JP2008310897A - 磁気記録媒体用基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【解決課題】 基板端面の面ダレを改善した磁気記録媒体が得られ、加工コストを削減可能で、自動化に適した磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】 単結晶シリコン被処理基板または多結晶シリコン被処理基板について、研削条件を２段階以上に変えて超砥粒砥石または砥粒により機械研削することにより、研削後の加工面における加工変質層が１μｍ以下になるようにする工程を含む磁気記録媒体基板の製造方法である。
【選択図】 なし

Description

本発明は、磁気記録媒体用基板の製造方法に関する。

磁気記録の記録密度（面密度）の向上は非常に急激で、量産レベルで１００Ｇｂｉｔ／インチ²の製品が出荷され始めており、実験室レベルではその倍の２００Ｇｂｉｔ／インチ²以上の面記録密度が報告されている。この記録密度では、通常のデスクトップパソコン（３．５”ＨＤＤ搭載）やノートブックパソコン（２．５”ＨＤＤ搭載）の使用用途では、既に充分な容量である。しかし、最近ビデオレコーダーや音楽用小型ハードディスクドライブ［ＨＤＤ］の普及に伴い、更に高密度化して大容量にする必要性が増えてきている。

記録密度は今後も向上が期待されている。ただ、従来の水平磁気記録方式は熱揺らぎの記録限界にほぼ達しており、１００Ｇｂｉｔ／インチ²〜２００Ｇｂｉｔ／インチ²の記録密度に到達するところで、垂直磁気記録に順次切り替わりつつある。垂直磁気記録の記録限界がどの当たりにあるかは現時点では定かではないが、５００ Ｇｂｉｔ／インチ²以上で、１０００ Ｇｂｉｔ／インチ² （１Ｔｂｉｔ／インチ²）まで達成可能と考えられている。このような高記録密度が達成できると、２．５” ＨＤＤ１プラッター当たり６００〜７００ Ｇｂｙｔｅの記録容量が得られることになる。

テレビ録画用途などを除いて、通常の用途では２．５”ＨＤＤ以下の口径で充分間に合う。２．５” よりも小口径の記録メディアも実用化されており、１．８”ＨＤＤ、１”ＨＤＤがあり、過去には１．３”ＨＤＤが発売されたこともある。パソコン（特にノートパソコン）以外に、デジタルカメラ・情報端末や携帯音楽機器・携帯電話など幅広いモバイル用途に使える。

ＨＤＤの記録メディアの基板には主に、３．５”基板がＡｌ合金基板、２．５”用にガラス基板が使用されている。ノートブックパソコンのようなモバイル用途ではＨＤＤが衝撃を受ける可能性が高く、これらに搭載される２．５”ＨＤＤは、ヘッドの面打ちで記録メディアやヘッドが傷ついたり、データが破壊される可能性が高いので、硬度の高いガラス基板が使用されるようになった。２．５”以下の小口径基板において、主にガラス基板が使用されている。

しかしながら、２”以下の小口径基板はモバイル用途で主に用いられるので、ノートブックパソコンに搭載されている２．５”基板以上に、耐衝撃性が重要である。また、より小型にする必要から基板を含めた部品全体の小型化・薄型化が求められる。２．５”基板の標準厚みである０．６３５ｍｍより更に薄い板厚が、２”以下の基板では求められる。例えば１”基板厚みは０．３８１ｍｍである。このような小口径基板に要求される仕様か
ら、ヤング率が高く薄板でも充分な強度が得られ、製作しやすい基板が求められている。ガラス基板はアモルファス強化ガラスで０．３８１ｍｍ厚の１”基板が実用化されている
が、これ以上の薄板化がしにくい。また、ガラス被処理基板は概ね０．８ｍｍ台の板厚のものを使用するが、ＨＤＤ用被処理基板に要求されるガラス組成では製作上これ以上の薄板化はしにくい。そのため、０．８ｍｍ台の板厚から０．５ｍｍ台や更にそれ以下の板厚まで、ラップ研磨で調厚する必要がある。調厚するため、ラップ時間がかなり長くなり、加工時間や加工コストの上昇を招き望ましくない。

