JPH05259275A - 半導体製造方法 - Google Patents
半導体製造方法Info
- Publication number
- JPH05259275A JPH05259275A JP5798692A JP5798692A JPH05259275A JP H05259275 A JPH05259275 A JP H05259275A JP 5798692 A JP5798692 A JP 5798692A JP 5798692 A JP5798692 A JP 5798692A JP H05259275 A JPH05259275 A JP H05259275A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- wafer
- semiconductor wafer
- dividing
- sheet material
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】分割時に発生するワレ、カケの破損がウエハ表
面側に発生すること、およびワレ、カケ等の破片がウエ
ハ表面へ付着することを防止する。 【構成】半導体ウエハ１０を分割するための分割用切込
み１４を半導体ウエハ１０の一面に形成する際におい
て、該一面を半導体素子Ａが形成されていない面１０ｂ
にした半導体製造方法。なお、半導体ウエハ１０を透過
しうる光線を他面側から半導体ウエハ１０に向かって照
射し、該透過光線によって半導体素子Ａの形成位置を確
認しながら前記分割用切込み１４を形成し、さらには、
分割用切込み１４を形成するまえに、仮止シート材１２
を半導体素子Ａが形成されている面１０ａに設けること
が望ましい。
面側に発生すること、およびワレ、カケ等の破片がウエ
ハ表面へ付着することを防止する。 【構成】半導体ウエハ１０を分割するための分割用切込
み１４を半導体ウエハ１０の一面に形成する際におい
て、該一面を半導体素子Ａが形成されていない面１０ｂ
にした半導体製造方法。なお、半導体ウエハ１０を透過
しうる光線を他面側から半導体ウエハ１０に向かって照
射し、該透過光線によって半導体素子Ａの形成位置を確
認しながら前記分割用切込み１４を形成し、さらには、
分割用切込み１４を形成するまえに、仮止シート材１２
を半導体素子Ａが形成されている面１０ａに設けること
が望ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造方法にかか
り、詳しくは、半導体ウエハを個々の半導体チップに分
割する方法に関する。
り、詳しくは、半導体ウエハを個々の半導体チップに分
割する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体素子や集積回路が形成
された半導体ウエハを個々の半導体チップに分割する方
法として、スクライビング法といわれる方法がある。こ
の分割方法は、半導体素子が形成されていないウエハ裏
面に伸張性を有する仮止テープを貼付したのち、半導体
ウエハの表面に半導体チップの外形に沿う浅い分割溝
（分割用切込み）をダイアモンドカッタやレーザ照射に
よって形成し、半導体ウエハをゴムローラなどで押圧し
て撓ませ、前記した分割溝に沿って半導体ウエハを割
る、というものである。
された半導体ウエハを個々の半導体チップに分割する方
法として、スクライビング法といわれる方法がある。こ
の分割方法は、半導体素子が形成されていないウエハ裏
面に伸張性を有する仮止テープを貼付したのち、半導体
ウエハの表面に半導体チップの外形に沿う浅い分割溝
（分割用切込み）をダイアモンドカッタやレーザ照射に
よって形成し、半導体ウエハをゴムローラなどで押圧し
て撓ませ、前記した分割溝に沿って半導体ウエハを割
る、というものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このスクラ
イビング法によれば、分割溝の形成の際にワレ、カケが
発生することがある。特に、半導体ウエハの端部が鋭角
となって欠けやすく、かつ欠けた部分が素子形成面であ
るウエハ表面に付着して電極間の短絡を起こし、素子信
頼性を低下させるという問題があった。
イビング法によれば、分割溝の形成の際にワレ、カケが
発生することがある。特に、半導体ウエハの端部が鋭角
となって欠けやすく、かつ欠けた部分が素子形成面であ
るウエハ表面に付着して電極間の短絡を起こし、素子信
頼性を低下させるという問題があった。
【０００４】さらに、このようにしてワレ、カケが発生
するのは、ウエハ表面、すなわち半導体素子形成面であ
り、これによって半導体チップの外見を損なうという問
題もあった。
するのは、ウエハ表面、すなわち半導体素子形成面であ
り、これによって半導体チップの外見を損なうという問
題もあった。
【０００５】本発明はかかる従来の問題点に鑑み、分割
