましい。研磨
後のサファイア基板の厚さは２００μｍ以下、さらに好
ましくは１５０μｍ以下に調整することが望ましい。な
ぜなら、窒化物半導体ウエハーは、サファイア基板の厚
さが通常３００〜８００μｍ、その上に積層された窒化
物半導体の厚さが多くとも数十μｍあり、そのほとんど
がサファイア基板の厚さで占められている。しかも、前
記したように窒化物半導体は格子定数、および熱膨張率
の異なる材料の上に積層されているため、非常に切断し
にくい性質を有している。サファイア基板の厚さが厚す
ぎると、後に第二の割り溝を形成してウエハーを分離す
る際、第一の割り溝と、第二の割り溝とを合致させた位
置で割りにくくなる傾向にある。つまり、図１のａの破
線に示すように、第一の割り溝線の中央線と、第二の割
り溝線の中央線が一致した位置でウエハーをチップ状に
分離できることが最も好ましいのであるが、ウエハーの
厚みが厚すぎると、その位置が、同じく図１のｃの破線
に示すように斜めになって割れ、ｐ−ｎ接合界面まで切
断されて、目的としない形状でチップ化されやすい傾向
にある。従って、サファイア基板を前記範囲内に研磨し
て薄くすることにより、前記割り溝の合致位置、つまり
目的とするチップ形状で、ウエハーをさらに分離しやす
くすることができる。基板の厚さの下限値は特に問わな
いが、あまり薄くすると研磨中にウエハー自体が割れ易
くなるため、実用的な値としては５０μｍ以上が好まし
い。
【００１１】また基板を研磨して薄くする他に、図２に
示すように、第二の割り溝２２をエッチング、ダイシン
グ等の手法によって、サファイア基板１に深く形成する
ことにより、部分的にサファイア基板１の厚さを薄くし
て、第一の割り溝１１との切断距離を短くしてもよい。
示すように、第二の割り溝２２をエッチング、ダイシン
グ等の手法によって、サファイア基板１に深く形成する
ことにより、部分的にサファイア基板１の厚さを薄くし
て、第一の割り溝１１との切断距離を短くしてもよい。
【００１２】
【作用】本発明の製造方法の作用を図面を元に説明す
る。図１ないし図４は本発明の製造方法の一工程を説明
する図である。図１はサファイア基板１の上にｎ型窒化
物半導体層２（ｎ型層）と、ｐ型窒化物半導体層３（ｐ
型層）とを積層したウエハーの模式断面図である。それ
らの窒化物半導体層側には所定のチップ形状になるよう
に、第一の割り溝１１を線状に形成しており、さらに第
一の割り溝１１の線幅より狭い線幅の第二の割り溝２２
を、第一の割り溝１１の線の中央線と一致する位置で形
成した状態を示している。但し、この図では、第一の割
り溝はｐ型層３をエッチングして、ｎ型層２を露出する
ように形成しており、第二の割り溝はスクライブで形成
している。図１に示すように、ウエハーは第一の割り溝
１１と第二の割り溝２２の中央線が一致した点、つまり
破線ａで示す位置でまっすぐに切断できることが最も好
ましいが、仮に破線ｂで示すように切断線が曲がって
も、第一の割り溝１１の線幅Ｗ１を、第二の割り溝２２
の線幅Ｗ２よりも広く形成してあるため、切断位置がｐ
−ｎ接合界面にまで及ばず、チップ不良がでることがな
い。
る。図１ないし図４は本発明の製造方法の一工程を説明
する図である。図１はサファイア基板１の上にｎ型窒化
物半導体層２（ｎ型層）と、ｐ型窒化物半導体層３（ｐ
型層）とを積層したウエハーの模式断面図である。それ
らの窒化物半導体層側には所定のチップ形状になるよう
に、第一の割り溝１１を線状に形成しており、さらに第
一の割り溝１１の線幅より狭い線幅の第二の割り溝２２
を、第一の割り溝１１の線の中央線と一致する位置で形
成した状態を示している。但し、この図では、第一の割
り溝はｐ型層３をエッチングして、ｎ型層２を露出する
ように形成しており、第二の割り溝はスクライブで形成
している。図１に示すように、ウエハーは第一の割り溝
１１と第二の割り溝２２の中央線が一致した点、つまり
破線ａで示す位置でまっすぐに切断できることが最も好
ましいが、仮に破線ｂで示すように切断線が曲がって
も、第一の割り溝１１の線幅Ｗ１を、第二の割り溝２２
の線幅Ｗ２よりも広く形成してあるため、切断位置がｐ
−ｎ接合界面にまで及ばず、チップ不良がでることがな
い。
【００１３】図２は第二の割り溝２２をエッチング、ま
たはダイシングにより形成し、サファイア基板１をハー
フカットした状態を示している。この図では第二の割り
溝２２の深さを深くして、第一の割り溝との切断距離を
