JP2007101833A - マイクロレンズの製造方法、マイクロレンズ、空間光変調装置、スクリーン及びプロジェクタ - Google Patents

Abstract

【課題】所望のレンズ形状とは異なる形状のマイクロレンズが形成される事態を低減でき
、良好な光学特性を備えたマイクロレンズを製造することを可能とするマイクロレンズの
製造方法、及びその製造方法で製造されたマイクロレンズ等を提供すること。
【解決手段】基板１０１に凹部１１３を形成する凹部形成工程と、凹部１１３が形成され
た基板１０１にエッチングを施すことにより、基板１０１にレンズ形状１１４を形成する
レンズ形状形成工程と、を含み、凹部形成工程において形成される凹部１１３は、凹部１
１３の深さ方向であるｚ方向へ向かうに従い漸次小さくなる形状を有する。
【選択図】図１−３

Description

本発明は、マイクロレンズの製造方法、マイクロレンズ、空間光変調装置、スクリーン
及びプロジェクタ、特に、プロジェクタの空間光変調装置やスクリーンに設けられるマイ
クロレンズを製造する製造方法の技術に関する。

プロジェクタの空間光変調装置、特に、液晶型空間光変調装置には、複数のマイクロレ
ンズを有するマイクロレンズアレイが用いられている。液晶型空間光変調装置の表示領域
内には、データ線、走査線、容量線等の各種配線や、ＴＦＴ等の各種電子素子が形成され
ている。各画素において、実際に表示に寄与する光が透過又は反射する領域は、各種配線
や電子素子等の存在により限定される。液晶型空間光変調装置に用いられるマイクロレン
ズアレイは、各画素において、各種配線等が存在している非開口領域へ向かって進行する
光を、開口領域へ導く機能を有する。マイクロレンズアレイは、例えば、リアプロジェク
タに設けられる透過型スクリーンにも用いられる。透過型スクリーンに用いられるマイク
ロレンズアレイは、画像信号に応じた光を屈折させ、観察者側へ拡散させる機能を有する
。これらのマイクロレンズを製造するための技術は、例えば、特許文献１に提案されてい
る。

特開２００２−６１１３号公報

従来の技術によると、基板上に設けられたマスク層に開口部を形成し、開口部を中心と
して基板のエッチングを行うことで、曲面を備えるレンズ形状を形成する。この場合、開
口部を中心として基板のエッチングを行うことで、開口部の形状がそのまま保存された状
態のレンズ形状が基板に形成されてしまう。例えば、開口部を上面から見た平面形状が保
存されると、レンズ形状の中央部分に、基板面に略平行な平坦面が形成される。また、開
口部を側面から見た側面形状が保存されると、マイクロレンズの裾部分に当たるレンズ形
状の外周部分に、基板面に略垂直な平坦面が形成される。このように、製造プロセスに起
因して、所望のレンズ形状とは異なる形状のマイクロレンズが形成されることは、良好な
光学特性を得ることが困難となるため問題である。本発明は、上述の問題に鑑みてなされ
たものであり、所望のレンズ形状とは異なる形状のマイクロレンズが形成される事態を低
減でき、良好な光学特性を備えたマイクロレンズを製造することを可能とするマイクロレ
ンズの製造方法、その製造方法で製造されたマイクロレンズ、マイクロレンズを備える空
間光変調装置、スクリーン、及びプロジェクタを提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明によれば、基板に凹部を形成す
る凹部形成工程と、凹部が形成された基板にエッチングを施すことにより、基板にレンズ
形状を形成するレンズ形状形成工程と、を含み、凹部形成工程において形成される凹部は
、凹部の深さ方向へ向かうに従い漸次小さくなる形状を有することを特徴とするマイクロ
レンズの製造方法を提供することができる。

凹部形成工程には、例えば、ドライエッチングを用いることができる。レンズ形状形成
工程には、例えば、ウェットエッチングを用いることができる。凹部を予め形成した後に
レンズ形状を形成することで、凹部の先端部近傍の形状がレンズ形状の中央部分の形状に
反映されることとなる。深さ方向へ向かうに従い漸次小さくなる形状の凹部を予め形成す
ることにより、レンズ形状の中央部分に形成される平坦面を小さくすることが可能となる
。かかる平坦面を少なくすることにより、非球面等の曲面を備える所望のレンズ形状のマ
イクロレンズを製造することが可能となる。これにより、所望のレンズ形状とは異なる形
状のマイクロレンズが形成される事態を低減でき、良好な光学特性を備えたマイクロレン
ズを製造することができる。

また、本発明の好ましい態様によれば、基板にレジスト層を形成するレジスト層形成工
程と、レジスト層にレジスト形状を形成するレジスト形状形成工程と、を含み、凹部形成
工程において、レジスト形状が形成されたレジスト層及び基板のエッチングにより凹部が
形成され、レジスト形状の、基板側の先端部の幅と比較して、凹部の、深さ方向側の先端
部の幅が小さいことが望ましい。レジスト形状は、例えば、フォトリソグラフィー法によ
って形成することができる。凹部の先端部の幅をレジスト形状の先端部の幅より小さくす
ることで、レジスト形状からのエッチングにより直接レンズ形状を形成する場合と比較し
て、レンズ形状の中央部分に形成される平坦面を小さくすることができる。

また、本発明の好ましい態様によれば、基板にマスク層を形成するマスク層形成工程と
、マスク層に開口部を形成するする開口部形成工程と、を含み、凹部形成工程において、
開口部を介した基板のエッチングにより凹部が形成され、開口部の幅と比較して、凹部の
、深さ方向側の先端部の幅が小さいことが望ましい。開口部は、例えば、レジスト層を用
いたフォトリソグラフィー、及びウェットエッチングにより形成することができる。凹部
の先端部の幅を開口部の幅より小さくすることで、開口部からのエッチングにより直接レ
ンズ形状を形成する場合と比較して、レンズ形状の中央部分に形成される平坦面を小さく
することができる。

また、本発明の好ましい態様としては、基板の上にシリコン層を形成するシリコン層形
成工程を含み、マスク層形成工程において、シリコン層の上にマスク層を形成し、凹部形
成工程において、シリコン層及び基板のエッチングにより凹部が形成されることが望まし
い。例えば、石英部材を用いて基板を形成する場合、レンズ形状形成工程において、基板
よりシリコン層におけるエッチングレートが高い状態でエッチングを行うことが可能とな
る。基板よりシリコン層において早くエッチングを進行させることにより、レンズ形状の
外周部分における曲率半径を大きくし、基板面に略垂直な平坦面を小さくすることができ
る。

また、本発明の好ましい態様としては、凹部形成工程において、側壁に保護層を形成さ
せながら基板のエッチングを行うことにより、凹部を形成することが望ましい。保護層は
、例えば、エッチングによる反応生成物などが堆積することにより形成される。凹部形成
工程として、例えば反応性イオンエッチングを行う場合、基板面に対して略垂直な方向か
ら反応性イオンを入射させる。保護層により側壁が保護される側壁保護効果により、基板
面に平行な方向よりも基板面に垂直な方向へ早くエッチングを進行させることが可能とな
る。基板面に平行な方向よりも基板面に垂直な方向へ早くエッチングを進行させることで
、凹部の深さ方向へ向かうに従い漸次小さくなる形状の凹部を形成することができる。こ
れにより、簡易な手法により、凹部の深さ方向へ向かうに従い漸次小さくなる形状の凹部
を形成することができる。

また、本発明の好ましい態様としては、凹部形成工程における基板のエッチングは、基
板をマイナス５０度以上プラス１００度以下として行うドライエッチングであることが望
ましい。これにより、保護層を形成することができる。

また、本発明の好ましい態様としては、基板をマイナス２０度以上プラス２０度以下と
してドライエッチングを行うことが望ましい。これにより、さらに効果的に保護層を形成
することができる。

また、本発明の好ましい態様としては、凹部形成工程における基板のエッチングは、エ
チレンが添加された反応ガスを用いたドライエッチングであることが望ましい。これによ
り、保護層を形成することができる。

また、本発明の好ましい態様としては、凹部形成工程における基板のエッチングは、水
素が添加された反応ガスを用いたドライエッチングであることが望ましい。これにより、
保護層を形成することができる。

また、本発明の好ましい態様としては、基板に対してレーザ光を照射させるレーザ光照
射工程と、レーザ光を集光させるレーザ光集光工程と、基板のうち、レーザ光が集光され
た部分の物性を変化させて変質領域を形成させる変質領域形成工程と、を含み、凹部形成
工程において、基板より変質領域においてエッチングレートが高い状態で基板にエッチン
グを施すことにより、凹部を形成することが望ましい。変質領域は、レーザ光の進行方向
について長手方向を有する形状、例えば、楕円形状に形成される。基板より変質領域にお
いてエッチングレートが高い状態で基板にエッチングを施すことで、凹部の深さ方向へ向
かうに従い漸次小さくなる形状の凹部を形成することができる。これにより、簡易な手法
により、凹部の深さ方向へ向かうに従い漸次小さくなる形状の凹部を形成することができ
る。また、これと同様に、高エネルギーレーザ光である、炭酸ガス励起レーザ、アルゴン
励起レーザ等を基板に照射させるレーザ光照射により基板に凹部を形成する加工工程と、
凹部が形成された基板にウェットプロセスを施すことにより更に加工する工程とにより、
マイクロレンズを製造することとしても良い。この場合も、凹部の先端部近傍の形状がレ
ンズ形状の中央部分の形状に反映された非球面等の曲面を備える所望のレンズ形状のマイ
クロレンズを製造することが可能となる。これにより、所望のレンズ形状とは異なる形状
のマイクロレンズが形成される事態を低減でき、良好な光学特性を備えたマイクロレンズ
を製造することができる。

