JPH0434931A - 半導体ウエハおよびその処理方法 - Google Patents
半導体ウエハおよびその処理方法Info
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- JPH0434931A JPH0434931A JP13980290A JP13980290A JPH0434931A JP H0434931 A JPH0434931 A JP H0434931A JP 13980290 A JP13980290 A JP 13980290A JP 13980290 A JP13980290 A JP 13980290A JP H0434931 A JPH0434931 A JP H0434931A
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Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、裏面研削が行なわれる半導体ウェハの主とし
て周辺部の形状、処理に関するものである。
て周辺部の形状、処理に関するものである。
（従来の技術）
第３図、第４図に従来の半導体ウェハの周辺部端面の形
状と裏面研削後のその形状を示す。
状と裏面研削後のその形状を示す。
第３図において３１は半導体ウェハ（以下単にウェハと
称す）、３２は半導体デバイス（以下単にデバイスと称
す）作成面（表面）である。
称す）、３２は半導体デバイス（以下単にデバイスと称
す）作成面（表面）である。
一般にウェハの端面ば、ホトリソグラフィ工程における
レジストコート時にレジストが端面で厚（ならないため
や、ウェハ状態においてチッピングが起こらないように
、ラウンドエツジと呼ばれるテーパ３３と丸み３４を有
する形状に加工されている。この加工は周知のようにベ
ベル加工（ベベリング）と言われる研磨技術で行なわれ
る。
レジストコート時にレジストが端面で厚（ならないため
や、ウェハ状態においてチッピングが起こらないように
、ラウンドエツジと呼ばれるテーパ３３と丸み３４を有
する形状に加工されている。この加工は周知のようにベ
ベル加工（ベベリング）と言われる研磨技術で行なわれ
る。
一方、ウェハ３１の厚さ３５は、４吋径ウェハで５２５
μｍ、５吋、６吋で６２５μｍ、８吋で７２５μｍと大
口径になるに従って厚くなる。しかし、周知のように半
導体完成品としては厚過ぎるので、ウェハプロセスが完
了するとバックグラインドと言われる工程で、例えば２
００〜４００μｍの厚さに裏面を研削している。第３図
（ｂ）に示すように、研削されたウェハ３１は研削面に
破砕層３６が発生する。この破砕層は基板がシリコンに
あってはその共有結合が切れたものであるので、このよ
うな破砕層３６が発生していると強度が大幅に低下して
しまう。またテーバ３３が長（、丸、み３４の半径が小
さい場合、研削後の厚さ３７がウェハ３１の断面中心ま
での厚さ３８より薄くなると研削後のウェハの端面（エ
ツジ）３９は鋭い角度を有することになる。
μｍ、５吋、６吋で６２５μｍ、８吋で７２５μｍと大
口径になるに従って厚くなる。しかし、周知のように半
導体完成品としては厚過ぎるので、ウェハプロセスが完
了するとバックグラインドと言われる工程で、例えば２
００〜４００μｍの厚さに裏面を研削している。第３図
（ｂ）に示すように、研削されたウェハ３１は研削面に
破砕層３６が発生する。この破砕層は基板がシリコンに
あってはその共有結合が切れたものであるので、このよ
うな破砕層３６が発生していると強度が大幅に低下して
しまう。またテーバ３３が長（、丸、み３４の半径が小
さい場合、研削後の厚さ３７がウェハ３１の断面中心ま
での厚さ３８より薄くなると研削後のウェハの端面（エ
ツジ）３９は鋭い角度を有することになる。
また、第４図に示すようにテーパ３３°が短く丸み３４
゛の半径が大きいウェハ３１’においても、研削後やは
り９０度程度のエツジ３９°を有する端面となり、破砕
層３６°がそのエツジ３９゜の部分に迫って存在する状
態となる。
゛の半径が大きいウェハ３１’においても、研削後やは
り９０度程度のエツジ３９°を有する端面となり、破砕
層３６°がそのエツジ３９゜の部分に迫って存在する状
態となる。
（発明が解決しようとする課題）
前述のように、研削後ウェハの端面の研削側が鋭角にな
っていると、テフロンキャリアなどの樹脂や搬送用ベル
トなどに傷を付け、ごみを発生する元となる。また、破
砕層をエツジ部分にまで有していることも多々あり、装
置内の金属などとの接触によりエツジの欠けやウェハの
割れが生じる要因となる。この要因であるエツジの角度
をできるだけ鋭角にならないようにしたのが、第４図で
あり（即ち、テーパな短く、丸み半径を大きくした）、
多少前記要因は緩和されるとは言え、やはり破砕層はエ
ツジ部分まで達しており、前述の要因を解決するには至
っていない。
っていると、テフロンキャリアなどの樹脂や搬送用ベル
トなどに傷を付け、ごみを発生する元となる。また、破
砕層をエツジ部分にまで有していることも多々あり、装
置内の金属などとの接触によりエツジの欠けやウェハの
割れが生じる要因となる。この要因であるエツジの角度
をできるだけ鋭角にならないようにしたのが、第４図で
あり（即ち、テーパな短く、丸み半径を大きくした）、
多少前記要因は緩和されるとは言え、やはり破砕層はエ
ツジ部分まで達しており、前述の要因を解決するには至
っていない。
本発明は以上述べた欠陥要因を解決するウェハの形状、
処理を提供するものである。
処理を提供するものである。
（課題を解決するための手段）
本発明は前述の課題を解決するため、ウェハの端面の形
状を研削後の研削側端面においても角度がつかないよう
にしたものである。
状を研削後の研削側端面においても角度がつかないよう
にしたものである。
第１の発明は、研削前のウェハの端面のラウンドエツジ
