KR101461075B1 - 전사 인쇄용 기판, 전사 인쇄용 기판 제조 방법 및 전사 인쇄 방법 - Google Patents
전사 인쇄용 기판, 전사 인쇄용 기판 제조 방법 및 전사 인쇄 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101461075B1 KR101461075B1 KR1020130057147A KR20130057147A KR101461075B1 KR 101461075 B1 KR101461075 B1 KR 101461075B1 KR 1020130057147 A KR1020130057147 A KR 1020130057147A KR 20130057147 A KR20130057147 A KR 20130057147A KR 101461075 B1 KR101461075 B1 KR 101461075B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- transfer
- layer
- substrate
- columnar structures
- transfer printing
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 150
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 91
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 122
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 6
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 18
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 9
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 7
- 238000013518 transcription Methods 0.000 abstract description 2
- 230000035897 transcription Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 abstract 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 144
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 18
- 229920002307 Dextran Polymers 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000033999 Device damage Diseases 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/025—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein by transferring ink from the master sheet
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/01—Manufacture or treatment
- H10D30/021—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24174—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including sheet or component perpendicular to plane of web or sheet
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
Abstract
Description
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전사 인쇄용 기판의 제조방법 및 전사 인쇄 방법을 설명하기 위해 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 전사 인쇄 방법에서 희생층의 도포 양에 따른 정렬도(AD)와 전사수율(TY)을 나타낸다.
도 4는 본 발명의 전사 인쇄 방법에서 희생층 제거를 위한 에칭 시간에 따른 정렬도와 전사수율을 나타낸 그래프이다.
도 5 는 본 발명의 전사 인쇄 방법에서 롤러를 이용해 테이프(전사 중간 매개체)로 전사 인쇄되는 과정을 보여주는 도면이다.
도 6은 본 발명의 전사 인쇄 방법에서 10μm의 높이로 형성된 기둥 구조를 이용할 경우의 전사 과정을 보여주는 도면이다.
도 7은 본 발명의 전사 인쇄 방법을 이용하여 다양한 모양을 갖는 전사층을 다양한 형태와 종류의 표면에 전사한 예를 보여주는 도면이다.
도 8은 본 발명의 전사 인쇄 방법에서 전사층으로서 OLED 소자를 적용한 제조 과정을 보여주는 도면이다.
도 9는 본 발명의 전사 인쇄 방법에 따라 반도체 장치를 전사 인쇄한 과정을 보여주는 도면이다.
도 10은 본 발명의 전사 인쇄 방법에 따라 실시한 다양한 전사 인쇄의 예를 보여주는 도면이다.
13: 희생층 21: 전사층
Claims (17)
- 전사층을 지지하는 전사 인쇄용 기판으로서:
전사층;
핸들링 기판; 및
상기 핸들링 기판 상에 형성되어 상기 전사층과 결합된 다수개의 기둥 구조;를 포함하고,
상기 전사층은 상기 다수개의 기둥 구조와의 결합이 분리되어 전사되는 것인,
전사 인쇄용 기판. - 청구항 1에 있어서,
상기 핸들링 기판은 상기 다수개의 기둥 구조와의 접착을 강화하기 위한 접착 보강층을 포함하는 것인,
전사 인쇄용 기판. - 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 다수개의 기둥 구조를 포함하는 상기 핸들링 기판의 전면에 도포된 희생층을 더 포함하고,
상기 희생층은 상기 다수개의 기둥 구조를 덮거나 상기 다수개의 기둥 구조의 상부를 노출시키며,
상기 희생층은 상기 전사층, 상기 핸들링 기판, 및 상기 다수개의 기둥 구조에 대하여 선택적으로 제거 가능한 것인,
전사 인쇄용 기판. - 청구항 3에 있어서,
상기 희생층은 적어도 상기 다수개의 기둥 구조 및 상기 전사층과 접착력을 가져서 상기 다수개의 기둥구조와 상기 전사층은 상기 희생층에 의해 결합된 것인,
전사 인쇄용 기판. - 청구항 3에 있어서,
상기 다수개의 기둥 구조는 상기 전사층과 화학적 결합이 가능한 물질로 형성되어 상기 다수개의 기둥 구조와 상기 전사층은 화학적으로 결합된 것인,
전사 인쇄용 기판. - 전사층을 지지하는 전사 인쇄용 기판을 제조하는 방법으로서:
(a) 핸들링 기판 상면에 다수개의 기둥 구조를 형성하는 단계; 및
(b) 희생층을 상기 핸들링 기판 상에 형성하되 상기 다수개의 기둥 구조를 포함하는 전체면을 덮거나 상기 다수개의 기둥 구조의 상부를 노출시키도록 형성하는 단계;를 포함하는,
전사 인쇄용 기판을 제조하는 방법. - 청구항 6에 있어서, 상기 단계 (a)는:
핸들링 기판 상에 감광성 고분자 물질을 도포하는 단계; 및
상기 다수개의 기둥 구조를 형성하도록 포토리소 그래피 공정을 진행하는 단계;를 포함하는 것인,
전사 인쇄용 기판을 제조하는 방법. - 청구항 7에 있어서,
상기 감광성 고분자 물질을 도포하기 전에, 상기 핸들링 기판 상면에 상기 감광성 고분자 물질과 상기 핸들링 기판의 접착력을 높이는 접착 보강층을 먼저 형성하는 것인,