時に発生するワレ、カケ等の破片が素子形成面へ付着す
ることと、このようなワレ、カケが素子表面側に発生す
ることの防止を目的としている。
時に発生するワレ、カケ等の破片が素子形成面へ付着す
ることと、このようなワレ、カケが素子表面側に発生す
ることの防止を目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の半導体製造方法は、半導体ウエハを
分割するための分割用切込みを半導体ウエハの一面に形
成する際において、該一面を半導体素子が形成されてい
ない面にしたことに特徴を有している。
るために、本発明の半導体製造方法は、半導体ウエハを
分割するための分割用切込みを半導体ウエハの一面に形
成する際において、該一面を半導体素子が形成されてい
ない面にしたことに特徴を有している。
【０００７】なお、半導体ウエハを透過しうる光線を他
面側から半導体ウエハに向かって照射し、該透過光線に
よって前記半導体素子の形成位置を確認しながら前記分
割用切込みを形成することが好ましく、さらには、前記
分割用切込みを形成するまえに、仮止シート材を半導体
素子が形成されている面に設けることが好ましい。
面側から半導体ウエハに向かって照射し、該透過光線に
よって前記半導体素子の形成位置を確認しながら前記分
割用切込みを形成することが好ましく、さらには、前記
分割用切込みを形成するまえに、仮止シート材を半導体
素子が形成されている面に設けることが好ましい。
【０００８】
【作用】上記構成によれば、分割用切込みは、半導体素
子が形成されていない面に形成されるので、分割用切込
み形成時に発生するワレ、カケ等のキズが半導体形成面
に発生することはなくなる。また、仮止シート材を半導体
素子が形成されている面に設けると、分割時に発生する
ワレ、カケ等の破片が、半導体素子形成面に付着するこ
とがなくなる。
子が形成されていない面に形成されるので、分割用切込
み形成時に発生するワレ、カケ等のキズが半導体形成面
に発生することはなくなる。また、仮止シート材を半導体
素子が形成されている面に設けると、分割時に発生する
ワレ、カケ等の破片が、半導体素子形成面に付着するこ
とがなくなる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明による半導体ウェハの製造方法
の一実施例を、その手順にしたがって説明する。なお、
第１図それぞれは手順ごとの半導体ウェハを示す説明図
であり、これらの図における符号１０は半導体ウエハ、
１１は半導体チップで、Ａは半導体ウエハ１０表面に形
成された半導体素子である。
の一実施例を、その手順にしたがって説明する。なお、
第１図それぞれは手順ごとの半導体ウェハを示す説明図
であり、これらの図における符号１０は半導体ウエハ、
１１は半導体チップで、Ａは半導体ウエハ１０表面に形
成された半導体素子である。
【００１０】まず、図１（ａ）に示すように、半導体ウ
エハ１０に伸張性を有する仮止シート材１２を貼り付け
る。貼付の際には、半導体ウエハ１０の表面、すなわ
ち、半導体素子が形成されている面１０ａと仮止シート
材１２とを向かい合わせ、仮止めシート材１２によって
表面１０ａが覆われるようにしておく。
エハ１０に伸張性を有する仮止シート材１２を貼り付け
る。貼付の際には、半導体ウエハ１０の表面、すなわ
ち、半導体素子が形成されている面１０ａと仮止シート
材１２とを向かい合わせ、仮止めシート材１２によって
表面１０ａが覆われるようにしておく。
【００１１】仮止シート材１２を張り付けたのち、ダイ
ヤモンドカッタ１３によって半導体ウエハ１０の所定位
置にスクライブライン(分割用切込み)１４を形成する。
スクライブライン１４は半導体素子裏面、すなわち、半
導体素子が形成されていない面１０ｂに形成する。スク
ライブライン１４刻設時には、シート材１２外側に、赤
外線ランプ１５を、さらに、ウエハ１０は挟んでこの赤
外線ランプ１５と対向する位置に赤外線カメラ１６を配
設しておく。そして、赤外線ランプ１５から半導体ウエ
ハ１０に向かって赤外光Ｒを照射し、半導体ウエハ１０
を透過した赤外光Ｒを赤外線カメラ１６によって捕らえ
る。捕られた透過赤外光ＲはＣＲＴモニター１７に映し
出され、この透過赤外光Ｒによって、半導体ウエハ１０
上の半導体素子Ａ配置構成が確認される。そのため、ウ
エハ裏面１０ｂであるにもかかわらず、スクライブライ
ン１４を正確に形成することができる。また、スクライ
ブライン１４形成時には、従来と同様、ダイヤモンドカ
ッタ１３と接する部分に、ワレ、カケといった破損が生
じることが考えられる。しかしながら、スクライブライ
ン１４は、ウエハ裏面１０ｂに刻設されるので、ワレ、
カケ等の破損によってチップ外見が損なれることにはな
らない。また、このとき、半導体ウエハ１０の表面１０
