CN102060292A - 制造和转移大尺寸石墨烯的方法 - Google Patents
制造和转移大尺寸石墨烯的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102060292A CN102060292A CN2010105419117A CN201010541911A CN102060292A CN 102060292 A CN102060292 A CN 102060292A CN 2010105419117 A CN2010105419117 A CN 2010105419117A CN 201010541911 A CN201010541911 A CN 201010541911A CN 102060292 A CN102060292 A CN 102060292A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- layer
- graphene
- catalyst layer
- graphene layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/182—Graphene
- C01B32/194—After-treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
- B82B3/0061—Methods for manipulating nanostructures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
- Y10T156/1002—Methods of surface bonding and/or assembly therefor with permanent bending or reshaping or surface deformation of self sustaining lamina
- Y10T156/1039—Surface deformation only of sandwich or lamina [e.g., embossed panels]
- Y10T156/1041—Subsequent to lamination
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
示例实施例涉及制造和转移大尺寸石墨烯层的方法。转移大尺寸石墨烯层的方法可以包括:在基底上形成石墨烯层、保护层和粘合层;去除所述基底。可以通过将所述石墨烯层滑动到转移基底上来将所述石墨烯层设置在所述转移基底上。
Description
技术领域
本公开涉及制造大尺寸石墨烯层的方法和将大尺寸石墨烯层转移到转移基底上的方法。
背景技术
石墨烯(graphene)具有电、机械和化学稳定性,并具有相对高的导电率。因此,石墨烯作为用于在电路中使用的基本材料而备受关注。可以使用化学气相沉积(CVD)或碳化硅(SiC)基底的热解来制造石墨烯。
可以执行湿蚀刻来从石墨烯去除基底。然而,对于大尺寸石墨烯层,湿蚀刻从大尺寸石墨烯层的边缘开始,因此蚀刻到大尺寸石墨烯层的中心部分需要花费相对长的时间段。
还可以使用转印(stamp)方法来转移石墨烯层。转印方法可以包括:将石墨烯附着到第一基底上;并将附着的石墨烯转移到另一基底(例如,转移基底)。然而,这样的转移方法不利于转移大尺寸石墨烯层。
发明内容
示例实施例涉及制造大尺寸石墨烯层的方法和将大尺寸石墨烯层转移到转移基底的方法。这里将阐述其它方面,这些其它方面根据描述或通过非限制性实施例的实施可以是显然的。
一种转移大尺寸石墨烯层的方法可以包括:在基底上形成石墨烯层;在所述石墨烯层上形成保护层和粘合层;去除所述基底;将所述石墨烯层设置在转移基底上;去除所述粘合层和所述保护层。所述方法还可以包括在形成所述石墨烯层之前在所述基底上形成催化剂层。所述催化剂层可以包括从由镍(Ni)、铁(Fe)、钴(Co)、铂(Pt)和钌(Ru)组成的组中选择的材料。所述保护层可以包括从由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、光致抗蚀剂(PR)、电子抗蚀剂(ER)、SiOx和AlOx组成的组中选择的材料。所述粘合层可以包括从由粘合带、胶、环氧树脂、热分离带和水溶性带组成的组中选择的材料。
去除所述基底的步骤可以包括:削弱所述催化剂层和所述基底之间的粘合;将所述基底与所述催化剂层、所述石墨烯层、所述保护层和所述粘合层分离。削弱所述催化剂层和所述基底之间的粘合的步骤可以包括:使亲水性液体透入到所述催化剂层和所述基底之间的间隙中。所述方法还可以包括:在去除所述基底之后去除所述催化剂层。
设置所述石墨烯层的步骤可以包括:将接触溶液涂敷在所述转移基底上;将所述石墨烯层滑动到所述转移基底上。所述接触溶液可以包括从由去离子水、异丙醇、乙醇、甲醇和矿物油组成的组中选择的材料。
一种制造大尺寸石墨烯层的方法可以包括:在多个基底上形成多个石墨烯层;在所述多个石墨烯层的每个上形成保护层;将粘合带附着到所述保护层上;削弱所述多个石墨烯层和所述多个基底之间的粘合;去除所述多个基底。所述方法还可以包括:将非粘合带附着在所述粘合带上,以覆盖所述多个石墨烯层;将带有所述多个石墨烯层的所述粘合带卷绕到辊上。
一种制造大尺寸石墨烯层的另一方法可以包括:在基底上形成石墨烯层;在所述石墨烯层上形成保护层和粘合层;在所述石墨烯层上形成所述保护层和所述粘合层之后切割所述基底的暴露表面,以形成切割线;使亲水性液体接触所述切割线;去除所述基底;去除所述粘合层和所述保护层。
附图说明
当结合附图进行以下描述时,示例实施例的以上和/或其它方面可以变得更加明显和易于理解,在附图中:
图1-图7是示出根据示例实施例的制造和转移大尺寸石墨烯层的方法的剖视图;
图8-图13是示意性地示出根据示例实施例的制造大尺寸石墨烯的另一方法的示图。
具体实施方式
应该理解的是,当元件或层被称作在另一元件或层“上”,或者被称作“连接到”、“结合到”或“覆盖”另一元件或层时,该元件或层可以直接在另一元件或层上、直接连接到、直接结合到或直接覆盖另一元件或层,或者可以存在中间元件或中间层。相反,当元件被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时,不存在中间元件或中间层。如在这里使用的,术语“和/或”包括一个或多个相关所列的项目的任意组合和所有组合。
应该理解的是,尽管在这里可使用术语第一、第二、第三等来描述不同的元件、组件、区域、层和/或部分,但是这些元件、组件、区域、层和/或部分并不受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开来。因此,在不脱离示例实施例的教导的情况下,下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。
