JPH11195627A

JPH11195627A - 光学素子の製造方法

Info

Publication number: JPH11195627A
Application number: JP36783297A
Authority: JP
Inventors: Yoshifumi Yamaoka; 慶文山岡; Satoshi Watanabe; 智渡辺; Norihide Yamada; 範秀山田; Marenger Eric; エリック・マレンジャー
Original assignee: Hewlett Packard Co
Current assignee: HP Inc
Priority date: 1997-12-27
Filing date: 1997-12-27
Publication date: 1999-07-21
Also published as: EP0926784A2; US6077720A; EP0926784A3

Abstract

(57)【要約】【課題】従来のポシッシング方法によることなく、十
分に平滑な光学面を得ることができ、また製造の効率を
図ることができる光学素子の製造方法を提供する。【解決手段】対向する両端部の表面側が光学面となる
光学素子の製造方法であって、支持ステージ５の光学素
子原材載置面５１に、前記光学素子原材４を、その全体
が前記光学素子載置面５１に含まれ、かつその裏面側が
前記光学素子原材載置面５１の側に位置するように固定
する、光学素子原材固定工程、少なくとも一方の側面が
切削研磨面である回転ディスク７により、ディスク周端
が前記光学素子原材載置面に接触せず、かつ前記切削研
磨面が前記光学素子原材の両端部の表面に平行となる状
態で、光学素子原材４の両カット端面を切削研磨する、
切削研磨工程、を含むことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、対向する両端部の
表面側が光学面（本明細書において“光学面”とは、光
反射、光吸収または光透過を生じさせる面を意味する）
となる光学素子の前記光学面を平滑化できる光学素子の
製造方法に関し、特に、基板がサファイアである光学素
子の製造に好適な、前記製造方法に関する。

【０００２】

【技術背景】たとえば、青色の発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）、レーザダイオード（ＬＤ）等の光学素子では、サ
ファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体（Ｇａ
Ｎ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ等をベースとするＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体）を積層したものが実用化されてい
る。

【０００３】上記の光学素子をウエハから切り出すため
に、ダイシングソーやスクライバが用いられる。サファ
イア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体層が形成され
たウエハをダイシングソーやスクライバにより切断し
て、ＬＥＤ，ＬＤ等の光学素子を得る技術として、たと
えば、以下の（１）および（２）に示すような方法が知
られている。なお、この種の従来技術として、特開平５
−３４３７４２号公報、，特開平５−３１５６４３号公
報等を参照されたい。

【０００４】（１）刃先断面がＶ字形のブレードを持つ
ダイシングソーを用いて、ウエハの裏面（半導体層が形
成されていない側の面）にウエハ上の一定の方向に沿っ
た、底部断面がＶ字形となる溝を形成した後、当該ウエ
ハをクリービング（劈開面に沿って割ること）によりチ
ップ状に分割する。このクリービングは、ウエハの表面
または裏面から応力を加えることにより行われる。これ
により、図６（Ａ）に示すような、端部に迫り出し部９
５を有する光学素子９０Ａが形成される。この光学素子
９０Ａの、迫り出し部９５の先端面９６のうちの全部ま
たは一部に光学面が形成される。

【０００５】（２）先端にダイヤモンド針を持つスクラ
イバを用いて、ウエハの裏面（半導体層が形成されてい
ない側の面）に素子の輪郭に沿ったケガキ溝（断面がＶ
字形等となるような深さが浅い溝）を形成した後、
（２）と同様、当該ウエハをクリービングによりチップ
状に分割する。これにより、図６（Ｂ）に示すような、
端部にケガキ溝の微小な切り欠き部９７を有する光学素
子９０Ｂが形成される。この光学素子９０Ｂの端部の、
切り欠き部９７を除く平面部分９８のうちの全部または
一部に光学面が形成される。