また、ガラス基板は当然非導電体であるので、スパッタ成膜において基板上のチャージアップの問題があるので、磁性膜との良好なコンタクトを確保するため、基板と磁性膜との間にバッファ金属膜を入れる必要がある。この技術課題は基本的に克服されているが、スパッタ成膜過程でガラス基板の使用を難しいものにしている要因の１つである。基板に導電性が付与できるのであればそれに越したことはないが、ガラス基板では難しい。

その他のサファイアガラス、ＳｉＣ基板、エンジニアリングプラスティック基板、カーボン基板などの代替基板が幾つも提案されたが、強度・加工性・コスト・表面平滑性・成膜親和性などの評価基準から、小口径基板の代替基板としては何れも不充分である。

本発明者らはＳｉ単結晶基板をＨＤＤ記録膜基板として使用することを提唱している。Ｓｉ単結晶基板は基板平滑性や環境安定性や信頼性に優れ、剛性もガラス基板と比較して高いので、ＨＤＤ基板として優れている（例えば、特許文献１を参照）。ガラス基板とは異なり、導電性は少なくとも半導体特性である。また、通常のウェハでは何等かのＰ型もしくはＮ型のドーパントが含まれていることが多いので、導電性は更に高い。したがって、ガラス基板のようなスパッタ成膜時のチャージアップ問題はなく、Ｓｉ基板上への金属膜の直接スパッタ成膜が可能である。また、熱伝導性も良好であるので、基板加熱も容易で、スパッタ成膜工程との親和性も大変良好である。

Ｓｉ単結晶基板は半導体ＩＣ用に、主に直径１５０ｍｍから３００ｍｍまでのウェハで、特に面方位（１００）のものが主に量産されている。現在流通量の多い１５０ｍｍないし２００ｍｍウェハからコア抜きにより、所望の小口径基板を切り抜いてから所定の形状に仕上げている。
図３はＳｉウェハを被処理基板として使用し、ＨＤＤ用磁気記録媒体基板を製作する従来から行われている概略工程である。かかる工程ではまず、Ｓｉウェハについてコア抜き、芯取りを行い、ラップ加工２１、端面研磨、１段研磨２３および２段研磨２４からなる研磨工程を行う。

まずラップ加工２１は、具体的には、基板表面の凸凹を平滑（ １〜 ３μ）にし、加工変質層を一定レベル（ ４〜 ７μｍ）に抑えることと板厚を所定の厚みに揃えることを目的としてラップ定盤を用いて行っている（例えば、特許文献２を参照）。
しかしながら上述のようにＳｉウェハを加工すると、通常基板表面の結晶が崩れたり、マイクロクラックが入ったりすることにより材質的に変化し、加工変質層が発生しやすいという問題がある。またラップ加工は厚み制御がしにくくバラツキが大きい、自動化がしにくい、廃液の環境性などの問題が発生している。

研磨（ポリッシュ）を行う基板は、上記加工変質層がない状態にあることが望ましく、図３の従来工程ではラップ加工２１をした後、研磨工程に先立ち、通常エッチング２２によって加工変質層を除去している。しかしながらエッチングしてしまうと精度を出した面が劣化してしまうことになる。
ポリッシュ工程自体についても研磨パッドやスラリーの管理が大変である点や、研磨時間が長く自動化がしづらいなど加工コスト上の問題が起きている。

また半導体ウェハでは問題にならなかった端面の面ダレもＨＤＤ磁気記録媒体基板用としては改善が必要である。面ダレが大きいと記録再生ヘッドが基板上の面ダレ部分に追従できなくなり、記録容量が大きく制約されるという問題が起きるからである。
特開平６−６８４６３号公報 特開２００５−０５０５０６号公報

