JPH0997427A

JPH0997427A - 磁気記録媒体の製造方法

Info

Publication number: JPH0997427A
Application number: JP27633495A
Authority: JP
Inventors: Yuzo Yamamoto; 裕三山本
Original assignee: Kao Corp
Current assignee: Kao Corp
Priority date: 1995-09-29
Filing date: 1995-09-29
Publication date: 1997-04-08

Abstract

(57)【要約】【解決手段】（ａ）延性モード加工により基板の表面を
研削して、表面に扇状の加工痕を有する、Ｒａ（表面粗
さ）が５〜３００Åである表面加工基板を得る工程、
（ｂ）工程（ａ）で得られる表面加工基板を仕上げ研磨
に付して、鏡面加工基板を得る工程、および（ｃ）工程
（ｂ）で得られる鏡面加工基板上に少なくとも下地層、
磁性層、保護層からなる記録媒体構成層を形成し、磁気
記録媒体を得る工程、からなることを特徴とする磁気記
録媒体の製造方法。【効果】本発明により、従来法より効率良く、欠陥が少
なく、かつメディア特性の良好な磁気記録媒体を製造す
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体の製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、セラミックスやカーボンに代表さ
れるような脆性材料からなる基板の精密加工技術、特に
超平滑加工技術が求められている。例えば、ガラス基
板、カーボン基板、セラミックス基板等の基板は、磁気
記録媒体用基板としての用途がある。また、シリコンウ
エハー等は半導体の材料として用いられる。上記の磁気
記録媒体用基板やシリコンウエハーには超平滑性が要求
されることから、これらの基板については一般的に、遊
離砥粒を用いて平滑化が行われる。記録密度、記憶容量
の増加に伴い、この平滑性の要求は年々厳しくなり、平
均粗さＲａで１０Å以下や、５Å以下が求められる時代
となっている。

【０００３】遊離砥粒を用いて特にガラス基板、カーボ
ン基板、セラミックス基板、シリコンウエハーのような
脆性材料の研磨を行う場合、基板の脆さのために研磨時
にマイクロクラックが発生することがある。このような
クラックには、基板を磁気記録媒体化した際に記録再生
エラーを誘発したり、また研磨時等に入り込む汚染物
質、又は放置中に毛管凝縮する水によって基板の腐食を
誘発する、という危険性が存在する。このため従来は、
生産性を犠牲にして研磨工程を多段階に分けることによ
りマイクロクラックの発生の抑制に努めているのが一般
的である。また、遊離砥粒による研磨は極めてアート的
技術要素が多いため、品質安定化には高度な熟練を必要
としていた。したがって、かかる方法で磁気記録媒体の
製造に用いられる、Ｒａが小さい鏡面加工基板を得るに
は、時間、手間、そして熟練性が必要となる。

【０００４】さらに別の問題として、研磨後の基板中に
砥粒の一部が残留するという問題がある。この残留物は
洗浄を行っても完全な除去は困難である。砥粒が残留し
たまま基板にスパッタ膜を成膜すると、砥粒残留に起因
する膜欠陥が発生し、その結果磁気ヘッドを損傷させる
ことになる。また、遊離砥粒を用いて上記基板を研磨す
る場合は、材料の不均質性に由来する研磨ムラ、即ち研
磨されやすい部分が深く研磨されることによるくぼみ
（シャローピット）、が発生するという問題がある。

【０００５】このような問題を解決するために、遊離砥
粒を使わないで平滑化を行う方法が種々検討されてお
り、そのひとつとして固定砥粒による延性モード加工で
の研削により平滑化を行う方法が提案されている（原
ら、１９９２年度精密工学会秋季大会学術講演会講演論
文集第１９頁及び第２０頁）。延性モード加工でカーボ
ン基板、セラミックス基板のような脆性材料の研削を行
うことは次の様な効果が期待できるため、より好ましい
ものと考えられる。即ち、この方法では、１）個々の砥
粒の基板への食い込み量をその基板の延性−脆性遷移点
以下に設定できるため、基板の加工形態が脆性破壊から
延性（塑性）変形中心にコントロールでき、マイクロク
ラックの発生が抑制される、２）遊離砥粒を使わなくて
もよいため、基板に砥粒が残留する危険性がない、３）
平坦度に優れ、遊離砥粒法で見られるエッジ部での面だ
れ性が少ない、４）固定砥粒の消耗が軽微であるため、
使い捨ての遊離砥粒の場合に比べて消耗工具費用が大幅
に安くなる、５）アート的技術要素が少なく、工程管
理、全自動化が容易である、６）材質の不均一性の有無
によらず均一な研削面が得られる、というメリットがあ
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
原らの方法ではＣＵＰＥ製超精密研削盤にカップホイー
ルを装着して研削を行っているので、研削痕は図１に示
すような多重あやめ形状となる。このような研削痕では
ところどころで研削痕同士が交差し、重なった点でマイ
クロクラックが発生するおそれがあったり、研削痕の密
度差が径方向に現れ、内周側と外周側とでは表面に残留
する内部応力又は加工変質層の分布にムラが生じる。こ
のため、表面の物理・化学特性が不均一となり、表面の
エッチング性、表面に成膜した場合の密着性や耐蝕性等
に差が生じたり、ソリの原因となったりするおそれがあ
る。

【０００７】また、固定砥粒付両面研磨機を用いて研削
した場合も、研削痕はランダムなクロス状となり、研削
痕同士が交差点を数多くもつことになるためマイクロク
ラックの発生のおそれがあった。さらに、カップホイー
ルを用いた平面研削加工の場合、工作物とホイール作業
面とは面接触している。そのため、切り込み送り方向は
接触面と直角となり、切り込み方向の研削抵抗が過大な
ため被加工基板およびホイールが損傷しやすく、脱粒を
招いて被加工基板に深いスクラッチ傷やマイクロクラッ
クを与えやすい。したがって、かかる方法で鏡面加工基
板を得るには、次の段階である仕上げ研磨工程で上記の
傷等が完全に除去されるまで研磨を行う必要があるた
め、仕上げ研磨に時間がかかり、結果として磁気記録媒
体の生産性向上の足かせとなっている。

【０００８】したがって、本発明の目的は、上記課題を
解決すべくより効率的な磁気記録媒体の製造方法を提供
することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の目的
を達成するために鋭意研究した結果、基板表面を研削す
る際に、研削に用いる砥石の設定切り込み深さを０．０
５〜２０μｍとして砥石中にある個々の砥粒の切り込み
深さをその基板の延性−脆性遷移点以下に保ちつつ平面
研削機を用いて研削痕が扇状に形成されるように研削を
行うことにより、マイクロクラックの発生が抑制される
こと、その際にストレートホイールの外周を用いて平面
研削加工を行えば、被加工基板とホイール作業面とは線
接触をなすため、加工時の被加工基板およびホイールの
損傷が著しく改善されること、並びに上記のように研削
された表面加工基板は、いわゆる加工変質層が薄く、Ｒ
ａも小さいため、短時間で仕上げ研磨を行うことがで
き、その結果磁気記録媒体の生産性の向上が達成できる
ことを見出し、本発明を完成するに至った。