为了便于描述,在这里可使用空间相对术语,如“在...下面”、“在...下方”、“下部的”、“在...上方”、“上部的”等来描述如图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应该理解的是,空间相对术语意在包含除了在附图中描述的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如,如果在附图中装置被翻转,则描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件随后将被定位为“在”其它元件或特征“上方”。因此,示例性术语“在...下方”可包括“在...上方”和“在...下方”两种方位。所述装置可被另外定位(旋转90度或者在其它方位),相应地解释这里使用的空间相对描述符。
这里使用的术语仅是为了描述各种实施例的目的,而不意图限制示例实施例。如这里所使用的,除非上下文另外明确指出,否则单数形式的“一个(种)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。还将理解的是,当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时,说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件,但不排除存在或附加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
在此参照作为示例实施例的理想实施例(以及中间结构)的示意图的剖视图来描述示例实施例。这样,预计这些图形的形状出现由例如制造技术和/或公差而引起的变化。因此,示例实施例不应该被理解为局限于在此示出的区域的形状,而是应该包括例如由制造导致的形状变形。
除非另有定义,否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本领域普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。将进一步理解,除非这里如此明确定义,否则术语(包括在通用的字典中定义的术语)应该被解释为具有与相关领域的上下文中它们的意思一致的意思,而不是理想地或者过于僵化地解释它们的意思。
图1-图7是示出根据示例实施例的制造和转移大尺寸石墨烯层的方法的剖视图。参照图1,可以在基底100上形成催化剂层110。基底100可以由硅形成,以具有大约650μm的厚度。还可以在形成催化剂层110之前通过使基底100氧化而在基底100上形成厚度为大约100nm至大约300nm的氧化硅层102。
可以通过溅射从由镍(Ni)、铁(Fe)、钴(Co)、铂(Pt)和钌(Ru)组成的组中选择的至少一种金属在基底100上形成催化剂层110。催化剂层110可以被形成为具有大约100nm至大约150nm的厚度。当使用碳化硅(SiC)基底作为基底100进行热解来形成石墨烯时,可以从基底100省去催化剂层110。
可以在催化剂层110上形成石墨烯层120。可以通过使用含碳源气(CH4、C2H2、C2H4或CO)利用一般化学气相沉积(CVD)来形成石墨烯层120。石墨烯层120可以是单层或多层(例如,双层)。石墨烯层120可以被形成为具有大约0.3nm至大约2nm的厚度。
参照图2,可以在石墨烯层120上形成保护层130。在随后的制造工艺期间,可以使用保护层130来保护石墨烯层120。保护层130可以使用从由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、光致抗蚀剂(PR)、电子抗蚀剂(ER)、氧化硅(SiOx)和氧化铝(AlOx)组成的组中选择的至少一种材料通过旋涂来形成,并可以具有大约200nm至大约10μm的厚度。
可以在保护层130上形成粘合层140。粘合层140可以通过使用从由粘合带、胶、环氧树脂、热分离带和水溶性带组成的组中选择的至少一种材料形成为具有大约100μm至大约200μm的厚度。如随后将进一步详细描述的,当将包括催化剂层110的石墨烯层120与基底100物理地分离时,粘合层140可以用于支撑石墨烯层120。
参照图3,可以将基底100与催化剂层110分离,以形成剥离层A。当基底100由硅形成时,可以使用刀具切割基底100的下表面,以形成切割线。例如,形成切割线,使切割线到达基底100和催化剂层110之间的界面。可选地,可以去除基底100的边缘,从而在催化剂层110和基底100之间形成间隙。
因此,当亲水性液体接触切割线或者催化剂层110与基底100之间的间隙时,亲水性液体可以穿过切割线或该间隙,并削弱基底100和催化剂层110之间的粘合强度,从而有助于基底100与催化剂层110的分离。亲水性液体可以是水、醇和/或丙酮,但是示例实施例不限于此。当在基底100上形成氧化硅层102时,催化剂层110和氧化硅层102之间的粘合强度会相对低。因此,可以相对容易地将包括氧化硅层102的基底100与催化剂层110分离。
可以将粘合层140升高,以将催化剂层110与基底100分离。可选地,可以通过离子铣削直接去除基底100。另外,可以使用化学蚀刻去除基底100。根据基底100的材料,蚀刻剂可以是KOH、FeCl3、HCl、HF或反应性离子蚀刻蚀刻剂。
参照图4,可以通过湿蚀刻将催化剂层110从图3的剥离层A去除。例如,剥离层A可以暴露于FeCl3、HCl和水的混合物,以去除催化剂层110。可选地,可以通过使用反应性离子蚀刻或离子铣削来去除催化剂层110。可以通过使用间苯二酸(IPA)或去离子(DI)水来洗涤得到的结构。
参照图5和图6,可以将得到的结构布置在转移基底150上,使得石墨烯层120接触转移基底150。可以将接触溶液152涂敷在转移基底150上。可以使用从由去离子水、异丙醇、乙醇、甲醇和矿物油组成的组中选择的至少一种作为接触溶液152。可以通过在转移基底150上滑动得到的结构来对齐得到的结构。
可选地,如果转移基底150的表面具有疏水性能,则可以将接触溶液152涂敷在石墨烯层120上,并可以将转移基底150布置在石墨烯层120上。可以通过在石墨烯层120上滑动转移基底150来对齐转移基底150。
可以将接触溶液152从转移基底150去除。例如,转移基底150可以以大约60℃热处理大约6小时,从而去除接触溶液152。
参照图7,根据粘合层140和保护层130的材料,可以使用蚀刻、离子铣削和/或热处理顺序地去除粘合层140和保护层130。蚀刻、离子铣削和/或热处理可以是公知的工艺。因此,为了简洁起见,略去在这方面的详细描述。可以通过使用IPA或DI水洗涤石墨烯层120,以从石墨烯层120去除化学残留物。
根据示例实施例,可以相对容易地将尺寸为大约6英寸或大于大约6英寸的大尺寸石墨烯层转移到尺寸等于或大于该大尺寸石墨烯层的转移基底。另外,为了去除其上已经形成有石墨烯层的基底,可以切割该基底,并可以在切割线上引入亲水性液体,从而将基底和石墨烯层分离。
