TWI488726B - Segmentation method - Google Patents
Segmentation method Download PDFInfo
- Publication number
- TWI488726B TWI488726B TW100129221A TW100129221A TWI488726B TW I488726 B TWI488726 B TW I488726B TW 100129221 A TW100129221 A TW 100129221A TW 100129221 A TW100129221 A TW 100129221A TW I488726 B TWI488726 B TW I488726B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- sapphire wafer
- light
- cutting
- dividing
- cutting groove
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 66
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 title claims 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 155
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 155
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 151
- 238000002407 reforming Methods 0.000 claims description 37
- 238000002679 ablation Methods 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 14
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- KWLSQQRRSAWBOQ-UHFFFAOYSA-N dipotassioarsanylpotassium Chemical compound [K][As]([K])[K] KWLSQQRRSAWBOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/782—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, each consisting of a single circuit element
- H01L21/786—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, each consisting of a single circuit element the substrate being other than a semiconductor body, e.g. insulating body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Dicing (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
本發明係有關於一種將發光元件用晶圓分割成諸個發光元件之分割方法，特別是有關於一種分割藍寶石晶圓之分割方法。
發光二極體(LED：Light Emitting Doide)等發光元件已知有於藍寶石層之表面層疊有發光層者(例如參照專利文獻1)。此發光元件係藉將於藍寶石基板表面層疊有發光層之1片藍寶石晶圓沿著分割預定線分割成複數而製造。此藍寶石晶圓等發光元件晶圓之分割方法已知有使用雷射加工之方法(例如參照專利文獻2、專利文獻3)。
於專利文獻2記載之分割方法係以脈衝雷射光束於晶圓表面形成沿著分割預定線之雷射加工溝，且對雷射加工溝施加外力，藉此，可分割晶圓。又，於專利文獻3記載之分割方法係藉具透過性之脈衝雷射光束，於晶圓內部形成沿著分割預定線之連續之改質層，且對強度已降低之改質層施加外力，藉此，可分割晶圓。
專利文獻1 日本專利公開公報平10-056203號
專利文獻2 日本專利公開公報平10-305420號
專利文獻3 日本專利公報第3408805號
而在上述發光元件中，將從發光層放射至藍寶石層之光線從藍寶石層射出至空氣中。然而，由於藍寶石之折射率遠大於空氣，故產生無法從藍寶石層以良好效率射出光線之問題。這是因光線對藍寶石層-空氣界面之入射角大於臨界角(34.5°)時，在該界面產生全反射，光線被封在藍寶石層中之故。
本發明即是鑑於此點而發明者，其目的係提供可提高藉藍寶石晶圓之分割而形成之發光元件之亮度的分割方法。
本發明之分割方法係提供一種藍寶石晶圓之分割方法，該藍寶石晶圓係於表面上層疊發光層，且在以於該發光層形成格子狀之複數分割預定線所劃分之各區域形成有發光元件者，該分割方法係將前述藍寶石晶圓沿著前述分割預定線分割者，其具備改質層形成步驟、切削溝形成步驟及分割步驟，該改質層形成步驟係從前述藍寶石晶圓之背面側沿著前述分割預定線照射對藍寶石晶圓具透過性之波長之雷射光束，藉此，可沿著該分割預定線於藍寶石晶圓內部形成改質層者；該切削溝形成步驟係從前述藍寶石晶圓之背面側以切削刀片切削該藍寶石晶圓，而沿著該分割預定線形成切削溝，藉此，對前述發光元件施予去角加工者；該分割步驟係於施行前述改質層形成步驟及前述切削溝形成步驟後，以前述改質層為分割起點，沿著前述分割預定線，將該藍寶石晶圓分割成諸個發光元件者。
根據此結構，藉以切削溝形成步驟沿著分割預定線於藍寶石晶圓形成切削溝，可將以分割步驟分割藍寶石晶圓而形成之諸個發光元件之角部去角。藉此去角，可於發光元件之背面側形成多角形外形面，而易發射在元件內被反射之光線，而可提高發光元件之亮度。此外，在此所稱之去角不限於將發光元件之角部加工成斜面狀，亦可將角部加工成可抑制角度保存之形狀、例如曲面狀。
本發明之分割方法更宜具備預備溝形成步驟，該預備溝形成步驟係於前述切削溝形成步驟之前，將對該藍寶石晶圓具吸收性之波長之雷射光束照射於該藍寶石晶圓，施予消蝕加工，藉此，可從該藍寶石晶圓之背面側沿著前述分割預定線，形成預備溝者。
又，本發明係在上述分割方法中，以前述切削溝形成步驟形成前述切削溝後，以前述改質層形成步驟，形成前述改質層。
根據本發明，藉於作為分割起點之分割預定線上形成切削溝，將藍寶石晶圓分割成諸個發光元件，可易將來自各元件之發光層之光線射出至外部，而使亮度提高。
第1圖係顯示本發明分割方法之實施形態之圖，係切削裝置之立體圖。
第2圖係顯示本發明分割方法之實施形態之圖，係雷射加工裝置之立體圖。