さらに、本発明によれば、上記のマイクロレンズの製造方法により製造されることを特
徴とするマイクロレンズを提供することができる。上記のマイクロレンズの製造方法によ
り製造されることで、マイクロレンズは、良好な光学特性を備えた構成とすることが可能
である。これにより、良好な光学特性を備えたマイクロレンズを得られる。

さらに、本発明によれば、上記のマイクロレンズを備えることを特徴とする空間光変調
装置を提供することができる。上記のマイクロレンズを備えることにより、空間光変調装
置で変調させる光の進行方向を正確に制御することが可能である。例えば、液晶型空間光
変調装置の開口領域へ光を正確に導くことで、高い効率で光を利用することができる。空
間光変調装置で変調可能な角度範囲の光を増加させることで、高いコントラストを得るこ
とができる。さらに、例えば、空間光変調装置をプロジェクタに用いる場合に、空間光変
調装置より出射側の光学系にて取り込むことが可能な光を増加させることも可能である。
これにより、高い光利用効率で高コントラストな画像を表示させることが可能な空間光変
調装置を得られる。

さらに、本発明によれば、上記のマイクロレンズを備えることを特徴とするスクリーン
を提供することができる。上記のマイクロレンズは、リアプロジェクタに設けられる透過
型スクリーンや、フロント型プロジェクタと併せて用いられる反射型スクリーンに用いる
ことができる。上記のマイクロレンズを備えることにより、観察者の方向へ画像信号に応
じた光を効率良く導くことが可能である。また、画像信号に応じた光を十分拡散させるこ
とで、良好な視野角特性を得ることも可能である。これにより、明るく良好な視野角特性
を得ることが可能なスクリーンを得られる。

さらに、本発明によれば、上記の空間光変調装置を備えることを特徴とするプロジェク
タを提供することができる。上記の空間光変調装置を備えることにより、高い光利用効率
で高コントラストな画像を表示することができる。これにより、高い光利用効率で高コン
トラストな画像を表示することが可能なプロジェクタを得られる。

さらに、本発明によれば、上記のスクリーンを備えることを特徴とするプロジェクタを
提供することができる。上記のスクリーンを備えることにより、明るく良好な視野角特性
を得ることができる。これにより、明るく良好な視野角特性のプロジェクタを得られる。

以下に図面を参照して、本発明の実施例を詳細に説明する。

図１−１、図１−２及び図１−３は、本発明の実施例１に係るマイクロレンズの製造方
法の手順を示す。本実施例の製造方法により製造されるマイクロレンズは、非球面形状を
有する。まず、図１−１に示す工程ａにおいて、基板１０１上にマスク層１０２を形成す
る。基板１０１は、透明部材、例えば石英部材により構成された平行平板である。マスク
層１０２は、例えば、蒸着又はスパッタによりクロム部材を０．１μｍ〜１μｍ程度の厚
みで積層させることにより形成できる。この他、マスク層１０２は、多結晶シリコン部材
を積層させることで形成することとしても良い。工程ｂでは、マスク層１０２の上にレジ
スト層１０３を形成する。工程ｃでは、フォトリソグラフィー技術を用いて、レジスト層
１０３をパターニングする。パターニングにより、レジスト層１０３が取り除かれた溝部
１０４が形成される。

次に、工程ｄにおいて、レジスト層１０３及びマスク層１０２のエッチングを行う。エ
ッチングにより、溝部１０４の形状がマスク層１０２に転写され、マスク層１０２が取り
除かれた溝部１０５が形成される。マスク層１０２としてクロム膜を用いる場合、例えば
、１０％程度の硝酸溶液によるウェットエッチングを用いることができる。マスク層１０
２として多結晶シリコン層を用いる場合、例えば、５％程度のフッ酸溶液によるウェット
エッチングや、Ｃ₄Ｆ₈、Ｃ₄Ｆ₆、ＣＨＦ₃、ＣＦ_x等のＣＦ系ガスを用いたドライエッチン
グを用いることができる。

次に、図１−２に示す工程ｅにおいて、基板１０１及びマスク層１０２上にレジスト層
１０６を形成する。工程ｅは、レジスト層形成工程である。レジスト層１０６の材料は特
に限定されるものではなく、例えば、東京応化工業社製のＯＦＰＲシリーズや、クラリア
ント社製のＡＺシリーズ等を用いることができる。ここで、マスク層１０２の形状の影響
から、レジスト層１０６の表面に凹凸を生じる場合がある。かかる凹凸の影響を低減する
ために、レジスト層１０６は、０．１μｍ〜０．３μｍの厚みで形成することが望ましい
。また、レジスト材料の塗布に先立ち、プラズマ処理によりマスク層１０２上の濡れ性を
向上させることが望ましい。これにより、略均一な厚みのレジスト層１０６を形成するこ
とが可能となる。さらに、ノードソン社のスプレーコーター（商品名）を用いたスプレー
コートにより、レジスト材料を均一に塗布することとしても良い。

次に、工程ｆ及びｇにおいて、図示するようにレーザ光Ｌによるレジスト層１０６の露
光を行う。工程ｆでは、第１フォトマスク１０７を介したレーザ光Ｌの照射を行う。レジ
スト層１０６には、第１フォトマスク１０７の開口部１０８の形状に応じた露光領域１０
９が形成される。工程ｇでは、第１フォトマスク１０７の開口部１０８より大きい開口部
１１１を有する第２フォトマスク１１０を介したレーザ光Ｌの照射を行う。第２フォトマ
スク１１０を介するレーザ光Ｌの照射により、レジスト層１０６に形成される露光領域１
０９は、開口部１１１の形状に対応する形状となる。また、工程ｆにて露光領域１０９が
形成されていた部分については、露光領域１０９は、基板１０１に到達する深い位置にま
で形成される。なお、工程ｆ及びｇにおけるレジスト層１０６の露光は、Ｉ線又はＧ線を
光源に用いた露光装置により行うこととしても良い。

そして、図１−３に示す工程ｈにおいて現像処理を施すことにより、露光領域１０９が
取り除かれる。このようにして、レジスト形状１１２を形成する。工程ｆ〜ｈは、レジス
ト層１０６にレジスト形状１１２を形成するレジスト形状形成工程である。このように、
開口部の大きさが異なる複数のフォトマスクを用いてレジスト層１０６の露光を行うこと
により、階段形状の断面を備えるレジスト形状１１２を形成することができる。なお、２
つのフォトマスク１０７、１１０を用いた露光によって２つの段を有するレジスト形状１
１２を形成する場合に限られない。３つ以上のフォトマスクを用いて、３つ以上の段を有
するレジスト形状を形成することとしても良い。

次に、工程ｉにおいて、レジスト層１０６及び基板１０１のエッチングを行う。かかる
エッチングには、ドライエッチングである反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etchi
ng。以下、適宜「ＲＩＥ」という。）を用いることができる。ＲＩＥは、プラズマから生
成されたイオンを加速して被エッチング物に衝撃させるものである。ＲＩＥにより、工程
ｊに示す基板１０１に凹部１１３が形成される。工程ｉ及び工程ｊは、基板１０１に凹部
を形成する凹部形成工程である。なお、凹部形成工程では、ＲＩＥに代えて、ドライエッ
チングであるプラズマエッチングを用いることとしても良い。プラズマエッチングは、エ
ッチング物にバイアスを印加せずにプラズマより生成したラジカルにより被エッチング物
のエッチングを行うものである。また、工程ｉ及び工程ｊにおいて、レジスト層１０６は
、全てをドライエッチングにより除去する場合に限らず、一部を剥離により除去すること
としても良い。

工程ｊにて形成された凹部１１３は、凹部１１３の深さ方向であるｚ方向へ向かうに従
い漸次小さくなる形状を有している。また、工程ｈにおけるレジスト形状１１２の、基板
１０１側の先端部１１５の幅ｄ１と、凹部１１３の深さ方向側の先端部１１６の幅ｄ２と
を比較すると、ｄ１＞ｄ２の関係が成り立つ。ｚ方向へ向かうに従って漸次小さくなる形
状の凹部１１３を形成した後、工程ｋに示すレンズ形状形成工程において、凹部１１３が
形成された基板１０１にエッチングが施される。レンズ形状形成工程には、２５％フッ酸
溶液に基板１０１を浸漬させるウェットエッチングを用いることができる。凹部１１３を
基に、例えば等方性エッチングを施すことにより、基板１０１に非球面であるレンズ形状
１１４が形成される。レンズ形状形成工程の後、マスク層１０２の剥離、レンズ形状１１
４内への透明部材の充填及び封止を行うことで、マイクロレンズが完成する。

図２は、凹部形成工程において用いられるＲＩＥ装置２００の概略構成を示す。レジス
ト形状形成工程において基板１０１上にレジスト形状１１２（図１−３参照。）が形成さ
れた材料基板２１０は、エッチング反応槽２０１内の第２平板電極２０５上に載置される
。エッチング反応槽２０１の内部は、排気部２０３からの排気によって、０．１３３Ｐａ
〜数百Ｐａの真空状態とされる。真空状態のエッチング反応槽２０１内には、ガス供給部
２０２から、例えば、数十ｓｃｃｍの流量の反応ガスが供給される。反応ガスとしては、
Ｃ₄Ｆ₈、Ｃ₄Ｆ₆、ＣＨＦ₃、ＣＦ_x等ＣＦ系ガスの混合ガスを用いることができる。