【０００６】ところで、サファイアは、ＧａＡｓに代表
される半導体のような強い劈開性を持たず、しかも高硬
度である。このため、上記（１）や（２）による切断方
法では、光学面となるカット端面（図６（Ａ）の先端面
９６、および図６（Ｂ）の平面部分９８）は、図７の平
面図に示すように非平滑（この非平滑面を符合９９で示
す）となり易い。

【０００７】サファイア基板９１を、たとえば１００μ
ｍ程度以下に薄くすれば、劈開により平坦なカット端面
を得易くなる。この場合には、光学素子のカット端面を
研磨せずに、非研磨面をそのまま光学面として使用する
こともできる。ところが、半導体層の劈開面の面方向と
サファイ基板の劈開面の面方向は、必ずしも一致はしな
いため、十分に平滑なカット端面を得ることができると
は限らない。サファイア基板の基本結晶構造は六方晶構
造であるので、サファイア基板面がｃ軸方向の場合に
は、サファイア基板はａ軸（ａ面に垂直）方向に劈開さ
れ易い。このため、半導体層の劈開し易い面が、サファ
イア基板の劈開面と平行でない場合、半導体層の劈開面
は平滑とはならず、半導体層部分において、十分に平滑
なカット端面を得ることは容易ではない。このように、
サファイア基板９１を上記のように薄くした場合であっ
ても、光学素子製造の歩留りが悪くなるという問題があ
る。

【０００８】このため、上述した非平滑面９９（光学面
となる部分）を、図８に示すように（光学素子を符合９
０で示す）、研磨ディスク１００を用いてポリッシング
することも多い。この場合には、光学素子９０を、支持
ステージ１０１に研磨対象面（カット端面）が突出する
ように取り付け、当該研磨対象面と研磨ディスク１００
との間に研磨剤を供給しつつ当該研磨対象面を研磨す
る。

【０００９】図８の方法では、光学素子９０の一方のカ
ット端面を研磨した後に、当該光学素子９０を支持ステ
ージ１０１から取り外し、再び向きを変えて、支持ステ
ージ１０１に取り付けなければならず、研磨工程が煩雑
化するという不都合がある。

【００１０】なお、光学素子９０のカット端面を、ポリ
ッシャによらずに平滑化するために、ＲＩＥ（Ｒｅａｃ
ｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ），ＲＩＢＥ（Ｒｅ
ａｃｔｉｖｅＩｏｎＢｅａｍＥｔｃｈｉｎｇ）等
のドライエッチング技術を用いる方法も知られている。
しかし、この方法では、エッチングプロセスに時間がか
かり、かつ平坦な端面を得るためのエッチング条件を得
ることが容易ではなく、しかも必ずしも十分に平滑な光
学面を得ることができない、という問題がある。

【００１１】

【発明の目的】本発明の目的は、従来のポシッシング方
法によることなく、十分に平滑な光学面を得ることがで
きる切削研磨方法を提供することである。また、本発明
の他の目的は、光学素子原材を支持ステージから取り外
すことなしに、当該光学素子原材の両カット端面を切削
研磨できる光学素子の製造方法を提供することである。
さらに、本発明の他の目的は、光学素子原材を支持ステ
ージに容易に取り付けることができ、これにより製造の
効率を図ることができる光学素子の製造方法を提供する
ことである。

【００１２】

【発明の概要】本発明は、対向する両端部の表面側が光
学面となる、半導体レーザ素子等の光学素子の製造方法
であって、（１）光学素子原材固定工程、（２）切削研
磨工程とを含む。光学素子原材は、通常は、予め、光学
素子用ウエハを切断すること（ウエハ切断工程）により
得ることができる。ウエハ切断工程により、その対向す
る両カット端が、半導体レーザ素子等の光学素子の両端
部（光学面）に対応する、光学素子原材が得られる。