【００１０】即ち、本発明の要旨は、（１）（ａ）延性モード加工により基板の表面を研削
して、表面に扇状の加工痕を有する、Ｒａ（表面粗さ）
が５〜３００Åである表面加工基板を得る工程、（ｂ）
工程（ａ）で得られる表面加工基板を仕上げ研磨に付し
て、鏡面加工基板を得る工程、および（ｃ）工程（ｂ）
で得られる鏡面加工基板上に少なくとも下地層、磁性
層、保護層からなる記録媒体構成層を形成し、磁気記録
媒体を得る工程、からなることを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法、（２）基板の材料がカーボンである前記（１）記載の
製造方法、（３）工程（ａ）での延性モード加工の際の砥石の設
定切り込み深さが、０．０５〜２０μｍである前記
（１）又は（２）記載の製造方法、（４）工程（ａ）での延性モード加工が電解インプロ
セスドレッシングを用いた延性モード加工である前記
（１）〜（３）いずれか記載の製造方法、（５）工程（ａ）においてループ剛性が１５０Ｎ／μ
ｍ以上の研削装置を用いて研削を行う前記（１）〜
（４）いずれか記載の製造方法、（６）鏡面加工基板のＲａが１〜２０Åである前記
（１）〜（５）いずれか記載の製造方法、並びに（７）鏡面加工基板の平坦度が１０μｍ以下である前
記（１）〜（６）いずれか記載の製造方法、に関するも
のである。

【００１１】

【発明の実施の形態】

１．工程（ａ）について工程（ａ）は、延性モード加工により基板の表面を研削
して、表面に扇状の加工痕を有する、Ｒａが５〜３００
Åである表面加工基板を得る工程である。工程（ａ）に
おいて研削される基板は、成形直後又は焼成直後のもの
であってもよく、Ｒａ（表面粗さ）が０．０５〜２０μ
ｍ、好ましくは０．１〜２．０μｍのもの、いわゆる表
面の粗加工や中間加工を終えたものであってもよい。換
言すれば、工程（ａ）においては、（１）成形直後又は
焼成直後の基板、（２）成形直後又は焼成直後の基板を
従来法により表面を粗加工したもの、（３）中間加工ま
でを従来法により行ったもの、が延性モード加工による
研削の対象となる。なお、基板の粗研削、中間研削につ
いては特に限定されるものではなく、遊離砥粒法による
研磨や固定砥粒法による研削など通常行われる公知の方
法により行えばよいが加工変質層やスクラッチ等が少な
くなるため、条件を選択することが好ましい。また、本
明細書におけるＲａは、触針式表面粗さ計（Ｔｅｎｃｏ
ｒ（株）製：型式Ｐ２）を用いて下記条件で測定して得
た値である。

【００１２】測定条件触針先端半径：０．６μｍ（針曲率半径）触針押し付け圧力：７ｍｇ測定長：２５０μｍ×８箇所トレース速度：２．５μｍ／秒カットオフ：１．２５μｍ（ローバスフィルタ
ー）

【００１３】本発明における基板の材料としては特に限
定されるものではなく、通常用いられる公知のものでよ
いが、本発明においては、特に脆性材料の研削時にその
効果を充分発揮できるため、脆性材料が好ましい。その
具体例としてはカーボン、ガラス、セラミックス、シリ
コン等が挙げられる。中でも、カーボンは研削安定性に
優れ、低いＲａが得られるため、本発明の製造方法はカ
ーボン基板への適用において特に優れた効果が得られ
る。

【００１４】本明細書における扇状の加工痕の「扇状」
とは、図２に模式的に示したような、実質的に同心円状
の形状である。当該同心円の中心は基板上にあってもよ
く、基板外にあってもよい。好ましくは、基板の半径ｒ
₁と加工痕の半径ｒ₂との関係が、ｒ₂≧ｒ₁を満たす
ものであり、より好ましくは、被加工基板（ワーク）の
取り付け作業性及び装置の加工精度の点から、１００ｒ
₁≧ｒ₂≧２ｒ₁の関係を満たすものである。

【００１５】本明細書において「延性モード加工」と
は、脆性材料においてもクラックの発生を伴わない塑性
流動的な除去加工、即ち脆性破壊（破砕）ではなく材料
の無損傷を特徴とする研削加工を意味する。かかる加工
技術は、材料への個々の砥粒の切込み深さを常に延性−
脆性遷移点以下に保つことにより達成される。このこと
を達成する手段としては特に限定されるものではなく、
通常用いられる公知の方法を用いることができる。例え
ば、上記の脆性材料であるカーボン、ガラス、セラミッ
クス、シリコンを含む、一般的に磁気記録媒体用基板や
シリコンウエハー等に用いられる材料の多くは、その延
性−脆性遷移点（ｄｃ）が２〜１００ｎｍであるため、
延性モード加工の際の砥石の設定切り込み深さを０．０
５〜２０μｍ、好ましくは０．１〜１０μｍ、より好ま
しくは０．１〜５μｍとすればよい。ここで、砥石の設
定切り込み深さは、装置位置決め精度の観点から０．０
５μｍ以上が好ましく、研削負荷及びマイクロクラック
発生を抑制する観点から２０μｍ以下とするのが好まし
い。

【００１６】さらに、その砥石の設定切り込み深さに応
じてホイール（固定砥粒）外周の肩にＲをつけること
は、砥石の設定切り込み深さが大きくてもマイクロクラ
ックのない延性加工面が得られるため、より好ましい。
Ｒの形状等については、個々の砥粒の切り込み深さが被
研削材料のｄｃより小さくなるよう設定すればよい。例
えば、下記で表される式において、

【００１７】

【数１】

【００１８】（ここで、ｄ_Nは被加工基板１回転当たり
の切り込み深さであり、次式で表される。

【００１９】

【数２】

【００２０】また、ｆは被加工基板１回転当たりのホイ
ール横送り量、Δは設定切り込み深さ、Ｒはホイール外
周の肩の曲率半径、ｄ_gは個々の砥粒の切り込み深さ、
ａは砥粒の間隔、Ｖ_wは被加工基板周速度、Ｖ_sはホイ
ール周速度、及びＤはホイール直径を示す。）ｄ_g＜ｄｃとなるように設定すればよい。

【００２１】ところで、砥石の設定切り込み深さが０．
０５〜２０μｍでの延性モード加工を達成するために
は、研削装置、砥粒等は次の条件を満たす必要がある。１）動剛性が極めて高い砥石スピンドルの設計と製作。
半径方向、軸方向の運動誤差が１００ｎｍ以下。２）動剛性の極めて高い工作物支持及び運動系の設計と
製作。経験則から、加工機工具と工作物間のループ剛性
として１５０Ｎ／μｍ（静剛性）以上の値。３）ホイールの高精度ツルーイング及び適度な気孔度を
確保するための砥粒結合剤のドレッシング。さらに、ホ
イール上の個々の砥粒の切れ刃高さ分布がｄｃ以下であ
ることが望ましい。

【００２２】したがって、工程（ａ）において用いられ
る研削装置としては、上記の諸条件を満たすものであれ
ば特に限定されるものではない。具体的には、例えば、
（株）日進機械製作所製超精密平面研削装置（ＨＰＧ−
２Ａ）等が挙げられる。超精密平面研削装置（ＨＰＧ−
２Ａ）は、脆性材料の延性モード加工を目的として開発
されたものであり、次のような特質を有する。１）半径、軸方向の運動精度が１００ｎｍ以下２）加工機工具と工作物間のループ剛性が１７０Ｎ／μ
ｍ（静剛性）３）ツルーイング精度が１００ｎｍしたがって、この超精密平面研削装置（ＨＰＧ−２Ａ）
は上記装置条件のすべてを満たすものである。