エッチング反応槽２０１内において、第１平板電極２０４は、第２平板電極２０５に対
向する位置に設けられている。第１平板電極２０４、第２平板電極２０５は、それぞれ、
陽極電極、陰極電極として機能する。第２平板電極２０５は、整合器２０７を介して高周
波電源２０６と接続されている。高周波電源２０６により、第１平板電極２０４及び第２
平板電極２０５に数十ＭＨｚ、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波が印加される。これに
より、第１平板電極２０４及び第２平板電極２０５の間にプラズマを発生させる。反応ガ
スは、励起状態であるラジカル状態、及び反応性イオン状態となる。材料基板２１０は、
プラズマから生じるラジカルによる化学的なエッチング効果のほか、プラズマから生じる
反応性イオンによる物理的なスパッタ効果により、エッチングされる。温度調節部２０９
は、例えば、第２平板電極２０５の内部に冷媒を循環させることにより、材料基板２１０
の温度を調節する。凹部形成工程において、温度調節部２０９により材料基板２１０をマ
イナス５０度以上プラス１００度以下に冷却する。

図３は、凹部１１３のうち先端部１１６に近い部分の断面形状を示す。材料基板２１０
面に対して略垂直に反応性イオンが入射することから、ＲＩＥは、材料基板２１０に平行
な方向と比較して材料基板２１０に垂直な方向へ早くエッチングが進行するような異方性
を示す。かかる異方性により、エッチングによって生じる反応生成物等は、凹部１１３の
側壁に堆積し易くなる。反応生成物等の堆積により、凹部１１３の側壁に、不図示の保護
膜が形成される。凹部形成工程において、側壁に保護層を形成させながら材料基板２１０
のドライエッチングを行う。反応生成物は、例えば、炭素とフッ素との反応により生じる
フロロカーボンである。

保護層により側壁が保護される側壁保護効果により、エッチングの異方性がさらに強め
られる結果、先端部１１６に近い部分を、ｚ方向へ向かうに従って漸次小さくなるテーパ
形状とすることが可能となる。さらに、材料基板２１０を適宜冷却することにより、先端
部１１６付近を細いテーパ形状にできることが確認されている。先端部１１６に隣接する
側壁の傾斜角θ１は、例えば、材料基板２１０を１５６度とする場合に０．０７度、材料
基板２１０を４６度とする場合に９．７５度、材料基板２１０を９度とする場合に１３．
２度と変化する。

図４は、材料基板２１０の温度と、側壁の傾斜角θ１との関係を表すものである。材料
基板２１０をマイナス５０度以上、かつプラス１００度以下とすることで、傾斜角θ１を
大きくでき、細いテーパ形状を形成することが可能となる。これにより、簡易な手法によ
り、凹部１１３の深さ方向へ向かうに従い漸次小さくなる形状の凹部１１３を形成するこ
とができる。図１−３により説明したレンズ形状形成工程では、凹部１１３を予め形成し
た後にレンズ形状１１４を形成することで、凹部１１３の先端部１１６近傍の形状がレン
ズ形状１１４の中央部分の形状に反映されることとなる。先端部１１６近傍を細いテーパ
形状とすることで、レンズ形状１１４の中央部分である頂点部１１７（図１−３参照。）
付近に形成される平坦面を小さくすることが可能となる。また、凹部１１３の先端部１１
６の幅ｄ２をレジスト形状１１２の先端部１１５の幅ｄ１より小さくすることで、レジス
ト形状１１２からのエッチングにより直接レンズ形状を形成する場合と比較して、レンズ
形状１１４の中央部分に形成される平坦面を小さくすることができる。

材料基板２１０の温度を低くするほど、側壁における反応生成物の堆積速度を大きくし
、効果的に保護層を生じさせることが可能となる。凹部形成工程における基板１０１のエ
ッチングは、さらに、マイナス２０度以上プラス５０度以下で行うことが望ましい。これ
により、効果的に保護層を形成することができる。さらに、凹部形成工程における基板１
０１のエッチングは、マイナス２０度以上プラス２０度以下で行うことが望ましい。これ
により、生産工程の安定により歩留まりの高い量産が可能となり、効果的に保護層を形成
することができる。

図５は、本実施例との比較として、従来の技術により形成されるレンズ形状について説
明するものである。従来の技術では、基板１０１上に設けられたマスク層１０２に開口部
５０１を形成し、開口部５０１を中心として基板１０１のエッチングを行うことにより、
曲面を備えるレンズ形状を形成する。エッチングの開始により、基板１０１には、開口部
５０１の形状と略同じ形状ｓ１が形成される。形状ｓ１には、上面から見た平面形状、及
び、側面から見た側面形状がそのまま保存されている。

エッチングの進行により基板１０１に形成される形状が初期ｓ１、中間期ｓ２、終期ｓ
３と変化したとする。エッチングが進行しても、初期形状ｓ１にて平坦であった部分は、
曲率を持つようには変化せず、そのまま平坦な部分として残ることとなる。このようにし
て、開口部５０１の形状がエッチング終期にまで保存されると、レンズ形状ｓ３の中央部
分に、基板１０１面に略平行な平坦面５０２が形成される。開口部５０１の平面形状が保
存されることで、平坦面５０２の幅ｄ３は、開口部５０１の幅と略一致する。また、開口
部５０１の側面形状が保存されると、マイクロレンズの裾部分に当たるレンズ形状ｓ３の
外周部分に、基板１０１に略垂直な平坦面５０３が形成される。開口部５０１の側面形状
が保存されることで、平坦面５０３の高さｄ４は、開口部５０１の深さと略一致する。こ
のように、開口部５０１と同じ形状ｓ１からエッチングを進行させることにより、開口部
５０１の形状が保存されたレンズ形状ｓ３が形成されてしまうことになる。このように、
製造プロセスに起因して、所望のレンズ形状とは異なる形状のマイクロレンズが形成され
ることにより、良好な光学特性を得ることが困難となるという問題を生じる。

本実施例によると、上述のように、レンズ形状１１４の中央部分に形成される平坦面を
小さくすることが可能となる。かかる平坦面を少なくすることにより、非球面等の曲面を
備える所望のレンズ形状のマイクロレンズを製造することが可能となる。これにより、所
望のレンズ形状とは異なる形状のマイクロレンズが形成される事態を低減でき、良好な光
学特性を備えたマイクロレンズを製造することができるという効果を奏する。本実施例に
より製造されるマイクロレンズは、マイクロレンズアレイとして、プロジェクタの空間光
変調装置やスクリーンに用いる場合に有用である。

図６−１及び図６−２は、本実施例の変形例１に係るマイクロレンズの製造方法の手順
を示す。図６−１に示す工程ａのうち、シリコン層形成工程において、基板１０１の上に
シリコン層６０１を形成する。シリコン層６０１は、例えば、０．５μｍの厚みで形成さ
れる。次に、マスク層形成工程において、シリコン層６０１の上にマスク層１０２を形成
する。マスク層１０２は、例えば、クロム部材を０．２μｍ程度の厚みで積層させること
により形成できる。マスク層１０２を形成した後、熱処理を施すアニールにより、シリコ
ン層６０１のシリコン部材の結晶化を行う。例えば、６００度〜１０００度程度のアニー
ルにより、シリコン部材を多結晶構造とすることができる。さらに、シリコン層６０１の
上には、レジスト層１０３を形成する。

工程ｂでは、フォトリソグラフィー技術を用いて、レジスト層１０３をパターニングす
る。パターニングにより、レジスト層１０３が取り除かれた溝部６０２が形成される。工
程ｃでは、レジスト層１０３、マスク層１０２、及びシリコン層６０１のエッチングを行
う。エッチングにより、溝部６０２の形状がマスク層１０２及びシリコン層６０１に転写
され、開口部６０３が形成される。工程ｃは、マスク層１０２に開口部６０３を形成する
開口部形成工程である。開口部形成工程におけるエッチングには、例えば、２０％程度の
硝酸溶液によるウェットエッチングを用いることができる。

次に、工程ｄにおいて、シリコン層６０１及び基板１０１のエッチングを行う。シリコ
ン層６０１及び基板１０１のエッチングには、ＲＩＥを用いることができる。ＲＩＥによ
り、シリコン層６０１及び基板１０１に凹部６０４が形成される。工程ｄは、基板１０１
に凹部６０４を形成する凹部形成工程である。本変形例では、反応ガスとして、ＣＣｌ又
はＣＦ_Xに数％のエチレンガスを添加させた混合ガスを用いる。

反応ガスにエチレンガスを添加させることにより、凹部６０４の側壁に保護層６０５が
形成される。保護層６０５は、反応生成物であるポリエチレンによって構成される。保護
層６０５による側壁が保護される側壁保護効果により、凹部６０４の深さ方向であるｚ方
向へ向かうに従って漸次小さくなるテーパ形状の凹部６０４が形成される。工程ｃにおけ
る開口部６０３の幅ｄ５と、凹部６０４の先端部６０７の幅ｄ６とを比較すると、ｄ５＞
ｄ６の関係が成り立つ。

次に、図６−２に示す工程ｅ及び工程ｆにおいて、凹部６０４が形成された基板１０１
及びシリコン層６０１にエッチングが施される。工程ｅ及び工程ｆは、レンズ形状形成工
程である。レンズ形状形成工程には、２５％フッ酸溶液によるウェットエッチングを用い
ることができる。凹部６０４を基にエッチングを施すことにより、基板１０１に非球面で
あるレンズ形状６０６が形成される。レンズ形状形成工程の後、マスク層１０２及びシリ
コン層６０１の剥離、レンズ形状６０６への透明部材の充填及び封止を行うことでマイク
ロレンズが完成する。