短くすることにより、第一の割り溝の中央線と、第二の
割り溝の中央線とが一致した位置でまっすぐに割ること
ができる。
たはダイシングにより形成し、サファイア基板１をハー
フカットした状態を示している。この図では第二の割り
溝２２の深さを深くして、第一の割り溝との切断距離を
短くすることにより、第一の割り溝の中央線と、第二の
割り溝の中央線とが一致した位置でまっすぐに割ること
ができる。
【００１４】図３は第一の割り溝１１のエッチング深さ
を深くした状態を示しているが、この図も図２と同じく
第一の割り溝１１と、第二の割り溝２２との切断距離を
短くすることにより、割り溝が一致した位置でまっすぐ
に切断することができる。このように割り溝を深く形成
してチップを分離する際には、割り溝１１の底部と、割
り溝２２との底部との距離を２００μｍ以下として、サ
ファイア基板１の厚さを薄くすることが好ましく、サフ
ァイア基板１の厚さを部分的に薄くすることにより、両
割り溝が合致した位置でまっすぐ切断できる。なお、割
り溝２２を深く形成するのは、サファイア基板を研磨し
た後（２００μｍ以上の厚さで研磨する場合）でも、研
磨する前でもかまわないが、スクライブによってその深
さを深くするのは困難である。
を深くした状態を示しているが、この図も図２と同じく
第一の割り溝１１と、第二の割り溝２２との切断距離を
短くすることにより、割り溝が一致した位置でまっすぐ
に切断することができる。このように割り溝を深く形成
してチップを分離する際には、割り溝１１の底部と、割
り溝２２との底部との距離を２００μｍ以下として、サ
ファイア基板１の厚さを薄くすることが好ましく、サフ
ァイア基板１の厚さを部分的に薄くすることにより、両
割り溝が合致した位置でまっすぐ切断できる。なお、割
り溝２２を深く形成するのは、サファイア基板を研磨し
た後（２００μｍ以上の厚さで研磨する場合）でも、研
磨する前でもかまわないが、スクライブによってその深
さを深くするのは困難である。
【００１５】このように図２、図３では第一の割り溝１
１の深さ、第二の割り溝２２の深さを深くすることによ
り、切断距離を短くしてまっすぐに割れるようにしてい
るが、前述のようにサファイア基板１を研磨して、２０
０μｍ以下の厚さとすれば、図１のように第二の割り溝
２２をスクライブで形成しただけでも、ほぼまっすぐに
割ることができる。なお基板を研磨して２００μｍ以下
に調整すれば、第二の割り溝の深さを深くする必要がな
いことはいうまでもない。
１の深さ、第二の割り溝２２の深さを深くすることによ
り、切断距離を短くしてまっすぐに割れるようにしてい
るが、前述のようにサファイア基板１を研磨して、２０
０μｍ以下の厚さとすれば、図１のように第二の割り溝
２２をスクライブで形成しただけでも、ほぼまっすぐに
割ることができる。なお基板を研磨して２００μｍ以下
に調整すれば、第二の割り溝の深さを深くする必要がな
いことはいうまでもない。
【００１６】図４は、図１に示すウエハーを窒化物半導
体層側からみた平面図であり、第一の割り溝１１の形状
を示していると同時に、チップ形状も示している。この
図では、ｐ型層３を予めｎ層の電極が形成できる線幅で
エッチングして、第一の割り溝１１を形成し、さらにｐ
型層３の隅部を半弧状に切り欠いた形状としており、こ
の切り欠いた部分にｎ層の電極を形成することができ
る。
体層側からみた平面図であり、第一の割り溝１１の形状
を示していると同時に、チップ形状も示している。この
図では、ｐ型層３を予めｎ層の電極が形成できる線幅で
エッチングして、第一の割り溝１１を形成し、さらにｐ
型層３の隅部を半弧状に切り欠いた形状としており、こ
の切り欠いた部分にｎ層の電極を形成することができ
る。
【００１７】このように、本発明の方法では、第一の割
り溝１１の線幅Ｗ１を、第二の割り溝２２の線幅Ｗ２よ
りも広くしているので、仮に切断線が斜めとなってウエ
ハーが切断された場合でも、ｐ−ｎ接合界面まで切断面
が入らずチップ不良が出ることがなく、一枚のウエハー
から多数のチップを得ることができる。そして、さらに
好ましくウエハーのサファイア基板を研磨するか、また
は第二の割り溝の深さを深くすることにより、所望とす
る切断位置で正確に分離することができる。
り溝１１の線幅Ｗ１を、第二の割り溝２２の線幅Ｗ２よ
りも広くしているので、仮に切断線が斜めとなってウエ
ハーが切断された場合でも、ｐ−ｎ接合界面まで切断面