【００２３】また、扇状の加工痕を形成させるには、例
えば、被加工基板（ワーク）をワークスピンドルの工作
物取り付け面板（ワークテーブル）上で、ワークスピン
ドル回転中心を含まないように、即ちｒ₂≧ｒ₁の関係
を満たすように偏心して取り付けてその面板を回転さ
せ、ストレートホイールに微小切り込みを与えた上、ホ
イールを面板にそって横送りすればよい。偏心度が０、
即ち、ワークをワークテーブルの中心に取り付けても、
交差しない加工痕を付与できるが、その場合ワークを１
枚しか取り付けられないため、生産性が低く、好ましく
ない。本発明の方法では、複数枚のワークの取り付けが
可能であるため、生産性、研削コスト低減の点でも有利
である。

【００２４】工程（ａ）における研削について、図３を
参照して説明する。ここで図３は、超精密平面研削装置
（ＨＰＧ−２Ａ）の概略構成図である。本装置はストレ
ートホイールの外周を用いてトラバース研削を行うロー
タリー平面加工機である。ＮＣは２軸の制御を行う。す
なわち、Ｘ軸（ワークテーブルのトラバース送り）とＺ
軸（ホイールの切り込み送り）の位置決めである。

【００２５】この機械の設計上の特徴は、Ｘ軸、Ｚ軸のＴ字形平面配置、ねじを用いないクロ
ーズドループ位置決め方式、１０ｎｍのレーザスケー
ル、Ｖ−Ｖすべり案内面、低熱膨張鋳鉄、基準真直ゲージによる真直度インプロセス補正、である。また性能としては、指令分解能１０ｎｍでの輪郭加工、を特徴としている。研削ホイールの母線形状は修正ホイ
ールの位置をＸＺで制御することにより創成され、目的
とする正確な形状を得ることが可能である。また、本装
置を用いて研削痕が扇状となるように研削するには、例
えば図４に示すように、被加工基板をワークテーブル上
に取り付ければよい。

【００２６】脆性材料をクラックなしに研削する（延性
モード研削）ためには、個々の砥粒の切り込み深さを延
性−脆性遷移点（ｄｃ値）以下に保つことが必要であ
る。そのためには高剛性かつ高精度の加工機が要求され
る。本装置は研削ホイール軸単体では１３００Ｎ／μｍ
以上、ワークテーブル軸単体では１０００Ｎ／μｍ以
上、ループ剛性として１５０Ｎ／μｍ以上で、上記条件
を満たすものである。ワークテーブルのスラスト方向の
振れ、研削ホイール軸のラジアル方向の振れ、ツルーイ
ング後の研削ホイールの外周振れは、共に１００ｎｍ以
下である。Ｘ軸、Ｚ軸の位置決めは、分解能１０ｎｍの
レーザスケールによって制御され、１００ｎｍ以下の微
小切り込みを与えることができる。

【００２７】さらに、研削を電解インプロセスドレッシ
ング（以下ＥＬＩＤと呼ぶ）を用いて延性モード加工で
行うことにより、より高精度で高能率な研削を行うこと
ができる。具体的には、研削装置において、固定砥粒を
メタルボンドホイール（ストレートホイールの外周上に
砥粒をメタルバインダーで固定させたもの）とし、電極
をホイール外周の一部をおおうように設置し、電解質を
含んだ水溶液クーラントをホイール外周表面／被加工基
板間に供給し、ホイール側にプラスの電場を印加し、基
板とホイールの双方を回転させながら研削することによ
りＥＬＩＤ型延性加工が達成できる。

【００２８】また、工程（ａ）における研削に用いられ
る固定砥粒（ホイール）は特に限定されるものではな
く、通常用いられる公知のものが用いられるが、基板材
料、中間研削の程度、加工しろ（砥石の設定切り込み深
さ）により、砥粒の種類、および形、粒度、ボンド剤、
ホイール形状が違ってくるため一概には言えない。例え
ば上記研削装置（ＨＰＧ−２Ａ）を用い、基板がカーボ
ン基板、中間研削の程度がＲａ１００ｎｍ、加工しろ２
０μｍ／片面の場合、砥粒には工業用ダイヤモンド砥粒
を用い（砥粒の平均粒径は１〜５μｍ、より好ましくは
１〜２．５μｍ）、ボンド剤はメタル等が用いられる。
また、ＥＬＩＤ法を用いる場合には、ボンド剤は、Ｆｅ
（鋳鉄など）、Ｃｕ、Ｎｉ等の単体もしくはこれらの一
種以上を含む合金を用いることが好ましい。また、この
場合の他の条件、例えば砥石周速度、送り速度、ワーク
テーブル回転数等、については特に限定されるものでは
なく、通常用いられる公知の程度でよい。

【００２９】上記のようにして、マイクロクラックの発
生が抑えられた表面加工基板が得られる。また、得られ
る表面加工基板のＲａは５〜３００Åであり、より好ま
しくは５〜２００Å、特に好ましくは５〜１００Åであ
る。研削生産性の観点から５Å以上が好ましく、延性モ
ード加工を達成する観点から３００Å以下が好ましい。
また、当該基板のＲｐ（突起高さ）／Ｒａは２〜１０の
ものが好ましく、より好ましくは２〜８、特に好ましく
は２〜４である。ここで、ホイールのツルーイング（形
状修正）工程の管理負担軽減の観点から２以上が好まし
く、延性モード加工の維持の観点から１０以下が好まし
い。かかる表面加工基板は延性モード加工により研削さ
れ、しかもマイクロクラックの発生が抑えられたもので
あるため、従来の基板（仕上げ研磨前のもの）よりも加
工変質層が薄く、Ｒａも５〜３００Åであるため、工程
（ｂ）での仕上げ研磨での取代が少なくて済み、仕上げ
研磨の研磨時間も短時間化できる。なお、Ｒｐは触針式
表面粗さ計（Ｔｅｎｃｏｒ（株）製、型式Ｐ２）を用い
て、前述のＲａと同じ条件で測定できる。

【００３０】２．工程（ｂ）について工程（ｂ）は、工程（ａ）で得られる表面加工基板を仕
上げ研磨に付して、鏡面加工基板を得る工程である。工
程（ｂ）で行われる仕上げ研磨は、例えば水と砥粒を基
本研磨材料として、さらに研磨助剤等を含有する研磨液
等を用いる方法等の、通常行われる公知の方法で行えば
よい。砥粒としては、人工ダイヤモンド、γ−アルミ
ナ、ＷＡアルミナ、酸化セリウム、シリカゲル等の公知
のものが挙げられる。砥粒の粒径については０．００１
〜５．０μｍのもの、好ましくは０．００２〜１．０μ
ｍのものが好ましく用いられる。ここで、研磨時間の短
縮化の観点から粒径は０．００１μｍ以上のものが好ま
しく、欠陥の増加を抑える観点から５．０μｍ以下のも
のが好ましい。砥粒の研磨液中の濃度は０．１〜１０重
量％でよい。研磨助剤としては硝酸アルミニウム、硫酸
アルミニウム、硫酸マグネシウム、塩化アルミニウム、
塩化鉄、硝酸鉄、酸化クロム等の公知のものが挙げられ
る。研磨助剤の研磨液中の濃度は０．１〜１０重量％で
よい。また、研磨機、キャリア、パッド等も通常用いら
れる公知のものが使用できる。