ｚ方向へ向かうに従って漸次小さくなるテーパ形状の凹部６０４を基にエッチングを行
うことにより、レンズ形状６０６の中央部分である頂点部６０８付近に形成される平坦面
を小さくすることが可能となる。また、凹部６０４の先端部６０７の幅ｄ６を開口部６０
３の幅ｄ５より小さくすることで、開口部６０３からのエッチングにより直接レンズ形状
を形成する場合と比較して、レンズ形状６０６の中央部分に形成される平坦面を小さくす
ることができる。エッチング工程におけるウェットエッチングでは、石英部材からなる基
板１０１よりも、多結晶シリコン部材からなるシリコン層６０１におけるエッチングレー
トが例えば１．１倍程度高くなる。基板１０１よりシリコン層６０１において早くエッチ
ングを進行させることにより、光線を集光するのに有効な非球面形状を形成できる。

図７−１及び図７−２は、本実施例の変形例２に係るマイクロレンズの製造方法の手順
を示す。図７−１に示す工程ａ〜工程ｃは、上記変形例１における工程ａ〜工程ｃと同様
である。工程ｄにおいて、シリコン層６０１及び基板１０１のエッチングを行う。シリコ
ン層６０１及び基板１０１のエッチングには、ＲＩＥを用いることができる。ＲＩＥによ
り、シリコン層６０１及び基板１０１に凹部７０４が形成される。工程ｄは、基板１０１
に凹部７０４を形成する凹部形成工程である。本変形例では、反応ガスとして、ＣＦ系ガ
スであるＣＦ₄と水素との混合ガスを用いる。

図８は、水素Ｈ₂及びＣＦ₄の流量比と、石英ＳｉＯ₂、シリコンＳｉのエッチング速度
との関係を表すものである。エッチング条件は、エッチング反応槽の内部をおよそ０．１
Ｐａの真空とし、ＣＦ₄ガス流量２０ｓｃｃｍ、ガス圧０．１３Ｐａ、高周波電力１５０
Ｗとしている。Ｈ₂／ＣＦ₄流量比を０％から１２０％まで変化させても、石英のエッチン
グ速度は４５０Å／ｍｉｎ〜４００Å／ｍｉｎと１０％程度の変化にとどまる。これに対
して、シリコンのエッチング速度は、Ｈ₂／ＣＦ₄流量比が０％から７０％まで変化するこ
とにより、１９０Å／ｍｉｎから０Å／ｍｉｎにまで低下する。

Ｈ₂／ＣＦ₄流量比を７０％〜１２０％とする場合、凹部７０４（図６−１参照。）の側
壁に保護層７０５が形成される。保護層７０５は、反応生成物であるフロロカーボンによ
って構成される。保護層７０５による側壁が保護される側壁保護効果により、凹部７０４
の深さ方向であるｚ方向へ向かうに従って漸次小さくなるテーパ形状の凹部７０４が形成
される。工程ｃにおける開口部６０３の幅ｄ７と、凹部７０４の先端部７０７の幅ｄ８と
を比較すると、ｄ７＞ｄ８の関係が成り立つ。さらに、凹部形成工程におけるエッチング
は、Ｈ₂／ＣＦ₄流量比を９０％として行うことが望ましい。これにより、さらに効果的に
保護層７０５を形成することができる。なお、Ｈ₂／ＣＦ₄流量比を０％〜５８％とすると
、保護層７０５の形成より早くエッチングが進行することにより、等方性エッチングが行
われることとなる。

図７−２に示す工程ｅ及び工程ｆは、上記の変形例１における工程ｅ及び工程ｆと同様
である。凹部７０４を基にエッチングを施すことにより、基板１０１に非球面であるレン
ズ形状６０６が形成される。本変形例においても、ｚ方向へ向かうに従って漸次小さくな
るテーパ形状の凹部７０４を基にエッチングを行うことにより、レンズ形状７０６の中央
部分である頂点部７０８付近に形成される平坦面を小さくすることが可能となる。また、
基板１０１よりシリコン層６０１において早くエッチングを進行させることにより、レン
ズ形状７０６の外周部分７０９における曲率半径を大きくし、基板１０１面に略垂直な平
坦面を小さくすることができる。なお、レンズ形状形成工程である工程ｅ及び工程ｆでは
、ウェットエッチングに代えて、Ｈ₂／ＣＦ₄流量比を０％〜５８％としたドライエッチン
グを行うこととしても良い。これにより、凹部形成工程からＨ₂／ＣＦ₄流量比のみを変化
させることによってレンズ形状を形成することを可能とし、マイクロレンズを製造する手
順を簡素化できる。

図９は、本発明の実施例２に係るマイクロレンズの製造方法にて用いるレーザ加工装置
９００の概略構成を示す。超短パルスレーザ光源であるフェムト秒パルスレーザ光源９０
１は、パルスレーザ光を発振する。フェムト秒パルスレーザ光源９０１は、例えば、波長
８００ｎｍ、パルス幅約１００ｆｓ（ｆｅｍｔｏｓｅｃｏｎｄ）、繰り返し周波数約１ｋ
Ｈｚのパルスレーザ光を発振する。パルスレーザ光は、パルス幅調整器９０２と、出力調
整器９０３と、ビーム形偏光調整器９０４を経てシャッタ９０５に入射する。

パルス幅調整器９０２は、パルスレーザ光のパルス幅を所定の値に調整する。出力調整
器９０３は、例えば、ＮＤフィルタや偏光ビームスプリッタで構成され、パルスレーザ光
の強度を所定値に調整する。そして、ビーム形／偏光調整器９０４は、可変開口絞りのよ
うなアパーチャおよび、光学的ビーム成形手段であるレンズ、回折格子や偏光面を制御す
る波長板、偏光板など光学部品で構成され、ビーム形および偏光面を調整する。そして、
シャッタ９０５は、パルスレーザ光のＯＮ又はＯＦＦを行う。

シャッタ９０５から出射されたパルスレーザ光は、ミラー９０６により光路を９０度折
り曲げられる。光路を折り曲げられたパルスレーザ光は、加工ヘッド部９０７に入射する
。加工ヘッド部９０７は、集光レンズＬＳを有している。パルスレーザ光は、集光レンズ
ＬＳにより集光位置ｆ１に集光される。加工ヘッド部９０７は、集光レンズＬＳを光軸ｚ
方向に沿って移動させることができる。集光レンズＬＳのＮＡ＝０．８程度である。なお
、図９において、集光レンズＬＳは、両凸形状の単レンズで示しているが、これに限られ
ず例えばダブレットなど他の構成でも良い。

光学的透明基板である基板９２０は、ｘｙｚステージ９０８に載置され、不図示の基板
吸着装置にてｘｙｚステージ９０８上に固定される。基板９２０は、例えば、透明部材で
ある石英部材により構成されている。ｘｙｚステージ９０８は、サーボモータを備えるス
テージ駆動部９０９により直交する３軸（ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸）にミクロン単位のステップ
で移動可能である。集光レンズＬＳの光軸に平行に光学センサ９１２が設けられている。
光学センサ９１２は、非接触で基板９２０の第２面９２０ｂのｚ方向の位置を検出する。
界面検出演算部９１１は、光学センサ９１２からのデータに基づいて基板９２０の第２面
９２０ｂのｚ方向の位置データを演算、算出する。位置データは、加工制御回路９１０へ
出力される。

加工制御回路９１０は、集光レンズＬＳのｚ方向位置を微調整するためのデータを高さ
補正演算回路９１４に出力する。高さ補正演算回路９１４は、集光位置調整部９１３へ加
工ヘッド部９０７の移動データを送る。そして、集光レンズＬＳが設けられている加工ヘ
ッド部９０７は、集光位置調整部９１３によりｚ軸方向に沿って集光位置ｆ１を移動させ
る。また、加工制御回路９１０は、シャッタ９０５に対しても制御信号を出力し、後述す
る手順でパルスレーザ照射を行う。なお、図９に示した構成に限られず、集光位置ｆ１を
後述する所定位置へアライメントできる構成、例えば、集光レンズＬＳとｘｙｚステージ
９０８とが相対的に移動できる構成であれば良い。

また、加工ヘッド部９０７の位置、及び光学センサ９１２の位置は予め調整されてキャ
リブレーションされている。さらに、界面検出演算部９１１で得られたｚ方向の位置デー
タは、フィードフォワード制御によるデータ転送、フィードバック制御によるデータ転送
、又は別の手段による高さ補正演算回路９１４へのデータ転送を行うことができる。

図１０−１及び図１０−２は、本実施例のマイクロレンズの製造方法の手順を示す。本
実施例の製造方法により製造されるマイクロレンズは、非球面形状を有する。工程ａは、
基板９２０に対してレーザ光を照射させるレーザ光照射工程、及びレーザ光を集光させる
レーザ光集光工程である。フェムト秒パルスレーザ光源９０１からのパルスレーザ光は、
ビーム形／偏光調整器９０４により楕円形状に整形され、１／４波長板を経て円偏光に変
換される。円偏光に変換されたレーザ光は、集光レンズＬＳによって集光位置ｆ１に集光
される。