【００１３】上記のウエハは、典型的には、その表面に
窒化系化合物（ＧａＮ，ＡｌＮ，ＩｎＮ，ＢＮ，ＡｌＩ
ｎＮ，ＧａＩｎＮ，ＡｌＧａＮ，ＢＡｌＮ，ＢＩｎＮ，
ＢＧａＮ，ＢＡｌＧａＮ等をベースとするＩＩＩ−Ｎ系
化合物）等の半導体層が形成された、サファイア等の高
硬度の基板からなる。この半導体層の層構造は、たとえ
ば半導体レーザ層として構成される。本発明では、光学
素子原材の基板が劈開し易い面の方向に対する、光学素
子原材の半導体層が劈開し易い面の方向によらず、上述
の目的を達成すことができる。もちろん、光学素子原材
の基板が劈開し易い面の方向に対して、光学素子原材の
半導体層が劈開し易い面の方向に規定することもでき
る。たとえば、光学素子原材の基板が劈開し易い面の方
向と、光学素子原材の半導体層が劈開し易い面の方向と
が、平行（またはほぼ平行）となるように、または直角
（またはほぼ直角）となるような光学素子原材を用いる
場合には、極めて平滑な光学面を持つ光学素子を製造す
ることが期待できる。

【００１４】上記のウエハ切断工程では、通常は、ウエ
ハの裏面側に、ダイシングソーやスクライバを用いて切
削溝を形成した後、このウエハをクリービングにより、
適宜の大きさに切断する。クリービングは、通常は、ウ
エハに反り応力を加えることにより行われる。ここで、
切削溝は、先端断面がＶ字形の回転ブレードにより切削
した、底部断面がＶ字形となるような溝（以下、“Ｖ字
溝”と言う）であってよいし、スクライバの先端（ダイ
ヤモンド等の高硬度材からなる針）によりウエハ表面を
欠き削ることにより形成した、断面がＶ字形等となるよ
うな深さが浅い溝（以下、“ケガキ溝”と言う）であっ
てもよい。

【００１５】ウエハを、光学素子原材が１つの光学素子
の大きさを有するように切断し、当該光学素子原材から
１つの光学素子を製造することができる。また、ウエハ
を、光学素子原材が複数個の光学素子が並列配置した大
きさを有するように切断し、当該光学素子原材から当該
複数の光学素子を製造することもできる。

【００１６】上記の光学素子原材固定工程では、光学素
子原材が、ガラス等の温度変形しにくく、化学的に安定
な材料からなる支持ステージの光学素子原材載置面に、
ワックス等を用いて固定される。このとき、光学素子原
材は、その全体が前記光学素子載置面に含まれ、かつそ
の裏面側が前記光学素子原材載置面の側に位置するよう
に配置される。なお、支持ステージには、光学素子原材
を位置決めするためのマークや突起を設けておくことが
できる。

【００１７】光学素子原材を複数個、支持ステージの光
学素子原材載置面に固定しておき、回転ディスクによ
り、光学素子原材のカット端面を、順次、個別に研磨す
ることができる。

【００１８】上記の切削研磨工程では、少なくとも一方
の側面が切削研磨面である回転ディスクにより、ディス
ク周端が光学素子原材載置面に接触せず、かつ前記切削
研磨面が光学素子原材のカット端面に平行となる状態
で、当該カット端面が切削研磨される。回転ディスクの
側面全体が切削研磨面である必要はなく、通常は、回転
ディスクの側面の周縁の一部のみ（たとえば、径の数分
の１〜数十分の１程度）が切削研磨面とされる。回転デ
ィスクの切削研磨面は、たとえばダイヤモンド粒子また
は粉末を埋め込んで（あるいは練り込んで）形成するこ
とができる。

【００１９】上記の回転ディスクの径は、図８で説明し
た研磨ディスクの径（たとえば、２００〜６００ｍｍ）
と比べて大幅に小さい（たとえば、５０ｍｍ程度）の
で、１つまたは少数の光学素子原材を個別に研磨するこ
とが可能となる。なお、ウエハ切断工程において、前記
切削溝を、ダイシングソーを用いた場合には、このダイ
シングソーに（回転ブレードに代えて）回転ディスクを
取り付け、当該回転ディスクにより、光学素子原材の両
カット端面を切削研磨することもできる。

