JP2914014B2 - 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法Info
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- H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は青色発光ダイオード、青
色レーザーダイオード等の発光デバイスに使用される窒
化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法に係り、特
に、サファイア基板上に積層された窒化ガリウム系化合
物半導体の結晶性を損ねること無くチップ状に分離する
方法に関する。
色レーザーダイオード等の発光デバイスに使用される窒
化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法に係り、特
に、サファイア基板上に積層された窒化ガリウム系化合
物半導体の結晶性を損ねること無くチップ状に分離する
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に発光ダイオード、レーザダイオー
ド等の発光デバイスはステム上に発光源である半導体チ
ップが設置されている。その半導体チップを構成する材
料として、例えば赤色、橙色、黄色、緑色発光ダイオー
ドではＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＰ等が知られてい
る。青色ダイオード、青色レーザーダイオードについて
は、数々の半導体材料が研究されているが、未だ実験段
階であり実用化には至っていない。しかし、実用的な青
色発光材料として、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＧａＡｌＮ等
の窒化ガリウム系化合物半導体が注目されている。
ド等の発光デバイスはステム上に発光源である半導体チ
ップが設置されている。その半導体チップを構成する材
料として、例えば赤色、橙色、黄色、緑色発光ダイオー
ドではＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＰ等が知られてい
る。青色ダイオード、青色レーザーダイオードについて
は、数々の半導体材料が研究されているが、未だ実験段
階であり実用化には至っていない。しかし、実用的な青
色発光材料として、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＧａＡｌＮ等
の窒化ガリウム系化合物半導体が注目されている。
【０００３】従来、半導体材料が積層されたウエハーを
チップに分離する方法としては一般にダイサー、または
スクライバーが使用されている。ダイサーとは通常ダイ
シングソーとも呼ばれ、刃先をダイヤモンドとする円盤
の回転運動により、ウエハーをフルカットするか、また
は刃先巾よりも広い巾の溝を切り込んだ後、外力によっ
てカットする装置である。一方、スクライバーとは先端
をダイヤモンドとする針の往復直線運動によりウエハー
に極めて細いスクライブライン（罫書線）を、例えば碁
盤目状に引いた後、外力によってカットする装置であ
る。
チップに分離する方法としては一般にダイサー、または
スクライバーが使用されている。ダイサーとは通常ダイ
シングソーとも呼ばれ、刃先をダイヤモンドとする円盤
の回転運動により、ウエハーをフルカットするか、また
は刃先巾よりも広い巾の溝を切り込んだ後、外力によっ
てカットする装置である。一方、スクライバーとは先端
をダイヤモンドとする針の往復直線運動によりウエハー
に極めて細いスクライブライン（罫書線）を、例えば碁
盤目状に引いた後、外力によってカットする装置であ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記ＧａＰ、ＧａＡｓ
等のせん亜鉛構造の結晶はへき開性が「１１０」方向に
あるため、この性質を利用してスクライバーで、この方
向にスクライブラインを入れることによりチップ状に簡
単に分離できる。しかしながら、窒化ガリウム系化合物
半導体はサファイア基板の上に積層されるいわゆるヘテ
ロエピ構造であり、窒化ガリウム系化合物半導体とサフ
ァイアとは格子定数不整が大きい。さらに、サファイア
は六方晶系という結晶の性質上、へき開性を有していな
い。従って、スクライバーで切断することは不可能であ
った。また、サファイア、窒化ガリウム系化合物半導体
ともモース硬度がほぼ９と非常に硬い物質であるため、
ダイサーでフルカットすると、その切断面にクラック、