図１１に示すように、レーザ光の照射は、基板９２０のうち第２面９２０ｂに近い位置
、例えば、基板９２０の第２面９２０ｂから高さｍ２の位置に集光位置ｆ１がアライメン
トされた状態で行われる。アライメントは、ｘｙｚステージ９０８のｚ軸方向の駆動と加
工ヘッド部９０７のｚ軸方向の駆動とにより相対的に行う。なお、基板９２０の厚みｍ１
に対する高さｍ２の位置は図示するものに限られず、基板９２０に形成する凹部の形状に
応じて適宜設定することが可能である。

図１０−１に戻って、パルスレーザ光が集光された部分では、非線形吸収過程を介して
レーザ光と物質（石英）との相互作用が生ずる。変質領域形成工程では、かかる相互作用
により、レーザ光が集光された部分の物性を変化させて、損傷領域又は変質領域９３０を
形成させる。変質領域９３０は、ｚ軸方向に長軸を有する楕円形状に形成される。例えば
、基板９２０の第１面９２０ａに近い部分に変質領域９３０を形成してしまうと、変質領
域９３０により、第２面９２０ｂ側へのパルスレーザ光の進行が阻害されてしまう。また
、入射面である第１面９２０ａ近傍にパルスレーザ光を集光すると、例えば、空気と第１
面９２０ａとの界面でアブレーションが生じ、溶解する等の損傷を生ずるため好ましくな
い。

本実施形態では、所定の厚さｄ１を有する基板９２０の出射面である第２面９２０ｂに
近い部分にパルスレーザ光を集光している。このため、パルスレーザ光が入射する第１面
９２０ａ側に何ら損傷を生ずることなく特定の領域に変質領域９３０を形成できる。また
、第２面９２０ｂからのパルスレーザ光の反射の影響も低減できる。この結果、溶液を用
いる後述のエッチングにより所望の形状の凹部を正確、かつ安定して形成することができ
る。

変質領域９３０のエッチングレートは、基板９２０のエッチングレートよりも高い。工
程ｂでは、基板９２０より変質領域９３０においてエッチングレートが高い状態で基板９
２０にエッチングを施す。変質領域９３０を、ｚ軸方向に長軸を有する楕円形状としてい
ることから、工程ｂに示すように、エッチングは、基板９２０面に平行なｘ方向より基板
９２０面に垂直なｚ方向（負方向）へ早く進行する。この結果、工程ｃに示すように、基
板９２０内に、第２面９２０ｂを底辺とする略Ｖ字（三角形）の断面形状を有する凹部９
３１が形成される。凹部形成工程では、基板９２０より変質領域９３０においてエッチン
グレートが高い状態で基板９２０にエッチングを施すことにより、凹部９３１の深さ方向
へ向かうに従い漸次小さくなる形状の凹部９３１を形成することができる。

次に、図１０−２の工程ｄに示すように、凹部９３１が形成された基板９２０の第２面
９２０ｂ側に第１マスク層９３２を形成する。フォトリソグラフィーによるレジスト層の
パターニング、及びレジスト形状の転写を経て、第１マスク層９３２には開口部９３３が
形成される。開口部９３３は、凹部９３１に対応する位置に設けられる。エッチング工程
である工程ｅでは、開口部９３３を中心とする基板９２０のエッチングが行われる。等方
性エッチングを施すことにより、基板９２０は、凹部９３１の形状が反映された中間形状
９３７が形成される。

次に、工程ｆにおいて、第１マスク層９３２を剥離した後、基板９２０上に第２マスク
層９３４を形成する。第２マスク層９３４には、第１マスク層９３２の場合と同様にして
、開口部９３５が形成される。上面から見ると、開口部９３５は、基板９２０に形成され
ている中間形状９３７より大きくなるように設けられる。かかる開口部９３５を形成した
後再びエッチングを施すことにより、工程ｇに示すように、所望のレンズ形状９３６が形
成される。

本実施例においても、凹部形成工程において、深さ方向へ向かうに従い漸次小さくなる
形状の凹部９３１を予め形成することから、レンズ形状９３６の中央部分である頂点部９
３８付近に形成される平坦面を小さくすることが可能となる。これにより、所望のレンズ
形状とは異なる形状のマイクロレンズが形成される事態を低減でき、良好な光学特性を備
えたマイクロレンズを製造することができる。なお、本実施例の製造方法において、凹部
９３１は、レーザ光照射工程、変質領域形成工程を経た手順により形成する場合のほか、
例えば、高エネルギーレーザ光である、炭酸ガス励起レーザ、アルゴン励起レーザ等を照
射させるレーザ光照射により基板に凹部を形成する加工工程と、凹部が形成された基板に
ウェットプロセスを施すことにより更に加工する工程とにより、レンズ形状を形成するこ
ととしても良い。この場合も、凹部の先端部近傍の形状がレンズ形状の中央部分の形状に
反映された非球面等の曲面を備える所望のレンズ形状のマイクロレンズを製造することが
可能となる。これにより、所望のレンズ形状とは異なる形状のマイクロレンズが形成され
る事態を低減でき、良好な光学特性を備えたマイクロレンズを製造することができる。更
に、基板９２０の切削により形成することとしても良い。

図１２は、本発明の実施例３に係るプロジェクタ１０の概略構成を示す。プロジェクタ
１０は、観察者側に設けられたスクリーン２６に光を供給し、スクリーン２６で反射する
光を観察することで画像を鑑賞する、いわゆるフロント投写型のプロジェクタである。光
源部１１は、赤色光（以下、「Ｒ光」という。）、緑色光（以下、「Ｇ光」という。）、
及び青色光（以下、「Ｂ光」という。）を含む光を供給する超高圧水銀ランプである。イ
ンテグレータ１４は、光源部１１からの光の照度分布を均一化する。照度分布を均一化さ
れた光は、偏光変換素子１５にて特定の振動方向を有する偏光光、例えばｓ偏光光に変換
される。ｓ偏光光に変換された光は、色分離光学系を構成するＲ光透過ダイクロイックミ
ラー１６Ｒに入射する。

Ｒ光透過ダイクロイックミラー１６Ｒは、Ｒ光を透過し、Ｇ光、Ｂ光を反射する。Ｒ光
透過ダイクロイックミラー１６Ｒを透過したＲ光は、反射ミラー１７に入射する。反射ミ
ラー１７は、Ｒ光の光路を９０度折り曲げる。光路を折り曲げられたＲ光は、Ｒ光を画像
信号に応じて変調する空間光変調装置２０Ｒに入射する。空間光変調装置２０Ｒは、Ｒ光
を画像信号に応じて変調する透過型の液晶表示装置である。なお、ダイクロイックミラー
を透過しても、光の偏光方向は変化しないため、空間光変調装置２０Ｒに入射するＲ光は
、ｓ偏光光のままの状態である。

空間光変調装置２０Ｒは、λ／２位相差板２３Ｒ、硝子板２４Ｒ、第１偏光板２１Ｒ、
液晶パネル２５Ｒ、及び第２偏光板２２Ｒを有する。λ／２位相差板２３Ｒ及び第１偏光
板２１Ｒは、偏光方向を変換させない透光性の硝子板２４Ｒに接する状態で配置される。
これにより、第１偏光板２１Ｒ及びλ／２位相差板２３Ｒが、発熱により歪んでしまうと
いう問題を回避できる。なお、図１２において、第２偏光板２２Ｒは独立して設けられて
いるが、液晶パネル２５Ｒの出射面や、クロスダイクロイックプリズム２７の入射面に接
する状態で配置しても良い。

空間光変調装置２０Ｒに入射したｓ偏光光は、λ／２位相差板２３Ｒによりｐ偏光光に
変換される。ｐ偏光光に変換されたＲ光は、硝子板２４Ｒ及び第１偏光板２１Ｒをそのま
ま透過し、液晶パネル２５Ｒに入射する。液晶パネル２５Ｒに入射したｐ偏光光は、画像
信号に応じた変調により、Ｒ光がｓ偏光光に変換される。液晶パネル２５Ｒの変調により
、ｓ偏光光に変換されたＲ光が、第２偏光板２２Ｒから出射される。このようにして、空
間光変調装置２０Ｒで変調されたＲ光は、色合成光学系であるクロスダイクロイックプリ
ズム２７に入射する。

Ｒ光透過ダイクロイックミラー１６Ｒで反射されたＧ光及びＢ光は、光路を９０度折り
曲げられる。光路を折り曲げられたＧ光とＢ光とは、Ｂ光透過ダイクロイックミラー１６
Ｇに入射する。Ｂ光透過ダイクロイックミラー１６Ｇは、Ｇ光を反射し、Ｂ光を透過する
。Ｂ光透過ダイクロイックミラー１６Ｇで反射されたＧ光は、Ｇ光を画像信号に応じて変
調する空間光変調装置２０Ｇに入射する。空間光変調装置２０Ｇは、Ｇ光を画像信号に応
じて変調する透過型の液晶表示装置である。空間光変調装置２０Ｇは、液晶パネル２５Ｇ
、第１偏光板２１Ｇ及び第２偏光板２２Ｇを有する。

空間光変調装置２０Ｇに入射するＧ光は、ｓ偏光光に変換されている。空間光変調装置
２０Ｇに入射したｓ偏光光は、第１偏光板２１Ｇをそのまま透過し、液晶パネル２５Ｇに
入射する。液晶パネル２５Ｇに入射したｓ偏光光は、画像信号に応じた変調により、Ｇ光
がｐ偏光光に変換される。液晶パネル２５Ｇの変調により、ｐ偏光光に変換されたＧ光が
、第２偏光板２２Ｇから出射される。このようにして、空間光変調装置２０Ｇで変調され
たＧ光は、色合成光学系であるクロスダイクロイックプリズム２７に入射する。