图8-图13是示意性地示出根据示例实施例的制造大尺寸石墨烯层的另一方法的示图。如上所述,相同的标号表示相同的元件。因此,为了简洁起见,下面将不再重复上面已经讨论过的元件的详细解释。
参照图8,可以在基底支撑件210上设置多个基底100。可以在每个基底100上顺序地形成氧化硅层102、催化剂层110、石墨烯层120和保护层130,从而形成堆250。可以如在上面的非限制性实施例中所描述的方式来形成堆250。因此,为了简洁起见,已经略去其详细描述。在图8中,可以在一个基底支撑件210上设置多个基底100。然而,示例实施例不限于此,多个基底100中的每个可以设置在分离的基底支撑件(未示出)上。
参照图9,可以将粘合带240附着到设置在基底支撑件210上的保护层130。粘合带240可以在卷绕在第一辊221上的同时被抽出,并可以附着到第二辊222。可以使第一辊221和第二辊222降低,使得粘合带240接触保护层130。
参照图10,在由粘合带240支撑的同时,可以将第一辊221和第二辊222、堆250与基底支撑件210分离。
参照图11,可以切割硅基底100的下表面,从而形成切割线。因此,当亲水性液体接触切割线时,亲水性液体可以穿过基底100的切割线,并有助于基底100与催化剂层110的分离。亲水性液体可以是水、醇和/或丙酮,但是示例实施例不限于此。
可以将粘合带240升高,以将催化剂层110与基底100分离。当已经在基底100上形成氧化硅层102时,因为催化剂层110和氧化硅层102之间的粘合强度会相对低,所以可以相对容易地将基底100和氧化硅层102与催化剂层110分离。可选地,可以通过离子铣削直接去除基底100。另外,可以通过使用化学蚀刻来去除基底100。根据基底100的材料,蚀刻剂可以是KOH、FeCl3、HCl、HF或反应性离子蚀刻蚀刻剂。
可以通过湿蚀刻来去除催化剂层110。例如,当催化剂层110由Ni或Cu形成时,可以使用FeCl3蚀刻催化剂层110。可选地,可以通过使用反应性离子蚀刻、离子铣削和/或抛光(ashing)来去除催化剂层110。
参照图12,可以将非粘合带260附着到粘合带240,以覆盖石墨烯层120。非粘合带260可以从其上卷绕有非粘合带260的辊(未示出)抽出,并可以与粘合带240叠置。非粘合带260可以是一般的玻璃纸粘合带,但是示例实施例不限于此。
参照图13,可以将包括相应的保护层130的多个石墨烯层120卷绕到第二辊222上,并予以储存。因此,可以根据需要以后使用储存的石墨烯层120。在图13中,应当理解的是,已经示意性地示出石墨烯层120、保护层130、粘合带240和非粘合带260。
在非限制性的实施例中,可以将尺寸为大约6英寸或大于大约6英寸的多个大尺寸石墨烯层卷绕在辊上,并予以储存,如果需要,则可以在使用之前切割大尺寸石墨烯层。如上所述,可以相对容易地将大尺寸石墨烯层与催化剂层分离,并予以储存。在根据示例实施例的转移大尺寸石墨烯层的方法中,可以相对容易地将大尺寸石墨烯层转移到转移基底上。
虽然这里已经公开了示例实施例,但应当理解,可以做出其它改变。这些改变不应视为脱离本申请的示例实施例的精神和范围,对于本领域技术人员是明显的所有这样的修改意图包括在权利要求的范围内。
Claims (20)
1.一种转移大尺寸石墨烯的方法,所述方法包括:
在基底上形成石墨烯层;
在所述石墨烯层上形成保护层和粘合层;
去除所述基底;
将所述石墨烯层设置在转移基底上;
去除所述粘合层和所述保护层。
2.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括:
在形成所述石墨烯层之前在所述基底上形成催化剂层。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述保护层包括从由聚甲基丙烯酸甲酯、光致抗蚀剂、电子抗蚀剂、氧化硅和氧化铝组成的组中选择的材料。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述粘合层包括从由粘合带、胶、环氧树脂、热分离带和水溶性带组成的组中选择的材料。
5.根据权利要求2所述的方法,其中,去除所述基底的步骤包括:
削弱所述催化剂层和所述基底之间的粘合;
将所述基底与所述催化剂层、所述石墨烯层、所述保护层和所述粘合层分离。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,削弱所述催化剂层和所述基底之间的粘合的步骤包括:使亲水性液体透入到所述催化剂层和所述基底之间的间隙中。
7.根据权利要求2所述的方法,所述方法还包括:
在去除所述基底之后去除所述催化剂层。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,去除所述基底的步骤包括蚀刻所述基底。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,将所述石墨烯层设置在转移基底上的步骤包括:
将接触溶液涂敷在所述转移基底上;
将所述石墨烯层滑动到所述转移基底上。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述接触溶液包括从由去离子水、异丙醇、乙醇、甲醇和矿物油组成的组中选择的材料。
11.根据权利要求9所述的方法,所述方法还包括:
通过加热所述转移基底来蒸发所述接触溶液。
12.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括:
在所述石墨烯层上形成所述保护层和所述粘合层之后,切割所述基底的暴露表面,以形成切割线;
使亲水性液体接触所述切割线。
13.根据权利要求12所述的方法,所述方法还包括:
在形成所述石墨烯层之前,在所述基底上形成催化剂层;
在去除所述基底之后去除所述催化剂层。
14.根据权利要求12所述的方法,其中,所述粘合层包括从由粘合带、胶、环氧树脂、热分离带和水溶性带组成的组中选择的材料。
15.一种制造大尺寸石墨烯的方法,所述方法包括:
在多个基底上形成多个石墨烯层;
在所述多个石墨烯层的每个上形成保护层;
将粘合带附着到所述保护层上;
削弱所述多个石墨烯层和所述多个基底之间的粘合;
去除所述多个基底。
16.根据权利要求15所述的方法,所述方法还包括:
在形成所述多个石墨烯层之前在所述多个基底中的每个上形成催化剂层。
17.根据权利要求15所述的方法,其中,所述保护层包括从由聚甲基丙烯酸甲酯、光致抗蚀剂、电子抗蚀剂、氧化硅和氧化铝组成的组中选择的材料。
18.根据权利要求16所述的方法,其中,削弱所述多个石墨烯层和所述多个基底之间的粘合的步骤包括:使亲水性液体透入到所述催化剂层和所述多个基底之间的间隙中。
19.根据权利要求16所述的方法,所述方法还包括:在去除所述多个基底之后去除所述催化剂层。