が入らずチップ不良が出ることがなく、一枚のウエハー
から多数のチップを得ることができる。そして、さらに
好ましくウエハーのサファイア基板を研磨するか、また
は第二の割り溝の深さを深くすることにより、所望とす
る切断位置で正確に分離することができる。
【００１８】
【実施例】［実施例１］厚さ４００μｍ、大きさ２イン
チφのサファイア基板の上に順にｎ型ＧａＮ層を５μｍ
と、ｐ型ＧａＮ層とを１μｍ積層したウエハーを用意す
る。
チφのサファイア基板の上に順にｎ型ＧａＮ層を５μｍ
と、ｐ型ＧａＮ層とを１μｍ積層したウエハーを用意す
る。
【００１９】次にこのｐ型ＧａＮ層の上に、フォトリソ
グラフィー技術によりＳｉＯ2よりなるマスクをかけた
後、エッチングを行い、図４に示す形状で第一の割り溝
を形成する。但し、第一の割り溝の深さはおよそ２μｍ
とし、線幅（Ｗ１）８０μｍ、３５０μｍピッチとす
る。この第一の割り溝の線幅、ピッチを図４に示してい
る。
グラフィー技術によりＳｉＯ2よりなるマスクをかけた
後、エッチングを行い、図４に示す形状で第一の割り溝
を形成する。但し、第一の割り溝の深さはおよそ２μｍ
とし、線幅（Ｗ１）８０μｍ、３５０μｍピッチとす
る。この第一の割り溝の線幅、ピッチを図４に示してい
る。
【００２０】以上のようにして、第一の割り溝を形成し
た後、ウエハーのサファイア基板側を研磨器により研磨
して、基板を８０μｍの厚さにラッピング、およびポリ
ッシングする。ポリッシングで基板表面を鏡面均一と
し、容易にサファイア基板面から第一の割り溝が確認で
きるようする。
た後、ウエハーのサファイア基板側を研磨器により研磨
して、基板を８０μｍの厚さにラッピング、およびポリ
ッシングする。ポリッシングで基板表面を鏡面均一と
し、容易にサファイア基板面から第一の割り溝が確認で
きるようする。
【００２１】次に、ｐ型ＧａＮ層側に粘着テープを貼付
し、スクライバーのテーブル上にウエハーを張り付け、
真空チャックで固定する。テーブルはＸ軸（左右）、Ｙ
軸（前後）方向に移動することができ、回転可能な構造
となっている。固定後、スクライバーのダイヤモンド針
で、サファイア基板をＸ軸方向に３５０μｍピッチ、深
さ５μｍ、線幅５μｍで一回スクライブする。テーブル
を９０゜回転させて今度はＹ軸方向に同様にしてスクラ
イブする。このようにして３５０μｍ角のチップになる
ようにスクライブラインを入れ、第二の割り溝を形成す
る。ただし、第二の割り溝を形成する位置は、前記第一
の割り溝の線の中央線と一致した位置とする。
し、スクライバーのテーブル上にウエハーを張り付け、
真空チャックで固定する。テーブルはＸ軸（左右）、Ｙ
軸（前後）方向に移動することができ、回転可能な構造
となっている。固定後、スクライバーのダイヤモンド針
で、サファイア基板をＸ軸方向に３５０μｍピッチ、深
さ５μｍ、線幅５μｍで一回スクライブする。テーブル
を９０゜回転させて今度はＹ軸方向に同様にしてスクラ
イブする。このようにして３５０μｍ角のチップになる
ようにスクライブラインを入れ、第二の割り溝を形成す
る。ただし、第二の割り溝を形成する位置は、前記第一
の割り溝の線の中央線と一致した位置とする。
【００２２】スクライブ後、真空チャックを解放し、ウ
エハーをテーブルから剥し取り、サファイア基板側から
軽くローラーで押さえることにより、２インチφのウエ
ハーから３５０μｍ角のチップを多数得た。チップの切
断面にクラック、チッピング等が発生しておらず、外形
不良の無いものを取りだしたところ、歩留は９８％以上
であった。
エハーをテーブルから剥し取り、サファイア基板側から
軽くローラーで押さえることにより、２インチφのウエ
ハーから３５０μｍ角のチップを多数得た。チップの切
断面にクラック、チッピング等が発生しておらず、外形
不良の無いものを取りだしたところ、歩留は９８％以上
であった。
【００２３】［実施例２］実施例１のサファイア基板を
研磨する工程において、サファイア基板の厚さを１５０
μｍとする他は同様にして、３５０μｍ角のチップを得
たところ、歩留は９５％以上であった。
研磨する工程において、サファイア基板の厚さを１５０
μｍとする他は同様にして、３５０μｍ角のチップを得
たところ、歩留は９５％以上であった。
【００２４】［実施例３］実施例１のサファイア基板を
研磨する工程において、サファイア基板の厚さを２００
μｍとする他は同様にして、３５０μｍ角のチップを得