Ｂ光透過ダイクロイックミラー１６Ｇを透過したＢ光は、２枚のリレーレンズ１８と、
２枚の反射ミラー１７とを経由して、Ｂ光を画像信号に応じて変調する空間光変調装置２
０Ｂに入射する。空間光変調装置２０Ｂは、Ｂ光を画像信号に応じて変調する透過型の液
晶表示装置である。なお、Ｂ光にリレーレンズ１８を経由させるのは、Ｂ光の光路の長さ
がＲ光及びＧ光の光路の長さよりも長いためである。リレーレンズ１８を用いることによ
り、Ｂ光透過ダイクロイックミラー１６Ｇを透過したＢ光を、そのまま空間光変調装置２
０Ｂに導くことができる。空間光変調装置２０Ｂは、λ／２位相差板２３Ｂ、硝子板２４
Ｂ、第１偏光板２１Ｂ、液晶パネル２５Ｂ、及び第２偏光板２２Ｂを有する。空間光変調
装置２０Ｂの構成は、上述した空間光変調装置２０Ｒと同様の構成を有する。

空間光変調装置２０Ｂに入射するＢ光は、ｓ偏光光に変換されている。空間光変調装置
２０Ｂに入射したｓ偏光光は、λ／２位相差板２３Ｂによりｐ偏光光に変換される。ｐ偏
光光に変換されたＢ光は、硝子板２４Ｂ及び第１偏光板２１Ｂをそのまま透過し、液晶パ
ネル２５Ｂに入射する。液晶パネル２５Ｂに入射したｐ偏光光は、画像信号に応じた変調
により、Ｂ光がｓ偏光光に変換される。液晶パネル２５Ｂの変調により、ｓ偏光光に変換
されたＢ光が、第２偏光板２２Ｂから出射される。空間光変調装置２０Ｂで変調されたＢ
光は、色合成光学系であるクロスダイクロイックプリズム２７に入射する。このように、
色分離光学系を構成するＲ光透過ダイクロイックミラー１６ＲとＢ光透過ダイクロイック
ミラー１６Ｇとは、光源部１１から供給される光を、Ｒ光と、Ｇ光と、Ｂ光とに分離する
。

色合成光学系であるクロスダイクロイックプリズム２７は、２つのダイクロイック膜２
７ａ、２７ｂをＸ字型に直交して配置して構成されている。ダイクロイック膜２７ａは、
Ｂ光を反射し、Ｇ光を透過する。ダイクロイック膜２７ｂは、Ｒ光を反射し、Ｇ光を透過
する。このように、クロスダイクロイックプリズム２７は、空間光変調装置２０Ｒ、空間
光変調装置２０Ｇ、及び空間光変調装置２０Ｂでそれぞれ変調されたＲ光、Ｇ光及びＢ光
を合成する。投写光学系２８は、クロスダイクロイックプリズム２７で合成された光をス
クリーン２６に投写する。これにより、スクリーン２６上にフルカラー画像を表示するこ
とができる。

なお、上述のように、空間光変調装置２０Ｒ及び空間光変調装置２０Ｂからクロスダイ
クロイックプリズム２７に入射される光は、ｓ偏光光となるように設定される。また、空
間光変調装置２０Ｇからクロスダイクロイックプリズム２７に入射される光は、ｐ偏光光
となるように設定される。このようにクロスダイクロイックプリズム２７に入射される光
の偏光方向を異ならせることで、クロスダイクロイックプリズム２７において各色光用空
間光変調装置から出射される光を有効に合成できる。ダイクロイック膜２７ａ、２７ｂは
、通常、ｓ偏光光の反射特性に優れる。このため、ダイクロイック膜２７ａ、２７ｂで反
射されるＲ光及びＢ光をｓ偏光光とし、ダイクロイック膜２７ａ、２７ｂを透過するＧ光
をｐ偏光光としている。

図１３は、液晶パネル２５Ｒの要部斜視構成を示す。図１２で説明したプロジェクタ１
０は、３つの液晶パネル２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂを備えている。これら３つの液晶パネル
２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂは変調する光の波長領域が異なるだけであり、基本的構成は同一
である。このため、液晶パネル２５Ｒを代表例として以後の説明を行う。一つの開口領域
ＡＰは、一つの画素に対応している。図１３では、液晶パネル２５Ｒのうち一つの画素に
対応する部分のみを示している。

光源部１１からのＲ光は、図１３の左側から液晶パネル２５Ｒに入射し、右側からスク
リーン２６の方向へ出射する。防塵硝子である入射側防塵プレート３１の出射側には、マ
イクロレンズアレイ基板３２と光学的に透明な接着剤層３４とでマイクロレンズ３３が形
成されている。一のマイクロレンズ３３は、一つの開口領域ＡＰに対応して設けられてい
る。液晶パネル２５Ｒの全体では、複数の開口領域ＡＰに対応して設けられた複数のマイ
クロレンズ３３が平面に配列されることにより、マイクロレンズアレイが構成されている
。マイクロレンズ３３は、上記実施例１及び実施例２の製造方法により、製造することが
できる。マイクロレンズアレイは、同一基板内に複数のレンズ形状を形成することで製造
できる。

マイクロレンズ３３の出射側には、ＩＴＯ膜を備える透明電極３７等を有する対向基板
３６が形成されている。対向基板３６及び透明電極３７の間には、遮光部であるブラック
マトリックス３５が形成されている。ブラックマトリックス３５には、画素に対応する矩
形の開口領域ＡＰが設けられている。透明電極３７の出射側には、ラビング処理等の所定
の廃港処理が施された配向膜３８が設けられている。配向膜３８は、例えば、ポリイミド
膜等の透明な有機膜で構成されている。

出射側防塵プレート４３の入射側には、ＴＦＴ基板４２が形成されている。ＴＦＴ基板
４２の入射側には、透明電極やＴＦＴ形成層４１が設けられている。ＴＦＴ形成層４１の
さらに入射側には、配向膜４０が設けられている。配向膜３８のラビング方向と、配向膜
４０のラビング方向とは、略直交するように配置されている。入射側防塵プレート３１及
び出射側防塵プレート４３は、対向基板３６とＴＦＴ基板４２とを対向させて貼り合わさ
れている。対向基板３６とＴＦＴ基板４２との間には、液晶層３９が封入されている。

なお、図１２で示した構成では、第１偏光板２１Ｒ及び第２偏光板２２Ｒを、液晶パネ
ル２５Ｒに対して別体として設けている。これに代えて、入射側防塵プレート３１と対向
基板３６との間や、出射側防塵プレート４３とＴＦＴ基板４２との間などにも偏光板を設
けることとしても良い。

図１４は、図１３に示した液晶パネル２５Ｒの断面構成を示す。マイクロレンズ３３は
、マイクロレンズアレイ基板３２と、接着剤層３４とにより構成されている。空間光変調
装置２０Ｒへ入射した入射光Ｌｉｎは、マイクロレンズアレイ基板３２と、接着剤層３４
との界面で屈折する。マイクロレンズ３３は、マイクロレンズ３３の中央部分である頂点
部４４を中心とする複数の輪帯状部（不図示）によって構成されている。マイクロレンズ
３３の形状は、輪帯状部ごとに焦点位置が制御されて設計されている。また、輪帯状部ご
とに、液晶層３９へ入射する光の光線角度が光軸ＡＸに対して小さい角度となるようにレ
ンズ形状が定められる。

マイクロレンズ３３のうち、頂点部４４に近い位置に入射する光Ｌ１の焦点位置ｆ２と
、頂点部４４から遠い位置に入射する光Ｌ２の焦点位置ｆ３とを比較すると、マイクロレ
ンズ３３から焦点位置ｆ２までの距離が、マイクロレンズ３３から焦点位置ｆ３までの距
離より長い。このように、マイクロレンズ３３は、頂点部４４に近い位置に入射する光ほ
ど遠い位置に焦点を形成するような非球面形状をなしている。頂点部４４から遠い位置に
入射する光ほど強い屈折力を作用させることにより、頂点部４４から遠い位置に入射する
光を効率良く開口領域ＡＰへ導くことが可能となる。これにより、ブラックマトリックス
３５で吸収される光を低減させ、光源部１１からの光を効率良く利用することが可能とな
る。

また、頂点部４４に近い位置に入射する光ほど弱い屈折力を作用させることにより、光
線角度が小さい光を増加させることができる。空間光変調装置２０Ｒでは、有効に変調可
能な光の角度範囲に限りがあることから、光線角度が小さい光を増加させることにより、
高いコントラストを得ることが可能となる。さらに、光の過度な集光を低減することによ
り、液晶層３９や配向膜３８、４０等の劣化を軽減することもできる。

図１５は、本実施例との比較として、従来の技術により形成されるマイクロレンズ５３
について説明するものである。上記実施例１において説明したように、従来技術に係る製
造方法によると、製造プロセスに起因して、マイクロレンズ５３の中央部分に平坦面５５
が形成される場合がある。例えば、マイクロレンズ５３の平坦面５５に入射した光Ｌ４が
、設計により想定されていた十分な屈折作用を受けないために、ブラックマトリックス３
５に吸収されるケースが考えられる。従来の技術では、所望のレンズ形状とは異なる形状
のマイクロレンズが形成されることにより、良好な光学特性を得られない場合がある。