の形状を、研削後もその研削側端面に丸みが残る位置に
テーバ、丸みをつけるようにしたものである。
の形状を、研削後もその研削側端面に丸みが残る位置に
テーバ、丸みをつけるようにしたものである。
第２の発明は、ウェハ周辺部に研削後レーザ光を照射し
て溶融し、丸みをおびた形状とするものである。
て溶融し、丸みをおびた形状とするものである。
（作用）
本発明はウェハの端面の形状を前述のように、研削後も
研削側端面で丸みを持たすようにしたので、その端面が
鋭角ではな（、研削による破砕層もエツジ部まで達して
いることはな（、ウェハエツジの欠けや割れは生じず、
またほかの装置に傷付けたりすることはなくなる。
研削側端面で丸みを持たすようにしたので、その端面が
鋭角ではな（、研削による破砕層もエツジ部まで達して
いることはな（、ウェハエツジの欠けや割れは生じず、
またほかの装置に傷付けたりすることはなくなる。
（実施例）
第１図に本発明の第１の実施例を示す。主として断面を
表わしており、（ａ）図は研削前のウェハの端面の断面
図、（ｂ）図は研削後の断面図である。
表わしており、（ａ）図は研削前のウェハの端面の断面
図、（ｂ）図は研削後の断面図である。
図において１は半導体ウェハ、２はデバイス作成面であ
る。本実施例では、研削前のウェハ端面の形状を図に示
すように、エツジ部の最端面３の厚さ４（デバイス面２
から最端面の下部終点までの厚さ）を裏面研削後（（ｂ
）図）のウニへ残し厚さ（最終的な厚さ）５より小さ（
するように研削前のウェハ端面を作成しておく。（ベベ
ル加工で可）そのようなウェハを使用すれば研削後も研
削側の端面ば（ｂ）図のように丸みを有することになる
。即ち、研削面には破砕層６が発生しているが、その端
面には丸みの一部としてひさし状の形状８ができている
ので滑らかな端面となる。
る。本実施例では、研削前のウェハ端面の形状を図に示
すように、エツジ部の最端面３の厚さ４（デバイス面２
から最端面の下部終点までの厚さ）を裏面研削後（（ｂ
）図）のウニへ残し厚さ（最終的な厚さ）５より小さ（
するように研削前のウェハ端面を作成しておく。（ベベ
ル加工で可）そのようなウェハを使用すれば研削後も研
削側の端面ば（ｂ）図のように丸みを有することになる
。即ち、研削面には破砕層６が発生しているが、その端
面には丸みの一部としてひさし状の形状８ができている
ので滑らかな端面となる。
第２の実施例を第２図に示す。これは第１の実施例では
ウェハの残し厚さが２００μｍ程度以下になると効果が
小さくなることに対処したものである。
ウェハの残し厚さが２００μｍ程度以下になると効果が
小さくなることに対処したものである。
図において１１はウェハ、１２はデバイス面、１３は研
削面（裏面）である。図はウェハが表裏逆になっている
。このようにレーザ光照射装置に表裏逆にしてセットす
る。このウェハは従来の技術の項で説明したエツジ１４
が研削後鋭角になっているものである。このようなウェ
ハ１１を前述のようにレーザ照射装置にセットして、レ
ーザ光１６をそのエツジ部１５に照射して溶融させる。
削面（裏面）である。図はウェハが表裏逆になっている
。このようにレーザ光照射装置に表裏逆にしてセットす
る。このウェハは従来の技術の項で説明したエツジ１４
が研削後鋭角になっているものである。このようなウェ
ハ１１を前述のようにレーザ照射装置にセットして、レ
ーザ光１６をそのエツジ部１５に照射して溶融させる。
その結果を示したのが（ｂ）図である。１７はレーザ光
１６で溶融させた部分であり、幅・１８は（ｃ）図に示
すウェハ全体図の幅１８に相当するもので、ウェハ周辺
のみとする。それはデバイス部１９に熱的影響を与えな
いためであり、照射する必要もないし、照射面積を少な
（できる。さらに溶融の深さ２０は破砕層１３の深さよ
り深くするとともに溶融部の先端部分２１が表面張力に
より丸くなる深さとする。以上の処理により研削後のウ
ェハの周辺部端面は丸みをおびた形状となり従来のよう
に鋭角ではなくなり、破砕層１３も溶融によりその部分
では再結合して消滅する。なおこのようなレーザ光照射
は通常の装置で行なえることは言うまでもない。
１６で溶融させた部分であり、幅・１８は（ｃ）図に示
すウェハ全体図の幅１８に相当するもので、ウェハ周辺
のみとする。それはデバイス部１９に熱的影響を与えな
いためであり、照射する必要もないし、照射面積を少な
（できる。さらに溶融の深さ２０は破砕層１３の深さよ
り深くするとともに溶融部の先端部分２１が表面張力に
より丸くなる深さとする。以上の処理により研削後のウ
ェハの周辺部端面は丸みをおびた形状となり従来のよう
に鋭角ではなくなり、破砕層１３も溶融によりその部分
では再結合して消滅する。なおこのようなレーザ光照射
は通常の装置で行なえることは言うまでもない。
また、第１の実施例で示した端面を有するウェハも従来
のベベル加工技術で製作できることも申し添えておく。
のベベル加工技術で製作できることも申し添えておく。
（発明の効果）
第１、第２の実施例とも、研削後のその端面の形状を丸
みをおびたものにするので、キャリアの樹脂や搬送ベル
トなどに傷をつけることもなく、またウェハ端面の欠け
や割れも発生しない。さらに、第２の実施例では端面の
破砕層をも無くすことができ第１の実施例以上に前記効
果は大である。
みをおびたものにするので、キャリアの樹脂や搬送ベル
トなどに傷をつけることもなく、またウェハ端面の欠け
や割れも発生しない。さらに、第２の実施例では端面の
破砕層をも無くすことができ第１の実施例以上に前記効
果は大である。
第１図は本発明の第１の実施例の説明図、第２図は本発
明の第２の実施例の説明図、第３図は従来の第１の例の
説明図、第４図は従来の例の第２の説明図である。 １−−一半導体つエバ、 ２−ｍ−デバイス面、３−一
一最端面、 ４−一一最端面の厚さ、５−ｍ−つ
