JP6155745B2 - 半導体装置の製造方法及び半導体基板の製造方法 - Google Patents
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Description
Ar流量、20sccm。
O2流量、8sccm。
マイクロ波パワー、500W。
RFパワー、500W。
上部電極高周波電力 200W。
下部電極高周波電力 100W。
ガス種 N2。
ガス流量 20sccm。
ガス圧 0.3mbar。
時間 30秒。
Claims (11)
- 第1の領域及び前記第1の領域を囲む第2の領域を有し、シリコンを含む第1の基板を準備する工程と、
前記第2の領域にアライメントマークを形成する工程と、
前記第2の領域をエッチングして、前記アライメントマークの深さより小さい深さの段差を前記第1の領域と前記第2の領域との間に形成する工程と、
III−V族化合物半導体を含むウェハ上にIII−V族化合物半導体のエピタキシャル層を成長して、第2の基板を形成する工程と、
前記アライメントマーク及び前記段差を形成した後に、前記第1の基板の前記第1の領域を前記第2の基板の前記エピタキシャル層に対面させる工程と、
第1の領域を前記エピタキシャル層に対面させた後に、前記第1の基板に前記第2の基板を貼り合わせて、第3の基板を形成する工程と、
前記第3の基板から前記ウェハを除去して、第4の基板を形成する工程と、
前記第4の基板から前記第2の領域上の前記エピタキシャル層を除去して、第5の基板を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 - 前記第2の領域は前記第1の基板のエッジを含んでいる、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記アライメントマークを形成する工程の後に、前記第1の領域をエッチングして第1の光導波路のための第1のメサ構造を形成する工程を有し、
前記第1のメサ構造を形成する工程は、
前記アライメントマークを基準として前記第1の基板に対して第1のフォトマスクを位置決めする工程と、
前記第1のメサ構造を形成するための第1のマスクを前記第1の領域上に前記第1のフォトマスクを用いて形成する工程と、
前記第1のマスクを用いて前記第1の領域をエッチングして前記第1のメサ構造を形成する工程と、
を含む、請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第5の基板を形成した後に、前記エピタキシャル層をエッチングして第2の光導波路のための第2のメサ構造を形成する工程を有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第5の基板を形成した後に、前記エピタキシャル層をエッチングして第2の光導波路のための第2のメサ構造を形成する工程を有し、
前記第2のメサ構造は、前記第1のメサ構造上において前記第1のメサ構造の延在方向へ延びるように形成されている部分を含む、請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2のメサ構造を形成する工程は、
前記アライメントマークを基準として前記第5の基板に対して第2のフォトマスクを位置決めする工程と、
前記第2のメサ構造を形成するための第2のマスクを前記エピタキシャル層上に前記第2のフォトマスクを用いて形成する工程と、
前記第2のマスクを用いて前記エピタキシャル層をエッチングして前記第2のメサ構造を形成する工程と、
を含む、請求項4又は5に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の基板は、SOI基板である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の基板を形成する工程は、前記エピタキシャル層の表面に酸化シリコン層を成長する工程を含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の基板を形成する工程と前記第1の領域を前記エピタキシャル層に対面させる工程との間に、前記第1の領域及び前記第2の基板の前記酸化シリコン層の表面を親水化する工程を有し、
前記第3の基板を形成する工程は、
前記第1の領域に前記酸化シリコン層を接触させる工程と、
前記第1の基板の一部及び前記第2の基板の一部の少なくとも一方を押圧する工程と、
押圧した後に、第1及び第2の基板を熱処理する工程と、を含む、請求項8に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第3の基板を形成する工程では、前記第1の基板と前記第2の基板とを表面活性化接合法を用いて貼り合わせる、請求項1〜8のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 第1の領域及び前記第1の領域を囲む第2の領域を有し、シリコンを含む第1の基板を準備する工程と、
前記第2の領域にアライメントマークを形成する工程と、
前記第2の領域をエッチングして、前記アライメントマークの深さより小さい深さの段差を前記第1の領域と前記第2の領域との間に形成する工程と、
III−V族化合物半導体を含むウェハ上にIII−V族化合物半導体のエピタキシャル層を成長して、第2の基板を形成する工程と、
前記アライメントマーク及び前記段差を形成した後に、前記第1の基板の前記第1の領域を前記第2の基板の前記エピタキシャル層に対面させる工程と、
第1の領域を前記エピタキシャル層に対面させた後に、前記第1の基板に前記第2の基板を貼り合わせて、第3の基板を形成する工程と、
前記第3の基板から前記ウェハを除去して、第4の基板を形成する工程と、
前記第4の基板から前記第2の領域上の前記エピタキシャル層を除去して、第5の基板を形成する工程と、を有する半導体基板の製造方法。
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