たところ、歩留は９０％以上であった。
研磨する工程において、サファイア基板の厚さを２００
μｍとする他は同様にして、３５０μｍ角のチップを得
たところ、歩留は９０％以上であった。
【００２５】［実施例４］実施例１の第二の割り溝を形
成する工程において、スクライバーの代わりにダイサー
を用い、線幅２０μｍ、深さ１０μｍ、同じく３５０μ
ｍピッチでハーフカットして第二の割り溝を形成する他
は同様にして、３５０μｍ角のチップを得たところ、同
じく歩留は９８％以上であった。
成する工程において、スクライバーの代わりにダイサー
を用い、線幅２０μｍ、深さ１０μｍ、同じく３５０μ
ｍピッチでハーフカットして第二の割り溝を形成する他
は同様にして、３５０μｍ角のチップを得たところ、同
じく歩留は９８％以上であった。
【００２６】［実施例５］実施例１において、第一の割
り溝を形成した後、サファイア基板を研磨せずにウエハ
ーをダイサーにセットし、サファイア基板側を線幅２０
μｍ、深さ３００μｍでダイシングして第二の割り溝を
形成する他は同様にして、３５０μｍ角のチップを得た
ところ、歩留は９５％以上であった。
り溝を形成した後、サファイア基板を研磨せずにウエハ
ーをダイサーにセットし、サファイア基板側を線幅２０
μｍ、深さ３００μｍでダイシングして第二の割り溝を
形成する他は同様にして、３５０μｍ角のチップを得た
ところ、歩留は９５％以上であった。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の方法によ
ると、へき開性を有していない窒化物半導体ウエハーで
も、スクライブ、ダイサー、レーザー等の手法により、
歩留よく正確に切断することができ、生産性が向上す
る。また図１に示すように第一の割り溝を形成すれば、
第一の割り溝の表面に電極を形成することもできる。
ると、へき開性を有していない窒化物半導体ウエハーで
も、スクライブ、ダイサー、レーザー等の手法により、
歩留よく正確に切断することができ、生産性が向上す
る。また図１に示すように第一の割り溝を形成すれば、
第一の割り溝の表面に電極を形成することもできる。
【図１】 本発明の製造方法の一工程を説明する模式断
面図。
面図。
【図２】 本発明の製造方法の一工程を説明する模式断
面図。
面図。
【図３】 本発明の製造方法の一工程を説明する模式断
面図。
面図。
【図４】 本発明の製造方法の一工程を説明する平面
図。
図。
【符号の説明】 １・・・・サファイア基板 ２・・・・ｎ型層 ３・・・・ｐ型層 １１・・・第一の割り溝 ２２・・・第二の割り溝
Claims (5)
- 【請求項１】 サファイア基板上に窒化ガリウム系化合
物半導体を積層したウエハーの窒化ガリウム系化合物半
導体面に所望のチップ形状で第一の割り溝を線状に形成
する工程と、 前記第一の割り溝の線と合致する位置で、前記ウエハー
のサファイア基板面に新たに第二の割り溝を線状に形成
すると共に、前記第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも、
第二の割り溝の線幅（Ｗ２）を狭く調整する工程と、 前記第一の割り溝、および前記第二の割り溝に沿って前
記ウエハーをチップ状に分離する工程とを具備すること
を特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造
方法。 - 【請求項２】 前記第二の割り溝を形成する前に、前記
ウエハーのサファイア基板側を研磨して、サファイア基
板の厚さを２００μｍ以下に調整する工程を具備するこ
とを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物
半導体チップの製造方法。 - 【請求項３】 前記第二の割り溝を形成する工程におい
て、第二の割り溝の深さを深くして、第一の割り溝の底
部と、第二の割り溝の底部との距離を２００μｍ以下に
調整することを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウ
ム系化合物半導体チップの製造方法。 - 【請求項４】 前記第一の割り溝をエッチングにより形
成することを特徴とする請求項１ないし請求項３のいず
れか一項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体チップの