第3圖係顯示本發明分割方法之實施形態之圖，係膠帶擴張裝置之立體圖。
第4(a)圖、第4(b)圖係顯示本發明分割方法之實施形態之圖，係發光元件之側視圖。
第5(a)圖~第5(c)圖係顯示本發明分割方法之實施形態之圖，係分割方法之說明圖。
第6圖係顯示本發明分割方法之實施形態之圖，係刀片寬度與雷射點徑之關係之說明圖。
第7(a)圖~第7(e)圖係顯示本發明分割方法之實施形態之圖，係切削刀片之刀片寬度與亮度之關係的說明圖。
第8(a)圖~第8(d)圖係顯示本發明分割方法之變形例之圖，係分割方法之說明圖。
第9(a)圖、第9(b)圖係顯示本發明分割方法之另一變形例之圖，係分割方法之說明圖。
使用本實施形態之分割方法之藍寶石晶圓之分割係經由切削裝置所作之切削溝形成步驟、雷射加工裝置所作之改質層形成步驟、膠帶擴張裝置所作之分割步驟來施行。在切削溝形成步驟，於表面層疊有發光層之藍寶石晶圓之背面形成有沿著分割預定線之切削溝。在改質層形成步驟，於藍寶石晶圓之內部形成沿著分割預定線之改質層。
在分割步驟，藉貼附於藍寶石晶圓之表面之切割膠帶之擴張，可將藍寶石晶圓分割成諸個發光元件。將經由該等步驟而被分割之發光元件藉以切削溝形成步驟形成之切削溝將背面側之角部去角，而易將來自設於表面側之發光層之光線射出至外部。以下，就本發明之實施形態，參照附加圖式，就在各步驟使用之裝置結構作說明。
參照第1圖，就用以於藍寶石晶圓形成切削溝之切削裝置，作說明。第1圖係本發明實施形態之切削裝置之立體圖。此外，用於本發明之分割方法之切削裝置不限於第1圖所示之結構。切削裝置只要可對藍寶石晶圓形成切削溝，具有任何結構皆可。
如第1圖所示，切削裝置101構造成使具有切削刀片111之一對刀片單元106與保持有藍寶石晶圓W之吸盤台103相對移動，以切削藍寶石晶圓W。藍寶石晶圓W形成約略圓板狀，於藍寶石(Al2
O3
)基板之表面層疊有發光層。發光層係以排列成格子狀之分割預定線劃分成複數區域，於所劃分之各區域形成有發光元件。
又，藍寶石晶圓W係以形成有發光層之上面朝下，而貼附於在環狀框架131展開之切割膠帶132。此外，在本實施形態中，發光元件用晶圓係舉藍寶石晶圓為例來說明，但非限於此結構者。發光元件晶圓不限於藍寶石基板層疊有發光層者，亦可為於GaAs(砷化鉀)基板、Sic(碳化矽)基板層疊有發光層者。
切削裝置101具有基台102，並於基台102上設有用以將吸盤台103於X軸方向加工進給之吸盤台移動設備104。又，於基台102上設有直立設置成跨越吸盤台移動設備104之門型柱部105，於柱部105設有在吸盤台103之上方，將一對刀片單元106於Y軸方向分度進給之刀片單元移動設備107。
吸盤台移動設備104具有將吸盤台103保持於上部之X軸台112。X軸台112支撐於配置在基台102之上面，且平行於X軸方向之一對引導軌道113，並藉滾珠螺桿式移動設備於X軸方向移動。
吸盤台103具有固定在X軸台112上面之可繞Z軸旋轉之θ台114、設於θ台114之上部，吸附保持藍寶石晶圓W之工作件保持部116。工作件保持部116為具有預定厚度之圓盤狀，並於上面中央部以多孔陶瓷材形成有吸附面。吸附面係藉負壓以切割膠帶132為中介，吸附藍寶石晶圓W之面，並藉由θ台114之內部之配管，連接於吸引源。
於工作件保持部116之周圍藉由從θ台114之四方延伸至徑方向外側之一對支撐臂，設有4個夾部117。4個夾部117以空氣致動器驅動，以夾持固定藍寶石晶圓W周圍之環狀框架131。
刀片單元移動設備107具有對柱部105之前面於Y軸方向移動之一對Y軸台121、對各Y軸台121分別於Z軸方向移動之Z軸台122。於各Z軸台122分別延伸設置有刀片單元106。Y軸台121支撐於配置在柱部105之前面，且平行於Y軸方向之一對引導軌道123，並可藉滾珠螺桿式移動設備於Y軸方向移動。Z軸台122支撐於配置在Y軸台121之前面，且平行於Z軸方向之一對引導軌道124，並可藉滾珠螺桿式移動設備於Z軸方向移動。
刀片單元106具有設於繞Y軸旋轉之心軸之前端的圓盤狀切削刀片111、對切削部份噴射切削水之圖中未示之噴射噴嘴。刀片單元106以心軸使切削刀片111高速旋轉，而可一面從複數噴嘴對切削部份噴射切削水，一面切削加工藍寶石晶圓W。
在此，就切削裝置101所作之切削加工動作作說明。首先，當將藍寶石晶圓W載置於吸盤台103時，吸盤台103便朝面向切削刀片111之加工位置移動。接著，將切削刀片111之切削刃對位於藍寶石晶圓W之分割預定線。然後，藉使刀片單元106下降，可以高速旋轉之切削刃將藍寶石晶圓W之背面切入預定深度。
當以切削刀片111切入藍寶石晶圓W時，便將吸盤台103於X軸方向加工進給，而可於藍寶石晶圓W形成1條切削溝401(參照第5圖)。接著，將切削刀片111於Y軸方向分度進給分割預定線之間距量，而可以切削刀片111於相鄰之分割預定線形成切削溝401。反覆進行此動作，可將於藍寶石晶圓W之第1方向伸長之所有分割預定線加工。
接著，以θ台114將吸盤台103旋轉90度，而可於直交於藍寶石晶圓W之第1方向之第2方向的分割預定線形成切削溝401。將於背面形成有切削溝401之藍寶石晶圓W從吸盤台103卸除，將之搬入至雷射加工裝置201。此外，切削裝置101之結構亦可為藉將超音波振動傳遞至切削刀片111之切削刃，振動切削，而可減低對藍寶石晶圓W之加工負荷。
參照第2圖，就用以於藍寶石晶圓之內部形成改質層之雷射加工裝置作說明。第2圖係本發明實施形態之雷射加工裝置之立體圖。此外，用於本發明之分割方法之雷射加工裝置不限於第2圖所示之結構。雷射加工裝置只要可對藍寶石晶圓形成改質層，具有任何結構皆可。
如第2圖所示，雷射加工裝置201構造成使照射雷射光束之雷射加工單元206與保持有藍寶石晶圓W之吸盤台208相對移動，以將藍寶石晶圓W加工。雷射加工裝置201具有長方體狀床部203、直立設置於床部203之上面後方之柱部204。於柱部204之前面設有突出至前方之臂部205，於臂部205之前端側設有雷射加工單元206之加工頭207。
於床部203之上面設有將吸盤台208於X軸方向加工進給，並且，於Y軸方向分度進給之吸盤台移動設備209。吸盤台移動設備209具有將吸盤台208於X軸方向加工進給之加工進給設備211、將吸盤台208於Y軸方向分度進給之分度進給設備212。加工進給設備211具有對床部203於X軸方向移動之X軸台216。X軸台216支撐於配置在床部203之上面，且平行於X軸方向之一對引導軌道215，並可藉滾珠螺桿式移動設備，於X軸方向移動。
分度進給設備212具有對X軸台216於Y軸方向移動之Y軸台219。Y軸台219支撐於配置在X軸台216上面，且平行於Y軸方向之一對引導軌道218，並可藉滾珠螺桿式移動設備於Y軸方向移動。於Y軸台219之上面設有吸盤台208。
