JP4072142B2 - 磁気記録媒体用基板の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、非磁性基板の製造法に関し、好ましくは内径20mm以下、より好ましくは内径12mm以下の小口径磁気記録媒体用基板の高効率な製造方法を提供することを目的とする。
単結晶シリコン棒1をスライスして直径200mm単結晶Siウェハ2を得た後、コア抜き工程において直径65mm以下内径20mm以下の複数のドーナツ状基板3を得る。ドーナツ基板3は、好ましくは、内周端面と外周端面を面取りされ、端面研磨される。その後、通常は、アルカリエッチング、両面研磨工程と洗浄工程が行なわれる。
好ましくは、コア抜き工程の前又は後、例えば、コア抜き工程の前、コア抜き工程と面取り工程との間、面取り工程と端面研磨工程との間、又は端面研磨工程の後に、より好ましくは、コア抜き工程の前、面取り工程と端面研磨工程との間、又は端面研磨工程の後に、単結晶シリコンウェハ又はドーナツ状基板の表面を好ましくは10μm〜100μm研削除去するラップ工程とを含んでもよい。
半導体グレードSi単結晶ウェハは高価であり、該単結晶原板を使用して65mm径基板を製作しても、ガラス基板の数倍から10倍近くのコストになってしまう。幾らSi単結晶基板の特性が優れていたとしても、これだけのコスト差があっては実用化が難しい。
ウォータジェット加工法では、ピアッシング(予備穴あけ)後に外周の加工をするため、ドーナツ状の円形基板が破損しやすくなり、また、真円度の悪い円形基板になることがある。
ラップ工程により、ウェハ原板又はドーナツ状円形基板のそりやうねりを抑制でき、また、後工程の適切な研磨量を設定するための調厚をすることができる。
面取り角度や寸法は標準寸法として概ね規定されている。通常は、面取り工程により製品とすることができる。しかし、端面に付着した砥粒や加工屑などが基板強度低下の原因として働き、基板破壊の起点となる可能性があるので、面取り工程後に端面研磨を行い、その後エッチング処理により歪み層を取り除くことが好ましい。端面は、ドーナツ状基板の内径側面と外径側面をいう。
アルカリエッチング工程は、ラップ工程、端面研磨工程の加工歪を除去するために、例えば40〜60℃にした2〜60重量%NaOH水溶液に浸漬することにより行なわれる。
アルカリエッチングされた基板の表裏面を研磨する工程は、公知の方法で行なえば良い。例えば、キャリアに装着した基板を、上定盤と下定盤で挟み回転させて、コロイダルシリカを砥粒として研磨すれば良い。
洗浄工程は、公知の方法で行なえば良い。例えば、ブラシ洗浄、アルカリ及び/又は酸溶液に薬液洗浄等である。
記録層の上には、保護層と潤滑層を設けてよい。
以下は、実施例の概要である。
大口径単結晶シリコン棒1よりスライスが行われ、ウェハ2が形成される。次に、ウェハ2の厚みと表面を整えるために砥粒を用いてラップを行う。次に、ウォータジェット加工により、またはレーザ加工により、内径側のコア抜きを行った後、カップ砥石加工により、外径側コア抜きを行い、ウェハからドーナツ状の円形基板3を切り出す。以上により、複数枚の基板が形成される。次に、基板の内周端面と外周端面の砥石による面取りが行われる。引き続き基板の表裏面の研磨加工が行われ、所望の基板ができ上がる。次に、洗浄工程で基板に付着した研磨剤等を除去し基板の製造を完了する。
大口径単結晶シリコン棒1を用いて、直径200mmのウェハ2を得て、ラップを行った。ウォータジェット加工(ガーネット粒子#220)により、直径7mmの内径側コア抜きを行い、カップ砥石加工装置により直径26mmの外径側コア抜きを行って、ドーナツ状円形基板3を36枚得た。引き続き、コア抜きを行い、ウェハ2を5枚加工するのに271分かかり、173枚の基板3が得られたが、途中内径側コア抜きでチッピングが発生した7箇所は外径側コア抜きを行わなかった。
内径側コア抜きをYAGレーザ加工装置(YAGレーザ)で行った他は、実施例1と同様の処理を行い、ウェハ2を5枚加工するのに285分かかり、チッピング無く180枚の基板3が得られた。
内外径のコア抜きをどちらもカップ砥石加工装置により行った他は、実施例1と同様の処理を行い、ウェハ2を5枚加工するのに436分かかり、112枚の基板3が得られたが、内径コア抜き加工途中1枚のウェハが破損し、その他チッピングが発生した32箇所は外径コア抜きを行わなかった。
内外径のコア抜きをどちらもウォータジェット加工により行った他は、実施例1と同様の処理を行い、ウェハ2を5枚加工するのに51分かかり、129枚の基板3が得られたが、外径コア抜き加工途中1枚のウェハが破損し、その他チッピングが発生した15箇所は外径コア抜きを行わなかった。
内外径のコア抜きをどちらもYAGレーザ加工により行った他は、実施例1と同様の処理を行い、ウェハ2を5枚加工してチッピング無く144枚の基板3が得られたが時間は80分かかり、外径コア抜き加工途中1枚のウェハが破損した。
内径を12mm、外径を48mmとした他は、実施例1と同様の処理を行い、ウェハ2を5枚加工するのに122分かかり、51枚の基板3が得られたが、チッピングが発生した4箇所は外径コア抜きを行わなかった。
内径を12mm、外径を48mmとした他は、実施例2と同様の処理を行い、ウェハ2を5枚加工するのに129分かかり、チッピング無く55枚の基板3が得られた。
内外径のコア抜きをどちらもカップ砥石加工装置により行い、内径を12mm、外径を48mmとした他は、実施例1と同様の処理を行い、ウェハ2を5枚加工するのに218分かかり、43枚の基板3が得られたが、チッピングが発生した12箇所は外径コア抜きを行わなかった。
2 単結晶Siウェハ
3 ドーナツ状基板
Claims (2)
- 直径150mm以上で300mm以下の単結晶シリコンウェハをコア抜き加工して外径65mm以下の複数のドーナツ状基板を得るコア抜き工程を含んでなる磁気記録媒体用基板の製造方法であって、内径と外径のコア抜きが、異なる手段で行われ、上記コア抜き工程における内径コア抜きにウォータジェット加工又はレーザ加工を用い、上記コア抜き工程における外径コア抜きにカップ砥石加工を用いる磁気記録媒体用基板の製造方法。
- 上記コア抜き工程における内径コア抜きが、内径を20mm以下とするように行なわれる請求項1に記載の磁気記録媒体用基板の製造方法。
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