CN103824566B - 读写接触式硬盘的磁头、硬盘设备及转移方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种读写接触式硬盘的磁头、滑块与盘体的接触技术。磁头滑块与盘体接触的接触面为至少一层二维原子晶体，结构为平面，并延伸至磁头侧面；盘体原子级平整，与磁头滑块接触的接触面为至少一层二维原子晶体或类金刚石纳米膜（DLC）。在读取数据时，所述磁头滑块和盘体之间始终保持原子接触。本发明的磁头滑块与盘体之间直接接触的二维原子晶体两层结构具有非共度性，并呈现超润滑状态，即两者之间的摩擦力几乎为零。磁头滑块与盘体的原子接触，大大降低磁头滑块与盘体之间的距离，且可完全取消传统磁头滑块中的DLC保护层，进一步降低了磁头滑块与盘体之间的距离，实现更高存储密度、更快存储和读取速度、以及更小型化的硬盘设备。

Description

读写接触式硬盘的磁头、硬盘设备及转移方法
技术领域
本发明涉及存储设备领域，更准确地说，涉及一种读写时，能与盘体始终保持原子接触的磁头结构、盘体以及一种硬盘设备；本发明还涉及一种向磁头滑块上转移二维原子晶体材料层的方法。
背景技术
传统机械硬盘(hard disk drive，简称HDD)在工作时一般采用磁头在盘体上飞行的模式，其与盘片保持一定的距离，且磁头沿盘片径向移动；静止(非工作)时磁头相对于盘片呈接触式启停状态。
磁存储技术是一种近场技术，读写磁信息时磁场强度随着磁头与磁介质之间距离的增大呈现指数衰减。目前，磁存储单元的尺寸越来越小，磁头读写器与磁介质之间的距离也越来越小，以保证快速读写磁盘上的磁信息的准确度。但这种距离的减小受到磁头飞行高度、磁头滑块表面的类金刚石膜厚度以及磁介质上方的类金刚石保护膜厚度和润滑层厚度等的限制
磁盘中磁头滑块作为磁头组件的核心部件之一，具有两方面的作用，一是它的表面具有某种图形能与盘面形成气浮轴承，以稳定地飞在盘面上方且能随着盘面的高低变化实现俯仰、翻转及摆动等；另一方面，它承载着读写磁头及相关数据的转换电路。因此，合理的磁头滑块结构及形貌对磁存储技术的发展至关重要。随着硬盘存储容量与日俱增，盘片存储介质的颗粒日益减小，为了保证数据存取的可靠性，磁头的飞行高度也不断减小，因而要求磁头滑块的体积及重量越来越小。
除了传统的飞行模式硬盘之外，中国专利ZL201010115892.1(发明名称；一种硬盘设备)公开了一种接触式读写的硬盘设备，其中利用具有低摩擦的原子级光滑表面的材料覆盖磁头和盘体以及利用该原子级光滑表面间范德华力支撑来降低磁头与盘体间距离。该专利利用磁头下表面材料与盘体上表面材料之间的范德华柔性支撑作用代替传统的飞行模式，将磁头与盘体的间距从传统飞行模式的2-5nm范围降低至1nm以下。同时，利用磁头下表面和盘体表面包裹的单层原子层材料形成低摩擦、“接触式”运动。但是，所述“低摩擦”并没有清晰定义，通常理解为仍然具有很小的摩擦；在覆盖在磁头和盘体的原子级光滑表面的材料是同一种材料时，例如石墨烯，由于存在共度现象，磁头在接触式读取过程中会产生磁头和盘体表面材料的磨损，从而导致磁盘损坏。
发明内容
为了解决现有技术中的问题，本发明提供了一种读写超润滑“原子接触”式硬盘的磁头，在读写时，能与盘体始终保持“原子接触”且二者处于“超润滑”状态。“原子接触”定义为两层原子级平整的表面相互平行，两层界面之间没有或几乎没有其他杂质并且界面之间原子不形成化学键，界面之间依靠范德华相互作用的接触形式。“超润滑”状态指的是界面之间相对运动时摩擦力几乎为零的状态。
为了实现上述的目的，本发明的技术方案是：一种读写接触式硬盘的磁头，包括磁头滑块，其特征在于：所述磁头滑块上用于和盘体配合的接触面为平面，所述磁头滑块的接触面上设有至少一层由原子级平整的一种二维原子晶体材料，在读取数据时，所述磁头滑块和盘体之间始终保持原子接触，原子接触的平衡距离在该原子接触中范德华力的作用势的最低点。
为了进一步减小滑块与盘体的摩擦力，所述覆层由磁头滑块的底面延伸至其侧面。
根据本发明的一个方案，二维原子晶体材料为石墨烯、氮化硼、BCN、氟化石墨烯、石墨烯氧化物、MoS2、WS2、MoSe2、WSe2、MoSe2、WSe2、MoTe2、WTe2、ZrS2、ZrSe2、NbSe2、NbS2、TaS2、TiS2、NiSe2、GaSe、GaTe、InSe、Bi2Se3、云母、BSCCO、MoO3、WO3、TiO2、MnO2、V2O5、TaO3、RuO2、LaNb2O7、(Ca，Sr)2Nb3O10、Bi4Ti3O12、Ca2Ta2TiO10、Ni(OH)2、Eu(OH)2、层状铜氧化物中的一种。
根据本发明的一个优选实施例，所述磁头滑块覆层的二维原子晶体材料为石墨烯。
优选的是，所述磁头滑块的尺寸在0.1um-1000um之间。
优选的是，所述磁头滑块的尺寸在10um-1000um之间。