吸盤台208具有在Y軸台219之上面，可繞Z軸旋轉之θ台231、設於θ台231之上部，吸附保持藍寶石晶圓W之工作件保持部232。工作件保持部232為具有預定厚度之圓盤狀，並於上面中央部份以多孔陶瓷材形成有吸附面。吸附面係藉負壓以切割膠帶132為中介，吸附藍寶石晶圓W之面，並藉由θ台231之內部之配管，連接於吸引源。
於工作件保持部232之周圍藉由從θ台231之四方延伸至徑方向外側之一對支撐臂，設有4個夾部234。4個夾部234以空氣致動器驅動，以夾持固定藍寶石晶圓W周圍之環狀框架131。
雷射加工單元206具有設於臂部205之前端之加工頭207。於臂部205及加工頭207內設有雷射加工單元206之光學系統。加工頭207以聚光透鏡將從振盪器242振盪之雷射光束聚光，以將保持在吸盤台208上之藍寶石晶圓W雷射加工。此時，雷射光束對藍寶石晶圓W具透過性，且可調整成在光學系統中，聚光於藍寶石晶圓W之內部。
如此進行，於藍寶石晶圓W之內部形成作為分割起點之改質層402(參照第5圖)。改質層402係藉雷射光束之照射，而形成為藍寶石晶圓W內部之密度、折射率、機械強度或其他物理特性與周圍不同之狀態，係指強度較周圍降低之區域。改質層402為熔融處理區域、裂縫區域、絕緣破壞區域、折射率變化區域等，亦可為該等混合存在之區域。
在此，就雷射加工裝置201所作之雷射加工動作作說明。首先，當將藍寶石晶圓W載置於吸盤台208時，使吸盤台208朝面向加工頭207之加工位置移動。接著，將加工頭207之雷射光束射出口對位於藍寶石晶圓W之分割預定線(切削溝401)，並且，將雷射光束之焦點調整至藍寶石晶圓W之內部，以開始雷射加工處理。
此時，吸盤台208在保持藍寶石晶圓W之狀態下，於X軸方向加工進給，而沿著切削溝401，於藍寶石晶圓W內形成1列改質層402。接著，將吸盤台208於Y軸方向分度進給分割預定線之間距量，而沿著相鄰之切削溝401，於藍寶石晶圓W內形成改質層402。反覆進行此動作，而可沿著於藍寶石晶圓W之第1方向伸長之所有切削溝401形成改質層。
接著，以θ台231使吸盤台208旋轉90度，沿著於直交於藍寶石晶圓W之第1方向之第2方向伸長的切削溝401形成改質層402。將於內部形成有改質層402之藍寶石晶圓W從吸盤台208卸除，搬入至膠帶擴張裝置301。
參照第3圖，就用以將切割膠帶擴張，以將藍寶石晶圓分割成諸個發光元件之膠帶擴張裝置作說明。第3圖係本發明實施形態之膠帶擴張裝置301之立體圖。此外，用於本發明分割方法之膠帶擴張裝置不限於第3圖所示之結構。膠帶擴張裝置只要可藉切割膠帶之擴張，分割藍寶石晶圓，具有任何結構皆可。
如第3圖所示，膠帶擴張裝置301構造成藉以擴張滾筒321將貼在藍寶石晶圓W之切割膠帶132擴張，可分割藍寶石晶圓W。膠帶擴張裝置301具有圓形台322、設於圓形台322之上面中央之擴張滾筒321。又，在圓形台322之上面，於擴張滾筒321之周圍設有用以使保持藍寶石晶圓W之環狀台311升降之4個升降設備323。
各升降設備323為氣缸，係將從氣缸殼324突出之活塞桿325連結於環狀台311而構成。環狀台311具有載置環狀框架131之載置面311a，可將藍寶石晶圓W安置於擴張滾筒321之上方。於環狀台311之周圍設有從四方夾持固定環狀框架131之4個夾部312。
擴張滾筒321具有小於環狀框架131之內徑，且大於貼在切割膠帶132之藍寶石晶圓W之外徑的滾筒徑。因此，擴張滾筒321之上端部抵接在切割膠帶132中，藍寶石晶圓W之外緣部與環狀框架131之內緣部間之環狀區域。藉擴張滾筒321與切割膠帶132之抵接，拉伸力作用於切割膠帶132，而可將藍寶石晶圓W沿著改質層402分割。
在此，就膠帶擴張裝置301所作之分割加工動作作說明。首先，當將藍寶石晶圓W固定於環狀台311時，以4個升降設備323使環狀台311下降。此時，擴張滾筒321之上端部抵接切割膠帶132之環狀區域，急遽之拉伸力作用於切割膠帶132。藉此結構，藍寶石晶圓W以改質層402為分割起點，而被分割成諸個發光元件。諸個發光元件411為拾取筒夾304吸附，而可從切割膠帶132剝離。
此時，如第4圖所示，發光元件411斷裂，而形成長方體狀，於背面Wb與4側面Wc(斷裂面)之角部形成去角部Wd。此外，在第4圖，虛線表示來自發光層412之光線，鏈線表示發光元件411對界面之法線。去角部Wd藉藍寶石晶圓W之切削溝401之分割而形成。藉此去角部Wd，可易將來自發光層412之光線從藍寶石層413射出至外部，而可提高發光元件411之亮度。這是因在側面Wc及背面Wb被反射之光線可不在去角部Wd被反射而透過之故。
更具體言之，來自發光層412之以虛線所示之光線在藍寶石層413內入射至側面Wc時，可透過側面Wc之臨界角度θ1
依據藍寶石與空氣之折射率，相對於以鏈線所示之法線，為34.5度。若光線以此臨界角度θ1
內入射至側面Wc時，光線雖不致在側面Wc全反射，但若光線從臨界角度θ1
外入射至側面Wc時，光線被全反射至側面Wc。在背面Wb側藉去角而形成多面狀之發光元件411，可阻礙角度保存，而減低大於臨界角度之入射角度之反射的反覆。
如第4(a)圖所示，若為未去角之長方體狀發光元件411時，當光線從臨界角度θ1
入射至側面Wc時，有保存反射角度，而在藍寶石層413內反覆全反射之情形。舉例言之，有下述情形，前述情形係光線以臨界角度θ1
外之入射角度θ2
入射至側面，在側面Wc被全反射之光線以臨界角度θ1
外之入射角度90-θ2
入射至背面，進一步，在背面Wb被全反射。此時，由於對發光元件411之界面，以臨界角度θ1
外之入射角度θ2
及入射角度90-θ2
反覆光線之入射，故可能產生反覆全反射，而在藍寶石層411內消光之事態。
另一方面，如第4(b)圖所示，在以本發明之分割方法予以去角之長方體發光元件411，由於除了直交之側面Wc及背面Wb外，還形成去角部Wd，故來自發光層412之光線易對界面以臨界角度θ1
內入射。舉例言之，光線以臨界角度θ1
外之入射角度θ3
入射至側面Wc，在側面Wc被全反射之光線以臨界角度θ1
內之入射角度θ4
入射至去角部Wd。又，光線在去角部Wd以臨界角度θ1
外反射時，易在側面Wc或背面Wb以臨界角度θ1
內之入射角度入射。如此，即使在側面Wc或背面Wb光線以保存臨界角度θ1
外之角度之入射角度入射，亦可阻礙被反射之光線在去角部Wd保存角度。
如此，因藉去角部Wd，減少藍寶石層413內之全反射之反覆，故從藍寶石層413射出之光線之量增多。換言之，可擴大發光元件411之逃逸錐面(從任意發光點光線可透過藍寶石層413與空氣之界面之範圍)。如此，本實施形態之發光元件411可藉背面Wb之去角提高亮度。
參照第5圖及第6圖，就本發明實施形態之分割方法之流程作說明。第5圖係本發明實施形態之分割方法之說明圖。第6圖係本發明實施形態之刀片寬度與雷射點徑之關係的說明圖。
首先，如第5(a)圖所示，在切削裝置101施行切削溝形成步驟。在此，以刀片轉速20000rpm、加工進給速度100mm/s加工。在切削溝形成步驟，於表面Wa形成有發光層412之藍寶石晶圓W之背面Wb形成沿著分割預定線之切削溝401。在此，使用前端形狀具有平坦面之切削刀片作為切削刀片111，而可將切削溝401之底面形成平坦。此時，切削刀片111可使用前端形狀可形成平坦，且業經以鍍鎳固定有不易偏磨耗之鑽石研磨粒之刀片。因此，可抑制切削刀片111之前端之形狀變化，而可將切削溝401之底面以保持平坦之狀態加工。
此外，切削刀片111可藉鍍鎳以各種前端形狀及寬度尺寸成形。特別是，切削刀片111之前端形狀宜為具有寬度大於以下個步驟之改質層形成步驟形成於切削溝401底部之雷射點徑之平坦面者。在以此切削刀片111形成之切削溝401，如第6圖所示，於底面中央以大於改質層形成步驟之雷射點徑之寬度形成平坦面401a，於底面側邊形成連接平坦面401a與藍寶石晶圓W之背面Wb之曲面401b。平坦面401a之細節後述，其有助於改質層形成步驟之改質層402之精確度提高。
曲面401b係形成不致引起角度保存之反射面之外面形狀，有助於發光元件411之亮度之提高。是故，切削刀片111之前端形狀以為具有與雷射點徑約略相同之寬度之平坦面者為較佳，俾可擴大切削溝401之曲面401b之範圍。此外，形成於切削溝401之底面側邊之面不限於曲面形狀，亦可為平坦面以外之面狀態，即，對藍寶石晶圓W之背面Wb非平行或垂直之平面(對Wb之傾斜面)。
又，由於當切削刀片111之研磨粒粒徑過大，面便粗糙，故在改質層形成步驟，雷射光束散亂，而無法形成精確度佳之改質層402。另一方面，當切削刀片111之研磨粒之粒徑過小時，易形成角度保存之反射，故不佳。因而，切削刀111之研磨粒之粒徑以1000號～4000號(粒徑約2～17μm)為佳，以1500號～3000號(粒徑約3～9μm)為較佳，以1800號～2500號(粒徑約3～8μm)為更佳。
此外，在本實施形態中，為切削刀片111係使用鑽石研磨粒之鍍鎳刀片之結構，但非限於此結構者。切削刀片111只要可將藍寶石晶圓W加工，為任何結構皆可。
接著，如第5(b)圖所示，在雷射加工裝置201施行改質層形成步驟。在此，雷射光束使用波長1064nm、輸出0.3W、重複頻率100kHz之脈衝雷射光束。在改質層形成步驟，將焦點從藍寶石晶圓W之背面Wb對準預定深度，而於切削溝401之下方形成沿著分割預定線之改質層402。由於雷射加工裝置201藉由切削溝401之平坦面401a，將雷射光束聚光於藍寶石晶圓W內，故可在平坦面401a減低雷射光束之折射及反射，而提高雷射光束之聚光精確度。
此外，在此，藉將距離藍寶石晶圓W之背面Wb之焦點深度設定為約40μm，可於藍寶石晶圓W內從焦點位置往上方形成約25μm左右之改質層402。此外，雷射加工裝置201將改質層402形成為不及於切削溝401。藉於切削溝401與改質層402設間隙，可防止因切削溝401與改質層402之連結而引起之品質惡化或破裂。
又，有於形成改質層402時，分割藍寶石晶圓W之一部份之情形。因此，當於形成改質層後，形成切削溝時，有藍寶石晶圓W之加工品質降低之虞。在本實施形態中，藉於切削溝形成步驟後，施行改質層形成步驟，可抑制藍寶石晶圓W之加工品質之降低。此外，若藍寶石晶圓W之加工品質不降低，亦可於改質層形成步驟後，施行切削溝形成步驟。
亦即，在形成切削溝401或改質層402之時間點，當將藍寶石晶圓W部份沿著分割預定線分割時，之後之步驟便為沿著部份被分割之分割預定線之加工或跨越部份被分割之分割預定線之加工，而導致加工之品質降低。然而，如前述，形成不及於切削溝401之改質層402，或於切削溝形成步驟後，施行改質層形成步驟，或者實施該等兩者，可減低在形成切削溝401或改質層402之時間點產生，藍寶石W之沿著分割預定線之分割。
然後，如第5(c)圖所示，在膠帶擴張裝置301施行分割加工。在分割加工，將保持有藍寶石晶圓W之環狀台311下降，使擴張滾筒321之上端部對環狀台311之載置面311a相對地位於上方。結果，在切割膠帶132，被頂推至擴張滾筒321之上端部，拉伸力作用成放射狀。藉此切割膠帶132之拉伸力，對強度已降低之藍寶石晶圓W之改質層402施加外力，以改質層402為起點，而分割成諸個發光元件411。
又，由於切削溝401形成於改質層402之上方，故可以改質層402作為分界，左右分割。因此，發光元件411之背面側之角部因在切削溝形成步驟所形成之切削溝401而形成為被去角之狀態。將經分割之發光元件411以拾取筒夾304吸附，而可從切割膠帶132剝離。此時，由於於各發光元件411間形成間隙S，故相鄰之發光元件411不致相互接觸，而可易以拾取筒夾304拾取。
發光元件411如上述藉背面側之角部之去角，可易將發光層412之光線從藍寶石層413射出至外部。如此，藉以本實施形態之分割方法，分割藍寶石晶圓W，可提高分割後之發光元件411之亮度。
參照第7圖，就切削刀片之刀片寬度(切削溝寬度)與亮度之關係作說明。第7圖係本發明實施形態之切削刀片之刀片寬度與亮度之關係的說明圖。
如第7(a)圖、第7(b)圖、第7(c)圖所示，使用刀片寬度33μm、50μm、80μm3種切削刀片111，測定經以以下之加工條件加工之發光元件411的亮度。此外，在此，依序施行改質層形成步驟、切削溝形成步驟、分割步驟，形成了晶片尺寸0.25×0.27mm之發光元件411。
藍寶石晶圓之厚度a：100μm
自藍寶石晶圓之背面起之切入量b：10μm
從切削溝之平坦面至改質層之間隔c：5~10μm
改質層之尺寸d：20~25μm
從藍寶石晶圓之背面聚光之聚光位置e：40μm
刀片之種類：使用鑽石研磨粒之鍍鎳刀片
研磨粒之粒徑：2000號
刀片轉速：20000rpm
加工進給速度：100mm/s
波長：1064nm
重複頻率：100kHz
輸出：0.3W
加工進給速度：400mm/s
結果，獲得了如第7(d)圖、第7(e)圖所示之結果。在第7(d)圖、第7(e)圖所得之值係令於藍寶石晶圓W僅形成改質層402而分割之發光元件411之亮度為100%時之值。因而，可知如第7(a)圖、第7(b)圖、第7(c)圖般，藉於藍寶石晶圓W設切削溝401，將其分割，可於發光元件411形成去角部Wd，亮度提高。又，隨著刀片寬度增大，發光元件411之亮度提高。此表示因發光元件411之去角部Wd增大，故不致形成角度保存之反射面之面積增加，亮度可提高。
於切削溝形成步驟後，施行改質層形成步驟時，藉在切削溝形成步驟，使平坦面401a大於雷射點徑，可以改質層形成步驟，提高雷射光束之聚光精確度，而可提高發光元件411之成品率。又，從上述結果、改質層形成步驟之加工條件、切削刀片之製造成品率之關係，刀片寬度以30μm以上、300μm以下為佳，以30μm以上、200μm以下為較佳，以50μm以上、100μm以下為更佳。關於實際之刀片寬度，可按晶片尺寸或晶圓之厚度，從上述範圍，適宜選定。
如以上，根據本實施形態之分割方法，藉以切削溝形成步驟，沿著分割預定線，於藍寶石晶圓W形成切削溝401，可將以分割步驟分割藍寶石晶圓W而形成之諸個發光元件411之角部去角。藉此去角，於發光元件411之背面側形成多角形外形面，而在元件內被反射之光線易以臨界角度以下入射至外形面。是故，可易將來自發光層412之光線射出至外部，而可提高發光元件411之亮度。
接著，參照第8圖，就藍寶石晶圓之分割方法之變形例作說明。第8圖係變形例之分割方法之說明圖。此外，變形例之分割方法僅加入預備溝形成步驟之點與上述分割方法不同。因而，在此，主要僅就不同點作說明。
如第8圖所示，在變形例之分割方法中，經由雷射加工裝置所作之預備溝形成步驟、切削裝置所作之切削溝形成步驟、雷射加工裝置所作之改質層形成步驟、膠帶擴張裝置所作之分割步驟，分割藍寶石晶圓W。此外，在預備溝形成步驟使用之雷射加工裝置只要為可對藍寶石晶圓W進行消蝕加工之結構即可，舉例言之，亦可為與在改質層形成步驟使用之雷射加工裝置相同者。
首先，如第8(a)圖所示，以雷射加工裝置，施行預備溝形成步驟。在此，雷射光束係使用波長355nm、輸出1.5W、重複頻率100kHz之雷射光束。在預備溝形成步驟，以消蝕加工，於藍寶石晶圓W之背面Wb形成沿著分割預定線之預備溝403。經以消蝕加工形成之預備溝403之表面具有細微之凹凸狀熔融部。
接著，如第8(b)圖所示，以切削裝置，施行切削溝形成步驟。在切削溝形成步驟，藉以上述加工條件，以切削刀片111挖除預備溝403(修飾加工)，去除預備溝403之熔融部，而於藍寶石晶圓W之背面Wb形成切削溝401。在切削溝形成步驟中，藉於加工時產生之熔融部之去除，可藉由切削溝401，將光線有效地射出至外部。又，在變形例之分割方法中，由於藉消蝕加工減少切削刀片111所作之加工量，故即使為如藍寶石晶圓W般硬之工作件，亦可抑制切削刀片111之消耗，且亦可抑制因偏磨耗而引起之切削刀片111之前端之形狀變化。
接著，如第8(c)圖所示，以雷射加工裝置施行改質層形成步驟。在改質層形成步驟中，以上述加工條件，於藍寶石晶圓W之內部形成沿著分割預定線之改質層402。然後，如第8(d)圖所示，以膠帶擴張裝置301，施行分割步驟。在分割步驟，拉伸力對切割膠帶132作用成放射狀，藍寶石晶圓W以改質層402為起點，被分割成諸個發光元件411。業經分割之諸個發光元件411與上述實施形態同樣地，藉背面Wb之去角，可提高亮度。
如以上，根據變形例之分割方法，藉以消蝕加工形成預備溝403，即使為如藍寶石晶圓W般硬之材料，仍可於形成切削溝401時，抑制切削刀片111之消耗。又，在變形例之分割方法中，也藉發光元件411之去角，可易將來自發光層412之光線射出至外部，而可提高亮度。
此外，在上述實施形態及變形例中，切削刀片111之前端形狀為具有平坦面之結構，但非限於此結構者。切削刀片亦可為不於切削溝之底面形成平坦面者，舉例言之，亦可使用第9圖所示之斜面刀片。此時，如第9(a)圖所示，於藍寶石晶圓W之背面Wb形成V字形切削溝401。又，如第9(b)圖所示，當將藍寶石晶圓W分割時，發光元件411之角部形成為以V字形切削溝401傾斜地去角之狀態。如此，切削溝401亦可不具有平坦面，只要為不形成角度保存之面，如何形成皆可。
又，在上述實施形態及變形例中，為以膠帶擴張裝置分割藍寶石晶圓W之結構，但非限於此結構者。在分割步驟，只要為可對藍寶石晶圓施加外力而將其分割之裝置，亦可為以膠帶擴張裝置以外之裝置分割之結構。
又，在上述實施形態及變形例中，為於切削溝形成步驟後，施行改質層形成步驟，以分割藍寶石晶圓之結構，但非限於此結構者。亦可為將藍寶石晶圓於改質層形成步驟後，施行切削溝形成步驟而分割之結構。
又，此次所揭示之實施形態所有點為例示，而非受限於此實施形態者。本發明之範圍非僅上述實施形態之說明，可謀求以申請專利範圍顯示，且包含與申請專利範圍均等之涵意及在範圍內之所有變更。
如以上所說明，本發明具有可提高以藍寶石晶圓之分割而形成之發光元件之亮度的效果，特別對將藍寶石晶圓分割成諸個發光元件之分割方法為有用。
101．．．切削裝置
102．．．基台
103，208．．．吸盤台
104，209．．．吸盤台移動設備
105．．．門型柱部
106．．．刀片單元
107．．．刀片單元移動設備
111．．．切削刀片
112，216．．．X軸台
113，123，124，215，218．．．引導軌道
114，231．．．θ台
116，232．．．工作件保持部
117，234，312．．．夾部
121，219．．．Y軸台
122．．．Z軸台
131．．．環狀框架
132．．．切割膠帶
201．．．雷射加工裝置
203．．．床部
204．．．柱部
205．．．臂部
206．．．雷射加工單元
207．．．加工頭
211．．．加工進給設備
212．．．分度進給設備
301．．．膠帶擴張裝置
304．．．拾取筒夾
311．．．環狀台
311a．．．載置面
321．．．擴張滾筒
322．．．圓形台
323．．．升降設備
324．．．氣缸殼
325．．．活塞桿
401．．．切削溝
401a．．．平坦面
401b．．．曲面
402．．．改質層
403．．．預備溝
411．．．發光元件
412．．．發光層
413．．．藍寶石層
S．．．間隙
W．．．藍寶石晶圓
Wa．．．表面
Wb．．．背面
Wc．．．側面
Wd．．．去角部
θ1
．．．臨界角度
θ2
，θ3
，θ4
．．．入射角度
第1圖係顯示本發明分割方法之實施形態之圖，係切削裝置之立體圖。
第2圖係顯示本發明分割方法之實施形態之圖，係雷射加工裝置之立體圖。
第3圖係顯示本發明分割方法之實施形態之圖，係膠帶擴張裝置之立體圖。
第4(a)圖、第4(b)圖係顯示本發明分割方法之實施形態之圖，係發光元件之側視圖。
第5(a)圖~第5(c)圖係顯示本發明分割方法之實施形態之圖，係分割方法之說明圖。
第6圖係顯示本發明分割方法之實施形態之圖，係刀片寬度與雷射點徑之關係之說明圖。
第7(a)圖~第7(e)圖係顯示本發明分割方法之實施形態之圖，係切削刀片之刀片寬度與亮度之關係的說明圖。
第8(a)圖~第8(d)圖係顯示本發明分割方法之變形例之圖，係分割方法之說明圖。
第9(a)圖、第9(b)圖係顯示本發明分割方法之另一變形例之圖，係分割方法之說明圖。
111．．．切削刀片
132．．．切割膠帶
401．．．切削溝
402．．．改質層
411．．．發光元件
412．．．發光層
413．．．藍寶石層
S．．．間隙
W．．．藍寶石晶圓
Wa．．．表面
Wb．．．背面
Wd．．．去角部
Claims (4)
