CN102554763B - 磁记录介质用玻璃基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明目的在于提供可以以高生产性制造表面平滑性高、表面起伏小的磁记录介质用玻璃基板的方法。在第1次、第2次和第3次精研加工中分别使用金刚石垫20A、20B、20C。金刚石垫20A的金刚石磨粒的平均粒径为4～12μm、金刚石磨粒的含量为5～70体积％，金刚石垫20B的金刚石磨粒的平均粒径为1μm～5μm、金刚石磨粒的含量为5～80体积％，金刚石垫20C的金刚石磨粒的平均粒径为0.2μm以上且小于2μm、金刚石磨粒的含量为5～80体积％，在第1次磨光加工中，在作为研磨剂不使用氧化铈而使用氧化硅实施磨光加工的工序之前设置实施蚀刻处理的工序。

Description

磁记录介质用玻璃基板的制造方法
技术领域
本发明涉及磁记录介质用玻璃基板的制造方法。 
背景技术
硬盘驱动器(HDD)中使用的磁记录介质，其记录密度不断显著提高。特别是，自从MR磁头、PRML技术引入之后，面记录密度进一步加速提高，近年来，还引入了GMR巨磁阻磁头、TMR磁头等，以每年增加约1.5倍的速度持续提高，今后还需要实现更高的记录密度化。 
此外，随着这种磁记录介质的记录密度的提高，对该磁记录介质用基板的要求也提高了。作为磁记录介质用基板，以往使用铝合金基板和玻璃基板。其中，玻璃基板的硬度、表面平滑性、刚性、耐冲击性一般比铝合金基板优异。因此，可高记录密度化的磁记录介质用玻璃基板的受关注程度不断提高。 
在制造磁记录介质用玻璃基板时，从大块板状玻璃板切出圆盘状玻璃基板、或使用成型模具从熔融玻璃直接挤压成型出圆盘状玻璃基板，再对所得的玻璃基板的主面和端面进行精研(研削)加工和磨光(研磨)加工。 
此外，在以往的磁记录介质用玻璃基板的制造工序中依次对玻璃基板的主面进行第1次精研加工(研削)、第2次精研加工(研削)、第1次磨光加工(研磨)、第2次磨光加工(研磨)。并且在这些加工工序之间对玻璃基板的内外周的端面进行精研加工和磨光加工。 
其中，相对玻璃基板的主面，一般在进行第1次精研加工中使用金刚石磨石，在第2次精研加工中使用粒径比第1次精研加工所用的粒径更小的金刚石磨石，在第1次磨光加工中使用氧化铈浆液，在第2次磨光加工中使用粒径比第1次磨光加工使用的更小的氧化铈浆液。 
需说明的是，作为与本发明有关的现有技术文献，有例如下述专利文献1。该专利文献1中公开了，通过使用树脂、金属、玻璃化物等的金刚石颗粒进行的第1次精研加工和随后进行的使用金刚石垫实施的第2次精研加工，可以在具有表面平滑性和没有刮痕·研削痕·吸引痕等缺陷的情况下在短时间内完成加工。 
现有技术文献 
专利文献 
专利文献1：日本特许第4049510号公报 
发明内容
发明要解决的课题 
但随着最近的磁头的低上浮量化，对磁记录介质用玻璃基板的表面起伏、表面粗糙度等要求比现有技术更高的特性。通过本发明人的研究清楚了，即使通过第1次精研加工使每一面研削掉100～300μm，但在该第1次精研加工给玻璃基板带来损害时，玻璃基板会产生加工变形，这是导致作为最终制品的磁记录介质的介质表面上的长周期起伏的原因。 
此外，在玻璃基板的研磨时，使用氧化铈进行的化学机械研磨(CMP)是技术常识，但由于氧化铈价格昂贵，所以要求确立不使用氧化铈或其使用量降低的制造技术。 
本发明是鉴于这些现有状况提出的，其目的在于提供可以以高生产性制造表面平滑性高、表面起伏小、耐冲击性优异的磁记录介质用玻璃基板的磁记录介质用玻璃基板制造方法。 
解决课题的技术手段 
本发明提供以下的手段。 
(1).一种磁记录介质用玻璃基板的制造方法，相对玻璃基板的端面以外的表面至少依次进行以下工序：实施第1次精研加工的工序，实施第2 次精研加工的工序，实施第3次精研加工的工序，以及，实施磨光加工的工序，所述磁记录介质用玻璃基板的制造方法的特征在于， 
在上述第1次、第2次和第3次精研加工中使用借助结合剂固定有金刚石磨粒的金刚石垫，该金刚石垫的精研面具有排列设置了多个带有平坦顶部的扁平棋子状凸部的结构， 
上述第1次精研加工中使用的金刚石垫的、上述金刚石磨粒的平均粒径为4～12μm，并且上述凸部中的金刚石磨粒的含量为5～70体积％， 
上述第2次精研加工中使用的金刚石垫的、上述金刚石磨粒的平均粒径为1～5μm，并且上述凸部中的金刚石磨粒的含量为5～80体积％， 
上述第3次精研加工中使用的金刚石垫的、上述金刚石磨粒的平均粒径为0.2μm以上且小于2μm，并且上述凸部中的金刚石磨粒的含量为5～80体积％， 
上述磨光加工中，作为研磨剂使用氧化硅， 
在上述实施磨光加工的工序之前设置实施蚀刻处理的工序。 
(2).如上述(1)所述的磁记录介质用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述第1次、第2次和第3次精研加工中使用的金刚石垫的、上述凸部的外形尺寸为1.5～5mm见方、高度为0.2～3mm，相邻凸部之间的间隔为0.5～3mm。 
(3).一种磁记录介质用玻璃基板的制造方法，相对玻璃基板的端面以外的表面至少依次进行以下工序：实施第1次精研加工的工序，实施第2次精研加工的工序，以及，实施磨光加工的工序，所述磁记录介质用玻璃基板的制造方法的特征在于， 
在上述第1次和第2次精研加工中使用借助结合剂固定有金刚石磨粒的金刚石垫，该金刚石垫的精研面具有排列设置了多个带有平坦顶部的扁平棋子状凸部的结构， 
上述第1次精研加工中使用的金刚石垫的、上述金刚石磨粒的平均粒径为3～10μm，并且上述凸部中的金刚石磨粒的含量为5～70体积％， 
上述第2次精研加工中使用的金刚石垫的、上述金刚石磨粒的平均粒径为0.2μm以上且小于2μm，并且上述凸部中的金刚石磨粒的含量为5～80体积％， 
上述磨光加工中，作为研磨剂使用氧化硅， 
在上述实施磨光加工的工序之前设置实施蚀刻处理的工序。 
(4).如上述(3)所述的磁记录介质用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述第1次和第2次精研加工中使用的金刚石垫的、上述凸部的外形尺寸为1.5～5mm见方、高度为0.2～3mm，并且相邻凸部之间的间隔为0.5～3mm。 