本发明还提了一种硬盘设备，包括本申请的上述的磁头，还包括盘体，所述盘体包括磁介质层以及位于磁介质层上的具有原子级平整表面的至少一层由一种二维原子晶体材料或类金刚石纳米膜构成的保护层。
优选的是，所述盘体保护层为具有原子级平整的类金刚石膜。
优选的是，所述盘体保护层的二维原子晶体材料为石墨烯、氮化硼、BCN、氟化石墨烯、石墨烯氧化物、MoS2、WS2、MoSe2、WSe2、MoSe2、WSe2、MoTe2、WTe2、ZrS2、ZrSe2、NbSe2、NbS2、TaS2、TiS2、NiSe2、GaSe、GaTe、InSe、Bi2Se3、云母、BSCCO、MoO3、WO3、TiO2、MnO2、V2O5、TaO3、RuO2、LaNb2O7、(Ca，Sr)2Nb3O10、Bi4Ti3O12、Ca2Ta2TiO10、Ni(OH)2、Eu(OH)2、层状铜氧化物中的一种。
可以看到，在本申请中，磁头和盘体相互接触的接触面(即覆层和保护层)的可选材料范围都包括二维原子晶体材料，所以，当两者选取的材料相同时，可能会产生共度现象，因此，本申请的一种方案是磁头滑块覆层的材料与盘体保护层的材料不同。在磁头滑块覆层的材料与盘体保护层的材料相同的情况下：
优选的是，所述磁头滑块中设有能让二维晶体的的晶胞尺寸发生改变的执行机构。
优选的是，所述执行机构为发热装置、压电装置或振动装置。
优选的是，所述执行机构为让磁头滑块持续横向振动的压电陶瓷。
优选的是，还包括控制装置，所述控制装置包括检测装置；在读写器工作之前，控制装置启动执行机构；且在读写器的读写过程中，如果检测装置检测到磁头滑块覆层二维材料与盘体保护层二维材料为公度排列时，启动执行机构。
本发明还提供了一种向磁头滑块上转移二维原子晶体材料层的方法，包括以下步骤：
a、提供生长在基底上的二维原子晶体材料层；
b、将转移基体涂在二维原子晶体材料层上，并与二维原子晶体材料层之间形成粘结层；
c、将二维原子晶体材料层粘结到磁头滑块上，形成滑块覆层；
d、洗掉转移基体，并去除粘结层，得到具有二维原子晶体材料层的磁头滑块。
优选的是，在步骤c之前，将磁头滑块的待粘结面抛光成原子级光滑平面。
优选的是，步骤c中，将基底去除后，还包括让二维原子晶体材料层的晶胞尺寸发生改变的步骤，然后将晶胞尺寸发生改变后的二维原子晶体材料层粘结到磁头滑块上。
优选的是，在步骤d后，还包括让二维原子晶体材料层的晶胞尺寸发生改变的步骤。
优选的是，通过磁头滑块的形变来改变二维原子晶体材料层晶胞的尺寸。
优选的是，所述磁头滑块中设有可让磁头滑块的持续的横向振动压电陶瓷。
本发明还提供了一种制备磁头滑块的方法，包括以下步骤：
a、在原子级平整的金属基底上外延生长二维晶体材料，该金属基底与二维材料晶格常数不同。
b、将生长在基底上二维晶体与基底作为一个整体，制备成磁头滑块尺寸。
c、将磁头滑块安置在磁头上。
优选的是，在步骤a之前，将金属基底制备成磁头滑块尺寸。
优选的是，在步骤a之后，将生长二维晶体的金属基底切割成磁头滑块尺寸。
本发明中磁头滑块的设计不同于传统硬盘磁头滑块复杂的表面图形化设计。其下表面为平面，在磁头滑块的下表面上设有具有原子级平整表面的二维原子晶体材料层，可使磁头滑块与盘体之间在原子接触的状态下呈现超润滑状态，即，两者之间的摩擦力几乎为零。这就实现了读写时磁头滑块与盘体的超润滑原子接触，而这与传统中的空气悬浮式读写技术有着显著区别。磁头滑块与盘体原子接触后，可大大降低磁头滑块与盘体之间的距离，同时，鉴于二维原子晶体材料层的特性，其可完全取代传统磁头滑块中的DLC保护层，减少保护层的厚度，进一步降低了磁头滑块与盘体之间的距离，从另一个角度来说，提高了磁盘的存储密度。同时，本发明磁头滑块的没有复杂的图形化表面，结构简单。工作时磁头与盘体间处于超润滑状态增强了其与磁盘工作的稳定性，可实现硬盘设备的小型化。
附图说明
图1示出了本发明硬盘设备中磁头滑块和盘体的结构示意图。
图2示出了本发明中转移二维原子晶体层的流程示意图。
图3示出了磁头滑块和盘体的一种实施方式的结构示意图。
图4示出了磁头滑块和盘体的另一种实施方式的结构示意图。
图5a、5b、5c分别示出了原子级光滑表面层之间三种不同的堆垛方式。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的技术方案作详尽的说明。
本发明提出了一种新的磁头结构，该技术将磁头滑块下表面复杂的设计改变为平滑设计，将磁头滑块的底面与盘体顶面保持平行。可利用已知的抛光的技术对磁头滑块的底面进行抛光，以获得原子级的平整表面，再利用二维原子晶体(例如石墨烯)转移技术或生长技术使磁头滑块底面覆有一层或多层二维原子晶体(例如石墨烯)。该覆层可由磁头滑块的下表面延伸至其侧面，以防止磁头滑块的侧面划伤盘体。同时，覆层延伸至其侧面是为了避免覆层边缘悬键与盘体表面的悬键结合成键而导致的较大摩擦。
当磁头滑块与盘体原子接触时，二者之间处于超润滑状态，即摩擦力几乎为零，无磨损或只有微小的磨损存在。也就是说，在硬盘工作的时候，磁头滑块的底面与盘体的顶面可以始终保持原子接触，而不会损坏盘体和磁头，这就实现了读写时磁头滑块与盘体的接触。从而大幅度降低传统的飞行距离，同时磁头滑块上设有的二维原子晶体(例如石墨烯)可代替传统的类金刚石保护膜，从而减少了保护膜的厚度。
图1示出了本发明硬盘设备中磁头滑块和盘体的结构示意图。磁头滑块2与盘体1配合的接触面为一平面。这种设计将复杂的磁头滑块图形化简化成为一个平面。此处接触为“原子接触”。“原子接触”定义为两层原子级平整的表面相互平行，两层界面之间没有其他杂质并且界面之间的原子不形成化学键，界面之间只存在分子间作用(范德华作用)的接触形式。
两个原子级平整的表面在互相接触的过程中，随着距离的减小，范德华作用力主要从吸引状态转化成排斥状态，在其中某一个距离，会呈现吸引和排斥的平衡状态，平衡状态时范德华力的作用势最低，这属于本领域的公知常识。
此处的“接触面”应该理解为磁头滑块2与盘体1原子接触的表面。所述磁头滑块2的接触面上设有至少一层由原子级平整的二维原子材料构成的覆层3，该覆层3可以是单晶石墨烯，也可以是其他二维原子晶体。以上所说的二维原子晶体是指具有层状结构的二维材料，材料的厚度方向只含有一个或几个原子。在读取数据时，所述磁头滑块2和盘体1始终保持原子接触。二维原子晶体(例如石墨烯)的原子级平整表面指的是材料的一个晶向面中，没有原子级台阶。所述二维原子晶体材料可以为石墨烯、氮化硼、BCN、氟化石墨烯、石墨烯氧化物、MoS2、WS2、MoSe2、WSe2、MoSe2、WSe2、MoTe2、WTe2、ZrS2、ZrSe2、NbSe2、NbS2、TaS2、TiS2、NiSe2、GaSe、GaTe、InSe、Bi2Se3、云母、BSCCO、MoO3、WO3、TiO2、MnO2、V2O5、TaO3、RuO2、LaNb2O7、(Ca，Sr)2Nb3O10、Bi4Ti3O12、Ca2Ta2TiO10、Ni(OH)2、Eu(OH)2、层状铜氧化物中的一种。
本发明的磁头覆层的优选实施例是采用石墨烯(Graphene)。石墨烯是一种由碳原子构成的单层片状结构的材料。是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜，是一种只有一个碳原子厚度的二维材料。石墨烯目前是世上最薄却也是最坚硬的纳米材料。将上述结构的磁头滑块应用到硬盘中后，其与盘体的表面材料原子接触时会呈现超润滑状态，即二者之间的摩擦力几乎为零，呈现无磨损或微小磨损。这就使得，在硬盘工作的时候，可让磁头滑块的底面与盘体的表面可以始终保持原子接触，而不会损坏盘体和磁头，即实现了读写时磁头滑块与盘体的接触。
在读取数据时，为了防止磁头滑块的侧面划伤盘体对超润滑状态的影响，所述石墨烯层或其他二维原子晶体层由磁头滑块2的底面延伸至其侧面，即在磁头滑块2的侧面设有石墨烯层或其他二维原子晶体层。同时，石墨烯层或其他二维原子晶体延伸至其侧面也是为了避免石墨烯或其他二维原子晶体边缘悬键与盘体表面的悬键结合成键而导致的较大摩擦。
磁头滑块2的特征尺寸在设计在0.1um-1000um(长、宽)。此时覆层3也需要根据磁头滑块的尺寸进行调整。如上面提到的尺寸为0.1um-1000um之间。由于磁头滑块2与盘体1在工作时是始终原子接触的，因此磁头滑块2会与盘体1产生正压力。为了避免磁头滑块2与盘体1之间产生较大的压强而磨损盘体的表面，设计磁头滑块2的尺寸为10um-1000um，此时称为大尺寸磁头滑块，相应的石墨烯层或其他二维原子晶体层也需要大尺寸的石墨烯或其他二维原子晶体。
上述的石墨烯可以通过化学气相沉积(CVD)的方式来进行。化学气相沉积法制备石墨烯多采用有机气体(如甲烷、乙烯等)、液体(如乙醇)或固态(如樟脑，蔗糖等)。用于制备石墨烯的化学气相沉积装置的主体部分为电阻炉，以石英管为反应室。以乙醇(作为例子)为碳源，以金属箔(例如铜箔)为基底。反应溶液在精密流量泵的带动下通过毛细管输入反应室中。碳源在高温反应区中分解出反原子并在金属基底上沉积并逐渐形成连续的石墨烯薄膜。本发明中需要将生长成的大尺度石墨烯转移到磁头滑块上，实现在磁头滑块表面的原子级光滑表面。
图2以石墨烯为例，介绍了一种将二维原子晶体转移到滑块上的技术。步骤a、将单晶石墨烯生长在基体上；b、用一块转印基体压在石墨烯的表面，转印基体一般为PMMA、PDMS等聚合物，转印基体与石墨烯之间形成的粘结层具有较强的粘附力；c、再将生长基体用溶液(如三氯化铁溶液等)去除；之后d、将粘附有单晶石墨烯的转印基体粘连到磁头滑块(目标基体)。将转印基体覆盖磁头滑块底面并延伸至其侧面。进行粘合后，再用有机溶液(如丙酮等)将在石墨烯表面的粘结层、转印基体去除。在滑块底面及部分侧面上形成具有原子级平整表面的单晶石墨烯。
针对之前提到的尺寸在10um-1000um大尺寸磁头滑块，需要生长、转移大尺寸的二维原子晶体，以生长大尺度单晶石墨烯为例。
下面提供一种大尺寸单晶石墨烯的生长方法：大尺寸单晶石墨烯(～5mm)的合成是以铜作为催化剂，在低压的环境下进行化学气相沉积(CVD)。其中通入的混合气体为氩气、氢气以及稀释的甲烷(500p.p.m甲烷平衡于氩气环境下)，甲烷是生长石墨烯的碳源。首先将25um厚的铜片用盐酸与水溶液(HCL/H2O比例为1:10)进行清洗后再用异丙醇进行三次冲洗，然后在氮气下干燥。干燥后的铜片放置在CVD的高温管式炉中，反应的石英管直径为1英尺。整个管式炉抽气30分钟，抽至10mTorr真空环境。之后再在石英管中重新冲入300sccm的纯氮气或氮气与氢气的混合气体，加热石英管25min至温度达到1070℃(前20分钟升温，后5分钟稳定时期)。接下来将稀释的甲烷气体与氢气通入石英管中，在1070℃温度下进行石墨烯生长，其中氢气与甲烷的摩尔比例为1320-8800，气压的取值范围为1-1000mbr。最后通过将石英管淬火至室温来结束生长(冷却的速率为～200℃/min)。
下面为一种大尺寸单晶石墨烯转移的方法：采用湿法腐蚀铜基底的方法将生长的大尺度单晶石墨稀转移到大尺寸磁头滑块上。在生长过程中，铜片的两个表面都会生长石墨稀，在一侧的石墨稀表面上旋涂上一层PMMA，在120℃下烘烤2分钟。样品的另一面暴露在O2Plasma持续60分钟去除生长在该面的石墨稀。之后，利用铜腐蚀剂将铜片腐蚀，得到一个自由悬浮在铜腐蚀剂表面的PMMA/graphene薄膜。将PMMA/graphene薄膜用HCL与去离子水的混合液(1:10)清洗，再用去离子水进行多次清洗后转移到大尺寸磁头滑块并将磁头滑块的底面和侧表面包住。经过空气干燥后，将PMMA用丙酮溶解，再将基底用异丙醇进行冲洗，最后就可以将石墨稀从铜基底转移到大尺寸磁头滑块上了。
硬盘中的盘体1是磁记录的媒介。盘体1的基体是表面超级光滑(均方根粗糙度为0.2nm)的玻璃盘片或铝盘片，在其两侧表面均具有多个镀层，硬盘的数据存储在厚度约为30nm的磁性层内，传统的磁盘盘体在磁性层上设有厚度约1-3nm的类金刚石涂层(DLC层)来保护相对较软的磁性层免受磨损和腐蚀，在DLC层上为厚度为1-2nm的润滑层来提高其抗磨性。
本发明中的磁头滑块，在与盘体的原子接触面上设有一层或者几层石墨烯层或其他二维原子晶体层。在硬盘工作时，磁头滑块的接触面与盘体的表面保持原子接触。重力和振动会造成原子接触距离发生改变，但本设计不至于导致原子接触区的损伤或脱离接触。
作为盘体1的保护层，一种方式是保留传统的类金刚石碳膜10，但是去掉原有类金刚石表面的润滑层，参考图3。本发明的磁头滑块2与盘体1上面具有原子级光滑表面的类金刚石膜10原子接触时，处于超润滑状态，即，二者之间的摩擦力几乎为零，呈现无磨损或微小磨损。该保护层另一种方式是具有原子级平整表面的二维晶体材料，具体材料的选择如表一种所示。本发明的磁头滑块2与盘体1上面二维原子晶体材料不同时，处于超润滑状态，即，二者之间的摩擦力几乎为零，呈现无磨损或微小磨损。但是，当本发明的磁头滑块2与盘体1上面二维原子晶体材料相同时，在两个接触面相互转动时，会出现公度现象，从而破坏超润滑状态。
其中，以磁头滑块2与盘体1上面的材料同时为石墨烯层为例。参考图4，在磁介质层上直接沉积或转移具有原子级平整表面的石墨烯层11，在读取数据时，磁头滑块2与盘体1的表面原子接触，当盘体1的上表面与磁头滑块2的下表面材料都为石墨烯时，盘体1的上表面与磁头滑块2的下表面在非公度接触时处在超润滑状态，也就是上下表面在接触运动过程中的摩擦力几乎为零，实现无磨损或微小磨损。
多层石墨烯层内的六方晶格结构是固定的，然而层与层之间的堆垛方式可以有很多种。其中能量最低的方式是AB堆垛，如图5a所示。图中，黑点和圆环表示的原子分别各自构成一层石墨片，在这种AB堆垛的方式下，上下有一半的原子位置重合，其余一半原子落在另一层原子的正六边形晶格的中心。除AB堆垛外，如图5b所示，AA堆垛也是一个局部结合能极小的方式，此时上下原子位置完全对齐。AA堆垛方式可由AB堆垛方式平移得到。如果将上下两层原子作相对旋转，如图5c，则上下两层的晶格取向将失配，除非转到60度的整数倍时。此时上下原子层间的相互作用此消彼长，上下层平移时层间结合势能的上下波动会被抑制，呈现出较平缓的势能面。这种情况称为非公度(incommensurate)的排列，而AB，AA堆垛则是公度(commensurate)的界面。故，对于单晶石墨而言，层间堆垛特性对于其层间的摩擦力会有影响，即超润滑状态消失。如前所述，在非公度状态下，层间发生相对滑移时的势能起伏较小，因此导致摩擦力相比于公度状态也较小。在非公度接触时，层间发生滑移时处于结构超润滑状态，即之间的摩擦力几乎为零，无磨损或存在微小磨损。
针对本发明的技术方案，优选的方式是使两层石墨烯之间呈非公度排列，使二者之间处于超润滑状态，即，摩擦力达到最小，几乎为零，同时呈现无磨损或微小磨损。
为了避免这种由于公度带来的较大摩擦，需要对转移在磁头滑块上的石墨烯进行处理，在磁头滑块中设置一个能让磁头滑块发生形变或者旋转的执行机构，具体如下：
1)在磁头滑块内部安装加热装置(发热元件)，能够使磁头滑块发生形变，同时吸附在磁头滑块上的石墨烯也会跟随滑块形成微小的拉伸，从而改变石墨烯晶胞的尺寸。这样磁头滑块上的石墨烯由于拉伸就会与盘体的上表面一直保持晶格失配的状态，即非公度超润滑状态，因此可有效避免公度接触。图1给出了变化的示意图，磁头滑块2在发热元件的作用下发生形变，从而使石墨烯发生微小的拉伸，形成了最终的磁头滑块2a和石墨烯层3a。
2)在磁头滑块的内部安装有形变机械装置(如压电装置等)，能够使磁头滑块发生形变，同时吸附在磁头滑块的石墨烯层随着磁头滑块形成微小的拉伸，从而改变石墨烯晶胞的尺寸。这样磁头底面上的石墨烯则会与盘体的上表面一直保持晶格失配的状态，即非共度超润滑状态。因此有效的避免了公度接触。例如在磁头滑块中增加压电陶瓷，可在运动过程中始终使磁头下表面进行横向伸缩运动，形成横向振动，从而避免了磁头下表面与磁盘上表面在运动过程中的公度状态。同时该压电装置也可以实现磁头滑块的横向振动，从而时刻改变磁头石墨烯层的晶格尺寸从而避免公度带来的较大摩擦。
上述进行拉伸的步骤，可以是在转移石墨烯层的时候进行，例如可以在去除生长基底之后，利用现有技术中已知的方法来改变石墨烯层的晶胞尺寸，然后将晶胞尺寸发生改变后的石墨烯层粘结到磁头滑块上。也可以在得到吸附有石墨烯层的磁头滑块后再改变石墨烯层晶胞的尺寸。
上述进行拉伸的步骤也可以在读取数据的时候执行。此时包括一个控制装置，所述控制装置包括检测装置(例如检测二者之间的剪切强度)；在读写器的读写过程中，如果检测装置检测到磁头滑块石墨烯层与盘体石墨烯层之间为公度排列时，则启动执行机构来改变磁头滑块上石墨烯层的晶胞尺寸，直至二者之间为非公度排列，以实现在读写过程中的实时监测调整。当然也可以是在读写器工作之前，控制装置启动执行机构，使磁头滑块与盘体之间为非公度排列。
为了避免公度现象，本发明还提供一种制备磁头滑块的方法，包括以下步骤：
a、在原子级平整的金属生长基底上外延生长二维晶体材料，该金属基底与二维材料晶格常数不同。
b、将生长在生长基底上二维晶体与基底作为一个整体，制备成磁头滑块尺寸。
c、将磁头滑块安置在磁头上。
根据本发明的制备磁头滑块的方法，在步骤a之前，可以将金属基底制备成磁头滑块尺寸。
根据本发明的制备磁头滑块的方法，在步骤a之后，将生长二维晶体的金属基底切割成磁头滑块尺寸。
以上述方法制备出的磁头滑块，由于磁头最外表面的二维材料与其生长的基底晶体晶格常数不同，因此会在生长过程中形成一定的晶格失配。这样生长出来的二维晶体已经与盘体上相应的二维晶体存在晶格失配，从而避免公度现象的发生。
通过上述的技术方案，本发明具有以下优点：
1、简化了传统磁头滑块复杂的设计方案，实现平面磁头滑块设计简单化。
2、根据非公度结构超润滑原理，实现磁头与磁盘在超润滑，无磨损或微小磨损状态下的原子接触读写，大大降低磁头读写器和磁介质层的间距，相应地提高了磁盘的存储密度，能够实现对硬盘的接触式读写。
3、处于超润滑状态的接触硬盘可以轻易实现极高转速，提高硬盘数据读写速度。
4、可以很好的解决传统硬盘在、防震、防冲击等方面的缺陷，大大提高硬盘的稳定性。
5、由于设计的简单性，硬盘工作的稳定性与存储量的大幅提高，在保证现有的存储容量的前提下，可以大幅度较少硬盘的体积。
本发明已通过优选的实施方式进行了详尽的说明。然而，通过对前文的研读，对各实施方式的变化和增加也是本领域的一般技术人员所显而易见的。申请人的意图是所有这些变化和增加都落在了本发明权利要求所保护的范围中。
相似的编号通篇指代相似的元件。为清晰起见，在附图中可能有将某些线、层、元件、部件或特征放大的情况。
本文中使用的术语仅为对具体的实施例加以说明，其并非意在对本发明进行限制。除非另有定义，本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)均与本发明所属领域的一般技术人员的理解相同。

Claims (24)

1.一种读写接触式硬盘的磁头，包括磁头滑块，其特征在于：所述磁头滑块上用于与盘体配合的接触面为平面，所述磁头滑块的接触面上设有至少一层由原子级平整的二维原子晶体材料构成的覆层；且磁头滑块与盘体之间为原子接触。
2.根据权利要求1所述的磁头，其特征在于：所述磁头滑块的覆层延伸至磁头滑块的侧面。
3.根据权利要求1或2所述的磁头，其特征在于：所述二维原子晶体材料为石墨烯、氮化硼、BCN、氟化石墨烯、石墨烯氧化物、MoS2、WS2、MoSe2、WSe2、MoSe2、WSe2、MoTe2、WTe2、ZrS2、ZrSe2、NbSe2、NbS2、TaS2、TiS2、NiSe2、GaSe、GaTe、InSe、Bi2Se3、云母、BSCCO、MoO3、WO3、TiO2、MnO2、V2O5、TaO3、RuO2、LaNb2O7、(Ca，Sr)2Nb3O10、Bi4Ti3O12、Ca2Ta2TiO10、Ni(OH)2、Eu(OH)2、层状铜氧化物中的一种。
4.根据权利要求3所述的磁头，其特征在于：所述二维原子晶体材料为石墨烯。
5.根据权利要求3所述的磁头，其特征在于：所述磁头滑块的尺寸在0.1um-1000um之间。
6.根据权利要求5所述的磁头，其特征在于：所述磁头滑块的尺寸在10um-1000um之间。
7.一种硬盘设备，包括如权利要求1-6任一项所述的磁头，其特征在于：还包括盘体，所述盘体包括磁介质层以及位于磁介质层上的具有原子级平整表面的至少一层由二维原子晶体材料或类金刚石纳米膜构成的保护层。
8.根据权利要求7所述的硬盘设备，其特征在于：所述盘体保护层包括具有原子级平整的类金刚石膜。
9.根据权利要求7所述的硬盘设备，其特征在于：所述保护层的二维晶体材料为石墨烯、氮化硼、BCN、氟化石墨烯、石墨烯氧化物、MoS2、WS2、MoSe2、WSe2、MoTe2、WTe2、ZrS2、ZrSe2、NbSe2、NbS2、TaS2、TiS2、NiSe2、GaSe、GaTe、InSe、Bi2Se3、云母、BSCCO、MoO3、WO3、TiO2、MnO2、V2O5、TaO3、RuO2、LaNb2O7、(Ca，Sr)2Nb3O10、Bi4Ti3O12、Ca2Ta2TiO10、Ni(OH)2、Eu(OH)2、层状铜氧化物中的一种。
10.根据权利要求7所述的硬盘设备，其特征在于：在读取数据时，所述磁头滑块和盘体之间始终保持范德华相互作用下的原子接触，原子接触的平衡距离在该原子接触中范德华力的作用势的最低点。
11.根据权利要求9所述的硬盘设备，其特征在于：所述磁头滑块覆层的材料与盘体保护层的材料不同。
12.根据权利要求9所述的硬盘设备，其特征在于：所述磁头滑块覆层的材料与盘体保护层的材料相同。
13.根据权利要求12所述的硬盘设备，其特征在于：所述磁头滑块中设有能让二维晶体的晶胞尺寸发生改变的执行机构。
14.根据权利要求13所述的硬盘设备，其特征在于：所述执行机构为发热装置或压电装置或振动装置。
15.根据权利要求14所述的硬盘设备，其特征在于：所述执行机构为让磁头滑块持续横向振动的压电陶瓷。
16.根据权利要求14所述的硬盘设备，其特征在于：还包括控制装置，所述控制装置包括检测装置；在读写器工作之前，控制装置启动执行机构；且在读写器的读写过程中，如果检测装置检测到磁头滑块二维晶体与盘体二维晶体为公度排列时，启动执行机构。
17.一种向磁头滑块上转移二维原子晶体材料的方法，包括以下步骤：
a、提供在生长基底上的二维原子晶体层；
b、将转印基体涂在二维原子晶体层上，并与二维原子晶体层之间形成粘结层；
c、去除生长基体；
d、将二维原子晶体层粘结到磁头滑块上，去除转移基体，并去除粘结层，形成滑块覆层，得到具有二维晶体材料覆层的磁头滑块；
其中，在步骤d之前，将磁头滑块的待粘结面抛光成原子级平整平面。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于：步骤c中，将生长基底去除后，还包括让二维原子晶体层的晶胞尺寸发生改变的步骤，然后将晶胞尺寸发生改变后的二维原子晶体层粘结到磁头滑块上。
19.根据权利要求17所述的方法，其特征在于：在步骤d后，还包括让二维原子晶体层的晶胞尺寸发生改变的步骤。
20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于：通过磁头滑块的形变来改变二维晶体材料层晶胞的尺寸。
21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于：所述磁头滑块中设有可让磁头滑块的持续的横向振动压电陶瓷。
22.一种制备磁头滑块的方法，包括以下步骤：
a、在原子级平整的金属基底上外延生长二维晶体材料，该金属基底与二维材料晶格常数不同；
b、将生长在基底上二维晶体与基底作为一个整体，制备成磁头滑块尺寸；
c、将磁头滑块安置在磁头上。
23.根据权利要求22所述的方法，其特征在于：在步骤a之前，将金属基底制备成磁头滑块尺寸。
24.根据权利要求22所述的方法，其特征在于：在步骤a之后，将生长二维晶体的金属基底切割成磁头滑块尺寸。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11718529B1 (en) 2015-11-23 2023-08-08 Paronyan Tereza M Graphene networks and methods for synthesis and use of the same
US9666229B1 (en) * 2016-02-16 2017-05-30 L2 Drive Inc. Active control of a read/write head for reduced head-media spacing
CN109935244B (zh) * 2019-03-26 2021-10-08 北京清正泰科技术有限公司 一种接触式硬盘磁头及其制备方法
CN109946226B (zh) * 2019-03-26 2021-11-09 北京清正泰科技术有限公司 一种超滑基本结构及用于测试固体超滑摩擦系数的装置
CN109979490B (zh) * 2019-03-26 2021-02-12 深圳清力技术有限公司 一种多磁头并排的接触式读写硬盘
CN109935245B (zh) * 2019-03-26 2021-02-19 深圳清力技术有限公司 一种多磁头并行的接触式读写硬盘
CN109949832B (zh) * 2019-03-26 2021-06-04 北京清正泰科技术有限公司 一种基于超滑结构形成的接触式磁头滑块
CN111747371B (zh) * 2019-03-26 2024-03-08 深圳清力技术有限公司 一种结构超滑器件及其制备方法
CN109979489B (zh) * 2019-03-26 2021-04-30 北京清正泰科技术有限公司 一种阵列式磁头并行的接触式读写硬盘及其读写方式
CN109970467B (zh) * 2019-04-25 2020-09-04 清华大学 超滑二维复合材料及其制备方法
CN110230641B (zh) * 2019-06-03 2021-06-08 深圳清华大学研究院 一种超滑滑块长距离零磨损滑动的装置
JP7375676B2 (ja) * 2020-05-21 2023-11-08 株式会社レゾナック 磁気記録媒体および磁気記憶装置
CN111717881B (zh) * 2020-05-29 2023-05-16 深圳清华大学研究院 一种超滑滑块的制备方法
CN111719134A (zh) * 2020-05-29 2020-09-29 深圳清华大学研究院 一种大尺度超滑器件的制备方法
JP7388667B2 (ja) 2020-06-28 2023-11-29 深▲せん▼清華大学研究院 面内摺動式並列コンデンサ無線周波数スイッチ
CN113666365A (zh) * 2021-09-30 2021-11-19 萝北奥星新材料有限公司 一种用碳氢有机化合物制备单层连续石墨烯薄膜的方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1155140A (zh) * 1994-11-02 1997-07-23 国际商业机器公司 磁记录媒体器件的经氟化处理的类金刚石碳保护覆层
CN101034581A (zh) * 2007-04-20 2007-09-12 谢建全 硬盘磁头加载机构及硬盘
CN101097722A (zh) * 2006-06-26 2008-01-02 阿尔卑斯电气株式会社 磁头组件的再加工方法
CN101794581A (zh) * 2010-03-01 2010-08-04 清华大学 一种硬盘设备
CN103389846A (zh) * 2013-07-17 2013-11-13 常州二维碳素科技有限公司 一种石墨烯触摸屏电极及其制作方法
CN103514895A (zh) * 2012-06-26 2014-01-15 铼钻科技股份有限公司 磁性储存单元及其制备方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5231613A (en) * 1990-01-19 1993-07-27 Sharp Kabushiki Kaisha Magneto-optical recording device
JPH07326033A (ja) * 1994-05-29 1995-12-12 Fujitsu Ltd 記憶装置およびカーボン保護膜の製造方法
WO2001080224A2 (en) * 2000-04-14 2001-10-25 Seagate Technology Llc Ultrathin protective overcoats for magnetic materials
JP4044885B2 (ja) * 2003-09-09 2008-02-06 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
KR101375435B1 (ko) * 2006-03-08 2014-03-17 큐나노 에이비 Ｓｉ 상의 에피택셜 반도체 나노와이어를 금속 없이 합성하기 위한 방법
JP2008084412A (ja) * 2006-09-27 2008-04-10 Fujitsu Ltd 記憶媒体駆動装置およびヘッドスライダ
US7417820B2 (en) * 2006-12-11 2008-08-26 Tdk Corporation Head support mechanism, magnetic head assembly, and magnetic disk drive apparatus
