JP2003078115A - Ｓｏｉウェーハのレーザーマーク印字方法、及び、ｓｏｉウェーハ - Google Patents
Ｓｏｉウェーハのレーザーマーク印字方法、及び、ｓｏｉウェーハInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の課題は、光学的文字読み取り装置に
よって正確に読み取れるレーザーマークをＳＯＩウェー
ハに印字可能なＳＯＩウェーハのレーザーマーク印字方
法、及び、ＳＯＩウェーハを提供することである。 【解決手段】 １）ＳＯＩウェーハの完成後にＳＯＩ層
の表面、或いはベースウェーハ表面上のテラスのうち、
何れか一方にレーザーマークを印字する、或いは、２）
ボンドウェーハのうちベースウェーハ上のレーザーマー
ク印字部を覆う部分を除去して、当該レーザーマーク印
字部を露出する開口部を形成する、或いは、３）ベース
ウェーハとボンドウェーハとを結合する前に、ベースウ
ェーハ表面のうちボンドウェーハと重ならない領域にレ
ーザーマークを予め印字する、或いは、４）レーザーマ
ークが予め印字されたベースウェーハと、ボンドウェー
ハとを結合する前に、当該レーザーマークの印字部に重
なる部分を除去する。
よって正確に読み取れるレーザーマークをＳＯＩウェー
ハに印字可能なＳＯＩウェーハのレーザーマーク印字方
法、及び、ＳＯＩウェーハを提供することである。 【解決手段】 １）ＳＯＩウェーハの完成後にＳＯＩ層
の表面、或いはベースウェーハ表面上のテラスのうち、
何れか一方にレーザーマークを印字する、或いは、２）
ボンドウェーハのうちベースウェーハ上のレーザーマー
ク印字部を覆う部分を除去して、当該レーザーマーク印
字部を露出する開口部を形成する、或いは、３）ベース
ウェーハとボンドウェーハとを結合する前に、ベースウ
ェーハ表面のうちボンドウェーハと重ならない領域にレ
ーザーマークを予め印字する、或いは、４）レーザーマ
ークが予め印字されたベースウェーハと、ボンドウェー
ハとを結合する前に、当該レーザーマークの印字部に重
なる部分を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＳＯＩウェーハの
レーザーマーク印字方法、及び、ＳＯＩウェーハに関す
る。
レーザーマーク印字方法、及び、ＳＯＩウェーハに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩ等の半導体デバイスの製造
工程では、ウェーハを識別して管理する為に、レーザー
マークを各ウェーハに印字する工程が一般に行われてお
り、これによりウェーハ個々の管理が効率良く行われて
いる。
工程では、ウェーハを識別して管理する為に、レーザー
マークを各ウェーハに印字する工程が一般に行われてお
り、これによりウェーハ個々の管理が効率良く行われて
いる。
【０００３】上記レーザーマークは、通常、文字の大き
さが凡そ１〜２ｍｍであり、この大きさの文字を印字す
る都合上、上記ウェーハの外周から中心方向に３ｍｍ程
度までの領域に印字されるのが一般的である。
さが凡そ１〜２ｍｍであり、この大きさの文字を印字す
る都合上、上記ウェーハの外周から中心方向に３ｍｍ程
度までの領域に印字されるのが一般的である。
【０００４】また最近、種々の優れた特徴を備えたＳＯ
Ｉ（Silicon On Insulator）ウェーハを用いてデバイス
を製造する技術が実用化されている。
Ｉ（Silicon On Insulator）ウェーハを用いてデバイス
を製造する技術が実用化されている。
【０００５】このＳＯＩウェーハは、ベースウェーハ
と、酸化膜（シリコン酸化膜）で覆われ、ＳＯＩ層を形
成するボンドウェーハとを直接貼り合わせることによっ
て構成され、その貼り合わせ面（結合界面）に形成され
た上記酸化膜からなる絶縁層によって上記ベースウェー
ハと上記ＳＯＩ層とを電気的に分離したものである。な
お、上記酸化膜が形成されたシリコンウェーハをベース
ウェーハとして用いても良い。
と、酸化膜（シリコン酸化膜）で覆われ、ＳＯＩ層を形
成するボンドウェーハとを直接貼り合わせることによっ
て構成され、その貼り合わせ面（結合界面）に形成され
た上記酸化膜からなる絶縁層によって上記ベースウェー
ハと上記ＳＯＩ層とを電気的に分離したものである。な
お、上記酸化膜が形成されたシリコンウェーハをベース
ウェーハとして用いても良い。
【０００６】ここで、図５を参照して、スマートカット
（smart cut（登録商標））法と称されるＳＯＩウェー
ハの製造方法の概略を説明する。図５は、スマートカッ
ト法によるＳＯＩウェーハの製造工程を説明するフロー
図である。
（smart cut（登録商標））法と称されるＳＯＩウェー
ハの製造方法の概略を説明する。図５は、スマートカッ
ト法によるＳＯＩウェーハの製造工程を説明するフロー
図である。
【０００７】まず、２つのシリコンウェーハ（ベースウ
ェーハ１、ボンドウェーハ２）を用意し（ステップＳ１
０１）、そのうち少なくとも一方のシリコンウェーハ
（ボンドウェーハ２)の表面に酸化膜３を形成する（ス
テップＳ１０２）。
ェーハ１、ボンドウェーハ２）を用意し（ステップＳ１
０１）、そのうち少なくとも一方のシリコンウェーハ
（ボンドウェーハ２)の表面に酸化膜３を形成する（ス
テップＳ１０２）。
【０００８】次いで、酸化膜３が形成されたボンドウェ
ーハ２に水素イオン（Ｈ+）或いは希ガスイオンを注入
し、ボンドウェーハ２内部に微小気泡層４を形成した後
（ステップＳ１０３）、室温で上記イオンを注入した面
をベースウェーハ１に密着させる（ステップＳ１０
４）。この際、ベースウェーハ１とボンドウェーハ２と
は、各表面上に吸着された水分子間に作用するファンデ
ルワールス（van der Waals）力により、外力を加える
ことなく結合する。
ーハ２に水素イオン（Ｈ+）或いは希ガスイオンを注入
し、ボンドウェーハ２内部に微小気泡層４を形成した後
（ステップＳ１０３）、室温で上記イオンを注入した面
をベースウェーハ１に密着させる（ステップＳ１０
４）。この際、ベースウェーハ１とボンドウェーハ２と
は、各表面上に吸着された水分子間に作用するファンデ
ルワールス（van der Waals）力により、外力を加える
ことなく結合する。
【０００９】次いで、熱処理を施して微小気泡層４を剥
離面としてボンドウェーハ２を薄膜状（ＳＯＩ層６及び
埋め込み酸化膜７）に分離した後（ステップＳ１０
５）、更に熱処理を加えて結合を強固なものとする（ス
テップＳ１０６）。
離面としてボンドウェーハ２を薄膜状（ＳＯＩ層６及び
埋め込み酸化膜７）に分離した後（ステップＳ１０
５）、更に熱処理を加えて結合を強固なものとする（ス
テップＳ１０６）。
【００１０】ステップＳ１０６の後、ＳＯＩ層６に鏡面
研磨処理を施して（ステップＳ１０７）、ＳＯＩウェー
ハ８が完成する（以上、特開平５―２１１１２８号参
照）。
研磨処理を施して（ステップＳ１０７）、ＳＯＩウェー
ハ８が完成する（以上、特開平５―２１１１２８号参
照）。
【００１１】上記方法によって製造されたＳＯＩウェー
ハ８は、ＳＯＩ層６とベースウェーハ１との間が埋め込
み酸化膜７（絶縁層）によって隔てられているので、Ｓ