チッピングが発生しやすくなり、綺麗に切断できなかっ
た。さらに、ダイサーの刃が長時間ウエハー切断面に接
することにより、ウエハーの横方向に応力（ストレス）
が生じる。このため、特にｎ型層とｐ型層との界面にク
ラック、チッピング等が発生しやすくなり、肝心の窒化
ガリウム系化合物半導体の結晶性を損ねてしまうため、
輝度が低下したり、寿命が非常に短くなってしまうとい
う問題点があった。
等のせん亜鉛構造の結晶はへき開性が「１１０」方向に
あるため、この性質を利用してスクライバーで、この方
向にスクライブラインを入れることによりチップ状に簡
単に分離できる。しかしながら、窒化ガリウム系化合物
半導体はサファイア基板の上に積層されるいわゆるヘテ
ロエピ構造であり、窒化ガリウム系化合物半導体とサフ
ァイアとは格子定数不整が大きい。さらに、サファイア
は六方晶系という結晶の性質上、へき開性を有していな
い。従って、スクライバーで切断することは不可能であ
った。また、サファイア、窒化ガリウム系化合物半導体
ともモース硬度がほぼ９と非常に硬い物質であるため、
ダイサーでフルカットすると、その切断面にクラック、
チッピングが発生しやすくなり、綺麗に切断できなかっ
た。さらに、ダイサーの刃が長時間ウエハー切断面に接
することにより、ウエハーの横方向に応力（ストレス）
が生じる。このため、特にｎ型層とｐ型層との界面にク
ラック、チッピング等が発生しやすくなり、肝心の窒化
ガリウム系化合物半導体の結晶性を損ねてしまうため、
輝度が低下したり、寿命が非常に短くなってしまうとい
う問題点があった。
【０００５】従って、本発明はサファイアを基板とする
窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーをチップ状にカッ
トするに際し、切断面、界面のクラック、チッピングの
発生を防止し、窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性を
損なうことなく優れた発光性能を有する窒化ガリウム系
化合物半導体チップを得ると共に、歩留良く所望の形、
サイズに切断する方法を提供することを目的とするもの
である。
窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーをチップ状にカッ
トするに際し、切断面、界面のクラック、チッピングの
発生を防止し、窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性を
損なうことなく優れた発光性能を有する窒化ガリウム系
化合物半導体チップを得ると共に、歩留良く所望の形、
サイズに切断する方法を提供することを目的とするもの
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の窒化ガリウム系
化合物半導体チップの製造方法は、サファイア基板上に
ｎ型およびｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体層が順に
積層されたウエハーをチップ状に分離する方法であっ
て、前記サファイア基板を研磨して薄くする第１の工程
と、前記ウエハーを分離する部分において、前記ｐ型の
窒化ガリウム系化合物半導体層を前記ｎ型の窒化ガリウ
ム系化合物半導体層までエッチングして、前記ｎ型の窒
化ガリウム系化合物半導体層の平面を露出させる第２の
工程と、前記ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体層の平
面をエッチング、またはダイシングして前記サファイア
基板の平面を露出させる第３の工程と、薄くしたサファ
イア基板をダイシング、またはスクライビングして、第
３の工程において露出した前記サファイア基板の平面
で、ウエハーを切断する第４の工程とを具備することを
特徴とする。
化合物半導体チップの製造方法は、サファイア基板上に
ｎ型およびｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体層が順に
積層されたウエハーをチップ状に分離する方法であっ
て、前記サファイア基板を研磨して薄くする第１の工程
と、前記ウエハーを分離する部分において、前記ｐ型の
窒化ガリウム系化合物半導体層を前記ｎ型の窒化ガリウ
ム系化合物半導体層までエッチングして、前記ｎ型の窒
化ガリウム系化合物半導体層の平面を露出させる第２の
工程と、前記ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体層の平
面をエッチング、またはダイシングして前記サファイア