【００３１】上記の研磨液、装置等を用いて、工程
（ａ）で得られた表面加工基板を研削する。取代は、加
工変質層の厚さの１．１〜２．０倍、具体的には工程
（ａ）で得られる表面加工基板のＲａにもよるが０．０
０２〜１０μｍとすればよい。また、押し付け圧力や研
磨時間は基板の材料、取代の厚さ、研磨液の種類等によ
り異なるため一概には言えないが、例えば押し付け圧力
は２０〜２０００ｇｆ／ｃｍ²、好ましくは５０〜３０
０ｇｆ／ｃｍ²、研磨時間は１〜６０分間、好ましくは
２〜３０分間である。両面研磨装置の定盤に装着する研
磨パッドの硬度は４０〜１００（ショアーＡ）、好まし
くは６０〜１００（ショアーＡ）である。両面研磨装置
の下定盤の回転数は、１０〜１００ｒｐｍ、好ましくは
２０〜６０ｒｐｍである。また、研磨液の流量は、装置
サイズに依存するが、例えば９Ｂ（９インチ）サイズだ
と、５〜５００ｃｃ／ｍｉｎ、好ましくは１０〜５０ｃ
ｃ／ｍｉｎである。なお、本明細書において加工変質層
とは、表面加工によって生じるマイクロクラック、スク
ラッチ、ピット等のダメージを含んだ部分のことであ
る。

【００３２】上記のようにして得られる鏡面加工基板
は、Ｒａが１〜２０Å、より好ましくは１〜１０Åのも
のである。研削生産性の観点からＲａは１Å以上が好ま
しく、磁気ヘッドの浮上特性、摺動特性の観点から２０
Å以下が好ましい。さらに、鏡面加工基板は、その平坦
度が１０μｍ以下のものが磁気ヘッドの浮上走行安定性
の観点から好ましい。より好ましい値は６μｍ以下であ
る。

【００３３】３．工程（ｃ）について工程（ｃ）は、工程（ｂ）で得られる鏡面加工基板上に
少なくとも下地層、磁性層、保護層からなる記録媒体構
成層を形成し、磁気記録媒体を得る工程である。工程
（ｃ）においては、記録媒体構成層の材料、厚さ、及び
その形成方法等については何ら限定されるものではな
く、通常用いられる公知のものでよい。ただ延性加工基
板表面の加工変質層は、従来の遊離砥粒法で得られる表
面のそれに比べて薄いので、極短時間（従来法の１／５
〜１／１０）の仕上げ研磨で、良質な表面（低Ｒａ、低
欠陥）が得られるのが特長である。以下、より具体的に
説明する。

【００３４】鏡面加工基板上に設けられる記録媒体層
は、少なくとも、下地層、磁性層、保護層からなるもの
である。下地層は、磁性層の配向性等を向上させるため
に基板と磁性層との間に形成される。下地層の厚さ、材
料等は特に限定されるものではなく、通常用いられる公
知の厚さ、材料でよい。下地層は、層の数が単数若しく
は複数のどちらであってもよい。用いられる材料の具体
例としては、Ａｌ−Ｓｉ等のアルミニウム合金、Ｔｉ、
カーボン、Ｃｒ又はＣｒ合金等が挙げられる。このよう
な下地層は、ＰＶＤ手段等の公知の方法により形成され
る。

【００３５】磁性層は、例えばＰＶＤ手段により形成さ
れる金属薄膜型のものが挙げられる。磁性層を構成する
材料としては特に限定されるものではなく、通常用いら
れる公知のものが挙げられる。例えばＣｏＣｒ、ＣｏＣ
ｒＸ、ＣｏＣｒＰｔＸ、ＣｏＮｉＸ、ＣｏＷ、ＣｏＳ
ｍ、ＣｏＳｍＸ等で表されるＣｏを主成分とするＣｏ系
の磁性合金が挙げられる。ここでＸとしては、Ｔａ、Ｐ
ｔ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｗ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐ
ｒ、Ｎｄ、Ｃｕ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｂ、
Ｃａ、Ａｓ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａ
ｇ、Ｓｂ、Ｈｆよりなる群から選ばれる１種以上の元素
が挙げられる。これらのうち、高出力，耐食性の観点か
らＣｏＣｒやＣｏＣｒＰｔを好ましいものとして挙げる
ことができる。合金中の各元素の重量比については、通
常用いられる公知の程度でよい。このような磁性層の膜
厚は１０〜１００ｎｍが好ましく、２０〜６０ｎｍが特
に好ましい。出力の観点から膜厚は１０ｎｍ以上が好ま
しく、ノイズの観点から１００ｎｍ以下が好ましい。

【００３６】磁性層上に設けられる保護層は、例えばＰ
ＶＤやＣＶＤ、スピンコーティング等により形成される
ものであり、耐摩耗性の観点から力学的強度の高い材料
で形成されていることが好ましい。保護層を構成する材
料としては特に限定されるものではなく、通常用いられ
る公知のものが挙げられる。例えば、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ等の酸化物（酸
化ケイ素、酸化ジルコニウム等）、窒化物（窒化ホウ素
等）、炭化物（炭化ケイ素、炭化タングステン等）、ダ
イヤモンドライクカーボン、ガラス状カーボン等のカー
ボン、ボロンナイトライド、及びＡｌとカーバイド形成
金属との合金等からなる群より選択される一種以上のも
のが挙げられる。これらの材料のうちで、酸化ケイ素、
酸化ジルコニウム、窒化ホウ素、炭化ケイ素、炭化タン
グステン、カーボン、及びＡｌとカーバイド形成金属又
はこれらの複合体が好ましい。なお、本明細書において
「カーバイド形成金属」とは、熱、物理吸着、又は化学
吸着によりカーバイドを形成し得る金属の意であり、具
体的にはＳｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｙ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｖ、等が挙げられる。

【００３７】このような保護層の膜厚は５〜５０ｎｍが
好ましく、５〜２５ｎｍが特に好ましい。完全被覆性の
観点から膜厚は５ｎｍ以上が好ましく、スペーシングロ
ス（磁束エネルギーの空間損失）の観点から５０ｎｍ以
下が好ましいが、かかる範囲に特に限定されるものでは
ない。

【００３８】また工程（ｃ）において、磁気ヘッドの走
行性を向上させるために、媒体表面に潤滑層を設けても
よい。潤滑層は公知の方法で設けることができ、例えば
塗布法等により所望の厚さの層を設けることができる。
用いる潤滑剤としては特に限定されるものではなく、通
常用いられる公知のものを使用することができる。例え
ば、分子量が２０００〜１００００のパーフルオロポリ
エーテル系のものが挙げられる。具体的には、フォンブ
リンＡＭ２００１、フォンブリンＺ０３（ともにモンテ
カチーニ社製）、デムナムＳＰ（ダイキン工業社製）等
が挙げられる。潤滑剤は単独で塗布してもよく、複数の
ものを混合して塗布してもよく、潤滑剤を塗布後に別の
潤滑剤を塗布してもよい。このような方法で塗布する場
合には、潤滑層の厚さを０．２〜５．０ｎｍ、特に０．
５〜３．０ｎｍとするのが好ましい。ここで、潤滑効果
を得る観点から潤滑層の厚さは０．２ｎｍ以上が好まし
く、スペーシングロスを抑制する観点から５．０ｎｍ以
下が好ましい。