(5).如上述(1)～(4)的任一项所述的磁记录介质用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述磨光加工在不使用氧化铈作为研磨剂的情况下进行。 
(6).如(1)～(5)的任一项所述的磁记录介质用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述蚀刻处理通过将上述玻璃基板浸渍在蚀刻溶液中来进行 
发明效果 
如上所述，本发明可以以高生产性制造表面平滑性高、表面起伏小、耐冲击性优异的磁记录介质用玻璃基板。 
附图说明
图1是用于说明本发明所采用的磁记录介质用玻璃基板的制造工序的图，是显示主面精研工序的立体图。 
图2A是放大显示主面精研工序中使用的金刚石垫的垫面的平面图。 
图2B是精研工序中使用的金刚石垫的垫的A-A’截面图。 
图3是用于说明本发明所采用的磁记录介质用玻璃基板的制造工序的图，是显示内外周端面精研工序的立体图。 
图4是用于说明本发明所采用的磁记录介质用玻璃基板的制造工序的图，是显示内周端面磨光工序的立体图。 
图5是用于说明本发明所采用的磁记录介质用玻璃基板的制造工序的图，是显示外周端面磨光工序的立体图。 
图6是用于说明本发明所采用的磁记录介质用玻璃基板的制造工序的图，是显示主面磨光工序的立体图。 
图7是显示本发明中使用的精研机或磨光机的其它构造例的立体图。 
具体实施方式
下面参照附图来具体说明本发明所采用的磁记录介质用玻璃基板的制造方法。 
采用本发明制造的磁记录介质用玻璃基板是具有中心孔的圆盘状玻璃基板，磁记录介质，在该玻璃基板的面上依次了叠层磁性层、保护层和润滑膜等而成。此外，磁记录再生装置(HDD)，将该磁记录介质的中心部安装在主轴电机的转轴上，一边使磁头在通过主轴电机旋转驱动的磁记录介质的面上上浮移动，一边相对磁记录介质进行信息的写入或读出。 
需说明的是，磁记录介质用玻璃基板可以使用例如、SiO2-Al2O3-R2O(R表示选自碱金属元素中的至少1种以上。)系化学强化玻璃、SiO2-Al2O3-Li2O系玻璃陶瓷、SiO2-Al2O3-MgO-TiO2系玻璃陶瓷等。其中特别优选使用SiO2-Al2O3-MgO-CaO-Li2O-Na2O-ZrO2-Y2O3-TiO2-As2O3系化学强化玻璃、SiO2-Al2O3-Li2O-Na2O-ZrO2-As2O3系化学强化玻璃、SiO2-Al2O3-MgO-ZnO-Li2O-P2O5-ZrO2-K2O-Sb2O3系玻璃陶瓷、SiO2-Al2O3-MgO-CaO-BaO-TiO2-P2O5-As2O3系玻璃陶瓷、SiO2-Al2O3-MgO-CaO-SrO-BaO-TiO2-ZrO2-Bi2O3-Sb2O3系玻璃陶瓷等。进而，例如含有二硅酸锂、SiO2系结晶(石英、方石英、鳞石英等)、堇青石、顽火辉石、钛酸铝镁、尖晶石系结晶([Mg和/或Zn]Al2O4、[Mg和/或Zn]2TiO4、以及这些结晶间的固溶体)、镁橄榄石、锂辉石、以及这些结晶间的固溶体等作为结晶相的玻璃陶瓷也适合作为磁记录介质用玻璃基板。 
在制造该磁记录介质用玻璃基板时，先从大块板状玻璃板上切出玻璃基板，或使用成型模具从熔融玻璃直接挤压成型出玻璃基板，从而得到具有中心孔的圆盘状玻璃基板。 
接着对所得的玻璃基板的端面以外的表面(主面)进行精研(研削)加工和磨光(研磨)加工。此外，在这些工序之间还包括对玻璃基板的内外周的端面实施精研加工和磨光加工的工序。需说明的是，本发明中可以使对玻璃基板的内外周端面进行的倒棱加工与上述精研加工在同一工序中进行。 
本发明所采用的磁记录介质用玻璃基板的制造方法，在对玻璃基板的两主面(最终成为磁记录介质的记录面的面)进行精研加工时，使用后述的借助结合剂固定有金刚石磨粒的金刚石垫。由此本发明可以得到起伏小、平坦性高、并且加工变形小的研削面。 
此外，将有可能在此时产生的微细裂痕通过接下来进行的蚀刻加工来除去。由此可以在对玻璃基板的两主面最后进行的磨光加工中，虽然仅用机械研磨，就可以得到耐冲击强度与现有技术同等程度的磁记录介质用玻璃基板。 
即在以往的磁记录介质用玻璃基板的制造工序中，在对玻璃基板的主面进行的磨光加工中，使用氧化铈浆液进行化学机械研磨(CMP)。在该磨光加工中，当将使用氧化铈浆液进行加工变为使用氧化硅浆液进行加工时，CMP所产生的化学研磨作用不充分。本发明中，将该化学研磨作用变为蚀刻加工，除去玻璃基板的主面产生的微细裂痕。 
这种情况下，不需要进行以往的使用氧化铈浆液进行的磨光加工，可以使以往2步进行的磨光加工变为使用氧化硅浆液的1步磨光加工。或者可以缩短使用氧化铈浆液进行磨光加工的时间，降低氧化铈浆液的使用量。此外，本发明通过在实施磨光加工之前设置实施蚀刻处理的工序，可以除去在玻璃基板的两主面上产生的微细裂痕，提高该玻璃基板的机械强度(耐冲击性)。通过这样，本发明可以降低磁记录介质用玻璃基板的研磨成本，得到高生产性。 
下面对采用本发明制造磁记录介质用玻璃基板的制造方法，参照第1实施方式和第2实施方式的各例进行具体说明。
(第1实施方式例) 
第1实施方式例中，依次进行第1次主面精研工序、内外周端面精研工序、内周端面磨光工序、第2次主面精研工序、第3次主面精研工序、外周端面磨光工序、主面蚀刻工序和主面磨光工序。 
其中，第1次主面精研工序中使用图1所示的精研机10，对玻璃基板W的两主面实施第1次精研加工。即，该精研机10具有上下一对的平盘11、12，在彼此向相反方向转动的平盘11、12之间夹着多片玻璃基板W，这样通过设置在平盘11、12上的研削垫对这些玻璃基板W的两主面进行研削。 
第1次精研加工中使用的研削垫，如图2A、2B所示，是借助结合剂固定有金刚石磨粒的金刚石垫20A，进而在该精研面20a上排列设置有多个带有平坦顶部的扁平棋子状凸部21。此外，该金刚石垫20A是通过在基材22的表面上排列形成多个借助结合剂固定有金刚石磨粒的凸部21而成的。 
其中，第1次精研加工中使用的金刚石垫20A优选凸部21的外形尺寸S为1.5～5mm见方、高度T为0.2～3mm，并且相邻凸部21之间的间隔G在0.5～3mm的范围。本发明中通过使用满足上述范围的金刚石垫20A，可以使冷却液、研削液等均匀铺展，并且使研削屑等从精研面20a的凸部21之间顺利排出。 