基板の平面を露出させる第３の工程と、薄くしたサファ
イア基板をダイシング、またはスクライビングして、第
３の工程において露出した前記サファイア基板の平面
で、ウエハーを切断する第４の工程とを具備することを
特徴とする。
【０００７】以下、本発明の一実施例の製造方法を図面
を参照しながら詳説する。図１〜図６は窒化ガリウム系
化合物半導体ウエハー、および素子の構造を示す断面図
であり、１はサファイア基板、２はｎ型窒化ガリウム系
化合物半導体層（以下ｎ型層という。）、３はｐ型窒化
ガリウム系化合物半導体層（以下ｐ型層という。）であ
る。但し、本発明の方法は、図面の構造の窒化ガリウム
系化合物半導体ウエハーにのみ適用されるものではな
い。
を参照しながら詳説する。図１〜図６は窒化ガリウム系
化合物半導体ウエハー、および素子の構造を示す断面図
であり、１はサファイア基板、２はｎ型窒化ガリウム系
化合物半導体層（以下ｎ型層という。）、３はｐ型窒化
ガリウム系化合物半導体層（以下ｐ型層という。）であ
る。但し、本発明の方法は、図面の構造の窒化ガリウム
系化合物半導体ウエハーにのみ適用されるものではな
い。
【０００８】通常、窒化ガリウム系化合物半導体ウエハ
ーの厚さは、サファイア基板１で４００〜８００μｍ、
その上に積層されたｎ型層２、およびｐ型層３の厚さは
多くても十数μｍであり、そのほとんどがサファイア基
板１の厚さで占められている。従って、第１の工程にお
いて、サファイア基板１を研磨して、その厚さを５０〜
３００μｍに調整することが好ましい。５０μｍよりも
薄いと、ウエハー全体が割れ易くなったり、またウエハ
ーに反りが生じる傾向にある。また、３００μｍよりも
厚いと、第４の工程において、ダイシング、またはスク
ライビングによる切断の際にサファイア基板にチッピン
グ、クラックが発生しやすくなる。またスクライビング
する場合は、スクライブラインを深くしなければならな
いため、細かいチップができにくくなり、チップ分離が
困難になる傾向がある。研磨された基板のさらに好まし
い厚さとしては１００〜２００μｍである。なお、第１
のの工程は第２の工程または第３の工程の後に行っても
よい。
ーの厚さは、サファイア基板１で４００〜８００μｍ、
その上に積層されたｎ型層２、およびｐ型層３の厚さは
多くても十数μｍであり、そのほとんどがサファイア基
板１の厚さで占められている。従って、第１の工程にお
いて、サファイア基板１を研磨して、その厚さを５０〜
３００μｍに調整することが好ましい。５０μｍよりも
薄いと、ウエハー全体が割れ易くなったり、またウエハ
ーに反りが生じる傾向にある。また、３００μｍよりも
厚いと、第４の工程において、ダイシング、またはスク
ライビングによる切断の際にサファイア基板にチッピン
グ、クラックが発生しやすくなる。またスクライビング
する場合は、スクライブラインを深くしなければならな
いため、細かいチップができにくくなり、チップ分離が
困難になる傾向がある。研磨された基板のさらに好まし
い厚さとしては１００〜２００μｍである。なお、第１
のの工程は第２の工程または第３の工程の後に行っても
よい。
【０００９】まず、サファイア基板１上に、ｎ型層２、
およびｐ型層３が順に積層されたウエハーの、最上層で
あるｐ型層３上に、図１に示すように保護膜４を設け
る。保護膜４はｐ型層３がエッチングにより侵食される
のを防ぐと共に、パターンエッチングを行うために設け
るものであって、フォトレジストでパターニングした
後、例えばＳｉＯ2等の材料でプラズマＣＶＤ法を用い
て形成することができる。なお、この図においてサファ
イア基板１は予め研磨して薄くしてある。
およびｐ型層３が順に積層されたウエハーの、最上層で
あるｐ型層３上に、図１に示すように保護膜４を設け
る。保護膜４はｐ型層３がエッチングにより侵食される
のを防ぐと共に、パターンエッチングを行うために設け
るものであって、フォトレジストでパターニングした
後、例えばＳｉＯ2等の材料でプラズマＣＶＤ法を用い
て形成することができる。なお、この図においてサファ
イア基板１は予め研磨して薄くしてある。
【００１０】次に、保護膜４が設けられたｐ型層３を、
ｎ型層２までエッチングする（第２の工程）。エッチン
グ方法はドライ、ウエットいずれの方法でもよい。エッ
チング終了後、図２に示すように、酸により保護膜４を
除去する。
ｎ型層２までエッチングする（第２の工程）。エッチン
グ方法はドライ、ウエットいずれの方法でもよい。エッ
チング終了後、図２に示すように、酸により保護膜４を
除去する。
【００１１】さらに、図３に示すように、ｎ型層２の表
面にｎ型電極を設けられるスペースを残して、ｎ型層２
をサファイア基板１までエッチング、またはダイシング