ＯＩウェーハ８上に構成された素子を近接させてもリー
ク電流が生じにくく、その為、ＬＳＩの動作速度や高電
圧下での性能の向上、及びＬＳＩの高密度化や低消費電
力化が実現できるものである。
ハ８は、ＳＯＩ層６とベースウェーハ１との間が埋め込
み酸化膜７（絶縁層）によって隔てられているので、Ｓ
ＯＩウェーハ８上に構成された素子を近接させてもリー
ク電流が生じにくく、その為、ＬＳＩの動作速度や高電
圧下での性能の向上、及びＬＳＩの高密度化や低消費電
力化が実現できるものである。
【００１２】上記ＳＯＩウェーハを用いてデバイスを製
造する場合でも、レーザーマークによりウェーハの管理
を行うことによって、従来のウェーハを用いた場合と同
様のデバイス製造工程の合理化が望まれていた。
造する場合でも、レーザーマークによりウェーハの管理
を行うことによって、従来のウェーハを用いた場合と同
様のデバイス製造工程の合理化が望まれていた。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ＳＯＩウェーハでは、レーザーマークの読み取りがＯＣ
Ｒ（Optical Character Reader；光学的文字読み取り装
置）によって正確に行われない場合があった。
ＳＯＩウェーハでは、レーザーマークの読み取りがＯＣ
Ｒ（Optical Character Reader；光学的文字読み取り装
置）によって正確に行われない場合があった。
【００１４】本発明の課題は、光学的文字読み取り装置
によって正確に読み取れるレーザーマークをＳＯＩウェ
ーハに印字可能なＳＯＩウェーハのレーザーマーク印字
方法、及び、ＳＯＩウェーハを提供することである。
によって正確に読み取れるレーザーマークをＳＯＩウェ
ーハに印字可能なＳＯＩウェーハのレーザーマーク印字
方法、及び、ＳＯＩウェーハを提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記スマートカット法に
よって製造されたＳＯＩウェーハ上のテラス（すなわ
ち、ＳＯＩ層との結合面を含む前記ベースウェーハの表
面上にあって、ベースウェーハの外周とＳＯＩ層の外周
との間の領域）幅は一般に狭く、ベースウェーハ外周か
ら中心方向に３ｍｍ程度までの領域内に１〜２ｍｍ程度
の大きさのレーザーマークが貼り合わせ前に予め印字さ
れた場合、当該印字部にＳＯＩ層が重なってしまい、貼
り合わせられていない部分（未結合部分）が形成される
場合がある。
よって製造されたＳＯＩウェーハ上のテラス（すなわ
ち、ＳＯＩ層との結合面を含む前記ベースウェーハの表
面上にあって、ベースウェーハの外周とＳＯＩ層の外周
との間の領域）幅は一般に狭く、ベースウェーハ外周か
ら中心方向に３ｍｍ程度までの領域内に１〜２ｍｍ程度
の大きさのレーザーマークが貼り合わせ前に予め印字さ
れた場合、当該印字部にＳＯＩ層が重なってしまい、貼
り合わせられていない部分（未結合部分）が形成される
場合がある。
【００１６】上記未結合部分は、例えば図６に示すよう
に、図中符号Ａ１に示すベースウェーハと図中符号Ａ２
に示すＳＯＩ層とが複雑に入り組んだ形状（図中符号Ａ
３に示す凹凸部）を成し、レーザーマーク“ＥＨ”の印
字部周辺に同一強度の光を照射しても、ベースウェーハ
とＳＯＩ層とからそれぞれ異なった反射強度の光が返っ
てくる為、ＯＣＲによる読み取りが正確に行われなかっ
た。
に、図中符号Ａ１に示すベースウェーハと図中符号Ａ２
に示すＳＯＩ層とが複雑に入り組んだ形状（図中符号Ａ
３に示す凹凸部）を成し、レーザーマーク“ＥＨ”の印
字部周辺に同一強度の光を照射しても、ベースウェーハ
とＳＯＩ層とからそれぞれ異なった反射強度の光が返っ
てくる為、ＯＣＲによる読み取りが正確に行われなかっ
た。
【００１７】更に、上記未結合部分は、図中符号Ａ３に
示すように上記ベースウェーハと上記ＳＯＩ層とが複雑
に入り組んだ形状を成す為、フレイクやパーティクルの
発生原因となったり、図中符号Ａ４に示すＳＯＩ層の境
界領域内で、フォトリソグラフィによってＳＯＩウェー
ハ上にパターン形成する際に塗布するレジストが溜まる
等の不都合が生じていた。
示すように上記ベースウェーハと上記ＳＯＩ層とが複雑
に入り組んだ形状を成す為、フレイクやパーティクルの
発生原因となったり、図中符号Ａ４に示すＳＯＩ層の境
界領域内で、フォトリソグラフィによってＳＯＩウェー
ハ上にパターン形成する際に塗布するレジストが溜まる
等の不都合が生じていた。
【００１８】上記課題を解決する為、請求項１に記載し
た発明は、ベースウェーハと、該ベースウェーハの表面
上に酸化膜からなる絶縁層を介して結合したＳＯＩ層と
を備えるＳＯＩウェーハを作製後、前記ＳＯＩ層の表
面、或いは、前記ＳＯＩ層の外縁より外側にある前記ベ
ースウェーハの表面のうち何れかに対し、これら両表面
の境界を跨ぐことなくレーザーマークを印字することを
特徴とするＳＯＩウェーハのレーザーマーク印字方法で
ある。
た発明は、ベースウェーハと、該ベースウェーハの表面
上に酸化膜からなる絶縁層を介して結合したＳＯＩ層と
を備えるＳＯＩウェーハを作製後、前記ＳＯＩ層の表
面、或いは、前記ＳＯＩ層の外縁より外側にある前記ベ
ースウェーハの表面のうち何れかに対し、これら両表面
の境界を跨ぐことなくレーザーマークを印字することを
特徴とするＳＯＩウェーハのレーザーマーク印字方法で
ある。
【００１９】このように、請求項１記載の発明によれ
ば、ＳＯＩウェーハの完成後にレーザーマークを印字す
るので、ベースウェーハとボンドウェーハとの貼り合わ
せ処理及びエッチング処理工程において、上記レーザー
マーク印字部周辺のベースウェーハとＳＯＩ層とが複雑
に入り組んだ部分が形成されることはない。
ば、ＳＯＩウェーハの完成後にレーザーマークを印字す
るので、ベースウェーハとボンドウェーハとの貼り合わ
せ処理及びエッチング処理工程において、上記レーザー
マーク印字部周辺のベースウェーハとＳＯＩ層とが複雑
に入り組んだ部分が形成されることはない。
【００２０】従って、上記レーザーマークがＯＣＲによ
り正確に読み取り可能になると共に、フレイクやパーテ
ィクルの発生を防止し、フォトリソグラフィによってＳ
ＯＩウェーハ上にパターン形成する際に塗布するレジス
トが溜まる等の不都合もなくなる。
り正確に読み取り可能になると共に、フレイクやパーテ
ィクルの発生を防止し、フォトリソグラフィによってＳ
ＯＩウェーハ上にパターン形成する際に塗布するレジス
トが溜まる等の不都合もなくなる。
【００２１】また、上記課題を解決する為、請求項２に
記載した発明は、ベースウェーハの表面に予めレーザー
マークを印字し、このベースーウェーハと、該ベースウ
ェーハの表面上に酸化膜からなる絶縁層を介して結合し
たＳＯＩ層とを備えるＳＯＩウェーハに対し、エッチン
グ処理を施すことによって、前記レーザーマークを覆う
部位を除去して、該レーザーマーク上に開口部を形成す
ることを特徴とするＳＯＩウェーハのレーザーマーク印
字方法である。
記載した発明は、ベースウェーハの表面に予めレーザー
マークを印字し、このベースーウェーハと、該ベースウ
ェーハの表面上に酸化膜からなる絶縁層を介して結合し
