JP2008070448A - 光学素子とその製造方法、液晶装置、及び投射型表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板10上であって前記複数の凸部20の非形成領域20rに、選択的に除去可能な犠牲層11をパターン形成する工程(A)と、基板10の犠牲層11をパターン形成した側に、基板面10sに対して非平行方向に延びる多数の柱状体からなる柱状構造膜21Xを形成する工程(B)と、リフトオフ法により、犠牲層11、及び柱状構造膜21Xの犠牲層11の上に位置する部分を除去して、多数の柱状体からなる複数の凸部20を形成する工程(C)とを順次実施する。
【選択図】図2
Description
特許文献1には、ナノインプリンティング法によりフッ素化ポリイミドを加工することにより、耐熱性に優れた位相差補償素子を簡易に作製できることが記載されている(段落0013〜0014を参照)。
無機材料のパターニング法としては、フォトリソグラフィ法が挙げられる。しかしながら、一般的なコンタクト露光とドライエッチングとを組み合わせたフォトリソグラフィ法では、1μm以下の加工は困難であるため、高精度かつ再現性の良いサブ波長オーダの周期構造の形成を簡易に低コストにて行うことが難しい。
本発明は特に無機材料で上記光学素子を実現することを目的とするものであるが、有機材料にも適用可能なものである。
前記基板上であって前記複数の凸部の非形成領域に、選択的に除去可能な犠牲層をパターン形成する工程(A)と、
前記基板の前記犠牲層をパターン形成した側に、前記基板面に対して非平行方向に延びる多数の柱状体からなる柱状構造膜を形成する工程(B)と、
リフトオフ法により、前記犠牲層、及び前記柱状構造膜の前記犠牲層の上に位置する部分を除去して、前記多数の柱状体からなる前記複数の凸部を形成する工程(C)とを順次実施することを特徴とするものである。
本明細書において、「複数の凸部の非形成領域」は、隣接する凸部と凸部の間等の凸部を形成しない領域のことである。
本明細書において、「基板面に対して非平行方向」とは、基板面に対し90±80°の範囲内の方向と定義する。
本発明の光学素子において、前記複数の凸部のパターンは、略規則的なパターンであることが好ましい。
本明細書において、「多数の柱状体の平均柱径」は、走査型電子顕微鏡(SEM)にて断面写真を撮像して任意の10個の柱状体の径を求め、これらの平均値により求めるものとする。
本発明の光学素子において、前記複数の凸部は透光性誘電材料により構成することができる。前記複数の凸部は光吸収材料又は光反射材料により構成することもできる。
基板の犠牲層をパターン形成した側に、基板面に対して非平行方向に延びる多数の柱状構造体からなる柱状構造膜を形成する工程(B)と、
リフトオフ法により、犠牲層、及び柱状構造膜の犠牲層の上に位置する部分を除去して、前記多数の柱状体からなる複数の凸部を形成する工程(C)とを順次実施する製造方法により、製造されたものであることが好ましい。かかる方法により製造すると、柱状体同士の機械的な分離し易さにより、リフトオフ法により犠牲層及び犠牲層上に位置する柱状構造膜部分を除去する工程(C)において、柱状構造膜の必要部分と不要部分とを柱状体の界面で良好に分離することができるので、形成される凸部の側面の面方向を柱状体の成長方向に略一致させることができる。従って、凸部の側面の角度のばらつきを高レベルに抑制することができ、また側面の平滑性も良好となる。また、リフトオフ法は、ドライエッチングのような高真空プロセスを要しないために、コスト面でも優れている。
更に、工程(A)を、転写成型法を含む工程とした場合には、高精細化が可能であり、しかも高精細化を高い精度で低コストに実現することができる。
図1を参照して、本発明に係る一実施形態の光学素子について説明する。図1は、光学素子1の斜視図、図2は製造工程図である。図1に示されるように、本実施形態の光学素子1は、基板10の一方の基板面10sに、該面に対して突設された複数の凸部20を備えたものである。複数の凸部20は、基板面10sに対して非平行方向に延びる多数の柱状体からなる柱状構造膜21がパターン形成されたものである。本実施形態において、複数の凸部20はストライプ状の周期構造を有し、略規則的にパターン形成されている。
<工程(A−1)>
はじめに図2(a)〜(c)に示されるように、基板10上であって複数の凸部20の非形成領域20rに、後工程(C)(リフトオフ工程)において選択的に除去可能な犠牲層11を転写成型法によりパターン形成する。基板10を用意し、その上に、犠牲層11の構成材料からなるベタ犠牲層11Xを成膜し、上記パターンを有するモールド12を、ベタ犠牲層11Xに押し当ててベタ犠牲層11Xに上記パターンを転写する(図2(a)及び(b))。