エバ残し厚さ、６一−−破砕層、７一−−裏面エツジ、
８−一一ひさし、１１−−−ウェハ、
１２−ｍ−デバイス面、１３−ｍ−破砕層、
１３−ｍ−エッジ、１５−ｍ＝エッジ部、 １６
−−−レーザ光、１７一−−溶融部、 １８−ｍ
−溶融幅、２０−一一溶融深さ、 ２１−ｍ−先端
部。
明の第２の実施例の説明図、第３図は従来の第１の例の
説明図、第４図は従来の例の第２の説明図である。 １−−一半導体つエバ、 ２−ｍ−デバイス面、３−一
一最端面、 ４−一一最端面の厚さ、５−ｍ−つ
エバ残し厚さ、６一−−破砕層、７一−−裏面エツジ、
８−一一ひさし、１１−−−ウェハ、
１２−ｍ−デバイス面、１３−ｍ−破砕層、
１３−ｍ−エッジ、１５−ｍ＝エッジ部、 １６
−−−レーザ光、１７一−−溶融部、 １８−ｍ
−溶融幅、２０−一一溶融深さ、 ２１−ｍ−先端
部。
Claims (2)
- （１）端面の形状が丸みとテーパを有するラウンドエッ
ジである半導体ウェハにおいて、該半導体ウェハに半導
体デバイス作成後行なう裏面研削後も、その研削側端面
に丸みとテーパ形状が残る位置に前記ラウンドエッジを
設定したことを特徴とする半導体ウェハ。 - （２）裏面研削を行なった半導体ウェハの周辺部にレー
ザ光を照射して溶融させ、前記周辺部端面を丸みをおび
た形状とすることを特徴とする半導体ウェハの処理方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13980290A JPH0434931A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 半導体ウエハおよびその処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13980290A JPH0434931A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 半導体ウエハおよびその処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0434931A true JPH0434931A (ja) | 1992-02-05 |
Family
ID=15253776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13980290A Pending JPH0434931A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 半導体ウエハおよびその処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0434931A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5677565A (en) * | 1995-02-28 | 1997-10-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Monocrystalline compound semiconductor wafer including non-monocrystalline peripheral region |
| US6290837B1 (en) | 1997-06-09 | 2001-09-18 | Denso Corporation | Method for machining slots in molding die |
| WO2003023836A1 (fr) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Appareil permettant de reparer un defaut d'un substrat |
| US7250365B2 (en) | 2001-04-17 | 2007-07-31 | Renesas Technology Corp. | Fabrication method of semiconductor integrated circuit device |
| JP2007335521A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ外周部研削方法 |
| JP2009027198A (ja) * | 2008-10-31 | 2009-02-05 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| WO2010067814A1 (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-17 | 住友電気工業株式会社 | 基板および基板の製造方法 |
| WO2015182280A1 (ja) * | 2014-05-26 | 2015-12-03 | 住友金属鉱山株式会社 | サファイア基板、サファイア基板の製造方法 |
| US9355852B2 (en) | 2013-07-11 | 2016-05-31 | Mitsubish Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
-
1990
- 1990-05-31 JP JP13980290A patent/JPH0434931A/ja active Pending
Cited By (13)
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| JP2010141124A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 基板および基板の製造方法 |
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