たＳＯＩ層とを備えるＳＯＩウェーハに対し、エッチン
グ処理を施すことによって、前記レーザーマークを覆う
部位を除去して、該レーザーマーク上に開口部を形成す
ることを特徴とするＳＯＩウェーハのレーザーマーク印
字方法である。
【００２２】このように、請求項２記載の発明によれ
ば、レーザーマークの印字部を覆う絶縁層及びＳＯＩ層
をエッチング処理により除去し、ベースウェーハ表面上
における当該レーザーマーク印字部を露出させるので、
この印字部には上記ベースウェーハとＳＯＩ層とが複雑
に入り組んだ部分が形成されることはない。
ば、レーザーマークの印字部を覆う絶縁層及びＳＯＩ層
をエッチング処理により除去し、ベースウェーハ表面上
における当該レーザーマーク印字部を露出させるので、
この印字部には上記ベースウェーハとＳＯＩ層とが複雑
に入り組んだ部分が形成されることはない。
【００２３】従って、上記レーザーマークがＯＣＲによ
り正確に読み取り可能になると共に、フレイクやパーテ
ィクルの発生を防止し、フォトリソグラフィによってＳ
ＯＩウェーハ上にパターン形成する際に塗布するレジス
トが溜まる等の不都合もなくなる。しかも、レーザーマ
ークの印字箇所によらず、上記レーザーマーク印字部を
露出できるので、利便性に優れたものとなる。
り正確に読み取り可能になると共に、フレイクやパーテ
ィクルの発生を防止し、フォトリソグラフィによってＳ
ＯＩウェーハ上にパターン形成する際に塗布するレジス
トが溜まる等の不都合もなくなる。しかも、レーザーマ
ークの印字箇所によらず、上記レーザーマーク印字部を
露出できるので、利便性に優れたものとなる。
【００２４】また、上記課題を解決する為、請求項３に
記載した発明は、ベースウェーハと、該ベースウェーハ
の表面上に酸化膜からなる絶縁層を介して結合したＳＯ
Ｉ層とを備えるＳＯＩウェーハを作製するに際し、前記
ベースウェーハの表面上に前記ＳＯＩ層を構成するボン
ドウェーハを結合する前に、前記ベースウェーハ表面の
うちの前記ボンドウェーハによって覆われない部分に前
記レーザーマークを予め印字することを特徴とするＳＯ
Ｉウェーハのレーザーマーク印字方法である。
記載した発明は、ベースウェーハと、該ベースウェーハ
の表面上に酸化膜からなる絶縁層を介して結合したＳＯ
Ｉ層とを備えるＳＯＩウェーハを作製するに際し、前記
ベースウェーハの表面上に前記ＳＯＩ層を構成するボン
ドウェーハを結合する前に、前記ベースウェーハ表面の
うちの前記ボンドウェーハによって覆われない部分に前
記レーザーマークを予め印字することを特徴とするＳＯ
Ｉウェーハのレーザーマーク印字方法である。
【００２５】このように、請求項３記載の発明によれ
ば、ベースウェーハ表面上にあってＳＯＩウェーハの製
造工程を通じてボンドウェーハと重ならない領域内にレ
ーザーマークを予め印字するので、当該レーザーマーク
の印字部には、ベースウェーハとＳＯＩ層とが複雑に入
り組んだ部分は形成されない。
ば、ベースウェーハ表面上にあってＳＯＩウェーハの製
造工程を通じてボンドウェーハと重ならない領域内にレ
ーザーマークを予め印字するので、当該レーザーマーク
の印字部には、ベースウェーハとＳＯＩ層とが複雑に入
り組んだ部分は形成されない。
【００２６】従って、上記レーザーマークがＯＣＲによ
り正確に読み取り可能になると共に、フレイクやパーテ
ィクルの発生を防止し、フォトリソグラフィによってＳ
ＯＩウェーハ上にパターン形成する際に塗布するレジス
トが溜まる等の不都合もなくなる。更に、レーザーマー
クを印字する工程以外にＳＯＩ製造工程を変更すること
なくＯＣＲによって正確に読み取れるレーザーマークの
印字が可能となるので、エッチング処理等に必要な薬液
や時間等の節約が図られる。
り正確に読み取り可能になると共に、フレイクやパーテ
ィクルの発生を防止し、フォトリソグラフィによってＳ
ＯＩウェーハ上にパターン形成する際に塗布するレジス
トが溜まる等の不都合もなくなる。更に、レーザーマー
クを印字する工程以外にＳＯＩ製造工程を変更すること
なくＯＣＲによって正確に読み取れるレーザーマークの
印字が可能となるので、エッチング処理等に必要な薬液
や時間等の節約が図られる。
【００２７】また、上記課題を解決する為、請求項４に
記載した発明は、ベースウェーハの表面に予めレーザー
マークを印字し、このベースーウェーハと、該ベースウ
ェーハの表面上に酸化膜からなる絶縁層を介して結合し
たＳＯＩ層とを備えるＳＯＩウェーハを作製するに際
し、前記ＳＯＩ層を構成するボンドウェーハを前記ベー
スウェーハ上に結合することによって該ボンドウェーハ
により前記レーザーマークが覆われてしまうことがない
ように、前記結合前に前記ボンドウェーハの一部を予め
除去しておくことを特徴とするＳＯＩウェーハのレーザ
ーマーク印字方法である。
記載した発明は、ベースウェーハの表面に予めレーザー
マークを印字し、このベースーウェーハと、該ベースウ
ェーハの表面上に酸化膜からなる絶縁層を介して結合し
たＳＯＩ層とを備えるＳＯＩウェーハを作製するに際
し、前記ＳＯＩ層を構成するボンドウェーハを前記ベー
スウェーハ上に結合することによって該ボンドウェーハ
により前記レーザーマークが覆われてしまうことがない
ように、前記結合前に前記ボンドウェーハの一部を予め
除去しておくことを特徴とするＳＯＩウェーハのレーザ
ーマーク印字方法である。
【００２８】このように、請求項４記載の発明によれ
ば、ベースウェーハの表面に予めレーザーマークを印字
し、このベースーウェーハと、該ベースウェーハの表面
上に酸化膜からなる絶縁層を介して結合したＳＯＩ層と
を備えるＳＯＩウェーハを作製するに際し、前記ＳＯＩ
層を構成するボンドウェーハを前記ベースウェーハ上に
結合することによって該ボンドウェーハにより前記レー
ザーマークが覆われてしまうことがないように、前記結
合前に前記ボンドウェーハの一部を予め除去し、その
後、当該除去した部分によって上記レーザーマーク印字
部が露出するようにボンドウェーハとベースウェーハと
を結合するので、ＳＯＩウェーハの製造過程を通じてボ
ンドウェーハとレーザーマーク印字部とが重なることは
なく、レーザーマーク印字部周辺には上記ベースウェー
ハとＳＯＩ層とが複雑に入り組んだ部分は形成されな
い。
ば、ベースウェーハの表面に予めレーザーマークを印字
し、このベースーウェーハと、該ベースウェーハの表面
上に酸化膜からなる絶縁層を介して結合したＳＯＩ層と
を備えるＳＯＩウェーハを作製するに際し、前記ＳＯＩ
層を構成するボンドウェーハを前記ベースウェーハ上に
結合することによって該ボンドウェーハにより前記レー
ザーマークが覆われてしまうことがないように、前記結
合前に前記ボンドウェーハの一部を予め除去し、その
後、当該除去した部分によって上記レーザーマーク印字
部が露出するようにボンドウェーハとベースウェーハと
を結合するので、ＳＯＩウェーハの製造過程を通じてボ
ンドウェーハとレーザーマーク印字部とが重なることは
なく、レーザーマーク印字部周辺には上記ベースウェー
ハとＳＯＩ層とが複雑に入り組んだ部分は形成されな
い。
【００２９】従って、上記レーザーマークがＯＣＲによ
り正確に読み取り可能になると共に、フレイクやパーテ