本発明は、上記現状に鑑み、基板端面の面ダレを改善した磁気記録媒体基板が得られ、加工コストを削減可能で、自動化に適した磁気記録媒体基板の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、上記課題を解決するためになされたものである。すなわち、本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法は、単結晶シリコン被処理基板または多結晶シリコン被処理基板について、研削条件を２段階以上に変えて超砥粒砥石または砥粒により機械研削することにより、研削後の加工面における加工変質層が１μｍ以下になるようにする工程を含むものである。
本発明にかかる磁気記録媒体基板の製造方法は、また、単結晶シリコン被処理基板または多結晶シリコン被処理基板についてコア抜きおよび芯取りを行う工程と、前記芯取りにより発生した加工変質層をエッチングにより除去する工程と、前記被処理基板の端面について鏡面化するまで研磨を行い、被研削基板を得る工程と、前記被研削基板について、上記２段階以上の機械研削を行う工程と、前記機械研削を行った基板について研磨を行う工程と、洗浄工程とをこの順に含むものである。

本発明の磁気記録媒体基板の製造方法を用いることにより、磁気記録媒体用シリコン基板の自動化製造が容易となり、寸法のバラツキを少なくすることができる。
本発明の磁気記録媒体基板の製造方法によれば、研磨に先立ちエッチングを行う必要がなくなり、さらに研磨量を低減させることができるので基板の端面における面ダレを改善することができる。

本発明にかかる磁気記録媒体基板の製造方法（以下、「本発明の製法」という）は、特にＳｉウェハからコア抜き加工により製作した、小口径の磁気記録媒体基板の製造、例えば、直径が６５ｍｍ以下（ここで記述している口径は呼び径である）の磁気記録媒体基板の製造に好適に用いられる。かかる磁気記録媒体基板は、例えば、ノートブックパソコンのようなモバイル用途のハードディスクドライブ［ＨＤＤ］の磁気記録媒体基板等に好適に採用することができる。
以下に、本発明の製法を、図１のフローチャートを参照して詳細に説明する。なお、本発明は以下に説明する形態に制限されるものではない。

本発明者が検討した工程を図１に示す。
図１では、従来のラップ工程２１、１段研磨工程２３を集約して２段階もしくは２段階以上に分けて研削加工１１を行っている。このような工程を採用した場合でも、研削加工を行った基板には加工変質層が残留しているので、本来であればエッチングを行う必要があるが、エッチングしてしまうと上述のように精度を出した面が劣化してしまうことになる。
一方、エッチングを行わず、深い加工変質層を残したまま研磨（ポリッシュ）を行うと加工変質層が取りきれず、ピットなどの表面欠陥となって現れ、歩留を悪くするおそれがある。
本発明者は鋭意検討した結果、加工変質層を１μｍ以下に抑えることができれば、エッチングをしなくても少量の研磨を行う研磨工程１２で該加工変質層を除去できることを発見した。
すなわち、本発明の製法は、２段階以上にわけて機械研削１１を行い、該機械研削１１に引き続き行われる研磨工程１２で除去できる程度に加工変質層を低減させることよりなる。具体的には、該加工変質層の厚さが１μｍ以下に抑えられるまで研削を行うことよりなる。
本明細書において、２段階以上の機械研削における「研削」とは、超砥粒を結合材に分散させた固定砥粒（砥石）を用い、機械的な定寸切り込みにより、高効率に寸法精度を確保し形状精度、加工変質層をできるだけ小さくすることを意味する。一方、「研磨」とは、コロイダルシリカなどの遊離砥粒と軟らかい研磨パッドを用い、前加工で得られた形状精度を崩さずに、平滑化および加工変質層除去を行い仕上げ加工とすることを意味する点で、「研削」と「研磨」とは概念上明確に区別される用語である。

本発明にかかる機械研削は、まず板厚を従来の１段研磨工程の前の水準の寸法に仕上げる調厚と、加工時間の短縮とを目的として好ましくは＃６００以上の砥石（２５μｍ以下）で第１機械研削１１ａ（粗研削）を行うことからなる。第１機械研削１１ａに用いる砥石の粒度を粗くしすぎると加工変質層が深くなり、引き続き行う第２機械研削１１ｂで取り去るためには研削量を多くしなければならないという問題が発生する。