20.根据权利要求15所述的方法,所述方法还包括:
将非粘合带附着在所述粘合带上,以覆盖所述多个石墨烯层;
将带有所述多个石墨烯层的所述粘合带卷绕到辊上。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090109283A KR101652787B1 (ko) | 2009-11-12 | 2009-11-12 | 대면적 그라핀의 제조방법 및 전사방법 |
KR10-2009-0109283 | 2009-11-12 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102060292A true CN102060292A (zh) | 2011-05-18 |
CN102060292B CN102060292B (zh) | 2014-10-29 |
Family
ID=43973374
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201010541911.7A Active CN102060292B (zh) | 2009-11-12 | 2010-11-10 | 制造和转移大尺寸石墨烯的方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9108848B2 (zh) |
JP (1) | JP5660856B2 (zh) |
KR (1) | KR101652787B1 (zh) |
CN (1) | CN102060292B (zh) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012167738A1 (zh) * | 2011-06-09 | 2012-12-13 | 中国科学院金属研究所 | 一种低成本无损转移石墨烯的方法 |
CN103332680A (zh) * | 2013-06-28 | 2013-10-02 | 重庆墨希科技有限公司 | 一种可转移石墨烯薄膜及其转移方法 |
CN103435036A (zh) * | 2013-08-21 | 2013-12-11 | 南开大学 | 一种石墨烯选择性定点转移方法 |
CN104103567A (zh) * | 2013-04-02 | 2014-10-15 | 国际商业机器公司 | 晶片尺度外延石墨烯转移 |
CN105000551A (zh) * | 2015-07-08 | 2015-10-28 | 合肥工业大学 | 一种大面积石墨烯的无缝转移的方法 |
CN106882792A (zh) * | 2015-12-15 | 2017-06-23 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种干法转移金属衬底上石墨烯的方法 |
CN109590615A (zh) * | 2019-01-22 | 2019-04-09 | 福州大学 | 一种无基底大面积太赫兹偏振片加工方法 |
CN112599468A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-02 | 福建江夏学院 | 一种基于溶剂处理制备二硫化钼薄层及其薄膜晶体管的方法 |
CN112837996A (zh) * | 2021-01-05 | 2021-05-25 | 上海应用技术大学 | 一种薄层二维材料的制备方法 |
CN113526498A (zh) * | 2021-06-08 | 2021-10-22 | 松山湖材料实验室 | 图案化石墨烯的制备方法及生物传感器的制造方法 |
Families Citing this family (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10167572B2 (en) | 2009-08-07 | 2019-01-01 | Guardian Glass, LLC | Large area deposition of graphene via hetero-epitaxial growth, and products including the same |
US10164135B2 (en) | 2009-08-07 | 2018-12-25 | Guardian Glass, LLC | Electronic device including graphene-based layer(s), and/or method or making the same |
DE102009056052B4 (de) * | 2009-11-26 | 2014-07-10 | Humboldt-Universität Zu Berlin | Anordnung mit einem Träger und einer Schicht |
US10040683B2 (en) | 2010-11-17 | 2018-08-07 | Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration | Multi-layered graphene sheet and method of fabricating the same |
CN103620733B (zh) * | 2011-05-23 | 2018-04-24 | 新加坡国立大学 | 转印薄膜的方法 |
KR101275631B1 (ko) * | 2011-08-11 | 2013-06-17 | 전자부품연구원 | 스마트 윈도우용 그래핀 기반 vo2 적층체 및 제조방법 |
KR101878737B1 (ko) | 2011-08-19 | 2018-07-17 | 삼성전자주식회사 | 트렌치를 이용한 그래핀 전사방법 및 그래핀 전사 대상 기판 |
KR101858642B1 (ko) | 2011-09-29 | 2018-05-16 | 한화테크윈 주식회사 | 그래핀의 전사 방법 |
KR20140090197A (ko) | 2011-10-12 | 2014-07-16 | 시오노기세야쿠 가부시키가이샤 | 인터그라아제 억제 활성을 갖는 폴리사이클릭 피리돈 유도체 |
KR101915192B1 (ko) * | 2011-10-20 | 2018-11-05 | 한화에어로스페이스 주식회사 | 그래핀의 수득 방법 |
KR101878739B1 (ko) | 2011-10-24 | 2018-07-17 | 삼성전자주식회사 | 그래핀 전사부재, 그래핀 전사방법 및 이를 이용한 그래핀 소자 제조방법 |
JP5926035B2 (ja) * | 2011-11-21 | 2016-05-25 | Jx金属株式会社 | グラフェン製造用銅箔及びグラフェン製造用銅箔の製造方法、並びにグラフェンの製造方法 |