ィクルの発生を防止し、フォトリソグラフィによってＳ
ＯＩウェーハ上にパターン形成する際に塗布するレジス
トが溜まる等の不都合もなくなる。更に、ベースウェー
ハ上におけるレーザーマークの印字位置に応じて、ボン
ドウェーハのうち予め除去する部分を変更すればよいの
で、レーザーマークの印字位置を自由に設定でき、利便
性の向上が図られる。
り正確に読み取り可能になると共に、フレイクやパーテ
ィクルの発生を防止し、フォトリソグラフィによってＳ
ＯＩウェーハ上にパターン形成する際に塗布するレジス
トが溜まる等の不都合もなくなる。更に、ベースウェー
ハ上におけるレーザーマークの印字位置に応じて、ボン
ドウェーハのうち予め除去する部分を変更すればよいの
で、レーザーマークの印字位置を自由に設定でき、利便
性の向上が図られる。
【００３０】そして、本発明の課題を解決する為、請求
項５に記載した発明は、ベースウェーハと、該ベースウ
ェーハの表面上に酸化膜からなる絶縁層を介して結合し
たＳＯＩ層とを備えるＳＯＩウェーハにおいて、前記Ｓ
ＯＩ層の表面、或いは、前記ＳＯＩ層の外縁より外側に
ある前記ベースウェーハの表面の何れかに対し、これら
両表面の境界を跨ぐことなくレーザーマークが印字され
たことを特徴とする。
項５に記載した発明は、ベースウェーハと、該ベースウ
ェーハの表面上に酸化膜からなる絶縁層を介して結合し
たＳＯＩ層とを備えるＳＯＩウェーハにおいて、前記Ｓ
ＯＩ層の表面、或いは、前記ＳＯＩ層の外縁より外側に
ある前記ベースウェーハの表面の何れかに対し、これら
両表面の境界を跨ぐことなくレーザーマークが印字され
たことを特徴とする。
【００３１】このように、請求項５記載の発明によれ
ば、レーザーマークがＯＣＲにより正確に読み取り可能
になると共に、フレイクやパーティクルの発生を防止
し、フォトリソグラフィによってＳＯＩウェーハ上にパ
ターン形成する際に塗布するレジストが溜まる等の不都
合もなくなる。
ば、レーザーマークがＯＣＲにより正確に読み取り可能
になると共に、フレイクやパーティクルの発生を防止
し、フォトリソグラフィによってＳＯＩウェーハ上にパ
ターン形成する際に塗布するレジストが溜まる等の不都
合もなくなる。
【００３２】更に、ボンドウェーハが削除等によって加
工されないので、ＳＯＩウェーハのうち素子として利用
できる有効面積を維持できる。
工されないので、ＳＯＩウェーハのうち素子として利用
できる有効面積を維持できる。
【００３３】そして、本発明の課題を解決する為、請求
項６に記載した発明は、レーザーマークが表面に印字さ
れたベースウェーハと、該ベースウェーハの表面上に酸
化膜からなる絶縁層を介して結合したＳＯＩ層とを備え
るＳＯＩウェーハであって、前記レーザーマークを覆う
部位が除去されることで、該レーザーマークが露出され
ていることを特徴とする。
項６に記載した発明は、レーザーマークが表面に印字さ
れたベースウェーハと、該ベースウェーハの表面上に酸
化膜からなる絶縁層を介して結合したＳＯＩ層とを備え
るＳＯＩウェーハであって、前記レーザーマークを覆う
部位が除去されることで、該レーザーマークが露出され
ていることを特徴とする。
【００３４】このように、請求項６記載の発明によれ
ば、レーザーマークがＯＣＲにより正確に読み取り可能
になると共に、フレイクやパーティクルの発生を防止
し、フォトリソグラフィによってＳＯＩウェーハ上にパ
ターン形成する際に塗布するレジストが溜まる等の不都
合もなくなる。
ば、レーザーマークがＯＣＲにより正確に読み取り可能
になると共に、フレイクやパーティクルの発生を防止
し、フォトリソグラフィによってＳＯＩウェーハ上にパ
ターン形成する際に塗布するレジストが溜まる等の不都
合もなくなる。
【００３５】更に、レーザーマークを覆う部位が強制的
に除去されるので、ベースウェーハ表面上の当該レーザ
ーマーク印字部全てを確実に露出できる。
に除去されるので、ベースウェーハ表面上の当該レーザ
ーマーク印字部全てを確実に露出できる。
【００３６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用したＳＯＩウ
ェーハのレーザーマーク印字方法、及び、ＳＯＩウェー
ハについて詳細に説明する。なお、本実施の形態では、
スマートカット法と称するＳＯＩ製造方法（図５参照）
を適用した場合を前提に説明する。
ェーハのレーザーマーク印字方法、及び、ＳＯＩウェー
ハについて詳細に説明する。なお、本実施の形態では、
スマートカット法と称するＳＯＩ製造方法（図５参照）
を適用した場合を前提に説明する。
【００３７】[第１の実施の形態]図１、図５を参照し
て、本発明を適用した第１の実施の形態におけるＳＯＩ
ウェーハのレーザーマーク印字方法、及び、ＳＯＩウェ
ーハについて詳細に説明する。図１は、完成後のＳＯＩ
ウェーハ上におけるレーザーマークの印字箇所を示す図
である。
て、本発明を適用した第１の実施の形態におけるＳＯＩ
ウェーハのレーザーマーク印字方法、及び、ＳＯＩウェ
ーハについて詳細に説明する。図１は、完成後のＳＯＩ
ウェーハ上におけるレーザーマークの印字箇所を示す図
である。
【００３８】本第１の実施の形態は、ベースウェーハ
と、酸化膜からなる絶縁層を介して当該ベースウェーハ
の表面上に結合したＳＯＩ層とを備えたＳＯＩウェーハ
を作製した後、このＳＯＩ層の表面、或いは、当該ＳＯ
Ｉ層の外縁より外側にあるベースウェーハ表面のうち何
れか一方の表面にレーザーマークを印字することにより
本発明の課題を解決するものである。
と、酸化膜からなる絶縁層を介して当該ベースウェーハ
の表面上に結合したＳＯＩ層とを備えたＳＯＩウェーハ
を作製した後、このＳＯＩ層の表面、或いは、当該ＳＯ
Ｉ層の外縁より外側にあるベースウェーハ表面のうち何
れか一方の表面にレーザーマークを印字することにより
本発明の課題を解決するものである。
【００３９】図１に示すＳＯＩウェーハ１０、ベースウ
ェーハ１１、ＳＯＩ層１２、及び埋め込み酸化膜１３
は、図５に示すステップＳ１０６までの各工程を経て作
製されたＳＯＩウェーハ８、ならびに、該ＳＯＩウェー
ハ８の構成要素であるベースウェーハ１、ＳＯＩ層６、
及び埋め込み酸化膜７にそれぞれ対応している。なお、
この段階では、ベースウェーハ１１には、レーザーマー
クは印字されていない。
ェーハ１１、ＳＯＩ層１２、及び埋め込み酸化膜１３
は、図５に示すステップＳ１０６までの各工程を経て作
製されたＳＯＩウェーハ８、ならびに、該ＳＯＩウェー
ハ８の構成要素であるベースウェーハ１、ＳＯＩ層６、
及び埋め込み酸化膜７にそれぞれ対応している。なお、
この段階では、ベースウェーハ１１には、レーザーマー
クは印字されていない。
【００４０】ＳＯＩウェーハ１０は、その表面のうち、
ＳＯＩ層１２の外周とベースウェーハ１１の外周との間
に、図中符号Ｂ３に示すテラスと称される円環状の領域
を有する。
ＳＯＩ層１２の外周とベースウェーハ１１の外周との間
に、図中符号Ｂ３に示すテラスと称される円環状の領域
を有する。
【００４１】そこで、本実施形態では、上記レーザーマ
ークを、ＳＯＩ層１２の表面上の印字箇所（例えば、図
中符号Ｂ１）、或いは、ベースウェーハ１１の表面上の