次に厚みバラツキ±１μｍ調厚をすませたシリコン基板に対して超砥粒砥石により第２機械研削１１ｂ（精密研削）を行う。
超砥粒砥石とはダイヤモンド、ＣＢＮ等の研削力が高い砥粒を指すが、シリコンの研削にはダイヤモンドが有効である。ワークの表面粗さを低減させるためにダイヤモンド粒の微粒化が有効であり、＃３０００以上（５μｍ以下）、好ましくは＃５０００〜＃１２０００の砥石を使用することができる。従来の１段研磨を経た面の面精度（平滑性（Ｒａ）０．２〜０．５ｎｍ）に近づけるためにはできるだけ微粒のダイヤモンド粒を使用したほうがよく、できれば＃８０００以上（平均粒径２μｍ以下）が望ましい。
結合材については破壊靱性が低く弾性があり自生発刃が活発で目詰まりを起こしにくいビトリファイドボンド、レジンボンド等が表面粗さの低減に有効であるが、研削くずの排出が容易なビトリファイドボンドを使用することが望ましく、ダイヤモンドは結合剤に対し２５容積％〜５０容積％含まれている。
微粒の超砥粒砥石を用いて主面の第２機械研削１１ｂを行うことにより、従来の１段研磨２３を経た面の面精度に近い表面精度を出すことができる。

２段階以上の機械研削の研削条件は、上述したメッシュ（砥粒径）のほかに、砥石回転数、テーブル回転数、送り速度、スパークアウト等を変えることで調整することができる。
２段階の機械研削とは、第１機械研削１１ａおよび第２機械研削１１ｂを各１段階行うことをいうが、２段階以上の機械研削は、第１機械研削１１ａもしくは第２機械研削１１ｂのいずれかまたは両方を２段階以上に分けて行うことをいう。機械研削は、２段階以上であれば、加工時間、加工コストの観点から上限を４段階とすることができる。２段階以上に分けて行う場合は、各段階で条件を変えて行ってもよいし、条件を変えないで行ってもよい。
第１機械研削１１ａは、砥石回転数１０００〜４０００ｒｐｍ、テーブル回転数３０〜１２０ｒｐｍ、送り速度１〜５０μｍ／分、スパークアウト１０〜５０秒で行う。
第２機械研削１１ｂは、砥石回転数１０００〜４０００ｒｐｍ、テーブル回転数３０〜１２０ｒｐｍ、送り速度１〜５０μｍ／分、スパークアウト１０〜５０秒で行う。
第２機械研削１１ｂは、第１機械研削１１ａに比べて砥石回転数を多くすることが好ましく、送り速度を小さくすることが好ましい。

通常２段階の機械研削１１により、加工変質層は１μｍ以下、好ましくは０．１〜０．３μｍとすることができる。加工変質層の厚さは、図２（ａ）（ｂ）に示すように基板１７の中央部１８から１×１ｍｍ試料を採取し、電子線を照射し透過型電子顕微鏡［ＴＥＭ］計測により観察された画像において、基板表面に観察された変質部１９のうち最も深い変質部の深さＴ１を計測し求めた値である。
２段階の機械研削で加工変質層の厚さが１μｍ以下にならなかった場合には、再度第２機械研削を繰り返し、加工変質層の厚さが１μｍ以下になるようにする。 本発明の製法においては、このように２段階以上の機械研削１１をした後の被研磨面の表面粗さがＲａで１５ｎｍ以下、Ｗａで５ｎｍ以下、μＷａで５ｎｍ以下となっていることが好ましい。Ｒａが１５ｎｍを超えると、次工程の研磨で研磨のこり（ポリッシュできない部分）が発生する場合があり、Ｗａ、μＷａが５ｎｍを超えると、最終研磨で所定の精度が得られない場合がある。
本発明の製法は、被研磨面のＲａ、Ｗａ及びμＷａのすべてを上述の特定数値範囲にすることにより、従来の２段研磨２４に相当する後述の少量の仕上げ研磨１２のみで目標とする表面精度、具体的にはＲａが０．２ｎｍ以下、Ｗａが０．２５ｎｍ以下、μＷａが０．２５ｎｍ以下の表面精度を得ることができる。