WO2013096273A1 (en) * | 2011-12-20 | 2013-06-27 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Graphene-based metal diffusion barrier |
ITMI20120191A1 (it) * | 2012-02-10 | 2013-08-11 | St Microelectronics Srl | Metodo per trasferire uno strato di grafene |
KR101339761B1 (ko) * | 2012-03-26 | 2013-12-10 | 전자부품연구원 | 그래핀 기반 vo2 적층체의 상전이 온도 제어 방법 |
WO2013164890A1 (ja) * | 2012-05-02 | 2013-11-07 | グラフェンプラットフォーム株式会社 | グラフェン積層体 |
JP5910294B2 (ja) | 2012-05-10 | 2016-04-27 | 富士通株式会社 | 電子装置及び積層構造体の製造方法 |
WO2013168297A1 (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-14 | グラフェンプラットフォーム株式会社 | グラフェン積層体の製造方法及びグラフェン積層体 |
KR101969853B1 (ko) * | 2012-05-25 | 2019-04-17 | 삼성전자주식회사 | 그래핀 전사 방법 및 이를 이용한 소자의 제조방법 |
JP5991520B2 (ja) * | 2012-07-31 | 2016-09-14 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | グラフェン積層体の形成方法 |
WO2014030534A1 (ja) * | 2012-08-20 | 2014-02-27 | 富士電機株式会社 | グラフェン積層体およびその製造方法 |
KR101340853B1 (ko) * | 2012-10-18 | 2013-12-13 | 한국기계연구원 | 카본 재료를 이용한 열전박막 제조방법 및 이에 의해 제조된 열전박막 |
US9431487B2 (en) | 2013-01-11 | 2016-08-30 | International Business Machines Corporation | Graphene layer transfer |
US8916451B2 (en) | 2013-02-05 | 2014-12-23 | International Business Machines Corporation | Thin film wafer transfer and structure for electronic devices |
US10957816B2 (en) | 2013-02-05 | 2021-03-23 | International Business Machines Corporation | Thin film wafer transfer and structure for electronic devices |
CN104936892A (zh) | 2013-02-13 | 2015-09-23 | 韩华泰科株式会社 | 制造石墨烯膜的方法和由此制造的石墨烯膜 |
CN104028111A (zh) * | 2013-03-08 | 2014-09-10 | 北京师范大学 | 一种制备夹心式氧化石墨烯分离膜的方法 |
US9593019B2 (en) * | 2013-03-15 | 2017-03-14 | Guardian Industries Corp. | Methods for low-temperature graphene precipitation onto glass, and associated articles/devices |
US10431354B2 (en) * | 2013-03-15 | 2019-10-01 | Guardian Glass, LLC | Methods for direct production of graphene on dielectric substrates, and associated articles/devices |
KR20140114199A (ko) | 2013-03-18 | 2014-09-26 | 삼성전자주식회사 | 이종 적층 구조체 및 그 제조방법, 및 상기 이종 적층 구조체를 구비하는 전기소자 |
US9059013B2 (en) | 2013-03-21 | 2015-06-16 | International Business Machines Corporation | Self-formation of high-density arrays of nanostructures |
KR101475266B1 (ko) * | 2013-03-26 | 2014-12-23 | 한국과학기술원 | 고품질 그래핀층 형성을 위한 기판 및 방법 |
US9099305B2 (en) | 2013-04-30 | 2015-08-04 | Stmicroelectronics S.R.L. | Method for coupling a graphene layer and a substrate and device comprising the graphene/substrate structure obtained |
KR102107538B1 (ko) * | 2013-05-07 | 2020-05-07 | 삼성전자주식회사 | 그래핀 전사 방법, 이를 이용한 소자의 제조방법 및 그래핀을 포함하는 기판 구조체 |
US9337274B2 (en) | 2013-05-15 | 2016-05-10 | Globalfoundries Inc. | Formation of large scale single crystalline graphene |
JP6111424B2 (ja) | 2013-06-19 | 2017-04-12 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | グラフェン層形成方法 |
JP5973390B2 (ja) * | 2013-07-04 | 2016-08-23 | 日本電信電話株式会社 | グラフェン製造方法 |