此外，第1次精研加工中使用的金刚石垫20A优选金刚石磨粒的平均粒径为4μm以上12μm以下、并且凸部21中的金刚石磨粒的含量在5～70体积％的范围、更优选在20～60体积％的范围。当金刚石磨粒的粒径和含量低于上述范围时，加工时间延长，使得成本提高，另一方面，当金刚石磨粒的粒径和含量大于上述范围时，难以得到所希望的表面粗糙度。需说明的是，金刚石垫20A的结合剂可以使用例如聚氨酯系树脂、酚醛系树脂、三聚氰胺系树脂、丙烯酸系树脂等树脂。 
在内外周端面精研工序中使用图3所示的精研机30，对玻璃基板W的中心孔的内周端面和玻璃基板W的外周端面实施精研加工。即，该精研机30具有内周磨石31和外周磨石32，使多片玻璃基板W在彼此的中心 孔一致的状态下夹持隔片S叠层而成的叠层体X绕轴转动，同时，使插入到各玻璃基板W的中心孔中的内周磨石31、和配置在各玻璃基板W的外周的外周磨石32在径向夹持各玻璃基板W，这些内周磨石31和外周磨石32与叠层体X反方向转动。这样在通过内周磨石31研削各玻璃基板W的内周端面的同时，通过外周磨石32研削各玻璃基板W的外周端面。 
此外，内周磨石31和外周磨石32的表面具有凸部和凹部沿着轴向交替排列的波形形状，所以可以在研削各玻璃基板W的内周端面和外周端面的同时，对各玻璃基板W的两主面与内周端面和外周端面之间的边缘部分(倒棱面)进行倒棱加工。需说明的是，对玻璃基板W的内外周端面进行的精研加工，并不限于1步，还可以是2步(第1次和第2次精研加工)。 
内周磨石31和外周磨石32借助结合剂固定有金刚石磨粒。此外，作为结合剂，可以列举出铜、铜合金、镍、钴、碳化钨等金属。内周磨石31和外周磨石32所包含的金刚石磨粒优选平均粒径为4～12μm。此外，内周磨石31和外周磨石32中优选含有5～95体积％范围的上述金刚石磨粒，更优选20～90体积％的范围。当金刚石磨粒的粒径和含量低于上述范围，加工时间延长，由此导致成本提高。另一方面，当金刚石磨粒的粒径和含量高于上述范围时，难以得到所希望的表面粗糙度。 
在内周端面磨光工序中，使用图4所示的磨光机40对玻璃基板W的中心孔的内周端面实施磨光加工。即，该磨光机40具有内周研磨刷41，在使上述叠层体X绕轴转动的同时，使插入到各玻璃基板W的中心孔中的内周研磨刷41一边与玻璃基板W反方向转动，一边沿着上下方向移动操作。此时向内周研磨刷41滴加研磨液。这样就通过内周研磨刷41研磨各玻璃基板W的内周端面。同时还对上述内外周端面精研工序中实施倒棱加工后的内周端面的边缘部分(倒棱面)进行研磨。需说明的是，研磨液可以使用将例如氧化硅(胶态二氧化硅)磨粒、氧化铈磨粒分散在水中的浆液化物。 
在第2次主面精研工序中，与第1次主面精研工序同样使用上述图1所示的精研机10对玻璃基板W的两主面实施2次精研加工。即，使在彼 此向反方向转动的上下一对的平盘11、12之间夹持多片玻璃基板W，同时通过设置在平盘11、12上的研削垫对这些玻璃基板W的两主面进行研削。 
第2次精研加工中使用的研削垫与上述图2A、2B所示的研削垫20A同样，是借助结合剂固定有金刚石磨粒的金刚石垫20B，进而在其精研面20a上排列设置了大量带有平坦顶部的扁平棋子状凸部21。此外，该金刚石垫20B是通过在基材22的表面上排列形成多个借助结合剂固定有金刚石磨粒的凸部21而成的。 
这里的第2次精研加工中使用的金刚石垫20B，与上述图2A、2B所示的金刚石垫20A同样，优选凸部21的外形尺寸S为1.5～5mm见方、高度T为0.2～3mm、并且相邻凸部21之间的间隔G为0.5～3mm的范围。本发明通过使用满足上述范围的金刚石垫20B，可以使冷却液、研削液等均匀铺展，并且使研削屑等从精研面20a的凸部21之间顺利排出。 
此外，第2次精研加工中使用的金刚石垫20B优选金刚石磨粒的平均粒径为1μm以上5μm以下、并且凸部21中的金刚石磨粒的含量为5～80体积％的范围、更优选20～70体积％的范围。当金刚石磨粒的粒径和含量低于上述范围时，加工时间延长，导致成本提高，另一方面，当金刚石磨粒的粒径和含量高于上述范围时，难以得到所希望的表面粗糙度。需说明的是，金刚石垫20B的结合剂可以使用例如聚氨酯系树脂、酚醛系树脂、三聚氰胺系树脂、丙烯酸系树脂等树脂。 
第3次主面精研工序中，与第1次、第2次主面精研工序同样，使用上述图1所示的精研机10对玻璃基板W的两主面实施第3次精研加工。即在彼此向反方向转动的上下一对的平盘11、12之间夹持多片玻璃基板W，同时通过设置在平盘11、12上的研削垫对玻璃基板W的两主面进行研削。 
第3次精研加工中使用的研削垫，与上述图2A、2B所示的研削垫20A同样，是借助结合剂固定有金刚石磨粒的金刚石垫20C，进而在该精研面20a上排列设置了多个带有平坦顶部的扁平棋子状凸部21。此外，该金刚 石垫20C是通过在基材22的表面排列形成借助结合剂固定有金刚石磨粒的凸部21而成的。 
这里，第3次精研加工中使用的金刚石垫20C与上述图2A、2B所示的金刚石垫20A同样，优选凸部21的外形尺寸S为1.5～5mm见方、高度T为0.2～3mm、并且相邻凸部21之间的间隔G为0.5～3mm的范围。本发明通过使用满足上述范围的金刚石垫20C，可以使冷却液、研削液等均匀铺展，并且使研削屑等从精研面20a的凸部21之间顺利排出。 
此外，第3次精研加工中使用的金刚石垫20C优选金刚石磨粒的平均粒径为0.2μm以上且小于2μm，并且凸部21中的金刚石磨粒的含量为5～80体积％的范围、更优选20～70体积％的范围。当金刚石磨粒的粒径和含量低于上述范围时，加工时间延长，导致成本提高，另一方面，当金刚石磨粒的粒径和含量高于上述范围时，难以得到希望的表面粗糙度。需说明的是，金刚石垫20C的结合剂可以使用例如聚氨酯系树脂、酚醛系树脂、三聚氰胺系树脂、丙烯酸系树脂等树脂。 
在外周端面磨光工序中使用图5所示的磨光机50，对玻璃基板W的外周端面实施磨光加工。即该磨光机50具有转轴51和外周研磨刷52，将多片玻璃基板W以彼此的中心孔一致的状态夹持隔片S叠层而成的叠层体X借助插进各玻璃基板W的中心孔的转轴51绕轴旋转，同时使与各玻璃基板W的外周端面接触的外周研磨刷52一边同叠层体X反方向转动，一边在上下方向移动操作。此时向外周研磨刷52滴加研磨液。这样就通过该外周研磨刷52对各玻璃基板W的外周端面进行研磨。同时对在上述内外周端面精研工序中进行了倒棱加工的外周端面的边缘部分(倒棱面)也进行研磨。需说明的是，研磨液可以使用例如将氧化硅(胶态二氧化硅)磨粒、氧化铈磨粒分散在水中的浆液化物等。 