【００３９】また工程（ｃ）において、ヘッドの吸着を
抑える観点から、媒体に凹凸を形成してもよい。このと
き、凹凸形成若しくは基板表面のさらなる加工は基板以
外の層、すなわち下地層、磁性層及び保護層のうち、少
なくとも１つ以上の層において形成すればよい。各層に
おける凹凸形成は公知の方法によって達成できる。例え
ばドライエッチング、イオンミリング、イオンボンバー
ド、スパッタ法によって、またＰＶＤによるクラスター
の形成、島状の保護層形成、陽極酸化、熱酸化、レーザ
ー照射、パウダービーム（砥粒噴射）等によって達成で
きる。なお、工程（ｃ）に関する上記の説明において、
特に詳述しなかった点については、従来公知の磁気記録
媒体の製造方法と同様の方法を特に制限なく用いること
ができる。

【００４０】

【実施例】以下、製造例、実施例及び比較例により本発
明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例
等によりなんら限定されるものではない。製造例１フルフリルアルコール樹脂を公知の方法である成形、予
備焼成処理によりカーボン基板を製造した。より具体的
には、次のようにして製造した。フルフリルアルコール
５００重量部、９２％ホルムアルデヒド４００重量部お
よび水３０重量部を８０℃で攪拌して溶解した。次い
で、攪拌下でフェノール５２０重量部、水酸化カルシウ
ム９．５重量部および水４５重量部の混合液を滴下し、
８０℃で３時間反応させた。その後フェノール８０重量
部、上記のフェノール／水酸化カルシウム／水混合液を
さらに滴下し、８０℃で２時間反応させた。３０℃に冷
却後、３０％パラトルエンスルホン酸水溶液で中和し
た。この中和物を減圧化で脱水し、１７０重量部の水を
除去し、フルフリルアルコール５００重量部を添加混合
し、樹脂中の不溶分をメンブランフィルターで濾過し
た。この樹脂が含むことのできる水の量を測定したとこ
ろ、３５重量％であった。

【００４１】この熱硬化性樹脂１００重量部に対し、パ
ラトルエンスルホン酸７０重量％、水２０重量％、セル
ソルブ１０重量％の混合液０．５重量部を添加し、充分
攪拌後、厚さ２ｍｍの円盤状の型に注入し、減圧脱泡し
た。次いで、５０℃で３時間、８０℃で２日間加熱硬化
した。この熱硬化物を所定のドーナツ形状に加工し、こ
のあと有機物焼成炉で窒素雰囲気下で２〜５℃／時の昇
温速度で７００℃まで加熱し、次いで５〜２０℃／時の
昇温速度で１２００℃まで加熱焼成し、この温度で２時
間保持した後、冷却し、直径１．８インチのカーボン基
板を得た。このようにして得られたカーボン基板は、Ｒ
ａ１０μｍ、密度１．５ｇ／ｃｍ³、ビッカース硬度６
５０、構造はアモルファス状であった。

【００４２】製造例２製造例１で得たカーボン基板を、スピードファーム社製
９Ｂ５Ｌ型両面研磨機を使用し、粉砕炭化ケイ素砥粒の
ひとつであるＧＣ（緑色炭化ケイ素研磨材）＃６００を
用い、濃度４重量％の遊離砥粒方式によるラッピング加
工を行った。定盤には鋳鉄定盤を用いた。研磨しろは片
面当たり３００μｍとした。得られたカーボン基板のＲ
ａは２μｍであった。この後、芝技研製チャンファー加
工機ＳＧ−Ｔにより、内・外径を所定の寸法に切揃え、
面取り加工（４５°）（以下、チャンファー加工とい
う。）を行った。

【００４３】製造例３製造例２で得たカーボン基板を、下記条件でさらにラッ
プ研磨を行った。製造例２と同じ研磨機を使用し、ＧＣ
＃４０００砥粒を用い、濃度２０重量％の遊離砥粒方式
により研磨した。定盤には鋳鉄定盤を用い、研磨しろは
片面当たり５０μｍとした。得られたカーボン基板のＲ
ａは０．１μｍであった。

【００４４】実施例１製造例１で得たカーボン基板を延性モード加工により仕
上げ研削を行い、表面加工基板を得た。主な加工条件は
次の通りである。研削装置：超精密横型平面研削装置（（株）日進機械製作所製ＨＰＧ−２Ａ）ワークテーブルの直径：２００ｍｍワークテーブルの回転数：５３０ｒｐｍ砥石周速：１２６０ｍ／ｍｉｎ砥石送り速度：６０ｍｍ／ｍｉｎ

【００４５】砥粒種類／番手：＃６００ダイヤモンド（平均粒径約２０μｍ、新東ブ
レータ（株）製鉄ファイバーボンド砥石：ＳＤ６００Ｎ
１００ＦＸ３）：＃８０００ダイヤモンド（平均粒径約２μｍ、新東ブ
レータ（株）製鉄系ボンド砥石：ＳＤ８０００Ｎ１００
ＦＸ３）クーラント：ユシロ化学製ＥＬＩＤＮＯ．３５の２％水
溶液ＥＬＩＤ電源：新東ブレータ（株）製パルス電源ＥＤＰ
−１０Ａ初期ツルーイング：＃２００ダイヤモンド（平均粒径約
７５μｍ、（株）オリエンタルダイヤ工具研究所製：Ｓ
Ｄ２００Ｑ７５Ｍ）初期ドレッシング：３Ａ×１５分パルス（矩形波）サイクル：４マイクロ秒

【００４６】研削ホイールの肩は精密ツルーイングによ
り、＃６００ホイール及び＃６０００ホイールのいずれ
も、一例として図５に示すように母線形状を整え、個々
の砥粒の切り込み深さがカーボン基板の延性−脆性遷移
点（約５０ｎｍ）以下となるように設定した。基板はワ
ークテーブルに多数存在する真空吸引孔により真空チャ
ック方式で固定した。まず、＃６００のホイールを用
い、砥石の設定切り込み深さを１５μｍとして６パス研
削し、ついで＃８０００のホイールを用い、砥石の設定
切り込み深さを１０μｍとして１パス、５μｍとして１
パス、２μｍとして１パスで研削し、これを両面につい
て行った。なお、チャンファー加工は＃６００のホイー
ルを用いての加工後に行った。図４に被加工基板のワー
クテーブルへのセット状態を、図６にＥＬＩＤ電極の取
り付け構成を示す。得られた表面加工基板を光学顕微鏡
で観察したところ、扇形の加工痕を有するものであっ
た。また加工痕の交差は見られなかった。

【００４７】次に、得られた表面加工基板に対して、遊
離砥粒を用いる公知の方法により仕上げ研磨を行い、鏡
面加工基板を得た。主な研磨条件等は以下の通りであ
る。なお、研磨液は、水に砥粒、研磨助剤を所定量加え
てスラリー状で供給した。研磨機：スピードファーム社製９Ｂ５Ｐ型両面研磨機砥粒：人工ダイヤモンド（粒径０．５μｍ、（株）フジ
ミインコーポレーテッド製、ＤＩＡＴＥＣＷＡＭ０．
５：研磨液中０．３重量％）研磨助剤：硝酸アルミニウム（研磨液中１重量％）押し付け圧力：１５０ｇｆ／ｃｍ² 研磨時間：１０分間取代：６μｍキャリア：エポキシ・ガラス素材パッド：硬質パッド（ロデールニッタ製Ｃ１４Ａ）下定盤回転数：３０ｒｐｍ研磨液流量：４０ｃｃ／ｍｉｎ