テラス内における印字箇所（例えば、図中符号Ｂ２）の
うち、いずれか一方に印字する。
ークを、ＳＯＩ層１２の表面上の印字箇所（例えば、図
中符号Ｂ１）、或いは、ベースウェーハ１１の表面上の
テラス内における印字箇所（例えば、図中符号Ｂ２）の
うち、いずれか一方に印字する。
【００４２】以上説明したように、本第１の実施の形態
では、作製したＳＯＩウェーハ１０のＳＯＩ層１２の表
面上、或いは、図中符号Ｂ３に示すテラス部のうち何れ
かにレーザーマークを印字するので、ＯＣＲによってレ
ーザーマークを読み取る際、レーザーマーク印字部周辺
からの反射光は、ＳＯＩ層、或いは、ベースウェーハの
うち何れか一方の反射光だけとなる。よって、ＯＣＲに
よるレーザーマークの読み取りが正確に行われる。
では、作製したＳＯＩウェーハ１０のＳＯＩ層１２の表
面上、或いは、図中符号Ｂ３に示すテラス部のうち何れ
かにレーザーマークを印字するので、ＯＣＲによってレ
ーザーマークを読み取る際、レーザーマーク印字部周辺
からの反射光は、ＳＯＩ層、或いは、ベースウェーハの
うち何れか一方の反射光だけとなる。よって、ＯＣＲに
よるレーザーマークの読み取りが正確に行われる。
【００４３】また、レーザーマーク印字部周辺は、ＳＯ
Ｉ層とベースウェーハとが入り組んだ形状（図６参照）
を成さないので、フレイクやパーティクルの発生が抑制
されると共に、フォトリソグラフィによってＳＯＩウェ
ーハ上にパターン形成する際に塗布するレジストが溜ま
る等の不都合もなくなる。
Ｉ層とベースウェーハとが入り組んだ形状（図６参照）
を成さないので、フレイクやパーティクルの発生が抑制
されると共に、フォトリソグラフィによってＳＯＩウェ
ーハ上にパターン形成する際に塗布するレジストが溜ま
る等の不都合もなくなる。
【００４４】なお、レーザーマークの印字箇所は、図１
の図中符号Ｂ１、Ｂ２に示す位置に限るものではなく、
ＳＯＩ層１２表面上、或いは、上記テラス内で自由に設
定可能である。
の図中符号Ｂ１、Ｂ２に示す位置に限るものではなく、
ＳＯＩ層１２表面上、或いは、上記テラス内で自由に設
定可能である。
【００４５】[第２の実施の形態]図２、図５を参照し
て、本発明を適用した第２の実施の形態におけるＳＯＩ
ウェーハのレーザーマーク印字方法、及び、ＳＯＩウェ
ーハについて詳細に説明する。図２は、酸化膜が付着し
たＳＯＩウェーハに対し、レーザーマーク印字部上方を
覆う部位を示すＳＯＩウェーハの断面図である。
て、本発明を適用した第２の実施の形態におけるＳＯＩ
ウェーハのレーザーマーク印字方法、及び、ＳＯＩウェ
ーハについて詳細に説明する。図２は、酸化膜が付着し
たＳＯＩウェーハに対し、レーザーマーク印字部上方を
覆う部位を示すＳＯＩウェーハの断面図である。
【００４６】本第２の実施の形態は、ベースウェーハの
表面に予めレーザーマークを印字し、このベースウェー
ハと、当該ベースウェーハの表面上に酸化膜からなる絶
縁層を介して結合したＳＯＩ層とを備えたＳＯＩウェー
ハに対し、上記レーザーマークの印字部上方に積層する
ＳＯＩ層等の部位をエッチング処理により除去し、当該
レーザーマーク印字部全体を露出する開口部を形成する
ことにより、本発明の課題を解決するものである。
表面に予めレーザーマークを印字し、このベースウェー
ハと、当該ベースウェーハの表面上に酸化膜からなる絶
縁層を介して結合したＳＯＩ層とを備えたＳＯＩウェー
ハに対し、上記レーザーマークの印字部上方に積層する
ＳＯＩ層等の部位をエッチング処理により除去し、当該
レーザーマーク印字部全体を露出する開口部を形成する
ことにより、本発明の課題を解決するものである。
【００４７】図２に示すＳＯＩウェーハ１０ａは、図５
に示すステップＳ１０５におけるＳＯＩウェーハの表面
全体に酸化膜が形成された状態に対応している。
に示すステップＳ１０５におけるＳＯＩウェーハの表面
全体に酸化膜が形成された状態に対応している。
【００４８】図２に示すＳＯＩウェーハ１０ａは、ベー
スウェーハ１１ａ、ＳＯＩ層１２ａ、及び埋め込み酸化
膜１３ａを備え、ベースウェーハ１１ａとＳＯＩ層１２
ａとが、埋め込み酸化膜１３ａを挟んで結合することに
より構成される。更に、表面全体には、酸化膜（酸化シ
リコン）１４で覆われている。ここで、ベースウェーハ
１１ａの表面には、図中符号Ｃ１に示すレーザーマーク
が予め印字されている。
スウェーハ１１ａ、ＳＯＩ層１２ａ、及び埋め込み酸化
膜１３ａを備え、ベースウェーハ１１ａとＳＯＩ層１２
ａとが、埋め込み酸化膜１３ａを挟んで結合することに
より構成される。更に、表面全体には、酸化膜（酸化シ
リコン）１４で覆われている。ここで、ベースウェーハ
１１ａの表面には、図中符号Ｃ１に示すレーザーマーク
が予め印字されている。
【００４９】また、ＳＯＩウェーハ１０ａは、図５に示
すスマートカット法におけるステップＳ１０６までの各
工程を経て作製されたものであり、表面全体を覆ってい
る酸化膜１４は、ベースウェーハ１１ａとＳＯＩ層１２
ａとの結合強度を増す為に施す熱処理を酸化性雰囲気で
行うことにより形成されたものである。
すスマートカット法におけるステップＳ１０６までの各
工程を経て作製されたものであり、表面全体を覆ってい
る酸化膜１４は、ベースウェーハ１１ａとＳＯＩ層１２
ａとの結合強度を増す為に施す熱処理を酸化性雰囲気で
行うことにより形成されたものである。
【００５０】また、図中符号Ｃ２に示す部位は、図中符
号Ｃ１に示すレーザーマーク上に積層するＳＯＩ層１２
ａ、埋め込み酸化膜１３ａ、及び酸化膜１４である。こ
れら積層する酸化膜１４、ＳＯＩ層１２ａ、及び埋め込
み酸化膜１３ａを順次エッチングにより除去すること
で、レーザーマークＣ１の印字部上に開口部を形成する
ことができる。
号Ｃ１に示すレーザーマーク上に積層するＳＯＩ層１２
ａ、埋め込み酸化膜１３ａ、及び酸化膜１４である。こ
れら積層する酸化膜１４、ＳＯＩ層１２ａ、及び埋め込
み酸化膜１３ａを順次エッチングにより除去すること
で、レーザーマークＣ１の印字部上に開口部を形成する
ことができる。
【００５１】なお、この開口部は、少なくともレーザー
マークＣ１の全体を露出させるだけの寸法に設定する
が、素子としての有効利用面積をさほど減じない範囲内
でレーザーマークＣ１の周囲部分も若干量露出させる寸
法に設定することがさらに好ましく、このようにするこ
とで、レーザーマークＣ１の読み取りをより確実に行う
ことができる。以下、開口部の形成手順を詳細に説明す
る。
マークＣ１の全体を露出させるだけの寸法に設定する
が、素子としての有効利用面積をさほど減じない範囲内
でレーザーマークＣ１の周囲部分も若干量露出させる寸
法に設定することがさらに好ましく、このようにするこ
とで、レーザーマークＣ１の読み取りをより確実に行う
ことができる。以下、開口部の形成手順を詳細に説明す
る。
【００５２】まず、図中符号Ｃ３に示す領域（すなわち
図中符号Ｃ２に示す部位の表面）を除くＳＯＩウェーハ
１０ａ全体を、例えば耐薬品性マスキングテープで覆
う。
図中符号Ｃ２に示す部位の表面）を除くＳＯＩウェーハ
１０ａ全体を、例えば耐薬品性マスキングテープで覆
う。
