JP5660856B2 - 大面積グラフェンの製造方法及び転写方法 - Google Patents
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Description
102 シリコン酸化物層
110 触媒層
120 グラフェン層
130 保護層
140 接着層
150 転写基板
152 接触溶液
210 基板ホルダ
221 第1ロール
222 第2ロール
240 接触テープ
250 スタック
260 無粘着テープ
Claims (18)
- 基板上にグラフェン層を形成する段階と、
前記グラフェン層上に、保護層及び接着層を順次に形成する段階と、
前記基板を前記グラフェン層から除去する段階と、
転写基板上に、前記グラフェン層が接触するように、前記グラフェン層を整列する段階と、
前記接着層及び保護層を順次に除去する段階と、を含み、
前記保護層の形成段階は、ポリメチルメタクリレート、フォトレジスト、ER(electron resist)、SiO x 、AlO x のうちいずれか一つの保護層を形成することを特徴とする大面積グラフェン転写方法。 - 前記グラフェン層の形成段階は、前記基板上に触媒層を形成する段階をさらに含み、前記グラフェン層は、前記触媒層上に形成されることを特徴とする請求項1に記載の大面積グラフェン転写方法。
- 前記接着層は、接着テープ、糊、エポキシ樹脂、熱剥離テープ(thermal release tape)、水溶性テープのうちいずれか一つから形成されることを特徴とする請求項1に記載の大面積グラフェン転写方法。
- 前記基板の除去段階は、前記触媒層と前記基板との接触力を弱化させる段階と、
前記グラフェン層、保護層及び接着層がその上に積層された触媒層を、前記基板から離隔させる段階と、を具備したことを特徴とする請求項2に記載の大面積グラフェン転写方法。 - 前記触媒層と前記基板との接触力を弱化させる段階は、前記触媒層と前記基板との間に親水性液体をしみ込ませることを特徴とする請求項4に記載の大面積グラフェン転写方法。
- 前記基板の除去段階は、前記基板から前記触媒層を離隔させた後、前記グラフェン層から前記触媒層を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の大面積グラフェン転写方法。
- 前記基板の除去段階は、前記基板をエッチングする段階であることを特徴とする請求項1に記載の大面積グラフェン転写方法。
- 前記整列段階は、前記転写基板上に接触溶液を塗布する段階と、
前記グラフェン層を前記転写基板上に対向するように接触させ、前記グラフェン層と前記転写基板とをスライディングさせつつ整列する段階と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の大面積グラフェン転写方法。 - 前記接触溶液は、脱イオン水、イソプロピルアルコール、エタノール、メタノール、鉱油のうちいずれか1つであることを特徴とする請求項8に記載の大面積グラフェン転写方法。
- 前記転写基板を加熱し、前記接触溶液を蒸発させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の大面積グラフェン転写方法。
- 複数の基板上にグラフェン層を形成する段階と、
前記グラフェン層上に保護層を形成する段階と、
前記複数の基板の保護層上に、接着テープを付着させる段階と、
前記グラフェン層と前記基板との接触力を弱化させる段階と、
前記複数のグラフェン層から前記各基板を除去する段階と、を含み、
前記保護層の形成段階は、ポリメチルメタクリレート、フォトレジスト、ER(electron resist)、SiO x 、AlO x のうちいずれか一つの保護層を形成することを特徴とする大面積グラフェン製造方法。 - 前記グラフェン層の形成段階は、前記基板上に触媒層を形成する段階をさらに含み、前記グラフェン層は、前記触媒層上に形成されることを特徴とする請求項11に記載の大面積グラフェン製造方法。
- 前記グラフェン層と前記基板との接触力を弱化させる段階は、前記触媒層と前記基板との間に親水性液体をしみ込ませることを特徴とする請求項12に記載の大面積グラフェン製造方法。
- 前記除去段階は、前記触媒層を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項12に記載の大面積グラフェン製造方法。
- 前記除去段階は、前記複数のグラフェン層を覆うように、無粘着テープを前記接着テープに付着させる段階と、
前記複数のグラフェン層を含む前記接着テープをロールに巻き取る段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項12に記載の大面積グラフェン製造方法。 - 基板上にグラフェン層を形成する段階と、
前記グラフェン層上に、保護層及び接着層を順次に形成する段階と、
前記基板の露出された表面をカッティングし、カッティング線を形成する段階と、
前記カッティング線に親水性液体を接触させる段階と、
前記基板を前記グラフェン層から除去する段階と、
前記接着層及び保護層を順次に除去する段階と、を含み、
前記保護層の形成段階は、ポリメチルメタクリレート、フォトレジスト、ER(electron resist)、SiO x 、AlO x のうちいずれか一つの保護層を形成することを特徴とする大面積グラフェン製造方法。 - 前記グラフェン層の形成段階は、前記基板上に触媒層を形成する段階をさらに含み、前記グラフェン層は、前記触媒層上に形成され、
前記基板の除去段階は、前記触媒層を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の大面積グラフェン製造方法。 - 前記接着層は、接着テープ、糊、エポキシ樹脂、熱剥離テープ(thermal release tape)、水溶性テープのうちいずれか一つから形成されることを特徴とする請求項16に記載の大面積グラフェン製造方法。
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