モールド12の剥離後に、基板10上の複数の凸部20の形成領域に、ベタ犠牲層11Xの残渣が残る場合がある。この場合、酸素の反応性イオンエッチング、燃焼、酸素プラズマ照射等による全面アッシング、溶液によるエッチング等により、残渣を除去することが好ましい。残渣の量は少ないので、残渣が除去された時点でアッシングを終了すれば、全面アッシングを行っても、凸部20の非形成領域上の犠牲層11を残したまま残渣のみを除去することができる。
次に、図2(d)に示されるように、基板10の犠牲層11をパターン形成した側に、基板面10sに対して略垂直方向に延びる多数の柱状体からなる無機のベタ膜(柱状構造膜)21Xを成膜する。ベタ膜21Xの成膜方法は特に制限されないが、基板面10sに対して略垂直方向に延びる柱状体を形成する場合には、正面蒸着法が好ましい。蒸着方法としては、CVD(Chemical Vapor Deposition)法やスパッタ法等の気相成長法が挙げられる。結晶成長する条件では、ベタ膜21Xは例えば略(100)方向に結晶配向性を有する膜となる。
次いで、図2(e)に示されるように、リフトオフ法により、犠牲層11、及びベタ膜21Xの犠牲層11の上に位置する不要部分を除去する。この工程後に、基板面10sに対して突設した複数の凸部20を備えた光学素子1が製造される。
基板の犠牲層をパターン形成した側に、基板面に対して非平行方向に延びる多数の柱状体からなる柱状構造膜を形成する工程(B)と、
リフトオフ法により、犠牲層、及び柱状構造膜の犠牲層の上に位置する部分を除去して、多数の柱状体からなる複数の凸部を形成する工程(C)とを順次実施する製造方法により、製造されたものである。
nTE={f・n1exp2+(1−f)・n2exp2}exp(1/2) ・・・(1)
nTM={f・n1exp(−2)+(1−f)・n2exp(−2)}exp(−1/2) ・・・(2)
δ=(nTE―nTM)・H ・・・(3)
(式中、fはf=L/Pで表されるフィリングファクタであり、Lは周期構造の凸部の幅、Pは周期構造ピッチである。Hは周期構造の凸部の高さ、n1は周期構造の周りの屈折率、n2は周期構造を形成する材料の屈折率である。)
上記式(1)〜(3)のとおり、所望の位相差δは、周期構造を形成する材料及びサイズにより設計することができる。
位相差補償素子において、基板10の材質は、透光性材料であれば特に制限されず、ガラス、サファイア、水晶等の透光性材料が挙げられる(好ましい材料を補充下さい)。凸部20(柱状構造膜21)の材質は、透光性の誘電材料であれば特に制限ないが、柱状構造膜21に、屈折率の高い透光性誘電材料を用いた場合には、式(1)より、高さHは小さくてすむ。高さHが大きくなればなるほど、安定的に形成することが難しくなるので、柱状構造膜21は、ある程度屈折率の高い材料により構成される方が設計マージンも広くなり、好ましい。
図4を参照して、本発明に係る一実施形態の液晶装置について説明する。図4は液晶装置の厚み方向の断面構造を示す概略構成図である(図4ではハッチング省略)。図4においては、図示上側が光入射側、図示下側が光出射側である。図中、光源から出射され、入射側偏光素子2inに入射する光に符号L1、液晶セル40から出射され、位相差補償素子3に入射する光に符号L2、位相差補償素子3から出射され、出射側偏光素子2outに入射する光に符号L3、出射側偏光素子2outから出射される光に符号L4を付してある。図4において、視認しやすくするため、構成要素の縮尺は実際のものと適宜異ならせてある。
図4に示されるように、本実施形態の液晶装置4は、電圧無印加時に明状態となるノーマリホワイトモードのTNモードの透過型液晶装置である。
本実施形態の液晶装置4は、上記本実施形態の光学素子1からなる偏光素子2及び位相差補償素子3を備えたものであるので、偏光制御特性と位相差補償特性に優れ、コントラストや視野角等の表示品質に優れ投射型表示装置の使用条件においても長期使用安定性に優れたものとなる。
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、適宜設計変更可能である。
本実施形態において、位相差補償素子3を液晶セル40の光出射側にのみ配置する場合について説明したが、液晶装置4では、位相差補償素子3を液晶セル40の光入射側及び/又は光出射側に配置することができる。また、位相差補償素子3を複数重ねた構成とすることもできる(複数の位相差補償素子3の間には微小間隙を空けてもよい)。