【００５３】次いで、上記マスキングテープで覆われて
いない領域Ｃ３の露出している酸化膜１４を、ＨＦ、Ｂ
ＨＦ（Buffered HF）等のフッ酸系の薬液によって除去
し、ＳＯＩ層１２ａを露出させる。
いない領域Ｃ３の露出している酸化膜１４を、ＨＦ、Ｂ
ＨＦ（Buffered HF）等のフッ酸系の薬液によって除去
し、ＳＯＩ層１２ａを露出させる。
【００５４】更に、上記ＳＯＩウェーハ１０ａを覆って
いたマスキングテープを除去した後、酸化膜１４をマス
クとして上記領域Ｃ３内で露出されたＳＯＩ層１２ａ
を、ＨＦ、硝酸系、ＮａＯＨやＫＯＨ等のアルカリ系、
或いは、アルコール系の薬液によってエッチング除去し
て埋め込み酸化膜１３ａを露出させる。
いたマスキングテープを除去した後、酸化膜１４をマス
クとして上記領域Ｃ３内で露出されたＳＯＩ層１２ａ
を、ＨＦ、硝酸系、ＮａＯＨやＫＯＨ等のアルカリ系、
或いは、アルコール系の薬液によってエッチング除去し
て埋め込み酸化膜１３ａを露出させる。
【００５５】次いで、上記領域Ｃ３にわたって露出され
た埋め込み酸化膜１３ａを、ＨＦ、ＢＨＦ等のフッ酸系
の薬液によって除去することで、レーザーマークＣ１の
印字部全体が露出される。同時に、ＳＯＩウェーハ１０
ａの表面を覆っている酸化膜１４も除去される。
た埋め込み酸化膜１３ａを、ＨＦ、ＢＨＦ等のフッ酸系
の薬液によって除去することで、レーザーマークＣ１の
印字部全体が露出される。同時に、ＳＯＩウェーハ１０
ａの表面を覆っている酸化膜１４も除去される。
【００５６】以上説明したように、本第２の実施の形態
では、ベースウェーハ１１ａに予め印字されたレーザー
マークＣ１を覆う図中符号Ｃ２に示す領域内の酸化膜１
４、ＳＯＩ層１２ａ、埋め込み酸化膜１３ａをエッチン
グ処理により除去する。これにより、レーザーマークＣ
１上に開口部（図中の領域Ｃ２）が形成されるので、レ
ーザーマークＣ１を露出させることができる。
では、ベースウェーハ１１ａに予め印字されたレーザー
マークＣ１を覆う図中符号Ｃ２に示す領域内の酸化膜１
４、ＳＯＩ層１２ａ、埋め込み酸化膜１３ａをエッチン
グ処理により除去する。これにより、レーザーマークＣ
１上に開口部（図中の領域Ｃ２）が形成されるので、レ
ーザーマークＣ１を露出させることができる。
【００５７】従って、ＯＣＲによってレーザーマークＣ
１を読み取る際、ベースウェーハ１１ａからの反射光だ
けを読み取ることになる為、ＯＣＲによるレーザーマー
クＣ１の読み取りが正確に行われる。
１を読み取る際、ベースウェーハ１１ａからの反射光だ
けを読み取ることになる為、ＯＣＲによるレーザーマー
クＣ１の読み取りが正確に行われる。
【００５８】また、レーザーマークＣ１の印字部周辺
（すなわち、図中符号Ｃ２に示す開口部の底辺）には、
ベースウェーハ１１の表面のみが露出されており、ＳＯ
Ｉ層とベースウェーハとが入り組んだ形状（図６参照）
は形成されないので、フレイクやパーティクルの発生原
因が抑制されると共に、フォトリソグラフィによってＳ
ＯＩウェーハ上にパターン形成する際に塗布するレジス
トが溜まる等の不都合もなくなる。
（すなわち、図中符号Ｃ２に示す開口部の底辺）には、
ベースウェーハ１１の表面のみが露出されており、ＳＯ
Ｉ層とベースウェーハとが入り組んだ形状（図６参照）
は形成されないので、フレイクやパーティクルの発生原
因が抑制されると共に、フォトリソグラフィによってＳ
ＯＩウェーハ上にパターン形成する際に塗布するレジス
トが溜まる等の不都合もなくなる。
【００５９】なお、本第２の実施の形態では、図中符号
Ｃ２に示す部位の表面（領域Ｃ３）を除いたＳＯＩウェ
ーハ１０ａ全体を耐薬品性マスキングテープで覆った
後、上記領域Ｃ３にわたって露出した酸化膜１４を除去
していたが、これに限らず、例えば、ＳＯＩウェーハ１
０ａ全体に、フォトリソグラフィ用のレジストを塗布
し、次いで、上記領域Ｃ３上のレジストのみを紫外光に
より感光した後に、上記と同様のエッチング処理により
除去してもよい。
Ｃ２に示す部位の表面（領域Ｃ３）を除いたＳＯＩウェ
ーハ１０ａ全体を耐薬品性マスキングテープで覆った
後、上記領域Ｃ３にわたって露出した酸化膜１４を除去
していたが、これに限らず、例えば、ＳＯＩウェーハ１
０ａ全体に、フォトリソグラフィ用のレジストを塗布
し、次いで、上記領域Ｃ３上のレジストのみを紫外光に
より感光した後に、上記と同様のエッチング処理により
除去してもよい。
【００６０】この場合、上記レジストは、上記耐薬品性
マスキングテープの役割を奏するものである。すなわち
上記レジストは、上記領域Ｃ３にわたって露出された酸
化膜１４を上記フッ酸系の薬液により除去する際、コー
ティング材として機能する。
マスキングテープの役割を奏するものである。すなわち
上記レジストは、上記領域Ｃ３にわたって露出された酸
化膜１４を上記フッ酸系の薬液により除去する際、コー
ティング材として機能する。
【００６１】また、レーザーマークの位置やＳＯＩ層の
結合位置によらず、上記手法によってレーザーマークを
覆う部位を除去して当該印字部を露出させることが可能
であり、従って、これらレーザマークの位置やＳＯＩ層
の結合位置の設定は自由である。この為、レーザーマー
クの印字箇所によらず、ベースウェーハ表面上における
上記レーザーマーク印字部を露出できるので、利便性に
優れたものとなる。
結合位置によらず、上記手法によってレーザーマークを
覆う部位を除去して当該印字部を露出させることが可能
であり、従って、これらレーザマークの位置やＳＯＩ層
の結合位置の設定は自由である。この為、レーザーマー
クの印字箇所によらず、ベースウェーハ表面上における
上記レーザーマーク印字部を露出できるので、利便性に
優れたものとなる。
【００６２】例えば、レーザーマークが、酸化膜１４と
ＳＯＩ層１２ａ等との境界に跨った図中符号Ｃ４に示す
部分に印字されている場合でも適用可能である。
ＳＯＩ層１２ａ等との境界に跨った図中符号Ｃ４に示す
部分に印字されている場合でも適用可能である。
【００６３】この場合、まず、上記耐薬品性マスクテー
プ或いはレジストをコーティング材として用いることに
より、ＨＦ、ＢＨＦ等のフッ酸系の薬液により図中符号
Ｃ５に示す領域内の酸化膜を除去してＳＯＩ層１２ａを
露出させる。
プ或いはレジストをコーティング材として用いることに
より、ＨＦ、ＢＨＦ等のフッ酸系の薬液により図中符号
Ｃ５に示す領域内の酸化膜を除去してＳＯＩ層１２ａを
露出させる。
【００６４】次いで上記コーティング材を除いた後、上
記領域Ｃ５内で露出されたＳＯＩ層１２ａをＨＦ、硝酸
系、ＮａＯＨやＫＯＨ等のアルカリ系、或いは、アルコ
ール系の薬液によって除去して埋め込み酸化膜１３ａを
露出させる。
記領域Ｃ５内で露出されたＳＯＩ層１２ａをＨＦ、硝酸
系、ＮａＯＨやＫＯＨ等のアルカリ系、或いは、アルコ
ール系の薬液によって除去して埋め込み酸化膜１３ａを
露出させる。
【００６５】次いで、ＨＦ、ＢＨＦ等のフッ酸系の薬液
によって、上記領域Ｃ５内で露出された埋め込み酸化膜
１３ａ及び酸化膜１４を除去する。これにより、上記Ｃ
４に示すレーザーマーク印字部全体が露出される。な
お、本第２の実施の形態では酸化膜１４をステップＳ１