在主面蚀刻工序中，将玻璃基板W浸渍在蚀刻溶液中对玻璃基板W的两主面进行蚀刻处理。该蚀刻处理用于完善上述现有的使用氧化铈浆液进行的CMP所产生的化学研磨作用，除去在玻璃基板W的两主面生成的微细裂痕。 
具体地说，在该主面蚀刻工序中，尽管冷略了示图，是将支持棒插进玻璃基板W的中心孔中，将通过该支持棒下吊的多片玻璃基板W浸渍到装在蚀刻槽中的蚀刻溶液中，由此对各玻璃基板W的两主面进行蚀刻处理。 
通过该蚀刻处理，蚀刻溶液浸入到上述精研加工造成的在玻璃基板W的主面产生的微细裂痕中，使微细裂痕的顶端被蚀刻成圆底形状。通过这样处理，即使该部分受到应力，也是裂痕不进一步扩大的状态。此外，深度较浅的微细裂痕通过蚀刻被除去。结果微细裂痕被除去后的玻璃基板W的机械强度(耐冲击性)提高，使用该玻璃基板W而成的磁记录介质的耐冲击性也提高。 
这样的蚀刻处理可以通过将玻璃基板W浸渍到蚀刻溶液中来进行，但并不限定要通过这样的浸渍进行蚀刻处理，通过对玻璃基板W的主面涂布蚀刻溶液的方法等也可以进行蚀刻处理。 
作为蚀刻溶液，只要是对玻璃基板W具有蚀刻作用的溶液即可，可以使用例如以氢氟酸(HF)、氟硅酸(H2SiF6)等作为主成分的氟酸系蚀刻溶液，其中，优选氢氟酸溶液。此外，通过向这种氟酸系蚀刻溶液中添加硫酸、硝酸、盐酸等无机酸，也可以调节蚀刻力、蚀刻特性。此外，氟酸系蚀刻溶液只要选择使玻璃基板W的精研加工后的表面不过度溶解或粗糙，但可以除去在玻璃基板W的两主面产生的微细裂痕的浓度即可，没有特殊限定，可以在例如0.01～10质量％的范围使用。 
玻璃基板W的浸渍条件取决于例如蚀刻溶液的种类、浓度、玻璃基板W的材质等，但蚀刻溶液的温度优选设定在例如15～65℃的范围，蚀刻(浸渍)时间优选设定在例如0.5～30分钟的范围。具体可以列举出在液温30℃、浓度0.5质量％的氢氟酸水溶液中浸渍15分钟左右的浸渍条件、或者在液温30℃、浓度1.5质量％的氢氟酸和浓度0.5质量％的硫酸的混合水溶液中浸渍10分钟左右的浸渍条件。需说明的是，该主面蚀刻工序既可以对玻璃基板W的所有表面进行蚀刻，也可以仅对主面进行局部蚀刻。此外，优选在蚀刻处理后洗净玻璃基板W以除去附着在玻璃基板W上的蚀刻溶液。 
主面磨光工序中使用图6所示的磨光机60对玻璃基板W的两主面实施磨光加工。即该磨光机60，具有上下一对的平盘61、62，在彼此向反方向转动的平盘61、62之间夹着多片玻璃基板W的情况下通过设置在平盘61、62上的研磨垫来研磨这些玻璃基板W的两主面。 
该磨光加工中使用的研磨垫是例如由聚氨酯形成的硬质研磨布。此外，在通过该研磨垫研磨(磨光)玻璃基板W的两主面时，向玻璃基板W滴加研磨液。研磨液可以使用例如氧化硅(胶态二氧化硅)磨粒分散在水中的浆液化物等。 
将以上述方式实施了精研加工和磨光加工的玻璃基板W传递给最终洗净工序和检查工序。在最终洗净工序中使用例如利用洗剂(药品)、并用超声波进行的化学洗净等方法，将玻璃基板W洗净，除去在上述工序中使用的研磨剂等。此外，在检查工序中，通过例如利用激光的光学式检查器来检查玻璃基板W的表面(主面、端面和倒棱面)有无伤痕、变形等。 
本发明采用的磁记录介质用玻璃基板的制造方法，在上述第1次、第2次和第3次精研加工中，通过使用上述图2A、2B所示的金刚石垫20A、20B、20C，可以一边使研削屑从精研面20a的凸部21之间顺利地排出，一边在短时间内将玻璃基板W的两主面加工平滑。此外，随后使以往2步(第1次和第2次磨光加工)进行的主面磨光工序仅进行1步磨光加工，所以可以减少昂贵的氧化铈磨粒的使用。此外，由于磨光加工比精研加工加工时间长，所以可以实现加工时间的缩短。因此，根据本发明，可以以高生产性制造表面平滑性高、表面起伏小、耐冲击性优异的磁记录介质用玻璃基板。 
此外，本发明通过在上述主面精研工序和主面磨光工序之间设置主面蚀刻工序，可以除去在玻璃基板W的两主面产生的微细裂痕，提高该玻璃基板W的机械强度(耐冲击性)。因此也提高使用这样的玻璃基板W而成的磁记录介质的机械强度(耐冲击性)。 
(第2实施方式例) 
第2实施方式例中依次进行第1次主面精研工序、内外周端面精研工序、内周端面磨光工序、第2次主面精研工序、外周端面磨光工序、主面蚀刻工序和主面磨光工序。 
其中，在第1次主面精研工序中使用上述图1所示的精研机10对玻璃基板W的两主面实施第1次精研加工。即，该精研机10具有上下一对的平盘11、12，在彼此向反方向转动的平盘11、12之间夹着多片玻璃基板W的状态下通过设置在平盘11、12上的研削垫来研削这些玻璃基板W的两主面。 
第1次精研加工中使用的研削垫与上述图2A、2B所示的研削垫20A同样，是借助结合剂固定有金刚石磨粒的金刚石垫20D，进而在该精研面20a上排列设置了多个带有平坦顶部的扁平棋子状凸部21。此外，该金刚石垫20D是通过在基材22的表面上排列形成多个借助结合剂固定有金刚石磨粒的凸部21而成的。 
其中，第1次精研加工中使用的金刚石垫20D优选凸部21的外形尺寸S为1.5～5mm见方、高度T为0.2～3mm、并且相邻凸部21之间的间隔G为0.5～3mm的范围。本发明通过使用满足上述范围的金刚石垫20D，可以使冷却液、研削液等均匀铺展、并且使研削屑等从精研面20a的凸部21之间顺利排出。 
此外，第1次精研加工中使用的金刚石垫20D优选金刚石磨粒的平均粒径为3μm以上10μm以下，并且凸部21中的金刚石磨粒的含量为5～70体积％的范围，更优选20～60体积％的范围。当金刚石磨粒的粒径和含量低于上述范围时，加工时间延长，导致成本提高，另一方面，当金刚石磨粒的粒径和含量高于上述范围时，难以得到所希望的表面粗糙度。需说明的是，金刚石垫20D的结合剂可以使用例如聚氨酯系树脂、酚醛系树脂、三聚氰胺系树脂、丙烯酸系树脂等树脂。 
在内外周端面精研工序中使用上述图3所示的精研机30对玻璃基板W的中心孔的内周端面和玻璃基板W的外周端面进行精研加工。即该精研机30具有内周磨石31和外周磨石32，使多片玻璃基板W以彼此的中 心孔一致的状态夹着隔片S叠层而成的叠层体X绕轴转动，同时使插进各玻璃基板W的中心孔中的内周磨石31和配置在各玻璃基板W的外周的外周磨石32径向夹持各玻璃基板W，并使这些内周磨石31和外周磨石32同叠层体X反方向转动。这样就在通过内周磨石31研削各玻璃基板W的内周端面的同时，通过外周磨石32研削各玻璃基板W的外周端面。 