製造方法。 - 【請求項５】 前記第二の割り溝をスクライブにより形
成することを特徴とする請求項１若しくは請求項２、ま
たは請求項４のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系化
合物半導体チップの製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP30094093A JP2780618B2 (ja) | 1993-11-06 | 1993-11-06 | 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法 |
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| JP30094093A JP2780618B2 (ja) | 1993-11-06 | 1993-11-06 | 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法 |
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| JP30639497A Division JP2861991B2 (ja) | 1997-10-20 | 1997-10-20 | 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07131069A true JPH07131069A (ja) | 1995-05-19 |
| JP2780618B2 JP2780618B2 (ja) | 1998-07-30 |
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| JP2011057479A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Panasonic Corp | テンプレートと、このテンプレートの製造方法と、このテンプレートを用いて成長した結晶と、この結晶の製造方法および製造装置 |
| US8188495B2 (en) | 2006-06-13 | 2012-05-29 | Showa Denko K.K. | Gallium nitride-based compound semiconductor light emitting device |
| US8435869B2 (en) | 2010-01-22 | 2013-05-07 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
| US8934513B2 (en) | 1994-09-14 | 2015-01-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| US20150118827A1 (en) * | 2013-10-28 | 2015-04-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
| JP2016046461A (ja) * | 2014-08-26 | 2016-04-04 | 豊田合成株式会社 | 半導体発光素子ウエハ及び半導体発光素子並びに半導体発光素子の製造方法 |
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| JP2009283912A (ja) | 2008-04-25 | 2009-12-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
| JP5313596B2 (ja) | 2008-09-12 | 2013-10-09 | スタンレー電気株式会社 | 酸化亜鉛系半導体素子及びその製造方法 |
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-
1993
- 1993-11-06 JP JP30094093A patent/JP2780618B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JPN3013000822; 異議の決定（平１１年異議第７３２２１号） |
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