【００２０】切削研磨工程においては、回転ディスク
を、その軸芯と支持ステージの光学素子原材載置面との
距離が変化するように移動することができる。これによ
り、回転ディスクの側面に形成された研磨面を広範囲に
使用することができるので、回転ディスクの寿命を、回
転ディスクをその軸芯に垂直な方向に移動させない場合
と比較して、長くすることができる。支持ステージの光
学素子原材載置面に、前記回転ディスクの下部が入り込
むことができる幅の溝（すなわち、ディスクの厚みより
も広い幅の溝）を、光学素子原材の長さ間隔で平行に形
成しておくことができる。この場合には、光学素子原材
固定工程において、予め光学素子原材を、前記溝上にそ
のカット端が迫り出すように配置しておく。上記溝に
は、回転ディスクの下部が、入り込むことができるの
で、回転ディスクの側面の切削切削研磨面を、前記溝を
形成しない場合に比べて広範囲にとることができ、回転
ディスクの寿命はより長くなる。なお、支持ステージ上
に、ガラス板等のダミー板を取り付け、このダミー板
に、光学素子原材を載置しておくこともできる。この場
合には、前記回転ディスクにより、前記ダミー板に溝を
形成しつつ、前記両カット端面を切削研磨することがで
きる。このときの回転ディスクの刃先の断面は、Ｖ字形
等のダミー板に溝を形成し易い形状とすることができ
る。

【００２１】通常、回転ディスクにより切削研磨される
部分は、光学素子原材の端部の一部である。たとえば、
ウエハ切断工程においてウエハ表面にＶ字溝を形成して
切断した場合には、光学素子原材の端部は迫り出すよう
に形成され、この迫り出し部の先端面（カット端面）
が、切削研磨対象面となる。この場合、切削研磨は、当
該迫り出し部の先端のみとなるので、回転ディスクによ
り切削研磨すべき部分は極く僅かとなる。したがって、
研磨時間は短くなるし、回転ディスクの寿命も長くな
る。

【００２２】また、通常、光学素子原材と回転ディスク
との相対距離が徐々に短くなるように、複数回（たとえ
ば、２〜１０回程度）の切削研磨を行う。一度の切削研
磨深さが大きいと、回転ディスクの摩耗が顕著になるこ
と、回転ディスクが歪み、切削研磨対象面が十分に平滑
化されないことが懸念される。光学素子原材と回転ディ
スクとの相対距離を徐々に短くするときのピッチは、基
板の素材、基板厚、切削研磨対象面の面積、回転ディス
クの構成（材質、切削研磨面の組成、径や厚さ等）、回
転ディスクの回転速度等により、適宜選択される。な
お、回転ディスクの消耗度合いの監視、または切削研磨
対象面の平滑化の状態の監視を、顕微鏡等の適宜の監視
手段により行い、適宜の時期に回転ディスクの交換を行
うことができる。

【００２３】この切削研磨工程において、光学素子原材
を複数個、支持ステージの光学素子原材載置面に固定し
た場合には、１つの光学素子原材を１単位として切削研
磨制御を行うこともできる。

【００２４】また、切削研磨工程においては、光学素子
原材を支持ステージから取り外すことなしに、当該光学
素子原材の両方のカット端面を切削研磨することもでき
る。

【００２５】なお、回転ディスクの移動は、（１）支持
ステージを静止させておき回転ディスクを移動させるこ
と、（２）逆に回転ディスクを位置的に静止させておき
支持ステージを移動させること、（３）支持ステージお
よび回転ディスクの双方を移動させること、によって達
成される。