CN103449418A (zh) * | 2013-08-19 | 2013-12-18 | 中国科学院化学研究所 | 一种原子级清洁转移石墨烯的方法 |
JP5756834B2 (ja) * | 2013-10-02 | 2015-07-29 | 尾池工業株式会社 | 転写フィルムおよびその製造方法、並びに透明導電性積層体の製造方法 |
WO2015060419A1 (ja) * | 2013-10-25 | 2015-04-30 | 富士通株式会社 | グラフェン膜の製造方法 |
CN106413859B (zh) * | 2013-11-01 | 2019-07-05 | 麻省理工学院 | 减轻膜中的渗漏 |
KR102144478B1 (ko) * | 2013-11-12 | 2020-08-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 패널 및 터치 패널의 제조 방법 |
ES2536491B2 (es) * | 2013-11-21 | 2015-11-18 | Universidad Politecnica De Madrid | Procedimiento de transferencia de nanocapas y aparato de realización del mismo. |
US9902141B2 (en) | 2014-03-14 | 2018-02-27 | University Of Maryland | Layer-by-layer assembly of graphene oxide membranes via electrostatic interaction and eludication of water and solute transport mechanisms |
CN103824566B (zh) * | 2014-03-18 | 2016-08-24 | 清华大学 | 读写接触式硬盘的磁头、硬盘设备及转移方法 |
WO2015156736A1 (en) * | 2014-04-07 | 2015-10-15 | National University Of Singapore | Graphene as a protective overcoat for magnetic media without the use of a nucleation layer |
US10145005B2 (en) | 2015-08-19 | 2018-12-04 | Guardian Glass, LLC | Techniques for low temperature direct graphene growth on glass |
CN109070018B (zh) | 2016-05-11 | 2022-01-11 | 麻省理工学院 | 氧化石墨烯膜和相关方法 |
CN106119806B (zh) * | 2016-06-27 | 2018-12-28 | 重庆墨希科技有限公司 | 一种流水式连续规模化石墨烯薄膜制备装置 |
US20190198313A1 (en) * | 2016-09-12 | 2019-06-27 | University Of Houston System | Flexible Single-Crystal Semiconductor Heterostructures and Methods of Making Thereof |
CN107867681A (zh) * | 2016-09-27 | 2018-04-03 | 中国科学院金属研究所 | 一种电化学气体鼓泡转移大面积石墨烯的方法 |
US11235977B2 (en) * | 2017-12-21 | 2022-02-01 | Rutgers, The State University Of New Jersey | Flame-synthesis of monolayer and nano-defective graphene |
EP3969158A1 (en) | 2019-05-15 | 2022-03-23 | Via Separations, Inc. | Filtration apparatus containing graphene oxide membrane |
JP2022533140A (ja) | 2019-05-15 | 2022-07-21 | ヴィア セパレイションズ,インコーポレイテッド | 耐久性のある酸化グラフェン膜 |
CN113264522B (zh) * | 2021-06-21 | 2022-08-23 | 松山湖材料实验室 | 一种二维材料的转移方法 |
CN115611272B (zh) * | 2021-07-13 | 2024-04-23 | 北京石墨烯研究院 | 石墨烯薄膜的转移方法 |
WO2023097166A1 (en) | 2021-11-29 | 2023-06-01 | Via Separations, Inc. | Heat exchanger integration with membrane system for evaporator pre-concentration |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110030991A1 (en) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Guardian Industries Corp. | Large area deposition and doping of graphene, and products including the same |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53115314A (en) * | 1977-03-17 | 1978-10-07 | Nippon Toki Kk | Decorative separating transfer sheet and method of transfer |
JP2001284622A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Canon Inc | 半導体部材の製造方法及び太陽電池の製造方法 |
US6702970B2 (en) * | 2001-05-03 | 2004-03-09 | Advanced Energy Technology Inc. | Process to reduce sticking during surface treatment of graphite articles |
JP3876313B2 (ja) * | 2002-11-12 | 2007-01-31 | 国立大学法人 北海道大学 | 繊維状固体炭素集合体の製造方法 |