上記２段階以上の機械研削工程を含む一連の工程、すなわち、単結晶シリコン被処理基板または多結晶シリコン被処理基板についてコア抜き１３および芯取り１４を行う工程と、前記芯取り１４により発生した加工変質層をエッチング１５により除去する工程と、前記被処理基板の端面について研磨１６を行い、被研削基板を得る工程と、前記被研削基板について、上述の２段階以上の機械研削１１（１１ａ，１１ｂ）を行う工程と、前記機械研削を行った基板について少量の仕上げ研磨１２を行う工程と、洗浄工程とをこの順に含む磁気記録媒体の製造方法もまた、本発明の一つである。
一連の工程について簡単に説明する。
まずコア抜き１３は、円盤状のハードディスク基板をレーザ加工やウォータジェット等により加工する工程である。
その後芯取り１４を内外径形状面取加工機を用いて行い、芯取りで発生した加工変質層をエッチング１５によって除去する。エッチング１５は通常酸やアルカリによって行うが、アルカリの場合はＮａＯＨやＫＯＨの１〜３０％水溶液を加温して行い、表面を化学反応によって溶解することで取り除く。
その後に端面研磨１６を行う。端面研磨１６はコロイダルシリカなどの研磨材を用いて、表面状態が鏡面となるまで研磨を行う。端面の鏡面化は精密研削を行う場合に端面部からＳｉ粒の脱落を起こさせない重要な工程になる。
こうして得られた被研削基板に対し、平面研削盤あるいは両頭研削盤で２段階もしくはそれ以上の段階に分けて上述のように研削加工を行うことになる。
なお、機械研削盤は、凹凸が０．１〜１μｍの切削面を有する研削盤であることが望ましい。
以上のように機械研削を終えた後、２段階以上の機械研削によって生じた厚さ１μｍ以下の加工変質層を除去する目的で研磨処理を行う。片面研磨量としては、１μｍ〜５μｍ程度で従来の２段研磨を経た面と同程度の面精度を得ることができる。片面研磨量は、基板の研磨前厚みと研磨後の厚みとをマイクロメータ（ミツトヨ社製）等で測定しその差を２で割って得られた値である。研磨処理は、ＣＭＰ（ケミカル・メカニカル・ポリッシュ）といった従来公知の処理方法を採用することができる。
上記一連の製造工程によれば、ラッピング工程が不要になり、それに伴ってラッピング工程後、研磨に先立ち行っていたエッチング工程が不要となるので、加工コストが削減できる。また、機械研削加工を固定砥粒による加工にすることで磁気記録媒体用シリコン基板の自動化製造が容易とすることができる。
また基板端面と研磨パッドの接触により起こる端面の面ダレは、研磨量を多くするほど大きくなる傾向があるが、２段階以上の機械研削を経た後の端面は面ダレがほとんどない特徴がある。
本発明の製法は、２段階以上の機械研削の後の研磨工程１２における研磨量が少ないので、研磨後の面ダレについても改善することができる。

本発明の製法で得られた表面が平滑性を有する磁気記録媒体用基板上に、軟磁性膜や磁性膜である記録膜等の膜をスパッタやメッキ等により積層することにより、垂直磁気記録媒体を製造することができる。

実施例１
芯取り、ＮａＯＨによるエッチング、端面研磨した外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、結晶面方位（１００）の単結晶シリコン基板を、第１機械研削として、メッシュ＃１０００のビトリファイドボンドからなる研削材を用いて砥石回転数２０００ｒｐｍ、テーブル回転数８０ｒｐｍ、送り速度２０μｍ／分、スパークアウト３０秒で６０μｍ（片面３０μｍ）研削した。得られた基板についてＴＥＭを用いて加工変質層の厚さを測定したところ、１０．５μｍであった。
次に第２機械研削として、メッシュ＃８０００のビトリファイドボンド砥石（ダイヤモンド４０容量％）からなる研削材を用いて砥石回転数３０００ｒｐｍ、テーブル回転数９０ｒｐｍ、送り速度１０μｍ／分、スパークアウト３０秒で３０μｍ（片面１５μｍ）研削を行った。得られた基板についてＴＥＭを用いて加工変質層の厚さを測定したところ、０．３２μｍであった。