【００４８】この鏡面加工基板３１上に、Ａｒガス圧３
ｍＴｏｒｒ、基板温度を１８０℃に保持したままの条件
でＤＣマグネトロンスパッタリングにより１００ｎｍ厚
さのＴｉ層３２を設けた。ついでＡｒガス圧３ｍＴｏｒ
ｒ、基板温度１８０℃の条件でＤＣマグネトロンスパッ
タリングによりＴｉ層３２上に３０ｎｍ厚さのＡｌ−Ｓ
ｉ合金層３３を設け凹凸を形成した。このあと、Ａｌ−
Ｓｉ合金層３３の上に基板バイアス電圧−３００Ｖの条
件でＤＣマグネトロンスパッタリングにより２０ｎｍ厚
さのカーボン層３４、４０ｎｍ厚さのＣｒ層３５を設
け、ついで４０ｎｍ厚さのＣｏＣｒＰｔＢ系合金磁性層
３６を設けた。３２〜３６の層を形成する際、３２及び
３３層形成時以外は基板に−２００Ｖのバイアス電圧を
印加した。さらにＤＣマグネトロンスパッタリングによ
り、ＣｏＣｒＰｔＢ系合金磁性層３６上に保護層（ガラ
ス状カーボン層）３７を１５ｎｍ厚さ設けた。このあ
と、フォンブリンＺ０３（モンテカチーニ社製）溶液を
浸漬塗布し、１５ｎｍ厚さの潤滑層３８を設け、図７に
示すような磁気記録媒体を得た。

【００４９】実施例２製造例２で得たカーボン基板の両面を、下記以外は実施
例１と同じ条件で延性モード加工により研削した。砥粒種類／番手：＃２０００ダイヤモンド（平均粒径約６μｍ、新東ブ
レータ（株）製鉄系ボンド砥石：ＳＤ２０００Ｎ１００
ＦＸ３）：＃２００００ダイヤモンド（平均粒径約１．２μｍ、
新東ブレータ（株）製鉄系ボンド砥石：ＳＤ２００００
Ｎ１００ＦＸ３）研削は、＃２０００ホイールを用いて砥石の設定切り込
み深さを１０μｍとして３パス行い、次いで＃２０００
０ホイールを用いて砥石の設定切り込み深さを３μｍと
して１パス、２μｍとして１パス行った。研削ホイール
の肩は精密ツルーイングにより、＃２０００ホイールは
図５、＃２００００ホイールは図８に示すように母線形
状に整え、個々の砥粒の切り込み深さがカーボン基板の
延性−脆性遷移点（約５０ｎｍ）以下となるように設定
した。得られた表面加工基板を光学顕微鏡で観察したと
ころ、扇形の加工痕を有するものであった。また加工痕
の交差は見られなかった。

【００５０】次に、得られた表面加工基板に対して従来
の遊離砥粒を用いる公知の方法により仕上げ研磨を行
い、鏡面加工基板を得た。研磨条件等は下記以外は実施
例１と同じである。砥粒：γ−アルミナ（粒径０．０３μｍ、日の本研磨材
（株）製、ナノファイルＡ−３０：研磨液中０．１５重
量％）押し付け圧力：２００ｇｆ／ｃｍ² 研磨時間：１０分間このようにして得られた鏡面加工基板を用いて実施例１
と同様の方法で磁気記録媒体を製造した。

【００５１】実施例３製造例３で得たカーボン基板の両面を、下記以外は実施
例１と同じ条件で延性モード加工により研削した。砥石の設定切り込み深さ：２μｍ×３パス砥粒種類／番手：＃１２０００ダイヤモンド（平均粒径
約１．２μｍ、新東ブレータ（株）製鉄系ボンド砥石、
ＳＤ１２０００Ｎ１００ＦＸ３）のみ使用。得られた表面加工基板を光学顕微鏡で観察したところ、
扇形の加工痕を有するものであった。また加工痕の交差
は見られなかった。

【００５２】次に、得られた表面加工基板に対して従来
の遊離砥粒を用いる公知の方法により仕上げ研磨を行
い、鏡面加工基板を得た。研磨条件等は下記以外は実施
例１と同じである。砥粒：ＷＡアルミナ（粒径０．３μｍ、（株）フジミイ
ンコーポレーテッド製、ＷＡ３００００：研磨液中３重
量％）研磨助剤：硫酸アルミニウム（研磨液中１重量％）押し付け圧力：２００ｇｆ／ｃｍ² 下定盤回転数：２５ｒｐｍ研磨液流量：３０ｃｃ／ｍｉｎこのようにして得られた鏡面加工基板を用いて実施例１
と同様の方法で磁気記録媒体を製造した。

【００５３】実施例４製造例３で得たカーボン基板の両面を、下記以外は実施
例１と同じ条件で延性モード加工により研削した。砥粒種類／番手：＃１２０００ダイヤモンド（平均粒径
約１．２μｍ、新東ブレータ（株）製鉄系ボンド砥石、
ＳＤ１２０００Ｎ１００ＦＸ３）のみ使用。得られた表面加工基板を光学顕微鏡で観察したところ、
扇形の加工痕を有するものであった。また加工痕の交差
は見られなかった。

【００５４】次に、得られた表面加工基板に対して従来
の遊離砥粒を用いる公知の方法により仕上げ研磨を行
い、鏡面加工基板を得た。研磨条件等は下記以外は実施
例１と同じである。砥粒：酸化セリウム（粒径１μｍ、昭和電工（株）製、
ＯＰＡＬＩＮＥ：研磨液中１重量％）研磨助剤：硫酸アルミニウム（研磨液中１重量％）押し付け圧力：２００ｇｆ／ｃｍ² このようにして得られた鏡面加工基板を用いて、実施例
１と同様の方法で磁気記録媒体を製造した。

【００５５】実施例５直径１．８インチのチャンファー加工済み強化ガラス基
板（Ｒａ１０ｎｍ）を、下記以外は実施例１と同様に延
性モード加工により研削した。なお、ここで用いた強化
ガラス基板は、延性−脆性遷移点は約２５ｎｍである。砥粒種類／番手：＃１２０００ダイヤモンド（平均粒径
約１．２μｍ）（新東ブレータ（株）製鉄系ボンド砥
石、ＳＤ１２０００Ｎ１００ＦＸ３）のみ使用。得られた表面加工基板を光学顕微鏡で観察したところ、
扇形の加工痕を有するものであった。また加工痕の交差
は見られなかった。

【００５６】次に、得られた表面加工基板に対して従来
の遊離砥粒を用いる公知の方法により仕上げ研磨を行
い、鏡面加工基板を得た。研磨条件等は下記以外は実施
例４と同じである。研磨時間：２０分間このようにして得られた鏡面加工基板を用いて、実施例
１と同様の方法で磁気記録媒体を製造した。