本発明の偏光素子及び位相差補償素子は、液晶装置以外の用途にも使用することができる。
次に、図5に基づいて、本発明に係る実施形態の投射型表示装置について説明する。本実施形態は、赤色光L(R)、緑色光L(G)、青色光L(B)を各々変調する液晶装置(光変調装置)4R、4G、4Bを搭載したフルカラーの投射型表示装置である。本実施形態では、プロジェクタを例として説明する。
10 基板
10s 基板面
11 犠牲層
20 凸部
20r 凸部の非形成領域
21 柱状構造膜
21X ベタ膜(柱状構造膜)
2 偏光素子
3 位相差補償素子
4 液晶装置
41、42 基板
43、44 電極
45、46 配向膜
47 液晶層
47m 液晶分子
V 電圧印加時に液晶分子が略垂直配向状態(略一軸配向状態)となる領域
H 電圧印加時に液晶分子がハイブリッド配向状態となる領域
5 投射型表示装置
51 光源
4R、4G、4B 液晶装置(光変調装置)
62 投射レンズ(投射光学系)
Claims (16)
- 基板上に、該基板の基板面に対して突設された複数の凸部を備えた光学素子の製造方法において、
前記基板上であって前記複数の凸部の非形成領域に、選択的に除去可能な犠牲層をパターン形成する工程(A)と、
前記基板の前記犠牲層をパターン形成した側に、前記基板面に対して非平行方向に延びる多数の柱状体からなる柱状構造膜を形成する工程(B)と、
リフトオフ法により、前記犠牲層、及び前記柱状構造膜の前記犠牲層の上に位置する部分を除去して、前記多数の柱状体からなる前記複数の凸部を形成する工程(C)とを順次実施することを特徴とする光学素子の製造方法。 - 工程(A)は、転写成型法により前記犠牲層をパターン形成する工程(A−1)を含むことを特徴とする請求項1に記載の光学素子の製造方法。
- 工程(A)は、工程(A−1)の後に、前記複数の凸部の形成領域に残存する前記犠牲層の残渣を除去する工程(A−2)を更に含むことを特徴とする請求項2に記載の光学素子の製造方法。
- 基板上に、該基板の基板面に対して突設された複数の凸部を備えた光学素子において、
請求項1〜3のいずれかに記載の製造方法によって製造されたことを特徴とする光学素子。 - 基板上に、該基板の基板面に対して突設された複数の凸部を備えた光学素子において、
前記複数の凸部は、前記基板面に対して非平行方向に延びる多数の柱状体からなる柱状構造膜がパターン形成されたものであることを特徴とする光学素子。 - 前記凸部の側面に露出した多数の前記柱状体は、該柱状体の界面で切れていることを特徴とする請求項4又は5に記載の光学素子。
- 前記複数の凸部のパターンが略規則的なパターンであることを特徴とする請求項4〜6のいずれかに記載の光学素子。
- 前記多数の柱状体の平均柱径が、2nm以上であり、かつ、前記複数の凸部の平均ピッチの1/5以下であることを特徴とする請求項7に記載の光学素子。
- 前記複数の凸部が無機材料からなることを特徴とする請求項4〜8のいずかに記載の光学素子。
- 前記複数の凸部が透光性誘電材料からなることを特徴とする請求項4〜9のいずれかに記載の光学素子。
- 前記複数の凸部が光吸収材料又は光反射材料からなることを特徴とする4〜10のいずれかにいずれかに記載の光学素子。
- 請求項10に記載の光学素子を備えたことを特徴とする位相差補償素子。
- 請求項11に記載の光学素子を備えたことを特徴とする偏光素子。
- 液晶層を挟持して対向配置され、電圧無印加時の前記液晶層内の液晶分子の配向を規定する配向膜を有する一対の基板を備え、該一対の基板に前記液晶層に電圧を印加する電極が設けられた液晶セルに、請求項12に記載の位相差補償素子が対向配置されたことを特徴とする液晶装置。
- 液晶層を挟持して対向配置され、電圧無印加時の前記液晶層内の液晶分子の配向を規定する配向膜を有する一対の基板を備え、該一対の基板に前記液晶層に電圧を印加する電極が設けられた液晶セルに、請求項13に記載の偏光素子が対向配置されたことを特徴とする液晶装置。
- 光源と、該光源から出射された光を変調する単数または複数の光変調装置と、該光変調装置により変調された光を投射する投射光学系とを備えた投射型表示装置において、
少なくとも一つの前記光変調装置が請求項14又は15に記載の液晶装置からなることを特徴とする投射型表示装置。
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