する（第３の工程）。ｎ型層２とサファイア基板１の界
面にできるだけストレスをかけないようにするには、エ
ッチングが好ましい。エッチングする場合には、前述し
たように保護膜をエッチング面以外（ｐ型層３とｎ型層
２の電極形成部分）に形成する必要がある。
面にｎ型電極を設けられるスペースを残して、ｎ型層２
をサファイア基板１までエッチング、またはダイシング
する（第３の工程）。ｎ型層２とサファイア基板１の界
面にできるだけストレスをかけないようにするには、エ
ッチングが好ましい。エッチングする場合には、前述し
たように保護膜をエッチング面以外（ｐ型層３とｎ型層
２の電極形成部分）に形成する必要がある。
【００１２】次に、図４に示すように、第３の工程によ
り露出されたサファイア基板をスクライビングして、ス
クライブライン（罫書線）５を入れた後、サファイア基
板側から押し割って分離する（第４の工程）。第１の工
程によりサファイア基板の厚さを薄くしているため、ス
クライブライン５を入れて押し割ることによって、綺麗
にチップ状に分離することができる。スクライブライン
の深さは特に規定するものではないが、基板の厚さの５
％以上の深さで入れることにより、へき開性の無いサフ
ァイアでも切断面をほぼ平面状とすることができ、好ま
しく切断できる。
り露出されたサファイア基板をスクライビングして、ス
クライブライン（罫書線）５を入れた後、サファイア基
板側から押し割って分離する（第４の工程）。第１の工
程によりサファイア基板の厚さを薄くしているため、ス
クライブライン５を入れて押し割ることによって、綺麗
にチップ状に分離することができる。スクライブライン
の深さは特に規定するものではないが、基板の厚さの５
％以上の深さで入れることにより、へき開性の無いサフ
ァイアでも切断面をほぼ平面状とすることができ、好ま
しく切断できる。
【００１３】また、図５に示すように、ダイシングによ
りサファイア基板１を直接フルカットしてもよい。この
場合においても、サファイア基板１を予め薄くしてある
ためダイシング時間を短縮でき、ストレスをかけずに綺
麗に切断できる。
りサファイア基板１を直接フルカットしてもよい。この
場合においても、サファイア基板１を予め薄くしてある
ためダイシング時間を短縮でき、ストレスをかけずに綺
麗に切断できる。
【００１４】
【作用】図６は、第４の工程のスクライビングまたはダ
イシングによって分離された窒化ガリウム系化合物半導
体素子のｎ型層２、およびｐ型層３に電極６を形成した
状態を示す断面図である。
イシングによって分離された窒化ガリウム系化合物半導
体素子のｎ型層２、およびｐ型層３に電極６を形成した
状態を示す断面図である。
【００１５】この図において、ｎ型層２とｐ型層３の界
面、即ち、ｐ−ｎ接合面はエッチングされているため、
この界面には従来のダイシングによるストレスはかかっ
ておらず、窒化ガリウム系化合物半導体結晶の損傷はほ
とんど無い。さらに、サファイア基板１とｎ型層２の界
面においても、予め第１の工程により、ｎ型層２の途中
までエッチングされているため、ダイシングを行うにし
ても、その切断深さを短くすることができるため、スト
レスのかかる割合が従来に比して大幅に減少する。従っ
て、本発明の方法により得られた窒化ガリウム系化合物
半導体チップは、格子不整合に起因する窒化ガリウム系
化合物半導体層のクラック、チッピングが防止されてお
り、半導体結晶を損傷すること無く結晶性が保持されて
いる。また、サファイア基板を研磨して薄くすることに
より、へき開性のないサファイア基板でもスクライブで
綺麗に切断でき、またダイシングにおいても切断時間を
短縮できるという優れた利点がある。
面、即ち、ｐ−ｎ接合面はエッチングされているため、
この界面には従来のダイシングによるストレスはかかっ
ておらず、窒化ガリウム系化合物半導体結晶の損傷はほ
とんど無い。さらに、サファイア基板１とｎ型層２の界
面においても、予め第１の工程により、ｎ型層２の途中
までエッチングされているため、ダイシングを行うにし
ても、その切断深さを短くすることができるため、スト
レスのかかる割合が従来に比して大幅に減少する。従っ
て、本発明の方法により得られた窒化ガリウム系化合物
半導体チップは、格子不整合に起因する窒化ガリウム系
化合物半導体層のクラック、チッピングが防止されてお
り、半導体結晶を損傷すること無く結晶性が保持されて
いる。また、サファイア基板を研磨して薄くすることに
より、へき開性のないサファイア基板でもスクライブで
綺麗に切断でき、またダイシングにおいても切断時間を
短縮できるという優れた利点がある。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体