US7619257B2 (en) | 2006-02-16 | 2009-11-17 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Devices including graphene layers epitaxially grown on single crystal substrates |
JP2008120660A (ja) * | 2006-11-16 | 2008-05-29 | Toshio Sugita | カーボンチューブ製造用グラフェンシート、およびグラフェンシート形成品用グラフェンシート |
DE102007016995A1 (de) * | 2007-04-11 | 2008-10-16 | Beyer, André | Verfahren zum Übertragen einer Nanoschicht |
JP5186831B2 (ja) * | 2007-08-09 | 2013-04-24 | 富士通株式会社 | グラフェンを用いた電子デバイスの製造方法 |
KR20090026568A (ko) | 2007-09-10 | 2009-03-13 | 삼성전자주식회사 | 그라펜 시트 및 그의 제조방법 |
JP5137066B2 (ja) | 2007-09-10 | 2013-02-06 | 国立大学法人福井大学 | グラフェンシートの製造方法 |
JP4569841B2 (ja) * | 2007-09-25 | 2010-10-27 | 株式会社青木転写 | 窯業用薄型スライド転写紙とその製造方法 |
JP5470610B2 (ja) * | 2007-10-04 | 2014-04-16 | 国立大学法人福井大学 | グラフェンシートの製造方法 |
KR100923304B1 (ko) | 2007-10-29 | 2009-10-23 | 삼성전자주식회사 | 그라펜 시트 및 그의 제조방법 |
JP5303957B2 (ja) | 2008-02-20 | 2013-10-02 | 株式会社デンソー | グラフェン基板及びその製造方法 |
US8409450B2 (en) * | 2008-03-24 | 2013-04-02 | The Regents Of The University Of California | Graphene-based structure, method of suspending graphene membrane, and method of depositing material onto graphene membrane |
KR101462401B1 (ko) * | 2008-06-12 | 2014-11-17 | 삼성전자주식회사 | 그라펜 시트로부터 탄소화 촉매를 제거하는 방법, 탄소화촉매가 제거된 그라펜 시트를 소자에 전사하는 방법, 이에따른 그라펜 시트 및 소자 |
JP5097172B2 (ja) | 2009-06-23 | 2012-12-12 | 株式会社沖データ | グラフェン層の剥離方法、グラフェンウエハの製造方法、及び、グラフェン素子の製造方法 |
US8236118B2 (en) * | 2009-08-07 | 2012-08-07 | Guardian Industries Corp. | Debonding and transfer techniques for hetero-epitaxially grown graphene, and products including the same |
US8697230B2 (en) * | 2009-08-31 | 2014-04-15 | Kyushu University | Graphene sheet and method for producing the same |
JP5569769B2 (ja) * | 2009-08-31 | 2014-08-13 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | グラフェンフィルム製造方法 |
KR101736462B1 (ko) * | 2009-09-21 | 2017-05-16 | 한화테크윈 주식회사 | 그래핀의 제조 방법 |
ES2717903T3 (es) * | 2009-10-16 | 2019-06-26 | Graphene Square Inc | Procedimiento de transferencia de rollo a rollo de grafeno, rollo de grafeno producido por el procedimiento, y equipo de transferencia de rollo a rollo para grafeno |
JP5910294B2 (ja) * | 2012-05-10 | 2016-04-27 | 富士通株式会社 | 電子装置及び積層構造体の製造方法 |
-
2009
- 2009-11-12 KR KR1020090109283A patent/KR101652787B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-09-21 US US12/923,428 patent/US9108848B2/en active Active
- 2010-11-10 CN CN201010541911.7A patent/CN102060292B/zh active Active
- 2010-11-10 JP JP2010251597A patent/JP5660856B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110030991A1 (en) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Guardian Industries Corp. | Large area deposition and doping of graphene, and products including the same |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012167738A1 (zh) * | 2011-06-09 | 2012-12-13 | 中国科学院金属研究所 | 一种低成本无损转移石墨烯的方法 |
CN104103567B (zh) * | 2013-04-02 | 2017-12-08 | 国际商业机器公司 | 晶片尺度外延石墨烯转移 |