- 一種藍寶石晶圓之分割方法，該藍寶石晶圓係於表面上層疊發光層，且在以於該發光層形成格子狀之複數分割預定線所劃分之各區域形成有發光元件，該藍寶石晶圓之分割方法係將前述藍寶石晶圓沿著前述分割預定線分割，並具備：改質層形成步驟，係從前述藍寶石晶圓之背面側沿著前述分割預定線照射對藍寶石晶圓具透過性之波長之雷射光束，藉此，可沿著該分割預定線於從厚度方向中央接近背面的位置形成厚度20μm以上、25μm以下的改質層；切削溝形成步驟，係從前述藍寶石晶圓之背面側以刀片寬度為50μm以上、100μm以下的切削刀片切削該藍寶石晶圓，而沿著該分割預定線形成切削溝，藉此，對前述發光元件施予去角加工；及分割步驟，係於施行前述改質層形成步驟及前述切削溝形成步驟後，以前述改質層為分割起點，沿著前述分割預定線，將該藍寶石晶圓分割成諸個發光元件，又，在前述切削溝形成步驟中形成於前述切削溝的底面側的面是曲面、或是相對於前述藍寶石晶圓的背面非平行或垂直的平面。
- 如申請專利範圍第1項之藍寶石晶圓之分割方法，其更具備：預備溝形成步驟，係於前述切削溝形成步驟之前， 將對該藍寶石晶圓具吸收性之波長之雷射光束照射於該藍寶石晶圓，施予消蝕加工，藉此，可從該藍寶石晶圓之背面側沿著前述分割預定線，形成預備溝。
- 如申請專利範圍第1項之藍寶石晶圓之分割方法，其中於施行前述切削溝形成步驟後，施行前述改質層形成步驟。
- 如申請專利範圍第1或2項之藍寶石晶圓之分割方法，其中前述切削刀片的前端形狀形成為具有與雷射點徑大致同一寬度的平坦面，以使形成於前述切削溝的底面側的面較寬。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010221565A JP5770446B2 (ja) | 2010-09-30 | 2010-09-30 | 分割方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201217134A TW201217134A (en) | 2012-05-01 |
| TWI488726B true TWI488726B (zh) | 2015-06-21 |
Family
ID=45890151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW100129221A TWI488726B (zh) | 2010-09-30 | 2011-08-16 | Segmentation method |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8518730B2 (zh) |
| JP (1) | JP5770446B2 (zh) |
| KR (1) | KR20120033962A (zh) |
| CN (1) | CN102446735B (zh) |
| TW (1) | TWI488726B (zh) |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI470823B (zh) * | 2009-02-11 | 2015-01-21 | Epistar Corp | 發光元件及其製造方法 |
| KR20130117474A (ko) * | 2012-04-18 | 2013-10-28 | 서울바이오시스 주식회사 | 배면에 패턴을 갖는 기판을 구비하는 발광다이오드 및 그의 제조방법 |
| JP5980600B2 (ja) * | 2012-07-12 | 2016-08-31 | 株式会社ディスコ | テープ拡張装置 |
| JP6013858B2 (ja) * | 2012-10-01 | 2016-10-25 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| US8809166B2 (en) * | 2012-12-20 | 2014-08-19 | Nxp B.V. | High die strength semiconductor wafer processing method and system |
| JP6078376B2 (ja) * | 2013-02-22 | 2017-02-08 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP6214901B2 (ja) * | 2013-04-04 | 2017-10-18 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
| WO2014167745A1 (ja) * | 2013-04-10 | 2014-10-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
| KR101461075B1 (ko) * | 2013-05-21 | 2014-11-19 | 광주과학기술원 | 전사 인쇄용 기판, 전사 인쇄용 기판 제조 방법 및 전사 인쇄 방법 |
| US20150034613A1 (en) * | 2013-08-02 | 2015-02-05 | Rofin-Sinar Technologies Inc. | System for performing laser filamentation within transparent materials |
| CN104377275A (zh) * | 2013-08-16 | 2015-02-25 | 刘艳 | 蓝宝石基板的覆晶led芯片的分割方法 |
| JP6260168B2 (ja) * | 2013-09-25 | 2018-01-17 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板の加工方法および加工装置 |
| US9412899B2 (en) | 2013-11-22 | 2016-08-09 | Glo Ab | Method of stress induced cleaving of semiconductor devices |
| JP6228044B2 (ja) * | 2014-03-10 | 2017-11-08 | 株式会社ディスコ | 板状物の加工方法 |
| JP6305853B2 (ja) * | 2014-07-08 | 2018-04-04 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| CN104269491B (zh) * | 2014-09-16 | 2017-05-31 | 漳州立达信光电子科技有限公司 | Led芯片的封装方法及使用该封装方法的led封装结构 |
| JP6407066B2 (ja) * | 2015-03-06 | 2018-10-17 | 株式会社ディスコ | 光デバイスチップの製造方法 |