【００２６】

【実施例】以下、本発明の方法の一実施例を、半導体レ
ーザ素子を製造する場合を例に説明する。図１（Ａ）お
よび図１（Ｂ）は、ウエハ切断工程における切断前の状
態の一例を示す図であり、図１（Ａ）は先端断面がＶ字
形の回転ブレード１によりウエハ２の裏面２５にＶ字溝
３および切断分離溝３′を形成した様子を示す平面図、
図１（Ｂ）は図１（Ａ）におけるａ−ａ線の断面図であ
る。図１（Ａ）、図１（Ｂ）において、Ｖ字溝３を形成
するための回転ブレード１として、直径Ｄ１が５２ｍ
ｍ、厚さＴ１が０．２ｍｍ、刃先角θ１が６０°のもの
が用いられている。このような回転ブレード１は、日本
国ディスコ社製の製品名ダイヤモンドブレード（型番Ｂ
１Ｅ８０３、またはＮＢＣ−Ｚ２０２ＪＬＴ１，５２
×０．２×４０×６０ｄｅｇ））として入手が可能であ
る。また、図１（Ａ）において、切断分離溝３′を形成
するために、本実施例では、回転ブレード（刃先角が０
°）が用いられている。

【００２７】ウエハ２は、図１（Ｂ）に示すように、面
方向がｃ軸である厚さ１００〜５００μｍ（本実施例で
は、３５０μｍ）のサファイア基板２１の表面２４上に
ＩｎＧａＮ系の半導体層２２が形成されて構成されてい
る。Ｖ字溝３は、底部がウエハ２の裏面２５からの距離
が約５０μｍとなる深さに形成されている。ウェハ２
の、Ｖ字溝３および切断分離溝３′に囲まれた長方形
（ここでは、横０．５ｍｍ、縦１．６ｍｍ）部分が、１
つの光学素子原材に対応する。なお、上記Ｖ字溝３は、
回転ブレード１の回転速度を３０，０００ｒｐｍとして
形成した。ウエハ２をクリービングにより切断し、光学
素子原材（図２（Ａ），（Ｂ）参照）を得た。

【００２８】図２（Ａ）は、光学素子原材固定工程にお
いて、光学素子原材４をガラス板からなる支持ステージ
５に固定した様子を示す平面図、図２（Ｂ）は図２
（Ａ）におけるｂ−ｂ線の断面図である。光学素子原材
４は、複数個の半導体レーザ素子に対応している。光学
素子原材４は、その裏面側（Ｖ字溝３が形成されていた
側の面）が、光学素子原材載置面５１にワックス６によ
り固定されている。光学素子原材４の表面側の周囲は迫
り出すように形成されている（この迫出し部を符合４１
で示す）。

【００２９】図３（Ａ）および図３（Ｂ）は、切削研磨
工程において、回転ディスク７が、光学素子原材４の迫
出し部４１（図３（Ａ）および図３（Ｂ）では図示され
ない）の端面を切削研磨している様子を示す平面図およ
び側面図である。なお、本実施例では、ウエハ切断工程
において用いたダイシングソーに、回転ディスク７を取
り付けて、切削研磨を行った。図４（Ａ）は切削研磨部
分の拡大平面図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）におけるｃ−
ｃ線の断面図である。図４（Ａ）および図４（Ｂ）で
は、破線により切削研磨を行う前の迫り出し部４１の輪
郭を示し、一点鎖線Ｌ１〜Ｌ５によりにより１回目〜５
回目の切削研磨の際の、回転ディスク７の迫出し部４１
側の面の位置をそれぞれ示す。また、実線Ｌ６により６
回目の切削研磨の際の、回転ディスク７の迫出し部４１
側の面の位置を示す。

【００３０】図３（Ａ）および図３（Ｂ）において、回
転ディスク７として、直径Ｄ２が５２ｍｍの刃先が平坦
となったものが用いられている。このような回転ディス
ク７として、ウエハ切断工程に用いる回転ブレードを使
用することもできる。本実施例では、日本国ディスコ社
製の製品名ダイヤンドブレード（型番ＳＤ６０００）と
して入手が可能な回転ブレードを回転ディスク７として
使用した。

【００３１】図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示す回転デ
ィスク７では、その周縁部分により、光学素子原材４の
前記迫り出し部４１の切削研磨が行われる。この場合、
ある回の切削研磨において、ディスク７の高さ（光学素
子原材載置面５１に対するディスク７の軸芯の距離）を
変更することができる。また、各切削研磨の回数を重ね
るごとに、ディスク７の高さを変更する（たとえば、徐
々に高くする）ことができる。これにより、回転ディス
ク７の側面の切削研磨面を広範囲にとることができる。