ａは仮止シート材１２によって覆われているため、これ
ら破片が付着することも起こらない。
ヤモンドカッタ１３によって半導体ウエハ１０の所定位
置にスクライブライン(分割用切込み)１４を形成する。
スクライブライン１４は半導体素子裏面、すなわち、半
導体素子が形成されていない面１０ｂに形成する。スク
ライブライン１４刻設時には、シート材１２外側に、赤
外線ランプ１５を、さらに、ウエハ１０は挟んでこの赤
外線ランプ１５と対向する位置に赤外線カメラ１６を配
設しておく。そして、赤外線ランプ１５から半導体ウエ
ハ１０に向かって赤外光Ｒを照射し、半導体ウエハ１０
を透過した赤外光Ｒを赤外線カメラ１６によって捕らえ
る。捕られた透過赤外光ＲはＣＲＴモニター１７に映し
出され、この透過赤外光Ｒによって、半導体ウエハ１０
上の半導体素子Ａ配置構成が確認される。そのため、ウ
エハ裏面１０ｂであるにもかかわらず、スクライブライ
ン１４を正確に形成することができる。また、スクライ
ブライン１４形成時には、従来と同様、ダイヤモンドカ
ッタ１３と接する部分に、ワレ、カケといった破損が生
じることが考えられる。しかしながら、スクライブライ
ン１４は、ウエハ裏面１０ｂに刻設されるので、ワレ、
カケ等の破損によってチップ外見が損なれることにはな
らない。また、このとき、半導体ウエハ１０の表面１０
ａは仮止シート材１２によって覆われているため、これ
ら破片が付着することも起こらない。
【００１２】スクライブライン１４を形成したのち、図
１（ｃ）に示すように、仮止シート材外表面１２ａに沿
って回転ローラ１８（たとえば、ゴム製ローラ）を押圧
状態で往来させ、これによって半導体ウエハ１０を撓ま
せる。撓まされた半導体ウエハ１０は、クライブライン
１４に沿って割れ、これによって半導体ウェハは各半導
体チップ１１毎に分割（ブレイク）される。
１（ｃ）に示すように、仮止シート材外表面１２ａに沿
って回転ローラ１８（たとえば、ゴム製ローラ）を押圧
状態で往来させ、これによって半導体ウエハ１０を撓ま
せる。撓まされた半導体ウエハ１０は、クライブライン
１４に沿って割れ、これによって半導体ウェハは各半導
体チップ１１毎に分割（ブレイク）される。
【００１３】分割が終了したのち、図１（ｄ）に示すよ
うに、今度は仮止シート材１２をその長さ方向に引っ張
り、各半導体チップ１１を互いに分離させる。分離させ
たのウエハ裏面１０ｂにチップ反転用のシート材２１を
貼付し、この状態で、図１（ｅ）に示すように、チップ
１１全体を反転させるとともに仮止シート材１を剥離す
る。これによって半導体ウエハ１０の分割が完了する。
うに、今度は仮止シート材１２をその長さ方向に引っ張
り、各半導体チップ１１を互いに分離させる。分離させ
たのウエハ裏面１０ｂにチップ反転用のシート材２１を
貼付し、この状態で、図１（ｅ）に示すように、チップ
１１全体を反転させるとともに仮止シート材１を剥離す
る。これによって半導体ウエハ１０の分割が完了する。
【００１４】なお、仮止めシート材１２に塗布する粘着
剤として、紫外線照射によりその粘着力が弱まるものを
用いてもよい。そうすると、チップ反転作業の前に仮止
めシート材１２に紫外線を照射して仮止めシート材１２
の粘着力を弱めておけば、反転用シート材２１によるチ
ップ反転が容易になる。
剤として、紫外線照射によりその粘着力が弱まるものを
用いてもよい。そうすると、チップ反転作業の前に仮止
めシート材１２に紫外線を照射して仮止めシート材１２
の粘着力を弱めておけば、反転用シート材２１によるチ
ップ反転が容易になる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ワレ、カケといった分割時に発生する半導体ウエハの破
損箇所を、半導体素子が形成されていない面、すなわ
ち、半導体ウエハの裏面に限定することができた。した
がって、ワレ、カケ等の破片がその反対面であるウエハ
表面に付着しにくくなるとともに、分割作業によって半
導体チップの外見上の見映えを損なうといった不都合が
なくなった。そのため、製造歩留まりが向上し、さらに
は素子の信頼性も向上した。
ワレ、カケといった分割時に発生する半導体ウエハの破
損箇所を、半導体素子が形成されていない面、すなわ
ち、半導体ウエハの裏面に限定することができた。した
がって、ワレ、カケ等の破片がその反対面であるウエハ
表面に付着しにくくなるとともに、分割作業によって半
導体チップの外見上の見映えを損なうといった不都合が
なくなった。そのため、製造歩留まりが向上し、さらに
は素子の信頼性も向上した。
【００１６】くわえて、仮止シート材を半導体素子が形
成されている面、すなわち、半導体ウエハ表面に設けれ
ば、この仮止シート材によって、ウエハ表面にワレ、カ
ケ等の破片が付着することを完全に防止でき、歩留まり
および素子の信頼性をより向上させることが可能にな
る。