CN104103567A (zh) * | 2013-04-02 | 2014-10-15 | 国际商业机器公司 | 晶片尺度外延石墨烯转移 |
CN103332680A (zh) * | 2013-06-28 | 2013-10-02 | 重庆墨希科技有限公司 | 一种可转移石墨烯薄膜及其转移方法 |
CN103435036A (zh) * | 2013-08-21 | 2013-12-11 | 南开大学 | 一种石墨烯选择性定点转移方法 |
CN103435036B (zh) * | 2013-08-21 | 2015-02-04 | 南开大学 | 一种石墨烯选择性定点转移方法 |
CN105000551A (zh) * | 2015-07-08 | 2015-10-28 | 合肥工业大学 | 一种大面积石墨烯的无缝转移的方法 |
CN106882792A (zh) * | 2015-12-15 | 2017-06-23 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种干法转移金属衬底上石墨烯的方法 |
CN106882792B (zh) * | 2015-12-15 | 2019-03-01 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种干法转移金属衬底上石墨烯的方法 |
CN109590615A (zh) * | 2019-01-22 | 2019-04-09 | 福州大学 | 一种无基底大面积太赫兹偏振片加工方法 |
CN109590615B (zh) * | 2019-01-22 | 2020-11-24 | 福州大学 | 一种无基底大面积太赫兹偏振片加工方法 |
CN112599468A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-02 | 福建江夏学院 | 一种基于溶剂处理制备二硫化钼薄层及其薄膜晶体管的方法 |
CN112837996A (zh) * | 2021-01-05 | 2021-05-25 | 上海应用技术大学 | 一种薄层二维材料的制备方法 |
CN113526498A (zh) * | 2021-06-08 | 2021-10-22 | 松山湖材料实验室 | 图案化石墨烯的制备方法及生物传感器的制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110108521A1 (en) | 2011-05-12 |
US9108848B2 (en) | 2015-08-18 |
CN102060292B (zh) | 2014-10-29 |
JP2011105590A (ja) | 2011-06-02 |
KR101652787B1 (ko) | 2016-09-01 |
JP5660856B2 (ja) | 2015-01-28 |
KR20110052300A (ko) | 2011-05-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102060292B (zh) | 制造和转移大尺寸石墨烯的方法 | |
CN102856232B (zh) | 用于改进基板可重用性的边缘排除剥离方法 | |
KR101920713B1 (ko) | 그래핀 소자 및 그 제조방법 | |
EP2641265B1 (en) | Electronic device for radiofrequency or power applications and process for manufacturing such a device | |
CN101273438B (zh) | 薄膜元件的制造方法 | |
EP2690198B1 (en) | Apparatus and graphene device manufacturing method using the apparatus | |
JP5973390B2 (ja) | グラフェン製造方法 | |
US9209083B2 (en) | Integrated circuit manufacturing for low-profile and flexible devices | |
KR102107538B1 (ko) | 그래핀 전사 방법, 이를 이용한 소자의 제조방법 및 그래핀을 포함하는 기판 구조체 | |
CN107107561A (zh) | 石墨烯和用于将cvd生长石墨烯转移至疏水性基板的无聚合物方法 | |
JP2014522545A5 (zh) | ||
CN101920932A (zh) | 制作纳米尺寸间距的电极的方法 | |
KR20140117721A (ko) | 고품질 그래핀층 형성을 위한 기판 및 방법 | |
TWI574911B (zh) | Mems裝置製造方法及該方法所形成的裝置 | |
KR101857866B1 (ko) | 캐리어를 처리하는 방법 및 그래핀 층을 전사하는 방법 | |
US8604459B1 (en) | Electrical devices containing a carbon nanotube switching layer with a passivation layer disposed thereon and methods for production thereof | |
CN103515208B (zh) | 金属硅化物层和闪存的存储单元栅电极的形成方法 | |
KR102434700B1 (ko) | 그래핀 나노-메쉬 제조방법 | |
Liu et al. | An effective approach for restraining galvanic corrosion of polycrystalline silicon by hydrofluoric-acid-based solutions | |
KR20170051835A (ko) | 복수의 희생층을 이용한 멤스 구조물 및 그 제조방법 | |
CN103510088B (zh) | 固态孔阵及其制作方法 | |
US10370240B2 (en) | Layer structure and method of manufacturing a layer structure | |
US20100276788A1 (en) | Method and device of preventing delamination of semiconductor layers | |
CN103964364A (zh) | 微纳尺度静电力开关及其制造方法 | |
CN114531872B (zh) | 基于倒序工艺的原子级粗糙表面制备工艺 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |