JP5440180B2 - 磁気記録媒体用基板の製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 239
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 66
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 62
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 59
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 59
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 40
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 19
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 claims description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 27
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 23
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 10
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 3
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- -1 fluoride ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- PAZHGORSDKKUPI-UHFFFAOYSA-N lithium metasilicate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-][Si]([O-])=O PAZHGORSDKKUPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052912 lithium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73917—Metallic substrates, i.e. elemental metal or metal alloy substrates
- G11B5/73919—Aluminium or titanium elemental or alloy substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73921—Glass or ceramic substrates
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Description
2 基板
3 金属酸化膜
4 研磨痕
21 貫通孔
22、23 表面
41、42 溝
化学反応式(1)
MFx (x−2n)−+nH2O→MOn+xF−+2nH+
化学反応式(2)
H3BO3+4H++4F−→HBF4+3H2O
化学反応式(1)が主反応であり、Mは金属を表している。
(実施例1)
(基板2)
実施例1では、基板2にプレス法で作製したアルミノシリケートガラス基板を用いた。基板2の寸法を以下に示す。
基板2の内径(貫通孔21の径)=20[mm]
基板2の厚さ=0.635[mm]
(ポリッシング工程後の表面粗さRa)
基板2は、上述した第1ラッピング工程、第2ラッピング工程、及びポリッシング工程が施された基板である。第1ラッピング工程及び第2ラッピング工程では、両面研磨機を用いて、ガラス基板に加わる定盤の加重及び定盤の回転数を調整して基板2の両面を研磨した。第1ラッピング工程及び第2ラッピング工程では、加重を60[g/cm2]とし、定盤の回転数を10[rpm]として研磨を行った。ポリッシング工程では、ラッピング工程で使用したダイヤモンドペレットに代えて、パットと研磨液を使用した。パットは硬度80の発泡ウレタンを用いた。研磨材は、粒径が0.6[μm]の酸化セリウムを水に分散させてスラリー状にして用いた。定盤によるガラス基板への加重を、90[g/cm2]とし、定盤の回転数を25[rpm]とした。ポリッシング工程後の基板2の表面粗さRaを、原子間力顕微鏡(AFM)によって測定した。その結果、基板2の表面粗さRaは0.8[nm]であり、最大高さRmaxは30.0[nm]であった。
(金属酸化膜3の成膜)
実施例1では、金属酸化膜3としてのSiO2膜を基板2の表面に成膜した。具体的には、0.5[mol/l]の(NH4)2SiF6水溶液と、0.2[mol/l]のH3BO3水溶液とを混合させた混合溶液に、ポリッシング工程後の基板2を常温で1時間浸漬させた。実施例1では、容量が500[ml]の混合溶液に基板2を浸漬させた。なお、一度に複数の基板に対してSiO2膜を成膜する場合は、混合溶液の容量を大きくし、その混合溶液を循環させ、その混合溶液に基板2を浸漬させれば良い。
(成膜後の表面粗さRa)
その浸漬により、基板2の表面に、厚さ30[nm]のSiO2膜を成膜した。混合溶液中に基板2を浸漬させたため、基板2のすべての面に、SiO2膜が成膜された。このSiO2膜が表面に成膜された基板が、上述した磁気記録媒体用基板1に相当する。SiO2膜が成膜された基板の表面粗さRaを測定した。その結果、表面粗さRaは0.1[nm]になった。
(実施例2)
実施例2では、基板2にガラス基板を用い、ポリッシング工程の条件を変えた。具体的には、ポリッシング工程において、研磨量(研磨時間)を短縮した。その結果、基板2の表面粗さRaは、5[nm]であり、最大高さRmaxは、200[nm]であった。そして、実施例1と同じ方法で、この基板2の表面に、厚さ200[nm]のSiO2膜を成膜した。このSiO2膜が成膜された基板が、上述した磁気記録媒体用基板1に相当する。SiO2膜が成膜された基板の表面粗さRaは、0.1[nm]になった。
(実施例3)
実施例3では、基板2にアルミニウム基板を用いた。基板2の寸法は、実施例1と同じであるため、説明を省略する。
Claims (5)
- 円板状の基板の表面を、表面粗さRaが0.3〜5[nm]になるまで研磨する研磨工程と、
前記研磨工程後の基板に対して、液相析出法によって表面に金属酸化膜を成膜して、磁気記録媒体用基板を製造する成膜工程と、を含み、
前記成膜工程では、水溶液中に前記研磨工程後の基板を浸漬させ、前記水溶液中において金属フルオロ錯体が加水分解することにより、前記研磨工程後の基板の表面に前記金属酸化膜を成膜することを特徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法。 - 前記金属酸化膜は、二酸化ケイ素の膜であることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体用基板の製造方法。
- 前記金属酸化膜は、Si、Ti、V、Mn、Ni、Zn、Ge、Y、Zr、Nb、Sn、Sb、Ba、Ta、及びWの成分のうち、1種類又は2種類以上の成分を含む酸化膜であることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体用基板の製造方法。
- 前記基板は、ガラス基板又はアルミニウム基板であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の磁気記録媒体用基板の製造方法。
- 前記成膜工程で成膜される金属酸化膜の表面粗さRaは、0.1〜0.3[nm]であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の磁気記録媒体用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009551451A JP5440180B2 (ja) | 2008-01-29 | 2009-01-13 | 磁気記録媒体用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008017370 | 2008-01-29 | ||
JP2008017370 | 2008-01-29 | ||
PCT/JP2009/050293 WO2009096217A1 (ja) | 2008-01-29 | 2009-01-13 | 磁気記録媒体用基板の製造方法、及び磁気記録媒体 |
JP2009551451A JP5440180B2 (ja) | 2008-01-29 | 2009-01-13 | 磁気記録媒体用基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2009096217A1 JPWO2009096217A1 (ja) | 2011-05-26 |
JP5440180B2 true JP5440180B2 (ja) | 2014-03-12 |
Family
ID=40912570
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009551451A Active JP5440180B2 (ja) | 2008-01-29 | 2009-01-13 | 磁気記録媒体用基板の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5440180B2 (ja) |
WO (1) | WO2009096217A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI755466B (zh) * | 2016-12-28 | 2022-02-21 | 日商東洋鋼鈑股份有限公司 | 硬碟用基板及使用其之硬碟裝置 |
MY196313A (en) | 2017-06-30 | 2023-03-24 | Hoya Corp | Substrate For Magnetic Disks, and Magnetic Disk |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2002222514A (ja) * | 2001-01-24 | 2002-08-09 | Fuji Electric Co Ltd | 情報記録媒体用基板とその製造方法、および情報磁気記録媒体 |
JP2005277118A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | New Industry Research Organization | 微細構造キャパシタ及びその製造方法、高密度記録媒体及びその製造方法 |
JP2005289767A (ja) * | 2004-04-02 | 2005-10-20 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 金属酸化物被膜の製造方法 |
-
2009
- 2009-01-13 WO PCT/JP2009/050293 patent/WO2009096217A1/ja active Application Filing
- 2009-01-13 JP JP2009551451A patent/JP5440180B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001014662A (ja) * | 1999-06-28 | 2001-01-19 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気ディスクの製造方法 |
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JP2005277118A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | New Industry Research Organization | 微細構造キャパシタ及びその製造方法、高密度記録媒体及びその製造方法 |
JP2005289767A (ja) * | 2004-04-02 | 2005-10-20 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 金属酸化物被膜の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2009096217A1 (ja) | 2011-05-26 |
WO2009096217A1 (ja) | 2009-08-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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