| US20160276535A1 (en) * | 2015-03-19 | 2016-09-22 | Epistar Corporation | Light emitting device and method of fabricating the same |
| JP6456766B2 (ja) * | 2015-05-08 | 2019-01-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP6696263B2 (ja) * | 2015-09-29 | 2020-05-20 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板のスクライブ方法及びスクライブヘッドユニット |
| JP2017098452A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | 株式会社ディスコ | 洗浄方法 |
| JP6745165B2 (ja) * | 2016-08-09 | 2020-08-26 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP6817822B2 (ja) * | 2017-01-18 | 2021-01-20 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
| JP6814646B2 (ja) * | 2017-01-23 | 2021-01-20 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウェーハの加工方法 |
| JP7255965B2 (ja) * | 2017-08-24 | 2023-04-11 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
| JP7085426B2 (ja) * | 2018-07-05 | 2022-06-16 | 株式会社ディスコ | 被加工物の研削方法 |
| JP7098238B2 (ja) * | 2018-08-10 | 2022-07-11 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウェーハの加工方法 |
| JP7366490B2 (ja) * | 2019-04-19 | 2023-10-23 | 株式会社ディスコ | チップの製造方法 |
| US20210202318A1 (en) * | 2019-12-27 | 2021-07-01 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming semiconductor dies with perimeter profiles for stacked die packages |
| CN113875027A (zh) * | 2021-06-02 | 2021-12-31 | 泉州三安半导体科技有限公司 | 发光二极管及其制作方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002198326A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体基板の分割方法 |
| TW200805718A (en) * | 2006-05-31 | 2008-01-16 | Toyoda Gosei Kk | Semiconductor light-emitting device and method for separating semiconductor light-emitting devices |
| TW200932410A (en) * | 2007-09-27 | 2009-08-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Laser processing method |
| CN100536108C (zh) * | 2005-11-16 | 2009-09-02 | 株式会社电装 | 半导体器件和半导体基板切分方法 |
| TW201009917A (en) * | 2008-08-12 | 2010-03-01 | Disco Corp | Method of processing optical device wafer |
| TW201009919A (en) * | 2008-08-11 | 2010-03-01 | Disco Corp | Method of processing optical device wafer |
| TW201033144A (en) * | 2008-12-17 | 2010-09-16 | Electro Scient Ind Inc | Method for laser processing glass with a chamfered edge |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1027971A (ja) * | 1996-07-10 | 1998-01-27 | Nec Corp | 有機薄膜多層配線基板の切断方法 |
| JPH1056203A (ja) | 1996-08-07 | 1998-02-24 | Nippon Sanso Kk | 発光素子 |
| JPH10305420A (ja) | 1997-03-04 | 1998-11-17 | Ngk Insulators Ltd | 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法 |
| JP3408805B2 (ja) | 2000-09-13 | 2003-05-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法 |
| JP4669216B2 (ja) * | 2003-11-25 | 2011-04-13 | パナソニック電工株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
| US7008861B2 (en) * | 2003-12-11 | 2006-03-07 | Cree, Inc. | Semiconductor substrate assemblies and methods for preparing and dicing the same |
| JP4696595B2 (ja) * | 2005-02-28 | 2011-06-08 | ヤマハ株式会社 | 半導体ウェーハ及び半導体素子並びに半導体素子の製造方法 |