此外，由于内周磨石31和外周磨石32的表面具有凸部和凹部沿着轴向交替排列的波形形状，所以可以在对各玻璃基板W的内周端面和外周端面研削的同时，对各玻璃基板W的两主面与内周端面和外周端面之间的边缘部分(倒棱面)进行倒棱加工。需说明的是，对玻璃基板W的内外周端面进行的精研加工不仅可以是1步，也可以是2步(第1次和第2次精研加工)。 
内周磨石31和外周磨石32是借助结合剂固定有金刚石磨粒而成的。此外，作为结合剂可以列举出铜、铜合金、镍、钴、碳化钨等金属。内周磨石31和外周磨石32中含有的金刚石磨粒优选平均粒径为4～12μm。此外，内周磨石31和外周磨石32优选以5～95体积％的范围含有上述金刚石磨粒，更优选20～90体积％的范围。当金刚石磨粒的粒径和含量低于上述范围时，加工时间延长，成本变高。另一方面，当金刚石磨粒的粒径和含量高于上述范围时，难以得到希望的表面粗糙度。 
内周端面磨光工序中使用上述图4所示的磨光机40对玻璃基板W的中心孔的内周端面实施磨光加工。即该磨光机40具有内周研磨刷41，使上述叠层体X绕轴转动、并使插进各玻璃基板W的中心孔中的内周研磨刷41在同玻璃基板W反方向转动的同时沿上下方向移动操作。此时，向内周研磨刷41滴加研磨液。这样就通过内周研磨刷41对各玻璃基板W的内周端面进行研磨。同时还对在上述内外周端面精研工序中实施了倒棱加工的内周端面的边缘部分(倒棱面)进行研磨。需说明的是，研磨液可以使用例如氧化硅(胶态二氧化硅)磨粒、氧化铈磨粒分散在水中的浆液化物等。 
在第2次主面精研工序中，与第1次主面精研工序同样使用上述图1所示的精研机10对玻璃基板W的两主面实施第2次精研加工。即在彼此 向反方向转动的上下一对的平盘11、12之间夹着多片玻璃基板W，同时通过设置在平盘11、12上的研削垫对这些玻璃基板W的两主面进行研削。 
第2次精研加工中使用的研削垫与上述图2A、2B所示的研削垫20A同样，是借助结合剂固定有金刚石磨粒的金刚石垫20E，进而在该精研面20a上排列设置了多个带有平坦顶部的扁平棋子状凸部21。此外，该金刚石垫20E通过在基材22的表面上排列形成了多个借助结合剂固定有金刚石磨粒的凸部21而成。 
其中，第2次精研加工中使用的金刚石垫20E与上述图2A、2B所示的金刚石垫20A同样，优选凸部21的外形尺寸S为1.5～5mm见方、高度T为0.2～3mm、并且相邻凸部21之间的间隔G为0.5～3mm的范围。本发明通过使用满足上述范围的金刚石垫20E，可以使冷却液、研削液等均匀铺展、并且使研削屑等从精研面20a的凸部21之间顺利排出。 
此外，第2次精研加工中使用的金刚石垫20E优选金刚石磨粒的平均粒径为0.2μm以上且小于2μm、并且凸部21中的金刚石磨粒的含量为5～80体积％的范围，更优选20～70体积％的范围。当金刚石磨粒的粒径和含量低于上述范围时，加工时间延长，导致成本提高，另一方面，当金刚石磨粒的粒径和含量高于上述范围时，难以得到希望的表面粗糙度。需说明的是，金刚石垫20E的结合剂可以使用例如聚氨酯系树脂、酚醛系树脂、三聚氰胺系树脂、丙烯酸系树脂等树脂。 
在外周端面磨光工序中使用上述图5所示的磨光机50对玻璃基板W的外周端面实施磨光加工。即该磨光机50具有转轴51和外周研磨刷52，使多片玻璃基板W以彼此的中心孔一致的状态夹着隔片S叠层而成的叠层体X通过插进各玻璃基板W的中心孔中的转轴51绕轴旋转，同时使与各玻璃基板W的外周端面接触的外周研磨刷52在同叠层体X反方向转动的同时沿上下方向移动操作。此时向外周研磨刷52滴加研磨液。 
这样就通过该外周研磨刷52对各玻璃基板W的外周端面进行研磨。同时还对在上述内外周端面精研工序中进行了倒棱加工的外周端面的边缘 部分(倒棱面)进行研磨。需说明的是，研磨液可以使用例如将氧化硅(胶态二氧化硅)磨粒、氧化铈磨粒分散在水中的浆液化物等。 
主面蚀刻工序中将玻璃基板W浸渍到蚀刻溶液中，对玻璃基板W的两主面进行蚀刻处理。该蚀刻处理用于完善上述现有的通过使用氧化铈浆液进行CMP所产生的化学研磨作用，除去玻璃基板W的两主面产生的微细裂痕。 
具体地说，在该主面蚀刻工序中，尽管省略了示图，是将支持棒插进玻璃基板W的中心孔中，将通过该支持棒下吊的多片玻璃基板W浸渍到装在蚀刻槽中的蚀刻溶液中，由此对各玻璃基板W的两主面进行蚀刻处理。 
通过该蚀刻处理，蚀刻溶液浸入到上述精研加工造成的、在玻璃基板W的主面产生的微细裂痕中，使微细裂痕的顶端被蚀刻成圆底形状。通过这样，即使该部分受到应力，也是裂痕不进一步扩大的状态。此外，深度较浅的微细裂痕通过蚀刻被除去。结果除去微细裂痕后的玻璃基板W机械强度(耐冲击性)提高，使用该玻璃基板W而成的磁记录介质的耐冲击性也提高。 
这样的蚀刻处理可以通过将玻璃基板W浸渍到蚀刻溶液中来进行，但并不限定要通过这样的浸渍进行蚀刻处理，通过对玻璃基板W的主面涂布蚀刻溶液的方法等也可以进行蚀刻处理。 
作为蚀刻溶液，只要是对玻璃基板W具有蚀刻作用的溶液即可，可以使用例如以氢氟酸(HF)、氟硅酸(H2SiF6)等作为主成分的氟酸系蚀刻溶液，其中，优选氢氟酸溶液。此外，通过向这种氟酸系蚀刻溶液中添加硫酸、硝酸、盐酸等无机酸，也可以调节蚀刻力、蚀刻特性。此外，氟酸系蚀刻溶液只要选择使玻璃基板W的精研加工后的表面不过度溶解或粗糙，但可以除去在玻璃基板W的两主面产生的微细裂痕的浓度即可，没有特殊限定，可以在例如0.01～10质量％的范围使用。 
玻璃基板W的浸渍条件取决于例如蚀刻溶液的种类、浓度、玻璃基板W的材质等，但蚀刻溶液的温度优选设定在例如15～65℃的范围，蚀刻(浸 渍)时间优选设定在例如0.5～30分钟的范围。具体可以列举出在液温30℃、浓度0.5质量％的氢氟酸水溶液中浸渍15分钟左右的浸渍条件、或者在液温30℃、浓度1.5质量％的氢氟酸和浓度0.5质量％的硫酸的混合水溶液中浸渍10分钟左右的浸渍条件。需说明的是，该主面蚀刻工序既可以对玻璃基板W的所有表面进行蚀刻，也可以仅对主面进行局部蚀刻。此外，优选在蚀刻处理后洗净玻璃基板W以除去附着在玻璃基板W上的蚀刻溶液。 