전사 인쇄용 기판을 제조하는 방법. - 청구항 8에 있어서,
상기 희생층은 적어도 상기 전사층 및 상기 다수개의 기둥 구조와 접착력을 가지는 것인,
전사 인쇄용 기판을 제조하는 방법. - 청구항 9에 있어서,
상기 희생층은 상기 핸들링 기판, 상기 다수개의 기둥 구조, 및 상기 전사층에 대하여 선택적인 제거가 가능한 것인,
전사 인쇄용 기판을 제조하는 방법. - 청구항 9에 있어서,
상기 다수개의 기둥 구조의 고분자 물질은 상기 전사층과 화학적 결합이 가능한 것인,
전사 인쇄용 기판을 제조하는 방법. - 청구항 9에 있어서,
상기 희생층은 상기 전사층이 전사 중간 매개체로 전사되기 전에 일부 또는 전부가 제거되는 것인,
전사 인쇄용 기판을 제조하는 방법. - 전사 인쇄 방법으로서:
(1) 핸들링 기판 상면에 다수개의 기둥 구조를 형성하는 단계;
(2) 희생층을 상기 핸들링 기판 상에 형성하되 상기 다수개의 기둥 구조를 포함하는 전체면을 덮거나 상기 다수개의 기둥 구조의 상부를 노출시키도록 형성하는 단계;
(3) 상기 희생층의 상면 또는 상기 희생층과 상기 다수개의 기둥 구조의 상면을 포함하는 전체면에 전사층의 일부 또는 전부를 제조하는 단계;
(4) 상기 희생층의 일부 또는 전부를 선택적으로 제거하는 단계; 및
(5) 상기 전사층을 전사 중간 매개체로 전사시키는 단계;를 포함하는,
전사 인쇄 방법. - 청구항 13에 있어서,
상기 단계 (2) 전에 상기 핸들링 기판의 상면에 상기 다수개의 기둥 구조와의 접착을 강화하기 위한 접착 보강층을 형성하는 단계를 더 진행하는 것인,
전사 인쇄 방법. - 청구항 13에 있어서,
상기 희생층은 상기 전사층을 상기 핸들링 기판 및 상기 다수개의 기둥 구조와 접착시키는 것인,
전사 인쇄 방법. - 청구항 14에 있어서,
상기 다수개의 기둥 구조는 상기 전사층과 화학적 결합이 가능한 물질인
전사 인쇄 방법. - 청구항 16에 있어서,
상기 단계 (5)에서 상기 전사층의 상기 전사 중간 매개체로의 전사는 상기 희생층에 의한 상기 전사층과 상기 핸들링 기판 또는 상기 다수개의 기둥 구조 간의 접착의 분리, 상기 다수개의 기둥 구조의 절단, 또는 상기 다수개의 기둥 구조와 상기 핸들링 기판 간의 접착의 분리에 의한 것인,
전사 인쇄 방법.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130057147A KR101461075B1 (ko) | 2013-05-21 | 2013-05-21 | 전사 인쇄용 기판, 전사 인쇄용 기판 제조 방법 및 전사 인쇄 방법 |
JP2013268851A JP5938391B2 (ja) | 2013-05-21 | 2013-12-26 | 転写プリント用基板、転写プリント用基板の製造方法及び転写プリント方法 |
US14/144,236 US9827799B2 (en) | 2013-05-21 | 2013-12-30 | Transfer printing substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130057147A KR101461075B1 (ko) | 2013-05-21 | 2013-05-21 | 전사 인쇄용 기판, 전사 인쇄용 기판 제조 방법 및 전사 인쇄 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR101461075B1 true KR101461075B1 (ko) | 2014-11-19 |
Family
ID=51934588
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130057147A KR101461075B1 (ko) | 2013-05-21 | 2013-05-21 | 전사 인쇄용 기판, 전사 인쇄용 기판 제조 방법 및 전사 인쇄 방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9827799B2 (ko) |
JP (1) | JP5938391B2 (ko) |
KR (1) | KR101461075B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020091341A1 (ko) * | 2018-10-29 | 2020-05-07 | 한국기계연구원 | 소자 간격 제어가 가능한 시트 및 이를 이용한 소자 간격 제어방법 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6431631B1 (ja) * | 2018-02-28 | 2018-11-28 | 株式会社フィルネックス | 半導体素子の製造方法 |
DE102019118270B4 (de) | 2019-07-05 | 2021-10-07 | X-Fab Semiconductor Foundries Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen zur Ausbeutesteigerung beim Mikrotransferdruck |
CN112794277A (zh) * | 2021-03-05 | 2021-05-14 | 深圳清华大学研究院 | 一种大尺度超滑器件及其加工制作方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006168297A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-06-29 | Sony Corp | 印刷版および印刷版の製造方法 |
KR20070068283A (ko) * | 2005-12-26 | 2007-06-29 | 소니 가부시끼 가이샤 | 전사용 기판, 전사 방법 및 유기 전계 발광 소자의 제조방법 |
JP2008070448A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Fujifilm Corp | 光学素子とその製造方法、液晶装置、及び投射型表示装置 |
KR20100136728A (ko) * | 2009-06-19 | 2010-12-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 다중 전사 가능한 전사기판 및 이를 이용하는 전사방법 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4085459B2 (ja) * | 1998-03-02 | 2008-05-14 | セイコーエプソン株式会社 | 3次元デバイスの製造方法 |
US7799699B2 (en) * | 2004-06-04 | 2010-09-21 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Printable semiconductor structures and related methods of making and assembling |
EP1915774B1 (en) | 2005-06-02 | 2015-05-20 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Printable semiconductor structures and related methods of making and assembling |
JP5770446B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2015-08-26 | 株式会社ディスコ | 分割方法 |