成されている面、すなわち、半導体ウエハ表面に設けれ
ば、この仮止シート材によって、ウエハ表面にワレ、カ
ケ等の破片が付着することを完全に防止でき、歩留まり
および素子の信頼性をより向上させることが可能にな
る。
【図１】本発明の一実施例の半導体ウエハの製造方法の
各工程を示す側面図である。
各工程を示す側面図である。
１０ 半導体ウエハ １０ａ 半導体素子表面 １０ｂ 半導体素子裏面 １４ スクライブライン（分割用切込み）
Claims (3)
- 【請求項１】半導体ウエハ（１０）を分割するための分
割用切込み（１４）を半導体ウエハ（１０）の一面に形
成する際において、該一面を半導体素子（Ａ）が形成さ
れていない面（１０ｂ）にすることを特徴とする半導体
製造方法。 - 【請求項２】半導体ウエハ（１０）を透過しうる光線を
他面側から半導体ウエハ（１０）に向かって照射し、該
透過光線によって前記半導体素子（Ａ）の形成位置を確
認しながら前記分割用切込み（１４）を形成することを
特徴とする半導体製造方法。 - 【請求項３】前記分割用切込み（１４）を形成するまえ
に、仮止シート材（１２）を半導体素子（Ａ）が形成さ
れている面（１０ａ）に設けることを特徴とする請求項
１もしくは請求項２記載の半導体製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5798692A JPH05259275A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 半導体製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5798692A JPH05259275A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 半導体製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259275A true JPH05259275A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=13071336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5798692A Pending JPH05259275A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 半導体製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05259275A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006008829A1 (ja) * | 2004-07-22 | 2006-01-26 | Renesas Technology Corp. | 半導体装置の製造方法 |
| JP2008135785A (ja) * | 2008-02-18 | 2008-06-12 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子の製造方法 |
| JP2014011280A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体ウェーハのダイシング方法及び半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-03-16 JP JP5798692A patent/JPH05259275A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006008829A1 (ja) * | 2004-07-22 | 2006-01-26 | Renesas Technology Corp. | 半導体装置の製造方法 |
| US7998793B2 (en) | 2004-07-22 | 2011-08-16 | Renesas Electronics Corporation | Light illumination during wafer dicing to prevent aluminum corrosion |
| JP2008135785A (ja) * | 2008-02-18 | 2008-06-12 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子の製造方法 |
| JP2014011280A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体ウェーハのダイシング方法及び半導体装置の製造方法 |
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