【００５７】実施例６製造例３で得たカーボン基板の両面を、下記以外は実施
例１と同じ条件で延性モード加工により研削した。砥粒種類／番手：＃３０００ダイヤモンド（平均粒径約
５μｍ、（株）東京ダイヤモンド工具製作所製、レジン
ボンドホイールＳＤ３０００Ｌ１００Ｂ）クーラント：水初期ツルーイング：＃２００ダイヤモンド（実施例１と
同じ）ホイールでツルーイング後、そのまま研削に供し
た（ＥＬＩＤは使用せず）。得られた表面加工基板を光学顕微鏡で観察したところ、
扇形の加工痕を有するものであった。また加工痕の交差
は見られなかった。

【００５８】次に、得られた表面加工基板に対して従来
の遊離砥粒を用いる公知の方法により仕上げ研磨を行
い、鏡面加工基板を得た。研磨条件等は下記以外は実施
例１と同じである。砥粒：シリカゾル（粒径０．０３μｍ、（株）フジミイ
ンコーポレーテッド製、ＧＬＡＮＺＯＬ３２５０：研磨
液中０．５重量％）押し付け圧力：２００ｇｆ／ｃｍ² 研磨時間：２０分間下定盤回転数：１５ｒｐｍこのようにして得られた鏡面加工基板を用いて、実施例
１と同様の方法で磁気記録媒体を製造した。

【００５９】実施例７直径１．８インチにカットしたチャンファー加工済み半
導体用シリコンウエハー（Ｒａ０．１μｍ）の両面を、
下記以外は実施例１の条件に基づいて延性モード加工に
より研削した。なお、ここで用いた半導体用シリコンウ
エハーは、延性−脆性遷移点は約８０ｎｍである。砥粒種類／番手：＃１２０００ダイヤモンド（平均粒径
約１．２μｍ、新東ブレータ（株）製鉄系ボンド砥石Ｓ
Ｄ１２０００Ｎ１００ＦＸ３）のみ使用。得られた表面加工基板を光学顕微鏡で観察したところ、
扇形の加工痕を有するものであった。また加工痕の交差
は見られなかった。

【００６０】次に、得られた表面加工基板に対して従来
の遊離砥粒を用いる公知の方法により仕上げ研磨を行
い、鏡面加工基板を得た。研磨条件等は実施例６と同じ
である。このようにして得られた鏡面加工基板を用い
て、実施例１と同様の方法で磁気記録媒体を製造した。

【００６１】比較例１実施例６で得た表面加工基板（カーボン基板）、即ち仕
上げ研磨を行っていない基板を用いて、実施例１と同様
の方法で磁気記録媒体を製造した。比較例２実施例５で得た表面加工基板（強化ガラス基板）、即ち
仕上げ研磨を行っていない基板を用いて、実施例１と同
様の方法で磁気記録媒体を製造した。

【００６２】比較例３製造例３で得たカーボン基板を、研削時の下記以外は実
施例１と同様の方法で仕上げ研削を行い、表面加工基板
を得た。砥石の設定切り込み深さ：４０μｍ×２パス砥粒種類／番手：＃６０００ダイヤモンド（平均粒径約
２．５μｍ）（新東ブレータ（株）製鉄系ボンド砥石、
ＳＤ６０００ＮＦＡ）得られた表面加工基板を光学顕微鏡で観察したところ、
扇形の加工痕を有するものであった。また加工痕の交差
は見られなかった。

【００６３】次に、得られた表面加工基板に対して仕上
げ研磨を行い、鏡面加工基板を得た。研磨条件等は実施
例１と同じである。このようにして得られた鏡面加工基
板を用いて、実施例１と同様の方法で磁気記録媒体を製
造した。

【００６４】比較例４製造例３で得たカーボン基板を、縦型平面研削機
（（株）日進機械製作所製ＶＰＧ）を用い、カップ型砥
石を用い下記条件にて両面の研削を行った。主な研削条件ワークテーブルの直径：４００ｍｍワークテーブルの回転数：３５０ｒｐｍ砥石周速：１２００ｍ／ｍｉｎ砥粒種類／番手：＃３０００ダイヤモンド（平均粒径約
５μｍ、（株）東京ダイヤモンド工具製作所製：レジン
ボンドホイールＳＤ３０００Ｌ１００Ｂ）

【００６５】クーラント：水初期ツルーイング：＃２００ダイヤモンド（平均粒径約
７５μｍ、（株）オリエンタルダイヤ工具研究所製：Ｓ
Ｄ２００Ｑ７５Ｍ）砥石の設定切り込み深さ：１．０μｍ上記の諸条件で加工しろ１０μｍをＥＬＩＤ電解なしの
状態で研削除去した。得られた表面加工基板を光学顕微
鏡で観察したところ、多重あやめ形状の加工痕を有する
ものであった。また加工痕の交差が無数確認された。

【００６６】次に、得られた表面加工基板に対して仕上
げ研磨を行い、鏡面加工基板を得た。研磨条件等は実施
例２と同じである。このようにして得られた鏡面加工基
板を用いて、実施例１と同様の方法で磁気記録媒体を製
造した。

【００６７】比較例５製造例３で得たカーボン基板を、比較例４と同様の方法
で３０μｍ研削除去した。得られた表面加工基板を光学
顕微鏡で観察したところ、多重あやめ形状の加工痕を有
するものであった。また加工痕の交差が無数確認され
た。

【００６８】次に、得られた表面加工基板に対して仕上
げ研磨を行い、鏡面加工基板を得た。研磨条件等は下記
以外は実施例６と同じである。研磨時間：１０分間このようにして得られた鏡面加工基板を用いて、実施例
１と同様の方法で磁気記録媒体を製造した。

【００６９】上記の実施例、比較例で用いられた表面加
工基板の表面を光学顕微鏡とＳＥＭ（走査型電顕）とに
より観察し、研削が延性モードで進行してスムーズな研
削痕が残っているか、脆性モードで進行して、スムーズ
でなく荒れた表面やマイクロクラックを残存した表面に
なっているか確認した。またＲａも測定した。得られた
各鏡面加工基板については、Ｒａ及び平坦度を調べた。
また平坦度は、ＺＹＧＯ社製（型式：Ｍａｒｋ−４）に
より測定した。なお、本明細書において、Ｒａ、Ｒｐ及
び平坦度は、加工痕形状を直交する方向（粗さ等が最大
となる方向）に触針をスキャンして測定した。

【００７０】また、実施例及び比較例で得られた磁気記
録媒体の外観検査を行い、さらにＧＨＴ特性、記録再生
エラーの程度の指標としてのエラー特性、ＣＳＳ特性、
及び耐食性といったメディア特性を調べた。外観検査
は、磁気記録媒体のスクラッチ傷等の有無を明るい照明
下、肉眼で調べることにより行った。そして全媒体にお
ける合格媒体（傷のないもの）の割合を百分率で示し
た。１００％を◎、５０％以上１００％未満を○、５０
％未満を△とした。

【００７１】ＧＨＴ特性はPROQUIP 社製MG150Tを用い、
５０％スライダヘッドを用いて試験を行った。この際、
１．５マイクロインチの浮上高さの通過率が９０％以上
のものをＳ、通過率５０％以上９０％未満のものをＡ、
通過率が５０％未満のものをＢとした。エラー特性は外
観検査後の傷のない磁気記録媒体２５枚について行っ
た。即ち、媒体１枚当たりのエラー個数が１５個以下の
ものを合格品とし、媒体１００枚中の合格品の割合（合
格率）を百分率で示した。エラー個数の測定は次の条件
で行った。ヘッドはヤマハ製の薄膜ヘッドを用いた。ギ
ャップ幅は０．４μｍ、トラック幅は５μｍ、巻数は２
０ｔｕｒｎ、回転数は６０００ｒ．ｐ．ｍ．、記録密度
５１ＫＦＣＩの条件で全面を検査した。１６ビット未満
のミッシングエラーの個数をカウントし、以下のように
評価した。Ｓ：評価ディスクの５０％以上がエラー個数０〜５個で
ある。Ａ：評価ディスクの５０％以上がエラー個数６〜１５個
である。Ｂ：評価ディスクの５０％以上がエラー個数１６〜４５
個である。Ｃ：評価ディスクの５０％以上がエラー個数４６個以上
である。