２段階の機械研削を経て得られた基板の研削面、および、後述の研磨を経た後の面について表面状態（Ｒａ，Ｗａ，μＷａ）を下記測定方法によって確認した。結果を表１に示す。
算術平均粗さ［Ｒａ］：接触式表面粗さ計（品番ＳＵＲＦＴＥＳＴ ＳＶ−６００、ミツトヨ社製）によるＪＩＳ Ｂ０６０１（１９９４）に準拠した粗さ測定
ウェビネス［Ｗａ］：白色光干渉計型凹凸形状測定機（Ｏｐｔｉ Ｆｌａｔ、Ｐｈａｓｅ Ｓｈｉｆｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）による基板全面測定
マイクロウェビネス［μＷａ］：３次元表面構造解析顕微鏡（ＺｙｇｏＮｅｗＶｉｅｗ５０２２、Ｚｙｇｏ社製）による２ｍｍ×２ｍｍ視野測定

（加工変質層の厚さ評価）
メッシュ＃１０００のビトリファイドボンド砥石（ダイヤモンド４０容量％）からなる研削材を用いて第１機械研削を経た直後の加工面、および、メッシュ＃８０００のビトリファイドボンド砥石（ダイヤモンド４０容量％）からなる研削材を用いて第２機械研削を経た直後の加工面について、透過型電子顕微鏡［ＴＥＭ］（Ｈ９０００ＮＡＲ 日立製）を用いて、加工変質層の厚さを計測した。
結果を表２に示す。

続いて、第２機械研削を経た基板について、両面研磨装置（品番：ＵＳＰ−９Ｂ、不二越機械工業社製）を用いてＣＭＰ（ケミカル・メカニカル・ポリッシュ）方式で、スエードパッドとコロイダルシリカ研磨剤（フジミ社製、ＣＯＭＰＯＬ５０、平均粒径４０〜６０ｎｍ）により、回転数３０ｒｐｍのもと２μｍ（片面）基板表面を研磨したところ、従来の２段研磨と同等の面精度（Ｒａ）０．１〜０．２ｎｍを有する基板を得ることができた。
また、加工変質層に起因するピットの発生は起こらなかった。

（面ダレの測定）
上記研磨を経た基板について３次元表面構造解析顕微鏡（ＺｙｇｏＮｅｗＶｉｅｗ５０２２、Ｚｙｇｏ社製）を用いて、基板中心からの距離がＲ３２〜Ｒ３０．５（単位ｍｍ）の範囲でのＰＶ高低差（最大高低差）を測定した。結果を表３に示す。

比較例１
芯取りをした外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、結晶面方位（１００）の単結晶シリコン基板を両面ラップ盤により研磨剤（ＦＯ（Ａｌ−Ｚｒ−Ｏ系研磨材）＃１２００）を用いて面圧：１００ｇ／ｃｍ²、回転数３０ｒｐｍで３０分間ラップ処理を行い、５０質量％ＮａＯＨで７０℃で１５分間エッチングした後、端面研磨を行った。次いで、１段研磨として両面研磨装置にＳＲＩＳ ０１０１に準拠して測定された硬度８０（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）のウレタンパットを用いてコロイダルシリカの研磨剤（フジミ社製、ＣＯＭＰＯＬ５０、平均粒径４０〜６０ｎｍ）により、定盤回転数３０ｒｐｍのもと１３μｍ（片面）基板表面を研磨した。
得られた基板の加工面について測定装置を用いて表面状態（Ｒａ，Ｗａ，μＷａ）を確認した。結果を表１に示す。

比較例２
比較例１の１段研磨を経た基板について、２段研磨として、両面研磨装置に硬度６０のスエードパッドとコロイダルシリカ研磨剤（フジミ社製、ＣＯＭＰＯＬ５０、平均粒径４０〜６０ｎｍ）を用い、回転数３０ｒｐｍのもと２μｍ（片面）基板表面を研磨した。
得られた基板の加工面について測定装置を用いて表面状態（Ｒａ，Ｗａ，μＷａ）を確認した。結果を表１に示す。

表１から、２段階の機械研削工程を経た実施例１の加工面の面精度は、最も重要な精度指標であるＷａおよびμＷａについて、従来の２段研磨を経た面の面精度に近いデータが得られ、超砥粒砥石による精密研削が有効であることが確認された。
また同程度の面精度を得るために従来工程では研磨総量として片面１５μｍの研磨が必要であったが、本発明では片面２μｍの研磨量となり、結果として、面ダレの原因となりうる研磨量を大幅に削減できた。