図１４に戻って、本実施例の場合、上記実施例１において説明したように、頂点部４４
付近に形成される平坦面を小さくし、正確な非球面形状のマイクロレンズ３３を形成する
ことが可能である。例えば、マイクロレンズ３３の頂点部４４付近に入射した光Ｌ３を、
開口領域ＡＰへ正確に導くことが可能となる。この他、光の進行方向を正確に制御するこ
とで、空間光変調装置２０Ｒより出射側の光学系、例えば投写光学系２８にて取り込むこ
とが可能な光を増加させることも可能である。これにより、高い光利用効率で高コントラ
ストな画像を表示することができるという効果を奏する。また、過度な集光による劣化を
低減することで、液晶パネル２５Ｒの長寿命化も図れる。

図１６は、本発明の実施例４に係るプロジェクタ６０の概略構成を示す。プロジェクタ
６０は、スクリーン６５の一方の面に光を供給し、スクリーン６５の他方の面から出射さ
れる光を観察することで画像を鑑賞する、いわゆるリアプロジェクタである。上記実施例
３のプロジェクタ１０と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

投写光学系２８は、クロスダイクロイックプリズム２７で合成された光を反射ミラー６
１の方向へ投写する。反射ミラー６１は、投写光学系２８からの投写光をスクリーン６５
の方向へ反射する。スクリーン６５は、投写光を透過させることにより観察者ＯＢＳ側の
面に投写像を表示する透過型スクリーンである。スクリーン６５は、フレネルレンズ６２
、マイクロレンズアレイ６３、及び拡散層６４を有する。フレネルレンズ６２は、同心円
状の周期構造を有している。フレネルレンズ６２は、入射する光を略平行な光に角度変換
させる。フレネルレンズ６２で平行光に変換された光は、マイクロレンズアレイ６３に入
射する。

マイクロレンズアレイ６３は、アレイ状に配列された複数のマイクロレンズ６６を有す
る。マイクロレンズ６６は、フレネルレンズ６２からの光を屈折させる。マイクロレンズ
６６は、上記実施例１及び実施例２の製造方法により、製造することができる。マイクロ
レンズアレイは、同一基板内に複数のマイクロレンズ６６を形成することで製造できる。

マイクロレンズアレイ６３の出射側には、拡散層６４が設けられている。拡散層６４は
、微粒子状の拡散材を含む。拡散層６４は、マイクロレンズアレイ６３からの光をさらに
拡散させる。また、拡散層６４で光を拡散させることで、フレネルレンズ６２やマイクロ
レンズアレイ６３の規則的な構造に起因して生じ得る光の周期性を緩和でき、モアレの発
生を低減することもできる。拡散層６４としては、微小な凹凸が形成された拡散面を備え
たシート状の構造物を用いることとしても良い。また、拡散層６４を設ける代わりに、フ
レネルレンズ６２やマイクロレンズアレイ６３に拡散材を分散させることとしても良い。
さらに、スクリーン６５は、図１６に示す構成に限られず、他の構成、例えば、外光の反
射を低減するためのブラックマトリックス層等を追加した構成としても良い。

図１７は、マイクロレンズ６６及びその周辺部分の断面構成を示す。マイクロレンズ６
６は、マイクロレンズアレイ基板６７と、接着剤層６９とにより構成されている。接着剤
層６９は、マイクロレンズアレイ基板６７を構成する部材より高い屈折率を有する透明樹
脂部材により構成されている。スクリーン６５への入射光Ｌｉｎは、フレネルレンズ６２
（図１６参照。）で角度変換された後、マイクロレンズアレイ基板６７と、接着剤層６９
との界面で屈折する。マイクロレンズ６６での屈折により、出射光Ｌｏｕｔは、観察者側
へ拡散される。これにより、良好な視野角を得ることができる。マイクロレンズ６６は、
水平方向、鉛直方向のいずれにも曲率を持つ非球面形状であるから、水平方向及び鉛直方
向のいずれにも光を拡散させることが可能である。また、マイクロレンズ６６の形状に応
じて、水平方向及び鉛直方向の所望の角度範囲において光を拡散させることができる。

図１８は、本実施例との比較として、従来の技術により形成されるマイクロレンズ７６
について説明するものである。上記実施例１において説明したように、従来技術に係る製
造方法によると、製造プロセスに起因して、マイクロレンズ７６の中央部分に平坦面７５
が形成される場合がある。この場合、マイクロレンズ７６の平坦面７５に入射した光Ｌｉ
ｎが、設計により想定されていた十分な屈折作用を受けないことが考えられる。よって、
観察者側にて出射光Ｌｏｕｔを十分に拡散できず視野角特性が低下するケースが考えられ
る。

図１９は、従来のマイクロレンズを用いる場合の視野角特性について説明するものであ
って、スクリーンからの光の出射角の変化と光の強度の変化との関係を示す。図１９に示
すグラフの縦軸は任意の強度、横軸は出射角をそれぞれ示す。ここで、スクリーンからの
光の出射角とは、スクリーン面の法線と、スクリーンからの光線とがなす角度であるとす
る。スクリーンの法線上の位置へ進行する光の強度が基準強度Ｐ０’である場合に、出射
角α’は、基準強度Ｐ０’の２分の１となる強度の光が放射される最大角度とする。同様
に、出射角β’、出射角γ’は、それぞれ、基準強度Ｐ０’の４分の１、１０分の１の強
度の光が放射させる最大角度とする。図１９のグラフから、出射角が０度である場合、言
い換えると法線方向へ進行する光の強度が大きく、出射角が０度からα’へ変化するに従
い、光の強度が急速に低下することがわかる。この場合、スクリーンからの光は法線方向
以外の方向へ十分に振り分けられず、良好な視野角を得られないこととなる。

図２０は、本発明のマイクロレンズを用いる場合の視野角特性について説明するもので
あって、本実施例のスクリーン６５からの光の出射角の変化と光の強度の変化との関係を
示す。スクリーン６５の法線上の位置へ進行する光の強度が基準強度Ｐ０である場合に、
出射角αは、基準強度Ｐ０の２分の１となる強度の光が放射される最大角度とする。同様
に、出射角β、出射角γは、それぞれ、基準強度Ｐ０の４分の１、１０分の１の強度の光
が放射させる最大角度とする。本実施例の場合、出射角α、β、γは、いずれも従来の場
合の出射角α’、β’、γ’より大きくなっている。また、出射角が０度から大きくなる
に従い、光の強度が緩やかに低下していることがわかる。

よって、従来のマイクロレンズを用いる場合よりも、スクリーン６５からの光は法線方
向以外の方向へ十分に振り分けられ、良好な視野角を得ることが可能となる。マイクロレ
ンズ６６は、水平方向、鉛直方向のいずれにも曲率を持つ非球面形状であるから、かかる
視野角特性は、水平方向、鉛直方向のいずれについても同じ傾向となる。また、観察され
る画像がスクリーン６５正面の狭い範囲にて極度に明るくなるというような事態も軽減さ
れ、自然な映像を得ることができる。

スクリーン６５に設けられるマイクロレンズアレイは、基板に形成された形状を母型と
して金型を形成し、形成された金型を用いて他の部材へ型転写することで製造することと
しても良い。金型は、例えば、無電解Ｎｉ鍍金により形成することができる。型転写は、
例えば、溶解した材料を金型中で硬化させるキャスト法や、材料に金型を押し付けるホッ
トプレス等を用いることができる。このように金型を用いた型転写により、マイクロレン
ズアレイの量産性を高めることができる。

図２１は、本発明の実施例５に係るスクリーン８２の概略構成及び作用を説明するもの
である。本実施例のスクリーン８２は、いわゆるフロント投写型のプロジェクタ８０と併
せて用いられる反射型スクリーンである。プロジェクタ８０については、上記実施例３の
プロジェクタ１０と同様の構成を有するため、重複する説明を省略する。

スクリーン８２は、複数のマイクロレンズ８４からなるマイクロレンズアレイ８３を有
する。マイクロレンズ８４は、マイクロレンズアレイ基板８５と、接着剤層８７とにより
構成されている。プロジェクタ８０からスクリーン８２へ入射した光は、マイクロレンズ
アレイ基板８５と接着剤層８７との界面で屈折する。マイクロレンズ８４で屈折された光
は、反射面８６の方向に進行する。

反射面８６は、斜め下側へ向けられた平面を備えるブレーズ型に形成されている。反射
面８６をブレーズ型とすることで、斜め下側からスクリーン８２へ入射する光を観察者の
方向へ角度変換することができる。反射面８６の方向へ進行した光は、反射面８６で反射
され、再びマイクロレンズ８４の方向に進行する。反射面８６からマイクロレンズ８４の
方向へ進行した光は、マイクロレンズ８４で屈折され、観察者の方向へ進行する。スクリ
ーン８２は、マイクロレンズアレイ基板８５の観察者側に、拡散層を設ける構成としても
良い。また、マイクロレンズアレイ基板８５に拡散材を分散させることとしても良い。

スクリーン８２への入射光は、マイクロレンズ８４での屈折により、観察者側にて拡散
される。スクリーン８２は、反射面８６のブレーズ角と、各マイクロレンズ８４の形状と
を調節することにより、観察者側の広い範囲へ画像信号に応じた光を進行させることがで
きる。よって、良好な視野角を得ることができる。

なお、上記各実施例のプロジェクタは、光源部として超高圧水銀ランプを用いる構成に
限られない。例えば、発光ダイオード素子（ＬＥＤ）等の固体発光素子を用いても良い。
また、３つの透過型液晶表示装置を設けた、いわゆる３板式のプロジェクタに限らず、例
えば、１つの透過型液晶表示装置を設けたプロジェクタや、反射型液晶表示装置を用いた
プロジェクタとしても良い。