| JP4923874B2 (ja) * | 2005-11-16 | 2012-04-25 | 株式会社デンソー | 半導体ウェハ |
| US20070134833A1 (en) * | 2005-12-14 | 2007-06-14 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Semiconductor element and method of making same |
| JP2007194469A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP4142699B2 (ja) * | 2006-07-14 | 2008-09-03 | ユーディナデバイス株式会社 | 発光素子の製造方法 |
| JP5259121B2 (ja) * | 2007-05-23 | 2013-08-07 | シャープ株式会社 | レーザー加工方法を用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2009130324A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法および半導体素子 |
| JP5271563B2 (ja) * | 2008-02-18 | 2013-08-21 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
-
2010
- 2010-09-30 JP JP2010221565A patent/JP5770446B2/ja active Active
-
2011
- 2011-08-05 KR KR1020110078234A patent/KR20120033962A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-08-16 TW TW100129221A patent/TWI488726B/zh active
- 2011-09-21 US US13/238,887 patent/US8518730B2/en active Active
- 2011-09-28 CN CN201110301306.7A patent/CN102446735B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002198326A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体基板の分割方法 |
| CN100536108C (zh) * | 2005-11-16 | 2009-09-02 | 株式会社电装 | 半导体器件和半导体基板切分方法 |
| TW200805718A (en) * | 2006-05-31 | 2008-01-16 | Toyoda Gosei Kk | Semiconductor light-emitting device and method for separating semiconductor light-emitting devices |
| TW200932410A (en) * | 2007-09-27 | 2009-08-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Laser processing method |
| TW201009919A (en) * | 2008-08-11 | 2010-03-01 | Disco Corp | Method of processing optical device wafer |
| TW201009917A (en) * | 2008-08-12 | 2010-03-01 | Disco Corp | Method of processing optical device wafer |
| TW201033144A (en) * | 2008-12-17 | 2010-09-16 | Electro Scient Ind Inc | Method for laser processing glass with a chamfered edge |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5770446B2 (ja) | 2015-08-26 |
| US8518730B2 (en) | 2013-08-27 |
| CN102446735A (zh) | 2012-05-09 |
| TW201217134A (en) | 2012-05-01 |
| JP2012079800A (ja) | 2012-04-19 |
| CN102446735B (zh) | 2016-08-03 |
| KR20120033962A (ko) | 2012-04-09 |
| US20120083059A1 (en) | 2012-04-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI488726B (zh) | Segmentation method | |
| TWI490073B (zh) | Segmentation method | |
| JP5886524B2 (ja) | 光デバイスウェーハの加工方法 | |
| KR102691687B1 (ko) | 웨이퍼의 생성 방법 | |
| TWI631665B (zh) | 光裝置之加工方法 | |
| TW201709310A (zh) | 晶圓的加工方法 | |
| KR20170012026A (ko) | 웨이퍼의 박화 방법 | |
| US10755980B2 (en) | Laser processing method | |
| TWI677020B (zh) | 光元件晶片之製造方法 | |
| KR20170012025A (ko) | 웨이퍼의 박화 방법 | |
| KR101979074B1 (ko) | 기판 처리 방법 | |
| JP6767000B2 (ja) | 基板を処理する方法 | |
| TWI775789B (zh) | 光裝置晶圓的加工方法 | |
| TW201715598A (zh) | 光元件晶圓的加工方法 | |
| KR20200010042A (ko) | Led 웨이퍼의 가공 방법 | |
| US20180272465A1 (en) | Laser processing method, and laser processing device | |
| KR20210128908A (ko) | 웨이퍼의 생성 방법 |