チップの製造方法を実施例で説明する。
チップの製造方法を実施例で説明する。
【００１７】［実施例１］厚さ４５０μｍ、大きさ２イ
ンチφのサファイア基板上に、順にｎ型ＧａＮ層とｐ型
ＧａＮ層を合わせて５μｍの厚みで成長させた発光ダイ
オード用のＧａＮエピタキシャルウエハーのｐ型ＧａＮ
層に、フォトレジストでパターンを形成する。
ンチφのサファイア基板上に、順にｎ型ＧａＮ層とｐ型
ＧａＮ層を合わせて５μｍの厚みで成長させた発光ダイ
オード用のＧａＮエピタキシャルウエハーのｐ型ＧａＮ
層に、フォトレジストでパターンを形成する。
【００１８】フォトレジストの上からプラズマＣＶＤ法
により保護膜としてＳｉＯ2膜を０．１μｍの膜厚で形
成した後、溶剤によりフォトレジストを剥離して、パタ
ーニングされたＳｉＯ2膜を残す。
により保護膜としてＳｉＯ2膜を０．１μｍの膜厚で形
成した後、溶剤によりフォトレジストを剥離して、パタ
ーニングされたＳｉＯ2膜を残す。
【００１９】ウエハーをリン酸と硫酸の混酸に浸漬し、
ｐ型ＧａＮ層をｎ型ＧａＮ層までエッチングする。
ｐ型ＧａＮ層をｎ型ＧａＮ層までエッチングする。
【００２０】エッチング後、研磨機にてサファイア基板
を１５０μｍまで研磨する。
を１５０μｍまで研磨する。
【００２１】研磨後、ウエハーをダイシングソーに設置
し、ブレード回転数３０,０００ｒｐｍ、切断速度０．
３ｍｍ/secの条件で、ダイヤモンドブレードにて、所定
のカットライン（３５０μｍ角）上を２０μｍの深さで
ダイシングする。
し、ブレード回転数３０,０００ｒｐｍ、切断速度０．
３ｍｍ/secの条件で、ダイヤモンドブレードにて、所定
のカットライン（３５０μｍ角）上を２０μｍの深さで
ダイシングする。
【００２２】次に、基板側に粘着テープを貼付し、スク
ライバーのテーブル上に張り付け、真空チャックで固定
する。テーブルはｘ軸（左右）、ｙ軸（前後）に動き、
１８０度水平に回転可能な構造となっている。固定後、
スクライバーのダイヤモンド刃でダイシングの跡をスク
ライブしてラインを引く。ダイヤモンド刃が設けられた
バーはｚ軸（上下）、ｙ軸（前後）方向に移動可能な構
造となっている。ダイヤモンド刃の刃先への加重は１０
０ｇとし、スクライブラインの深さを深くするため、同
一のラインを２回スクライブすることにより深さ１０μ
ｍとする。
ライバーのテーブル上に張り付け、真空チャックで固定
する。テーブルはｘ軸（左右）、ｙ軸（前後）に動き、
１８０度水平に回転可能な構造となっている。固定後、
スクライバーのダイヤモンド刃でダイシングの跡をスク
ライブしてラインを引く。ダイヤモンド刃が設けられた
バーはｚ軸（上下）、ｙ軸（前後）方向に移動可能な構
造となっている。ダイヤモンド刃の刃先への加重は１０
０ｇとし、スクライブラインの深さを深くするため、同
一のラインを２回スクライブすることにより深さ１０μ
ｍとする。
【００２３】スクライブラインを引いたＧａＮウエハー
をテーブルから剥し取り、サファイア基板側からローラ
ーにより圧力を加えて、押し割ることによりＧａＮチッ
プを得た。
をテーブルから剥し取り、サファイア基板側からローラ
ーにより圧力を加えて、押し割ることによりＧａＮチッ
プを得た。
【００２４】このようにして得られたＧａＮチップより
外形不良によるものを取り除いたところ、歩留は９５％
以上であった。また、このＧａＮチップのｐ型ＧａＮ
層、およびｎ型ＧａＮ層にＡｕ電極を取り付けた後、常
法に従い発光ダイオードとしたところ、順方向電圧４．
０Ｖにおいて、発光出力は５０μＷ、発光寿命は５００
０時間以上であった。
外形不良によるものを取り除いたところ、歩留は９５％
以上であった。また、このＧａＮチップのｐ型ＧａＮ
層、およびｎ型ＧａＮ層にＡｕ電極を取り付けた後、常
法に従い発光ダイオードとしたところ、順方向電圧４．
０Ｖにおいて、発光出力は５０μＷ、発光寿命は５００
０時間以上であった。
【００２５】［比較例１］実施例１と同一のＧａＮエピ
タキシャルウエハーを、同様にしてｎ型ＧａＮ層までエ
ッチングした後、サファイア基板を研磨せずに、直接ダ
イサーを用い、同じくブレード回転数３０,０００ｒｐ
ｍ、切断速度０．３ｍｍ／ｓｅｃの条件で、３５０μｍ
角のチップにフルカットしたところ、切断線に対し無数
のクラックが生じ、歩留は３０％以下であった。また、
残ったＧａＮチップのｐ型層およびｎ型層に同じくＡｕ
電極を取り付け、発光ダイオードとしたところ、順方向
電圧４．０Ｖにおいて、発光出力２０μＷ、発光寿命は
５０〜７０時間であった。
タキシャルウエハーを、同様にしてｎ型ＧａＮ層までエ