以上のように、本発明に係るマイクロレンズの製造方法は、プロジェクタの空間光変調
装置やスクリーンに用いられるマイクロレンズを製造する場合に有用である。

本発明の実施例１に係るマイクロレンズの製造方法の手順を示す図。 本発明の実施例１に係るマイクロレンズの製造方法の手順を示す図。 本発明の実施例１に係るマイクロレンズの製造方法の手順を示す図。 ＲＩＥ装置の概略構成を示す図。 凹部のうち先端部に近い部分の断面形状を示す図。 材料基板の温度と、側壁の傾斜角との関係を表す図。 従来の技術により形成されるレンズ形状について説明する図。 実施例１の変形例１に係るマイクロレンズの製造方法の手順を示す図。 実施例１の変形例１に係るマイクロレンズの製造方法の手順を示す図。 実施例１の変形例２に係るマイクロレンズの製造方法の手順を示す図。 実施例１の変形例２に係るマイクロレンズの製造方法の手順を示す図。 水素、ＣＦ₄の流量比と石英、シリコンのエッチング速度の関係を表す図。 レーザ加工装置の概略構成を示す図。 本発明の実施例２に係るマイクロレンズの製造方法の手順を示す図。 本発明の実施例２に係るマイクロレンズの製造方法の手順を示す図。 レーザ光の集光位置について説明する図。 本発明の実施例３に係るプロジェクタの概略構成を示す図。 液晶パネルの要部斜視構成を示す図。 液晶パネルの断面構成を示す図。 従来の技術により形成されるマイクロレンズについて説明する図。 本発明の実施例４に係るプロジェクタの概略構成を示す図。 マイクロレンズ及びその周辺部分の断面構成を示す図。 従来の技術により形成されるマイクロレンズについて説明する図。 従来のマイクロレンズを用いる場合の視野角特性について説明する図。 本発明のマイクロレンズを用いる場合の視野角特性について説明する図。 本発明の実施例５に係るスクリーンの概略構成及び作用を説明する図。

符号の説明

１０１ 基板、１０２ マスク層、１０３ レジスト層、１０４ 溝部、１０５ 溝部
、１０６ レジスト層、１０７ フォトマスク、１０８ 開口部、１０９ 露光領域、１
１０ フォトマスク、１１１ 開口部、Ｌ レーザ光、１１２ レジスト形状、１１３
凹部、１１４ レンズ形状、１１５ 先端部、１１６ 先端部、１１７ 頂点部、２００
ＲＩＥ装置、２０１ エッチング反応槽、２０２ ガス供給部、２０３ 排気部、２０
４ 第１平板電極、２０５ 第２平板電極、２０６ 高周波電源、２０７ 整合器、２０
９ 温度調節部、２１０ 材料基板、５０１ 開口部、５０２ 平坦面、５０３ 平坦面
、６０１ シリコン層、６０２ 溝部、６０３ 開口部、６０４ 凹部、６０５ 保護層
、６０６ レンズ形状、６０７ 先端部、６０８ 頂点部、６０９ 外周部分、７０４
凹部、７０５ 保護層、７０６ レンズ形状、７０７ 先端部、７０８ 頂点部、７０９
外周部分、９００ レーザ加工装置、９０１ フェムト秒パルスレーザ光源、９０２
パルス幅調整器、９０３ 出力調整器、９０４ ビーム形偏光調整器、９０５ シャッタ
、９０６ ミラー、９０７ 加工ヘッド部、９０８ ステージ、９０９ ステージ駆動部
、９１０ 加工制御回路、９１１ 界面検出演算部、９１２ 光学センサ、９１３ 集光
位置調整部、９１４ 補正演算回路、９２０ 基板、９２０ａ 第１面、９２０ｂ 第２
面、９３０ 変質領域、９３１ 凹部、９３２ 第１マスク層、９３３ 開口部、９３４
第２マスク層、９３５ 開口部、９３６ レンズ形状、９３７ 中間形状、９３８ 頂
点部、１０ プロジェクタ、１１ 光源部、１４ インテグレータ、１５ 偏光変換素子
、１６Ｒ Ｒ光透過ダイクロイックミラー、１６Ｇ Ｂ光透過ダイクロイックミラー、１
７ 反射ミラー、１８ リレーレンズ、２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ 空間光変調装置、２１
Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ 第１偏光板、２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂ 第２偏光板、２３Ｒ、２３
Ｂ λ／２位相差板、２４Ｒ、２４Ｂ 硝子板、２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂ 液晶パネル、
２６ スクリーン、２７ クロスダイクロイックプリズム、２７ａ、２７ｂ ダイクロイ
ック膜、２８ 投写光学系、３１ 入射側防塵プレート、３２ マイクロレンズアレイ基
板、３３ マイクロレンズ、３４ 接着剤層、３５ ブラックマトリックス、３６ 対向
基板、３７ 透明電極、３８ 配向膜、３９ 液晶層、４０ 配向膜、４１ ＴＦＴ形成
層、４２ ＴＦＴ基板、４３ 出射側防塵プレート、ＡＰ 開口領域、ＡＸ 光軸、４４
頂点部、５３ マイクロレンズ、５５ 平坦面、６０ プロジェクタ、６１ 反射ミラ
ー、６２ フレネルレンズ、６３ マイクロレンズアレイ、６４ 拡散層、６５ スクリ
ーン、６６ マイクロレンズ、ＯＢＳ 観察者、６７ マイクロレンズアレイ基板、６９
接着剤層、７５ 平坦面、７６ マイクロレンズ、８０ プロジェクタ、８２ スクリ
ーン、８３ マイクロレンズアレイ、８４ マイクロレンズ、８５ マイクロレンズアレ
イ基板、８６ 反射面、８７ 接着剤層

Claims (15)

1. 基板に凹部を形成する凹部形成工程と、
   前記凹部が形成された前記基板にエッチングを施すことにより、前記基板にレンズ形状
   を形成するレンズ形状形成工程と、を含み、
   前記凹部形成工程において形成される前記凹部は、前記凹部の深さ方向へ向かうに従い
   漸次小さくなる形状を有することを特徴とするマイクロレンズの製造方法。
2. 前記基板にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
   前記レジスト層にレジスト形状を形成するレジスト形状形成工程と、を含み、
   前記凹部形成工程において、前記レジスト形状が形成された前記レジスト層及び前記基
   板のエッチングにより前記凹部が形成され、
   前記レジスト形状の、前記基板側の先端部の幅と比較して、前記凹部の、前記深さ方向
   側の先端部の幅が小さいことを特徴とする請求項１に記載のマイクロレンズの製造方法。
3. 前記基板にマスク層を形成するマスク層形成工程と、
   前記マスク層に開口部を形成する開口部形成工程と、を含み、
   前記凹部形成工程において、前記開口部を介した前記基板のエッチングにより前記凹部
   が形成され、
   前記開口部の幅と比較して、前記凹部の、前記深さ方向側の先端部の幅が小さいことを
   特徴とする請求項１に記載のマイクロレンズの製造方法。
4. 前記基板の上にシリコン層を形成するシリコン層形成工程を含み、
   前記マスク層形成工程において、前記シリコン層の上に前記マスク層を形成し、
   前記凹部形成工程において、前記シリコン層及び前記基板のエッチングにより前記凹部
   が形成されることを特徴とする請求項３に記載のマイクロレンズの製造方法。
5. 前記凹部形成工程において、側壁に保護層を形成させながら前記基板のエッチングを行
   うことにより、前記凹部を形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載
   のマイクロレンズの製造方法。
6. 前記凹部形成工程における前記基板のエッチングは、前記基板をマイナス５０度以上プ
   ラス１００度以下として行うドライエッチングであることを特徴とする請求項５に記載の
   マイクロレンズの製造方法。
7. 前記基板をマイナス２０度以上プラス２０度以下としてドライエッチングを行うことを
   特徴とする請求項６に記載のマイクロレンズの製造方法。
8. 前記凹部形成工程における前記基板のエッチングは、エチレンが添加された反応ガスを
   用いたドライエッチングであることを特徴とする請求項５に記載のマイクロレンズの製造
   方法。
9. 前記凹部形成工程における前記基板のエッチングは、水素が添加された反応ガスを用い
   たドライエッチングであることを特徴とする請求項５に記載のマイクロレンズの製造方法
   。
10. 前記基板に対してレーザ光を照射させるレーザ光照射工程と、
    前記レーザ光を集光させるレーザ光集光工程と、
    前記基板のうち、前記レーザ光が集光された部分の物性を変化させて変質領域を形成さ
    せる変質領域形成工程と、を含み、
    前記凹部形成工程において、前記基板より前記変質領域においてエッチングレートが高
    い状態で前記基板にエッチングを施すことにより、前記凹部を形成することを特徴とする
    請求項１に記載のマイクロレンズの製造方法。
11. 請求項１〜１０のいずれか一項に記載のマイクロレンズの製造方法により製造されるこ
    とを特徴とするマイクロレンズ。
12. 請求項１１に記載のマイクロレンズを備えることを特徴とする空間光変調装置。
13. 請求項１１に記載のマイクロレンズを備えることを特徴とするスクリーン。
14. 請求項１２に記載の空間光変調装置を備えることを特徴とするプロジェクタ。
15. 請求項１３に記載のスクリーンを備えることを特徴とするプロジェクタ。

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