WO2009069230A1 (ja) * 2007-11-30 2009-06-04 Fujitsu Limited ヘッドスライダの製造方法、ヘッドスライダ、および記憶装置
TWI390242B (zh) * 2008-07-30 2013-03-21 Univ Nat Taiwan 利用雷射使光學元件表面平滑化的製作方法
JP2010067299A (ja) * 2008-09-09 2010-03-25 Toshiba Storage Device Corp 磁気ディスク装置
US9221148B2 (en) * 2009-04-30 2015-12-29 Rdc Holdings, Llc Method and apparatus for processing sliders for disk drives, and to various processing media for the same
KR101652787B1 (ko) * 2009-11-12 2016-09-01 삼성전자주식회사 대면적 그라핀의 제조방법 및 전사방법
US9305571B2 (en) * 2009-12-23 2016-04-05 HGST Netherlands B.V. Magnetic devices and magnetic media with graphene overcoat
CN102134067B (zh) * 2011-04-18 2013-02-06 北京大学 一种制备单层石墨烯的方法
WO2013038623A1 (ja) * 2011-09-16 2013-03-21 富士電機株式会社 グラフェンの製造方法ならびにグラフェン
US20130114165A1 (en) * 2011-11-07 2013-05-09 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. FePt-C BASED MAGNETIC RECORDING MEDIA WITH ONION-LIKE CARBON PROTECTION LAYER
FR2992773B1 (fr) * 2012-06-27 2015-05-15 Commissariat Energie Atomique Structure d'accueil pour connecter electriquement un nano-objet sur une face de celle-ci et en reprendre le contact electrique sur la face opposee, et procedes de fabrication de la structure
CN103072978A (zh) * 2013-02-04 2013-05-01 杭州格蓝丰纳米科技有限公司 一种制备双层石墨烯的化学气相沉积方法
CN103365004B (zh) * 2013-07-26 2016-04-13 深圳市华星光电技术有限公司 透明导电层、具有该透明导电层的cf基板及其制备方法
US20160351436A1 (en) * 2015-05-27 2016-12-01 Honeywell International Inc. Low temperature wafer bonding

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1155140A (zh) * 1994-11-02 1997-07-23 国际商业机器公司 磁记录媒体器件的经氟化处理的类金刚石碳保护覆层
CN101097722A (zh) * 2006-06-26 2008-01-02 阿尔卑斯电气株式会社 磁头组件的再加工方法
CN101034581A (zh) * 2007-04-20 2007-09-12 谢建全 硬盘磁头加载机构及硬盘
CN101794581A (zh) * 2010-03-01 2010-08-04 清华大学 一种硬盘设备
CN103514895A (zh) * 2012-06-26 2014-01-15 铼钻科技股份有限公司 磁性储存单元及其制备方法
CN103389846A (zh) * 2013-07-17 2013-11-13 常州二维碳素科技有限公司 一种石墨烯触摸屏电极及其制作方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
磁头滑块的形状优化设计;谭晓兰等;《传感器与微系统》;20100831;第29卷(第8期);第96页，表1 *

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