【００７２】ＣＳＳ特性は、下記条件のＣＳＳテストを
２万回行った後の静摩擦係数で評価した。ヘッドはヤマ
ハ社製の薄膜ヘッドを用いた。ヘッド荷重は３．５ｇ、
ヘッド浮上量は２．８マイクロインチ、回転数は４５０
０r.p.m.で５秒間稼働、５秒間停止のサイクルを１回と
した。耐食性は、磁気記録媒体を温度８０℃、湿度９０
％の環境で１０日間放置後に上記エラー特性の評価を行
うことで実施した。ここで、◎：エラー個数の増加率１
０％未満、○：エラー個数の増加率１０〜３０％とし
た。主な結果を表１及び表２に示す。

【００７３】

【表１】

【００７４】

【表２】

【００７５】上記の結果より以下のことがわかった。実
施例１〜７で用いられた表面加工基板について光顕／Ｓ
ＥＭ観察を行ったところ、研削面はスムーズで、マイク
ロクラックも含まず、極めてスムーズな研削痕を残して
いることから、いずれも延性加工モードで研削されてい
ることが分かった。また実施例１〜７で用いられた鏡面
加工基板は、加工後のＲａの値が良好であり、平坦度も
小さく、基板として好ましいものであった。また、本発
明の方法によって得られた磁気記録媒体は、外観検査、
ＧＨＴ特性、エラー特性、ＣＳＳ特性、及び耐食性のい
ずれについても好ましいものであった（実施例１〜
７）。従って、本発明の製造方法は、良好な磁気記録媒
体を得ることができる方法であり、しかも仕上げ研磨工
程が短時間で行えるため、効率の良い優れた方法である
こといえる。

【００７６】一方、仕上げ研磨を行わない表面加工基板
上に記録媒体構成層を形成したものは、光顕／ＳＥＭ観
察から延性モード加工により研削が行われていることは
分かったものの、表面粗さＲａが大きいため、ＧＨＴの
通過率が悪いものであった（比較例１及び比較例２）。
工程（ａ）において、砥石の設定切り込み深さが大きい
もの（比較例３）、加工痕が多重あやめ形状のもの（比
較例４及び比較例５）はエラー品質が悪いものであっ
た。これは、比較例程度の軽度な仕上げ研磨では加工変
性層が除去しきれなかったと考えられる。

【００７７】

【発明の効果】本発明により、従来法より効率良く、欠
陥が少なく、かつメディア特性の良好な磁気記録媒体を
製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、多重あやめ形状の加工痕を示す模式図
である。

【図２】図２は、扇状を示す模式図である。

【図３】図３は、本発明の工程（ａ）において用いる研
削装置の概略構成図である。

【図４】図４は、図３の研削装置における、被加工基板
のワークテーブルへのセット状態を示した模式図であ
る。

【図５】図５は、研削ホイールの肩部分の母線形状を示
す模式図である。

【図６】図６は、ＥＬＩＤ電極の取り付け構成を示す模
式図である。

【図７】図７は、本発明の磁気記録媒体の要部断面図で
ある。

【図８】図８は、研削砥石の肩部分の母線形状を示す模
式図である。

【符号の説明】

１ワークテーブル２研削ホイール３修正ホイール４チャック５スライドベース６スピンドル／油静圧軸受け７低膨張材料８クーラント供給ユニット９ワーク（被加工基板）１１すき間調製ネジ１２絶縁体１３電極１４砥石２１砥粒コーティング層３１鏡面加工基板３２Ｔｉ層３３Ａｌ−Ｓｉ合金層３４カーボン層３５Ｃｒ層３６ＣｏＣｒＰｔＢ系合金磁性層３７保護層３８潤滑層ＮＣ数値制御装置ＰＩ比例・積分制御装置ａ圧力制御サーボ弁ｂ圧油源ｃ油圧アクチュエータｄレーザスケール（分解能１０ｎｍ）

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成８年１０月１６日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４８】この鏡面加工基板３１上に、Ａｒガス圧３
ｍＴｏｒｒ、基板温度を１８０℃に保持したままの条件
でＤＣマグネトロンスパッタリングにより１００ｎｍ厚
さのＴｉ層３２を設けた。ついでＡｒガス圧３ｍＴｏｒ
ｒ、基板温度１８０℃の条件でＤＣマグネトロンスパッ
タリングによりＴｉ層３２上に３０ｎｍ厚さのＡｌ−Ｓ
ｉ合金層３３を設け凹凸を形成した。このあと、Ａｌ−
Ｓｉ合金層３３の上にＤＣマグネトロンスパッタリング
により２０ｎｍ厚さのカーボン層３４、４０ｎｍ厚さの
Ｃｒ層３５を設け、ついで４０ｎｍ厚さのＣｏＣｒＰｔ
Ｂ系合金磁性層３６を設けた。３２〜３６の層を形成す
る際、３２及び３３層形成時以外は基板に−２００Ｖの
バイアス電圧を印加した。さらにＤＣマグネトロンスパ
ッタリングにより、ＣｏＣｒＰｔＢ系合金磁性層３６上
に保護層（ガラス状カーボン層）３７を１５ｎｍ厚さ設
けた。このあと、フォンブリンＺ０３（モンテカチーニ
社製）溶液を浸漬塗布し、１５ｎｍ厚さの潤滑層３８を
設け、図７に示すような磁気記録媒体を得た。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（ａ）延性モード加工により基板の表面
を研削して、表面に扇状の加工痕を有する、Ｒａ（表面
粗さ）が５〜３００Åである表面加工基板を得る工程、（ｂ）工程（ａ）で得られる表面加工基板を仕上げ研磨
に付して、鏡面加工基板を得る工程、および（ｃ）工程（ｂ）で得られる鏡面加工基板上に少なくと
も下地層、磁性層、保護層からなる記録媒体構成層を形
成し、磁気記録媒体を得る工程、からなることを特徴と
する磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】基板の材料がカーボンである請求項１記
載の製造方法。
【請求項３】工程（ａ）での延性モード加工の際の砥
石の設定切り込み深さが、０．０５〜２０μｍである請
求項１又は２記載の製造方法。
【請求項４】工程（ａ）での延性モード加工が電解イ
ンプロセスドレッシングを用いた延性モード加工である
請求項１〜３いずれか記載の製造方法。
【請求項５】工程（ａ）においてループ剛性が１５０
Ｎ／μｍ以上の研削装置を用いて研削を行う請求項１〜
４いずれか記載の製造方法。
【請求項６】鏡面加工基板のＲａが１〜２０Åである
請求項１〜５いずれか記載の製造方法。
【請求項７】鏡面加工基板の平坦度が１０μｍ以下で
ある請求項１〜６いずれか記載の製造方法。