０６の結合熱処理によって形成する場合について説明し
たが、ステップＳ１０７の後に酸化工程を付加して行う
こともできる。
によって、上記領域Ｃ５内で露出された埋め込み酸化膜
１３ａ及び酸化膜１４を除去する。これにより、上記Ｃ
４に示すレーザーマーク印字部全体が露出される。な
お、本第２の実施の形態では酸化膜１４をステップＳ１
０６の結合熱処理によって形成する場合について説明し
たが、ステップＳ１０７の後に酸化工程を付加して行う
こともできる。
【００６６】[第３の実施の形態]図３、図５を参照し
て、本発明を適用した第３の実施の形態におけるＳＯＩ
ウェーハのレーザーマーク印字方法、及び、ＳＯＩウェ
ーハについて詳細に説明する。
て、本発明を適用した第３の実施の形態におけるＳＯＩ
ウェーハのレーザーマーク印字方法、及び、ＳＯＩウェ
ーハについて詳細に説明する。
【００６７】図３は、ボンドウェーハと重ならないベー
スウェーハ上の外周部にあって、ボンドウェーハとの結
合前にレーザーマークを予め印字する箇所を示す断面図
である。
スウェーハ上の外周部にあって、ボンドウェーハとの結
合前にレーザーマークを予め印字する箇所を示す断面図
である。
【００６８】本第３の実施の形態は、ベースウェーハ
と、当該ベースウェーハの表面上に酸化膜からなる絶縁
層を介して結合したＳＯＩ層とを備えたＳＯＩウェーハ
を作製する際、上記ベースウェーハと上記ＳＯＩ層を形
成するボンドウェーハとを結合する前に、上記ベースウ
ェーハ表面上の外周部周辺にあって上記ボンドウェーハ
と重ならない位置にレーザーマークを予め印字すること
により、本発明の課題を解決するものである。
と、当該ベースウェーハの表面上に酸化膜からなる絶縁
層を介して結合したＳＯＩ層とを備えたＳＯＩウェーハ
を作製する際、上記ベースウェーハと上記ＳＯＩ層を形
成するボンドウェーハとを結合する前に、上記ベースウ
ェーハ表面上の外周部周辺にあって上記ボンドウェーハ
と重ならない位置にレーザーマークを予め印字すること
により、本発明の課題を解決するものである。
【００６９】図３に示すベースウェーハ１１ｂ及びボン
ドウェーハ２０は、図５に示すステップＳ１０１におけ
るベースウェーハ１及びボンドウェーハ２にそれぞれ対
応している。すなわち、本第３の実施の形態は、図５に
示すステップＳ１０１の工程で適用されるものである。
ドウェーハ２０は、図５に示すステップＳ１０１におけ
るベースウェーハ１及びボンドウェーハ２にそれぞれ対
応している。すなわち、本第３の実施の形態は、図５に
示すステップＳ１０１の工程で適用されるものである。
【００７０】図３に示すベースウェーハ１１ｂは、ボン
ドウェーハ２０と重ならない領域（例えば、図中符合Ｄ
１に示す領域）を有する。この領域は、ベースウェーハ
を鏡面研磨仕上げする際のメカノケミカル研磨により不
可避的に発生する研磨ダレに起因するものであり、通常
はウェーハ最外周から１〜２ｍｍ程度に形成され、最終
ＳＯＩウェーハのテラス部となる領域である。
ドウェーハ２０と重ならない領域（例えば、図中符合Ｄ
１に示す領域）を有する。この領域は、ベースウェーハ
を鏡面研磨仕上げする際のメカノケミカル研磨により不
可避的に発生する研磨ダレに起因するものであり、通常
はウェーハ最外周から１〜２ｍｍ程度に形成され、最終
ＳＯＩウェーハのテラス部となる領域である。
【００７１】そこで、本実施形態では、ベースウェーハ
１１ｂとボンドウェーハ２０とを結合する前に、図中符
号Ｄ２に示すレーザーマークを上記領域Ｄ１内に印字す
る。その後、図５に示すスマートカット法に基づいてＳ
ＯＩウェーハを作製する。
１１ｂとボンドウェーハ２０とを結合する前に、図中符
号Ｄ２に示すレーザーマークを上記領域Ｄ１内に印字す
る。その後、図５に示すスマートカット法に基づいてＳ
ＯＩウェーハを作製する。
【００７２】以上説明したように、本第３の実施の形態
では、ベースウェーハ１１ｂにボンドウェーハ２０を結
合する前に、ベースウェーハ１１ｂの表面上のうちボン
ドウェーハ２０と重ならない領域にレーザーマークＤ２
を予め印字する。
では、ベースウェーハ１１ｂにボンドウェーハ２０を結
合する前に、ベースウェーハ１１ｂの表面上のうちボン
ドウェーハ２０と重ならない領域にレーザーマークＤ２
を予め印字する。
【００７３】従って、ＳＯＩウェーハが作製されるまで
の間（図５に示すステップＳ１０１〜Ｓ１０６参照）、
レーザーマークＤ２は、ボンドウェーハ２０（ＳＯＩ
層）によって覆われることはなく、レーザーマークＤ２
の印字部周辺は、ベースウェーハ１１ｂの表面だけが露
出される。
の間（図５に示すステップＳ１０１〜Ｓ１０６参照）、
レーザーマークＤ２は、ボンドウェーハ２０（ＳＯＩ
層）によって覆われることはなく、レーザーマークＤ２
の印字部周辺は、ベースウェーハ１１ｂの表面だけが露
出される。
【００７４】この為、ＯＣＲによってレーザーマークを
読み取る際、レーザーマークＤ２の印字部周辺からは、
ベースウェーハ１１ａからの反射光だけが放射される
為、ＯＣＲによるレーザーマークの読み取りが正確に行
われる。
読み取る際、レーザーマークＤ２の印字部周辺からは、
ベースウェーハ１１ａからの反射光だけが放射される
為、ＯＣＲによるレーザーマークの読み取りが正確に行
われる。
【００７５】更に、レーザーマークＤ２の印字部周辺に
はＳＯＩ層とベースウェーハとが入り組んだ形状（図６
参照）が形成されないので、フレイクやパーティクルの
発生原因が抑制されると共に、フォトリソグラフィによ
ってＳＯＩウェーハ上にパターン形成する際に塗布する
レジストが溜まる等の不都合もなくなる。
はＳＯＩ層とベースウェーハとが入り組んだ形状（図６
参照）が形成されないので、フレイクやパーティクルの
発生原因が抑制されると共に、フォトリソグラフィによ
ってＳＯＩウェーハ上にパターン形成する際に塗布する
レジストが溜まる等の不都合もなくなる。
【００７６】更に、レーザーマークを印字する工程以外
にＳＯＩ製造工程を変更することなくＯＣＲによって正
確に読み取れるレーザーマークの印字が可能となるの
で、エッチング処理等に必要な薬液や時間等の節約が図
られる。
にＳＯＩ製造工程を変更することなくＯＣＲによって正
確に読み取れるレーザーマークの印字が可能となるの
で、エッチング処理等に必要な薬液や時間等の節約が図
られる。
【００７７】[第４の実施の形態]図４（ａ）、図５を参
照して、本発明を適用した第４の実施の形態におけるＳ
ＯＩウェーハのレーザーマーク印字方法、及び、ＳＯＩ
ウェーハについて詳細に説明する。なお、図４（ｂ）、
（ｃ）に示す内容は、図４（ａ）に示す内容の変形例で
あり、後に詳述する。
照して、本発明を適用した第４の実施の形態におけるＳ
ＯＩウェーハのレーザーマーク印字方法、及び、ＳＯＩ
ウェーハについて詳細に説明する。なお、図４（ｂ）、
（ｃ）に示す内容は、図４（ａ）に示す内容の変形例で
あり、後に詳述する。
【００７８】本第４の実施の形態は、ベースウェーハの
表面に予めレーザーマークを印字し、このベースーウェ
ーハと、該ベースウェーハの表面上に酸化膜からなる絶
縁層を介して結合したＳＯＩ層とを備えるＳＯＩウェー
ハを作製するに際し、ＳＯＩ層を構成するボンドウェー