主面磨光工序中使用图6所示的磨光机60对玻璃基板W的两主面实施磨光加工。即，该磨光机60具有上下一对的平盘61、62，在彼此向反方向转动的平盘61、62之间夹着多片玻璃基板W的情况下通过设置在平盘61、62上的研磨垫研磨这些玻璃基板W的两主面。 
该磨光加工中使用的研磨垫是例如由聚氨酯形成的硬质研磨布。此外，在通过该研磨垫研磨(磨光)玻璃基板W的两主面时，向玻璃基板W滴加研磨液。研磨液可以使用例如将氧化硅(胶态二氧化硅)磨粒分散在水中的浆液化物等。 
将以上述方式实施了精研加工和磨光加工的玻璃基板W传送给最终洗净工序和检查工序。在最终洗净工序中使用例如利用洗剂(药品)、并用超声波进行的化学洗净等方法将玻璃基板W洗净，除去在上述工序中使用的研磨剂等。此外，在检查工序中，通过例如光学式检查器利用激光来检查玻璃基板W的表面(主面、端面和倒棱面)有无伤痕、变形等。 
本发明采用的磁记录介质用玻璃基板的制造方法，在上述第1次、第2次精研加工中，通过使用上述图2A、2B所示的金刚石垫20D、20E，可以一边使研削屑从精研面20a的凸部21之间顺利地排出，一边在短时间内将玻璃基板W的两主面加工平滑。此外，由于随后可以使以往2步(第1次和第2次磨光加工)进行的主面磨光工序仅进行1步磨光加工，所以可以减少昂贵的氧化铈磨粒的使用。此外，由于磨光加工比精研加工的加工时间长，所以可以实现加工时间缩短。因此，根据本发明，可以以高生产性制造表面平滑性高、表面起伏小、耐冲击性优异的磁记录介质用玻璃基板。 
此外，本发明通过在上述主面精研工序和主面磨光工序之间设置主面蚀刻工序，可以除去在玻璃基板W的两主面产生的微细裂痕，提高该玻璃基板W的机械强度(耐冲击性)。因此也可以提高使用这样的玻璃基板W而成的磁记录介质的机械强度(耐冲击性)。 
本发明中，作为上述第1和第2实施方式的各精研加工中使用的研削液，可以使用市售品。研削液大致分成水性的研削液和油性的研削液。水性的研削液中添加了纯水、适量的醇和作为粘度调节剂的聚乙二醇、胺、表面活性剂等。另一方面，油性的研削液中添加了适量的油、和作为极压添加剂的硬脂酸等而成的。作为市售的研削液可以使用例如水性的Sabrelube 9016(Chemetall社制)、COOLANT D3(ネオス社制)等。 
需说明的是，本发明中在上述第1和第2实施方式的各精研加工中使用的研削液、以及磨光加工中使用的研磨液中还可以添加研磨助剂、防蚀剂。 
具体地说，研磨助剂含有至少具有磺酸基或羧酸基的有机聚合物，其中优选使用具有磺酸钠或羧酸钠的平均分子量为4000～10000的有机聚合物。通过这样可以在上述工序中使玻璃基板W的表面(主面、端面和倒棱面)更加平滑。 
此外，作为含有磺酸钠或羧酸钠的有机聚合物，可以列举出例如、GEROPON SC/213(商品名/Rhodia)、GEROPON T/36(商品名/Rhodia)、GEROPON TA/10(商品名/Rhodia)、GEROPON TA/72(商品名/Rhodia)、ニユ一カルゲンWG-5(商品名/竹本油脂(株))、アグリゾ一ルG-200(商品名/花王(株))、デモ一ルEPパウダ一(商品名/花王(株))、デモ一ルRNL(商品名/花王(株))、イソバン600-SF35(商品名/(株)クラレ)、ポリスタ一OM(商品名/日本油脂(株))、Sokalan CP9(商品名/ビ一エ一エスエフジヤパン(株))、Sokalan PA-15(商品名/ビ一エ一エスエフジヤパン(株))、トキサノンGR-31A(商品名/三洋化成工业(株))、ソルポ一ル7248(商品名/东邦化学工业(株))、シヤロ一ルAN-103P(商品名/第一工业制薬(株))、アロンT-40(商品名/东亞合成化学工业(株))、パナカヤクCP(商品名/日本化薬 (株))、デイスロ一ルH12C(商品名/日本乳化剂(株))等。此外，作为研磨助剂，其中特别优选使用デモ一ルRNL(商品名/花王(株))、ポリスタ一OM(商品名/日本油脂(株))。 
此外，使用该玻璃基板W制作的磁记录介质一般在磁性层中含有Co、Ni、Fe等容易腐蚀的物质。因此通过在上述研削液、研磨液中添加防蚀剂，可以得到防止磁性层腐食、电磁转换特性优异的磁记录介质。 
作为防蚀剂优选使用苯并三唑或其衍生物。此外，作为苯并三唑的衍生物可以使用苯并三唑所具有的1个或2个以上的氢原子被例如、羧基、甲基、氨基、羟基基等取代而成的取代物等。进而作为苯并三唑的衍生物可以使用4-羧基苯并三唑或其盐、7-羧基苯并三唑或其盐、苯并三唑甲酸丁酯、1-羟基甲基苯并三唑、1-羟基苯并三唑等。防蚀剂的添加量优选相对于金刚石浆液使用时的总量为1质量％以下，更优选0.001～0.1质量％。 
需说明的是，本发明并不限于上述实施方式，在不超出本发明的思想的范围内可以进行各种变化。 
例如，关于上述第1和第2实施方式的各精研工序中使用的精研机、以及磨光工序中使用的磨光机还可以是例如图7所示的以下构造：具有上下一对的下平盘71和上平盘72、以及在下平盘71的与上平盘72对向的面上配置的多个行星轮架73，在设置在各行星轮架73上的多个(本实施方式中是35个。)开口部74上放置玻璃基板(图中未示出。)，将这些多个玻璃基板的两主面通过设置在下平盘71和上平盘72上的研削垫进行研削或通过研磨垫进行研磨。 
具体地说，下平盘71和上平盘72通过驱动马达(图中未示出。)使分别设置在它们的中心部的转轴71a，72a旋转驱动，由此可以以彼此的中心轴一致的状态使彼此向反方向转动。此外，下平盘71的与上平盘72对向的面上设置用于配置多个(本实施方式是5个。)行星轮架73的凹部75。 
多个行星轮架73是由通过混入例如聚芳酰胺纤维、玻璃纤维而被强化的环氧树脂等形成的圆盘状。并且这些多个行星轮架73在凹部75的内侧排列配置在转轴71a的周围。此外，在各行星轮架73的外周部遍及全周设 置有行星齿轮部76。另一方面，在凹部75的内周部以与各行星轮架73的行星齿轮部76啮合的状态设置有与转轴71a一起转动的太阳齿轮部77。在凹部75的外周部设置有与各行星轮架73的行星齿轮部76啮合的固定齿轮部78。 
通过这样，当太阳齿轮部77与转轴71a一起转动时，通过太阳齿轮部77和固定齿轮部78与行星齿轮部76之间的啮合，多个行星轮架73在凹部75内与该转轴71a向同一个方向在转轴71a的周围转动(公转)。与此同时，多个行星轮架73分别围绕各轮架的中心轴与转轴71a反向转动(自转)。进行所谓的行星运动。 