ッチングした後、サファイア基板を研磨せずに、直接ダ
イサーを用い、同じくブレード回転数３０,０００ｒｐ
ｍ、切断速度０．３ｍｍ／ｓｅｃの条件で、３５０μｍ
角のチップにフルカットしたところ、切断線に対し無数
のクラックが生じ、歩留は３０％以下であった。また、
残ったＧａＮチップのｐ型層およびｎ型層に同じくＡｕ
電極を取り付け、発光ダイオードとしたところ、順方向
電圧４．０Ｖにおいて、発光出力２０μＷ、発光寿命は
５０〜７０時間であった。
【００２６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の方法による
と、ｐｎ接合部はストレス無く分離できることで、従来
問題となっていた特性劣化、特に発光寿命、発光出力に
おいて大幅な改善が認められた。また、窒化ガリウム系
化合物半導体とサファイア基板との格子定数不整から生
じる、結晶面のクラック、チッピング等を防止でき、窒
化ガリウム系化合物半導体チップを歩留良く製造でき、
その産業上の利用価値は大きい。
と、ｐｎ接合部はストレス無く分離できることで、従来
問題となっていた特性劣化、特に発光寿命、発光出力に
おいて大幅な改善が認められた。また、窒化ガリウム系
化合物半導体とサファイア基板との格子定数不整から生
じる、結晶面のクラック、チッピング等を防止でき、窒
化ガリウム系化合物半導体チップを歩留良く製造でき、
その産業上の利用価値は大きい。
【図１】 本発明の一実施例の工程において得られる窒
化ガリウム系化合物半導体ウエハーの構造を示す断面
図。
化ガリウム系化合物半導体ウエハーの構造を示す断面
図。
【図２】 本発明の一実施例の工程において得られる窒
化ガリウム系化合物半導体ウエハーの構造を示す断面
図。
化ガリウム系化合物半導体ウエハーの構造を示す断面
図。
【図３】 本発明の一実施例の工程において得られる窒
化ガリウム系化合物半導体ウエハーの構造を示す断面
図。
化ガリウム系化合物半導体ウエハーの構造を示す断面
図。
【図４】 本発明の一実施例の工程において得られる窒
化ガリウム系化合物半導体ウエハーの構造を示す断面
図。
化ガリウム系化合物半導体ウエハーの構造を示す断面
図。
【図５】 本発明の一実施例の工程において得られる窒
化ガリウム系化合物半導体ウエハーの構造を示す断面
図。
化ガリウム系化合物半導体ウエハーの構造を示す断面
図。
【図６】 本発明の一実施例の工程において得られる窒
化ガリウム系化合物半導体チップの構造を示す断面図。
化ガリウム系化合物半導体チップの構造を示す断面図。
１・・・・・・サファイア基板 ２・・・・・・ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層 ３・・・・・・ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層 ４・・・・・・保護膜 ５・・・・・・スクライブライン ６・・・・・・電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭53−62489（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−166923（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 33/00
Claims (1)
- 【請求項１】 サファイア基板上にｎ型およびｐ型の窒
化ガリウム系化合物半導体層が順に積層されたウエハー
をチップ状に分離する方法であって、 前記サファイア基板を研磨して薄くする第１の工程と、 前記ウエハーを分離する部分において、前記ｐ型の窒化
ガリウム系化合物半導体層を前記ｎ型の窒化ガリウム系
化合物半導体層までエッチングして、前記ｎ型の窒化ガ
リウム系化合物半導体層の平面を露出させる第２の工程
と、 前記ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体層の平面をエッ
チング、またはダイシングして前記サファイア基板の平
面を露出させる第３の工程と、 薄くしたサファイア基板をダイシング、またはスクライ
ビングして、第３の工程において露出した前記サファイ
ア基板の平面で、ウエハーを切断する第４の工程とを具
備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体チ
ップの製造方法。
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1992
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