【００３２】第２回目以降の切削研磨に際しての、回転
ディスク７の、迫り出し部４１先端のカット端面（切削
研磨対象面）に対する移動距離（刻み距離δ）は、本実
施例では０．１μｍである。また、第１回目、第２回目
および第３回目において、回転ディスク７の切削研磨速
度はそれぞれ１．０ｍｍ／ｓｅｃであり、回転ディスク
７の回転速度はそれぞれ３０，０００ｒｐｍである。な
お、回転ディスク７の切削研磨速度、回転速度等は、各
回において適宜変更することもできる。

【００３３】図４（Ａ）および図４（Ｂ）からも明らか
なように、光学素子原材４の迫り出し部４１の先端は、
断面積が僅かであるので、回転ディスク７の摩耗による
劣化の度合いは僅かである。

【００３４】上記のような処理を施した光学素子原材４
を、切削研磨した面がそれぞれ両端となるように、スク
ライバを用いて複数個にカットして、切削研磨した面が
共振器ミラー（光学面）である半導体レーザ素子を製造
した。

【００３５】図５（Ａ）は切削研磨する前の光学素子原
材の端面（劈開面）の半導体層部分の凹凸をＡＦＭによ
り測定した結果を示す図、図５（Ｂ）は光学素子原材の
端面を本発明の方法により切削研磨したときの当該端面
の半導体層部分の凹凸をＡＦＭにより測定した結果を示
す図である。図５（Ａ）および図５（Ｂ）は、光学素子
原材の表面に平行な方向にスキャンしたときの測定結果
を示すもので、横軸がスキャン距離（μｍ）を示し、縦
軸が凹凸（ｎｍ）を示している。図５（Ａ）では凹凸の
段差が最大で３０ｎｍ程度であるのに対し、図５（Ｂ）
では凹凸の段差が最大で５ｎｍ程度である。このことか
らも分かるように、本発明の方法によれば、十分に平滑
な光学面が得られる。

【００３６】

【発明の効果】本発明の光学素子の製造方法によれば、
十分に平滑な光学面を得ることができる。また、光学素
子原材の支持ステージへの取付を容易に行うことができ
るし、支持ステージから取り外すことなしにそのカット
端を切削研磨できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ウエハ切断工程において、切断前の状態の一例
を示す図であり、（Ａ）は先端断面がＶ字形の回転ブレ
ードによりウエハの裏面にＶ字溝３を形成した様子を示
す平面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるａ−ａ線の断面図で
ある。

【図２】（Ａ）は光学素子原材固定工程において、光学
素子原材をガラス板からなる支持ステージ５に固定した
様子を示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるｂ−ｂ線の
断面図である。

【図３】（Ａ）は切削研磨工程において、回転ディスク
が光学素子原材４の迫出し部の端面を切削研磨している
様子を示す平面図、（Ｂ）はその側面図である。

【図４】（Ａ）は切削研磨工程における切削研磨の状態
を示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるｃ−ｃ線の断面
図である。

【図５】（Ａ）は切削研磨する前の光学素子原材の端面
（劈開面）の凹凸をＡＦＭにより測定した結果を示す
図、（Ｂ）は光学素子原材の端面を本発明の方法により
切削研磨したときの当該端面の凹凸をＡＦＭにより測定
した結果を示す図である。

【図６】（Ａ）は端部に迫り出し部を有する従来の方法
により製造した光学素子を示す図、（Ｂ）は端部にケガ
キ溝の微小な切り欠き部を有する光学素子を示す図であ
る。

【図７】従来技術の不都合を示す図であり、光学面とな
る部分（光学素子のカット端）に非平滑面が生成された
様子を示す図である。

【図８】光学素子のカット端面をポリッシングする従来
技術を示す図である。

【符号の説明】

１回転ブレード２ウエハ２１サファイア基板２２半導体層２４ウエハの表面２５ウエハの裏面３Ｖ字溝３′切断分離溝４光学素子原材４１迫り出し部５支持ステージ５１光学素子原材載置面６ワックス７回転ディスク