因此，上述第1和第2实施方式的各精研工序中使用的精研机、以及磨光工序中使用的磨光机，通过采用上述构造，可以一边使保持在各行星轮架73的开口部75上的多个玻璃基板进行行星运动，一边将其两主面通过设置在下平盘71和上平盘72上的研削垫进行研削或通过研磨垫进行研磨。此外，在该构造的情况中，可以以更高精度、迅速对玻璃基板进行研削或研磨。 
实施例 
下面将通过实施例来更进一步说明本发明的效果。需说明的是，本发明不受以下实施例限定，可以在不改变其思想的限度内适当变化。 
(实施例1) 
实施例1中首先使用外径48mm、中心孔12mm、厚度0.560mm的玻璃基板(オハラ社制、TS-10SX)。 
然后对该玻璃基板依次进行第1次主面精研工序、内外周端面精研工序、内周端面磨光工序、第2次主面精研工序、第3次主面精研工序、外周端面磨光工序、主面蚀刻工序和主面磨光工序。 
具体地说，在第1次主面精研工序中使用具有上下一对的平盘的精研机，在彼此向反方向转动的平盘之间夹着多片玻璃基板的情况下将这些玻璃基板的两主面通过设置在平盘上的研削垫进行研削。此时，作为第1次 精研加工的研削垫使用金刚石垫(住友3M社制トライザクト(商品名))。该金刚石垫，凸部的外形尺寸为2.6mm见方、高度为2mm、相邻凸部之间的间隔为1mm、金刚石磨粒的平均粒径为9μm，凸部中的金刚石磨粒的含量为约20体积％，作为结合剂使用丙烯酸系树脂。此外，精研机使用4路型两面精研机(浜井产业株式会社制16B型)，使平盘的转速为25rpm、加工压力为120g/cm2，进行15分钟研削。将COOLANT D3(ネオス社制)用水稀释10倍后作为研削液使用，玻璃基板的每一面的研削量为约100μm。 
在内外周端面精研工序中使用具有内周磨石和外周磨石的精研机，以边使多片玻璃基板以彼此中心孔一致的状态夹着隔片叠层而成的叠层体绕轴转动，一边通过插进各玻璃基板的中心孔中的内周磨石和配置在各玻璃基板W的外周的外周磨石径向夹持各玻璃基板，一边使这些内周磨石和外周磨石同叠层体反方向转动，一边通过内周磨石对各玻璃基板的内周端面进行研削，同时通过外周磨石对各玻璃基板的外周端面进行研削。此时，内周磨石和外周磨石使用含有80体积％的平均粒径10μm的金刚石磨粒、并且作为结合剂使用镍合金的磨石。并且使内周磨石的转速为1200rpm、外周磨石的转速为600rpm，进行30秒钟研削。 
在内周端面磨光工序中，使用具有内周研磨刷的磨光机，一边向内周研磨刷滴加研磨液，一边使上述叠层体绕轴转动，并且使插进到各玻璃基板的中心孔中的内周研磨刷在同玻璃基板反方向转动的同时沿上下方向移动操作，由此对各玻璃基板的内周端面进行研磨。此时内周研磨刷使用尼龙刷，研磨液使用氧化铈浆液。并且使内周研磨刷的转速为300rpm，研磨10分钟。 
在第2次主面精研工序中使用具有上下一对的平盘的精研机，在彼此向反方向转动的平盘之间夹着多片玻璃基板的状态下将这些玻璃基板的两主面通过设置在平盘上的研削垫进行研削。此时，第2次精研加工的研削垫使用金刚石垫(住友3M社制トライザクト(商品名))。该金刚石垫的、凸部的外形尺寸为2.6mm见方、高度为2mm、相邻凸部之间的间隔为1mm、 金刚石磨粒的平均粒径为3μm，并且凸部中的金刚石磨粒的含量为约50体积％，结合剂使用丙烯酸系树脂。此外，精研机使用4路型两面精研机(浜井产业株式会社制16B型)，使平盘的转速为25rpm、加工压力为120g/cm2，进行10分钟研削。将COOLANT D3(ネオス社制)用水稀释10倍作为研削液使用，使玻璃基板的每一面的研削量为约30μm。 
在第3次主面精研工序中使用具有上下一对的平盘的精研机，在彼此向反方向转动的平盘之间夹着多片玻璃基板的情况下将这些玻璃基板的两主面通过设置在平盘上的研削垫进行研削。此时，第3次精研加工的研削垫使用金刚石垫(住友3M社制トライザクト(商品名))。该金刚石垫的、凸部的外形尺寸为2.6mm见方、高度为2mm、相邻凸部之间的间隔为1mm、金刚石磨粒的平均粒径为0.5μm，并且凸部中的金刚石磨粒的含量为约60体积％，作为结合剂使用丙烯酸系树脂。此外，精研机使用4路型两面精研机(浜井产业株式会社制16B型)，使平盘的转速为25rpm、加工压力为120g/cm2，进行10分钟研削。将COOLANT D3(ネオス社制)用水稀释10倍作为研削液，使玻璃基板每一面的研削量为约10μm。 
在外周端面磨光工序中使用具有外周研磨刷的磨光机，一边向外周研磨刷滴加研磨液，一边再次使多片玻璃基板以彼此的中心孔一致的状态夹着隔片叠层而成的叠层体通过插进各玻璃基板的中心孔的转轴绕轴旋转，并且使与各玻璃基板的外周端面接触的外周研磨刷一边同叠层体反方向转动一边沿上下方向移动操作，由此对各玻璃基板的外周端面进行研磨。此时外周研磨刷使用尼龙刷，研磨液使用氧化铈浆液。并且使研磨刷的转速为300rpm，进行10分钟研磨。 
在主面蚀刻工序中将玻璃基板浸渍到蚀刻溶液中对玻璃基板W的两主面进行蚀刻处理。使用浓度0.5质量％的氢氟酸水溶液作为蚀刻溶液，使液温为30℃、浸渍时间为2分钟。蚀刻处理是通过在以6.35mm的间隔设置了25个宽1.4mm的沟部的、直径9mm的、由PEEK(聚醚醚酮树脂)制成的支持棒上下吊25片玻璃基板，一边使该支持棒以2转/分钟旋转， 一边使各玻璃基板浸渍在装在蚀刻槽中的蚀刻溶液中。并且在蚀刻处理后使用纯水洗净玻璃基板。 
在主面磨光工序中使用具有上下一对的平盘的磨光机，使彼此向反方向转动的平盘之间夹着多片玻璃基板，一边向玻璃基板滴加研磨液，一边将这些玻璃基板的两主面通过设置在平盘上的研磨垫进行研磨。此时，磨光加工的研磨垫使用仿麂皮型(Suede type，FiLWEL制)，研磨液使用通过将固体成分含量为40质量％的二氧化硅研磨剂溶液(平均粒径0.08μm、フジミ制Compol)加入到水中，使二氧化硅含量为0.5质量％，从而调制出的研磨浆液。此外，磨光机使用4路型两面精研机(浜井产业株式会社制16B型)，一边以7升/分钟供给研磨液，一边使平盘的转速为25rpm、加工压力为110g/cm2进行30分钟研磨。使玻璃基板每一面的研磨量为约2μm。 
然后，通过阴离子性表面活性剂并用超音波对所得的玻璃基板进行化学洗净，并且用纯水进行洗净，就得到了实施例1的磁记录介质用玻璃基板。 