JP2012186315A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Nitto Denko Corp | 薄膜基板の製造方法 |
JP2013209697A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Hitachi High-Technologies Corp | 成膜装置および成膜方法 |
-
2013
- 2013-05-21 KR KR1020130057147A patent/KR101461075B1/ko active IP Right Grant
- 2013-12-26 JP JP2013268851A patent/JP5938391B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-12-30 US US14/144,236 patent/US9827799B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006168297A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-06-29 | Sony Corp | 印刷版および印刷版の製造方法 |
KR20070068283A (ko) * | 2005-12-26 | 2007-06-29 | 소니 가부시끼 가이샤 | 전사용 기판, 전사 방법 및 유기 전계 발광 소자의 제조방법 |
JP2008070448A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Fujifilm Corp | 光学素子とその製造方法、液晶装置、及び投射型表示装置 |
KR20100136728A (ko) * | 2009-06-19 | 2010-12-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 다중 전사 가능한 전사기판 및 이를 이용하는 전사방법 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020091341A1 (ko) * | 2018-10-29 | 2020-05-07 | 한국기계연구원 | 소자 간격 제어가 가능한 시트 및 이를 이용한 소자 간격 제어방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014229605A (ja) | 2014-12-08 |
JP5938391B2 (ja) | 2016-06-22 |
US20140345794A1 (en) | 2014-11-27 |
US9827799B2 (en) | 2017-11-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2267761B1 (en) | Method for releasing a graphene layer | |
CN103299448B (zh) | 使用辊形状母基板的柔性电子器件的制造方法、柔性电子器件及柔性基板 | |
TWI419091B (zh) | 可轉移的可撓式電子裝置結構及可撓式電子裝置的製造方法 | |
KR101461075B1 (ko) | 전사 인쇄용 기판, 전사 인쇄용 기판 제조 방법 및 전사 인쇄 방법 | |
KR101920713B1 (ko) | 그래핀 소자 및 그 제조방법 | |
CN102060292A (zh) | 制造和转移大尺寸石墨烯的方法 | |
KR102568046B1 (ko) | 고해상 쉐도우 마스크 | |
JP2008529305A (ja) | 薄い可撓性基板上のデバイスのカールを無くす方法及びかかる方法により作られるデバイス | |
TW201324586A (zh) | 大面積薄型單晶矽之製作技術 | |
KR20180050189A (ko) | 그래핀을 이용한 oled(organic light emitting diode) 제작 방법 | |
JP2006509229A (ja) | ディスプレイの製造方法 | |
US9656502B2 (en) | Method for fabricating transfer printing substrate using concave-convex structure, transfer printing substrate fabricated thereby and application thereof | |
US20100055620A1 (en) | Nanostructure fabrication | |
JP2010062526A (ja) | 薄膜素子の製造方法 | |
CN102375332A (zh) | 一种用于mems结构的悬架光刻胶平坦化工艺 | |
US20050070042A1 (en) | Apparatus and method for making a tensile diaphragm with an insert | |
KR101043097B1 (ko) | 광조사를 이용한 단결정 실리콘 박막의 제조 방법 | |
US20100048025A1 (en) | Nanostructures and nanostructure fabrication | |
KR101403254B1 (ko) | 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법 | |
US20190378749A1 (en) | Micro-vacuum module for semiconductor device transfer and method for transferring semiconductor device using the micro-vacuum module | |
US7811906B1 (en) | Carbon-on-insulator substrates by in-place bonding | |
CN109713168A (zh) | 一种柔性显示器件、显示装置及其制作方法 | |
US8685836B2 (en) | Method for forming a silicon layer on any substrate using light irradiation | |
JP4595326B2 (ja) | マイクロロッドトランジスタの製造方法、回路基板の製造方法および電子応用装置の製造方法 | |
US20070231949A1 (en) | Functional blocks for assembly and method of manufacture |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20130521 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20140320 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20140924 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20141106 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20141106 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170926 Year of fee payment: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20170926 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181004 Year of fee payment: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20181004 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20200817 |