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者渡辺智神奈川県川崎市高津区坂戸３丁目２番２号ヒューレット・パッカードラボラトリーズジャパンインク内 (72)発明者山田範秀神奈川県川崎市高津区坂戸３丁目２番２号ヒューレット・パッカードラボラトリーズジャパンインク内 (72)発明者エリック・マレンジャー神奈川県川崎市高津区坂戸３丁目２番２号ヒューレット・パッカードラボラトリーズジャパンインク内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】対向する両端部の表面側が光学面となる
光学素子の製造方法であって、支持ステージの光学素子原材載置面に、前記光学素子原
材を、その全体が前記光学素子載置面に含まれ、かつそ
の裏面側が前記光学素子原材載置面の側に位置するよう
に固定する、光学素子原材固定工程、少なくとも一方の側面が切削研磨面である回転ディスク
により、ディスク周端が前記光学素子原材載置面に接触
せず、かつ前記回転ディスクの前記切削研磨面が前記光
学素子原材の両端部の表面に平行となる状態で、前記光
学素子原材の両カット端面を切削研磨する、切削研磨工
程、を含むことを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項２】光学素子用ウエハを切断して、その対向
する両カット端が前記光学素子の前記両端部に対応する
光学素子原材を得るウエハ切断工程を、前記光学素子原
材固定工程の前に設けることを特徴とする請求項１に記
載の光学素子の製造方法。
【請求項３】前記ウエハ切断工程において、前記光学
素子用ウエハの裏面側に切削溝を形成した後、前記光学
素子用ウエハをクリービングにより切断することで前記
光学素子原材を得ることを特徴とする請求項２に記載の
光学素子の製造方法。
【請求項４】前記ウエハ切断工程において、前記切削
溝を、ダイシングソーを用いて形成する光学素子の製造
方法であって、前記切削研磨工程において、前記光学素子原材の両カッ
ト端面を、回転ブレードに代えて回転ディスクを取り付
けた前記ダイシングソーを用いて切削研磨することを特
徴とする請求項３に記載の光学素子の製造方法。
【請求項５】前記ウエハ切断工程において、前記切削
溝を、ダイシングソーを用いて形成する光学素子の製造
方法であって、前記ダイシングソーの回転ブレードとして先端断面がＶ
字形のものを用い、前記切削溝を、その底部断面がＶ字
形となるように形成したことを特徴とする請求項３に記
載の光学素子の製造方法。
【請求項６】前記ウエハ切断工程において得られる前
記光学素子原材が、１つの光学素子の大きさを有するこ
と、または複数個の光学素子が並列配置した大きさを有
することを特徴とする請求項２〜５の何れかに記載の光
学素子の製造方法。
【請求項７】前記光学素子用ウエハとして、その表面
に半導体層が形成され、基板がサファイアであるウエハ
を用いることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載
の光学素子の製造方法。
【請求項８】前記半導体層がＩＩＩ−Ｎ系化合物半導
体構造からなることを特徴とする請求項７に記載の光学
素子の製造方法。
【請求項９】前記ＩＩＩ−Ｎ系化合物半導体構造が、
半導体レーザ層を構成することを特徴とする請求項８に
記載の光学素子の製造方法。
【請求項１０】前記切削研磨工程において切削研磨さ
れた前記光学素子原材の両カット端面が、半導体レーザ
の共振器ミラーであることを特徴とする請求項１〜９の
何れかに記載の光学素子の製造方法。
【請求項１１】前記切削研磨工程において、前記光学
素子原材と前記回転ディスクとの相対距離が徐々に短く
なるように、複数回の切削研磨を行うことを特徴とする
請求項１〜１０の何れかに記載の光学素子の製造方法。