(实施例2) 
实施例2省略了上述实施例1的第3次主面精研工序，为第1次、第2次主面精研工序这两步。第1次精研加工的研削垫使用金刚石垫(住友3M社制トライザクト(商品名))。该金刚石垫的、凸部的外形尺寸为2.6mm见方、高度为2mm、相邻凸部之间的间隔为1mm、金刚石磨粒的平均粒径为4μm，并且凸部中的金刚石磨粒的含量为约50体积％，结合剂使用丙烯酸系树脂。此外，精研机使用4路型两面精研机(浜井产业株式会社制16B型)，使平盘的转速为25rpm、加工压力为120g/cm2进行10分钟研削。将COOLANT D3(ネオス社制)用水稀释10倍作为研削液使用，使玻璃基板每一面的研削量为约30μm。除此以外，以与实施例1同样的方式制造磁记录介质用玻璃基板。 
(比较例1) 
比较例1中不进行上述实施例1的主面蚀刻工序，除此以外以与实施例1同样的方式制造磁记录介质用玻璃基板。 
(比较例2) 
比较例2中不进行上述实施例2的主面蚀刻工序，除此以外以与实施例2同样的方式制造磁记录介质用玻璃基板。 
测定这些实施例1、2和比较例1、2的各磁记录介质用玻璃基板的表面粗糙度Ra和微小起伏Wa。需说明的是，表面粗糙度Ra和微小起伏Wa的测定使用原子力显微镜(Digital Instruments制D3000)。 
结果实施例1的磁记录介质用玻璃基板的表面粗糙度Ra为0.28nm、微小起伏Wa为0.20nm。此外，实施例2的磁记录介质用玻璃基板的表面粗糙度Ra为0.31nm、微小起伏Wa为0.24nm。另一方面，比较例1的磁记录介质用玻璃基板的表面粗糙度Ra为0.33nm、微小起伏Wa为0.25nm。此外，比较例2的磁记录介质用玻璃基板的表面粗糙度Ra为0.34nm、微小起伏Wa为0.26nm。因此，实施例1、2与比较例1相比，可以制造表面平滑性更高，起伏更小的玻璃基板(磁记录介质用玻璃基板)。 
此外，对这些通过实施例1、2和比较例1、2得到的磁记录介质用玻璃基板评价耐冲击强度。该耐冲击度的评价中，将各磁记录介质用玻璃基板卡在电机的转轴上，使该玻璃基板一边在0rpm～15000rpm的范围急速加减速一边旋转10分钟，调查玻璃基板的破损率。结果，实施例1的玻璃基板的破损率为3％、实施例2的玻璃基板的破损率为5％、比较例1的基板的破损率为19％、比较例2的玻璃基板的破损率为22％。 
附图标记说明 
10...精研机 
11、12...平盘 
20A，20B...金刚石垫 
20A...精研面 
21...凸部 
22...基材 
30...精研机 
31...内周磨石 
32...外周磨石 
40...磨光机 
41...内周研磨刷 
50...磨光机 
51...转轴 
52...外周研磨刷 
60...磨光机 
61、62...平盘 
71...下平盘 
72...上平盘 
73...齿轮 
74...开口部 
75...凹部 
76...行星齿轮部 
77...太阳齿轮部 
78...固定齿轮部 
W...玻璃基板 
X...叠层体 
S...隔片。 

Claims (6)

1.一种磁记录介质用玻璃基板的制造方法，相对玻璃基板的端面以外的表面至少依次进行以下工序：实施第1次精研加工的工序，实施第2次精研加工的工序，实施第3次精研加工的工序，以及，实施磨光加工的工序，所述磁记录介质用玻璃基板的制造方法的特征在于，
在上述第1次、第2次和第3次精研加工中使用借助结合剂固定有金刚石磨粒的金刚石垫，该金刚石垫的精研面具有排列设置了多个带有平坦顶部的扁平棋子状凸部的结构，
上述第1次精研加工中使用的金刚石垫的、上述金刚石磨粒的平均粒径为4～12μm，并且上述凸部中的金刚石磨粒的含量为5～70体积％，
上述第2次精研加工中使用的金刚石垫的、上述金刚石磨粒的平均粒径为1～5μm，并且上述凸部中的金刚石磨粒的含量为5～80体积％，
上述第3次精研加工中使用的金刚石垫的、上述金刚石磨粒的平均粒径为0.2μm以上且小于2μm，并且上述凸部中的金刚石磨粒的含量为5～80体积％，
上述磨光加工中，作为研磨剂使用氧化硅，
在上述实施磨光加工的工序之前设置实施蚀刻处理的工序。
2.如权利要求1所述的磁记录介质用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述第1次、第2次和第3次精研加工中使用的金刚石垫的、上述凸部的外形尺寸为1.5～5mm见方、高度为0.2～3mm，相邻凸部之间的间隔为0.5～3mm。
3.一种磁记录介质用玻璃基板的制造方法，相对玻璃基板的端面以外的表面至少依次进行以下工序：实施第1次精研加工的工序，实施第2次精研加工的工序，以及，实施磨光加工的工序，所述磁记录介质用玻璃基板的制造方法的特征在于，
在上述第1次和第2次精研加工中使用借助结合剂固定有金刚石磨粒的金刚石垫，该金刚石垫的精研面具有排列设置了多个带有平坦顶部的扁平棋子状凸部的结构，
上述第1次精研加工中使用的金刚石垫的、上述金刚石磨粒的平均粒径为3～10μm，并且上述凸部中的金刚石磨粒的含量为5～70体积％，
上述第2次精研加工中使用的金刚石垫的、上述金刚石磨粒的平均粒径为0.2μm以上且小于2μm，并且上述凸部中的金刚石磨粒的含量为5～80体积％，
上述磨光加工中，作为研磨剂使用氧化硅，
在上述实施磨光加工的工序之前设置实施蚀刻处理的工序。
4.如权利要求3所述的磁记录介质用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述第1次和第2次精研加工中使用的金刚石垫的、上述凸部的外形尺寸为1.5～5mm见方、高度为0.2～3mm，并且相邻凸部之间的间隔为0.5～3mm。
5.如权利要求1～4的任一项所述的磁记录介质用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述磨光加工在不使用氧化铈作为研磨剂的情况下进行。
6.如权利要求1～4的任一项所述的磁记录介质用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述蚀刻处理通过将上述玻璃基板浸渍在蚀刻溶液中来进行。
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