実施例２
実施例１と同様にしてメッシュ＃４０００のビトリファイドボンド砥石（ダイヤモンド４０容量％）からなる研削材を用いて第１機械研削を経た直後の加工面、および、メッシュ＃９０００のビトリファイドボンド砥石（ダイヤモンド４０容量％）からなる研削材を用いて第２機械研削を経た直後の加工面について、ＴＥＭを用いて加工変質層の厚さを計測した。結果を表２に示す。
また第２機械研削を経た基板について、実施例１と同じ条件で研磨を行ったところ、加工変質層に起因するピットの発生は起こらなかった。
実施例３
メッシュ＃３０００のビトリファイドボンド砥石（ダイヤモンド４０容量％）からなる研削材を用いて第１機械研削を経た直後の加工面、および、メッシュ＃５０００のビトリファイドボンド砥石（ダイヤモンド４０容量％）からなる研削材を用いて第２機械研削を経た直後の加工面について、ＴＥＭを用いて加工変質層の厚さを計測した。結果を表２に示す。
また第２機械研削を経た基板について、実施例１と同じ条件で研磨を行ったところ、加工変質層に起因するピットの発生は起こらなかった。

表２から、加工変質層の厚みを１μｍ以下とするためにはメッシュ＃３０００（５μｍ以下）の砥粒で第２段階以降の機械研削をする必要があることがわかった。

表３から、２段階の機械研削を経た実施例１は、ラップ加工、エッチング、２段研磨工程を経た比較例１に比べて、面ダレが大幅に減少していることが確認された。

図１は、本発明にかかる磁気記録媒体基板の製造工程を示すフローチャートである。 図２（ａ）は、本発明にかかる磁気記録媒体基板における加工変質層の厚さ測定位置を示し、図２（ｂ）は、加工変質層の特定方法を示す。 図３は、従来の磁気記録媒体基板の製造工程を示すフローチャートである。

符号の説明

１１ ２段階以上の機械研削工程
１１ａ 第１機械研削
１１ｂ 第２機械研削
１２ 少量研磨
１３ コア抜き
１４ 芯取り
１５ エッチング
１６ 端面研磨
１７ 基板
１８ 中央部
１９ 変質部
２１ ラップ加工
２２ エッチング
２３ １段研磨
２４ ２段研磨

Claims (6)

1. 単結晶シリコン被処理基板または多結晶シリコン被処理基板について、研削条件を２段階以上に変えて超砥粒砥石または砥粒により機械研削することにより、研削後の加工面における加工変質層が１μｍ以下になるようにする工程を含む磁気記録媒体基板の製造方法。
2. 前記単結晶シリコン基板または多結晶シリコン基板の直径が、６５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体基板の製造方法。
3. 機械研削に用いる前記超砥粒砥石または砥粒のメッシュが、第１段階の機械研削において＃６００以上（２５μｍ以下）であり、第２段階以降の機械研削において＃３０００以上（５μｍ以下）の砥粒で機械研削することを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体基板の製造方法。
4. 前記２段階以上の機械研削を経た最終研削面の表面粗さが、Ｒａで１５ｎｍ以下、Ｗａで５ｎｍ以下、μＷａで５ｎｍ以下となるように機械研削を行うことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気記録媒体基板の製造方法。
5. 単結晶シリコン被処理基板または多結晶シリコン被処理基板についてコア抜きおよび芯取りを行う工程と、
   前記芯取りにより発生した加工変質層をエッチングにより除去する工程と、
   前記被処理基板の端面について鏡面化するまで研磨を行い、被研削基板を得る工程と、
   前記被研削基板について、請求項１ないし４のいずれかに記載の２段階以上の機械研削を行う工程と、
   前記機械研削を行った基板について仕上げ研磨を行う工程と、
   洗浄工程と
   をこの順に含む磁気記録媒体基板の製造方法。
6. 前記機械研削を行った後の研磨工程における片面研磨量が、１μｍ〜５μｍである請求項５に記載の磁気記録媒体の製造方法。

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