ハをベースウェーハ上に結合することによって該ボンド
ウェーハによりレーザーマークが覆われてしまうことが
ないように、結合前にボンドウェーハの一部を予め除去
しておくことことによって、本発明の課題を解決するも
のである。
表面に予めレーザーマークを印字し、このベースーウェ
ーハと、該ベースウェーハの表面上に酸化膜からなる絶
縁層を介して結合したＳＯＩ層とを備えるＳＯＩウェー
ハを作製するに際し、ＳＯＩ層を構成するボンドウェー
ハをベースウェーハ上に結合することによって該ボンド
ウェーハによりレーザーマークが覆われてしまうことが
ないように、結合前にボンドウェーハの一部を予め除去
しておくことことによって、本発明の課題を解決するも
のである。
【００７９】図４（ａ）に示すように、ベースウェーハ
１１ｃ及びボンドウェーハ２１ｃは、図５に示すステッ
プＳ１０１におけるベースウェーハ１及びボンドウェー
ハ２にそれぞれ相当する。すなわち、本第４の実施の形
態は、図５に示すステップＳ１０１の工程で適用される
ものである。
１１ｃ及びボンドウェーハ２１ｃは、図５に示すステッ
プＳ１０１におけるベースウェーハ１及びボンドウェー
ハ２にそれぞれ相当する。すなわち、本第４の実施の形
態は、図５に示すステップＳ１０１の工程で適用される
ものである。
【００８０】ベースウェーハ１１ｃには、オリエンテー
ションフラット部１１１ｃが形成されると共に、例えば
オリエンテーションフラット部１１１ｃの反対側に位置
する外縁部に図中符号Ｅ１に示すレーザーマークが予め
印字されている。
ションフラット部１１１ｃが形成されると共に、例えば
オリエンテーションフラット部１１１ｃの反対側に位置
する外縁部に図中符号Ｅ１に示すレーザーマークが予め
印字されている。
【００８１】ボンドウェーハ２１ｃは、ベースウェーハ
１１ｃと結合することによりレーザーマークＥ１を覆う
部分が、結合前に予め除去されている。このボンドウェ
ーハ２１ｃを、図４に示すように、該ボンドウェーハ２
１ｃによりレーザーマークＥ１を覆わないように、ベー
スウェーハ１１ｃ上に結合する。従って、レーザーマー
クＥ１が当該ＳＯＩウェーハの表面に露出した状態とな
る。この場合、ボンドウェーハ２１ｃの予め除去されて
いる部分（オリエンテーションフラット部１２１ｃ）
を、ベースウェーハ１１ｃのオリエンテーションフラッ
ト部１１１ｃと同一形状にすることにより、ボンドウェ
ーハ２１ｃとベースウェーハ１１ｃとを同一仕様のウェ
ーハとすることができるので、両ウェーハを別々に準備
する必要がなく、効率的である。
１１ｃと結合することによりレーザーマークＥ１を覆う
部分が、結合前に予め除去されている。このボンドウェ
ーハ２１ｃを、図４に示すように、該ボンドウェーハ２
１ｃによりレーザーマークＥ１を覆わないように、ベー
スウェーハ１１ｃ上に結合する。従って、レーザーマー
クＥ１が当該ＳＯＩウェーハの表面に露出した状態とな
る。この場合、ボンドウェーハ２１ｃの予め除去されて
いる部分（オリエンテーションフラット部１２１ｃ）
を、ベースウェーハ１１ｃのオリエンテーションフラッ
ト部１１１ｃと同一形状にすることにより、ボンドウェ
ーハ２１ｃとベースウェーハ１１ｃとを同一仕様のウェ
ーハとすることができるので、両ウェーハを別々に準備
する必要がなく、効率的である。
【００８２】以上説明したように、本第４の実施の形態
では、ボンドウェーハ２１ｃのうち、ベースウェーハ１
１ｃに結合することによりレーザーマークＥ１の印字部
を覆う部分を、結合前に予め除去する。
では、ボンドウェーハ２１ｃのうち、ベースウェーハ１
１ｃに結合することによりレーザーマークＥ１の印字部
を覆う部分を、結合前に予め除去する。
【００８３】従って、ＳＯＩウェーハの製造過程（図５
に示すステップＳ１０１〜Ｓ１０７参照）を通じてレー
ザーマークＥ１の印字部にボンドウェーハ２１ｃが重な
ることがなく、ＯＣＲによってレーザーマークを読み取
る際、ベースウェーハ１１ｃからの反射光だけを読み取
ることになるので、レーザーマークの読み取りが正確に
行われる。
に示すステップＳ１０１〜Ｓ１０７参照）を通じてレー
ザーマークＥ１の印字部にボンドウェーハ２１ｃが重な
ることがなく、ＯＣＲによってレーザーマークを読み取
る際、ベースウェーハ１１ｃからの反射光だけを読み取
ることになるので、レーザーマークの読み取りが正確に
行われる。
【００８４】更に、レーザーマークＥ１の印字部周辺に
はＳＯＩ層とベースウェーハとが入り組んだ部分（図６
参照）が形成されない為、フレイクやパーティクルの発
生が抑制されると共に、フォトリソグラフィによってＳ
ＯＩウェーハ上にパターン形成する際に塗布するレジス
トが溜まる等の不都合もなくなる。
はＳＯＩ層とベースウェーハとが入り組んだ部分（図６
参照）が形成されない為、フレイクやパーティクルの発
生が抑制されると共に、フォトリソグラフィによってＳ
ＯＩウェーハ上にパターン形成する際に塗布するレジス
トが溜まる等の不都合もなくなる。
【００８５】更に、ベースウェーハ１１ｃ上におけるレ
ーザーマークＥ１の印字位置に応じて、ボンドウェーハ
２１ｃのうち予め除去する部分を変更するか、除去した
部分を回転させて貼り合わせればよいので、レーザーマ
ークの印字位置を自由に設定でき、利便性の向上が図ら
れる。
ーザーマークＥ１の印字位置に応じて、ボンドウェーハ
２１ｃのうち予め除去する部分を変更するか、除去した
部分を回転させて貼り合わせればよいので、レーザーマ
ークの印字位置を自由に設定でき、利便性の向上が図ら
れる。
【００８６】なお、本第４の実施の形態には、図４
（ａ）に示すボンドウェーハ２１ｃの変形例として、例
えば、同図（ｂ）及び（ｃ）に示すボンドウェーハ２２
ｃと、ボンドウェーハ２３ｃとが考えられる。以下、図
４（ｂ）、図４（ｃ）を参照して本第４の実施の形態の
変形例を説明する。
（ａ）に示すボンドウェーハ２１ｃの変形例として、例
えば、同図（ｂ）及び（ｃ）に示すボンドウェーハ２２
ｃと、ボンドウェーハ２３ｃとが考えられる。以下、図
４（ｂ）、図４（ｃ）を参照して本第４の実施の形態の
変形例を説明する。
【００８７】まず、図４（ｂ）に示す変形例について説
明する。図４（ｂ）に示すベースウェーハ１１ｃ及びボ
ンドウェーハ２２ｃは、図５に示すステップＳ１０１の
ベースウェーハ１及びボンドウェーハ２にそれぞれ相当
するものである。
明する。図４（ｂ）に示すベースウェーハ１１ｃ及びボ
ンドウェーハ２２ｃは、図５に示すステップＳ１０１の
ベースウェーハ１及びボンドウェーハ２にそれぞれ相当
するものである。
【００８８】ベースウェーハ１１ｃには、オリエンテー
ションフラット部１１１ｃが形成されると共に、オリエ
ンテーションフラット部１１１ｃの反対側に位置する外
縁部に図中符号Ｅ１に示すレーザーマークが予め印字さ
れている。
ションフラット部１１１ｃが形成されると共に、オリエ
ンテーションフラット部１１１ｃの反対側に位置する外
縁部に図中符号Ｅ１に示すレーザーマークが予め印字さ
れている。
【００８９】ボンドウェーハ２２ｃは、ベースウェーハ
１１ｃと結合することによりレーザーマークＥ１を覆う
部分が結合前に予め除去されている他は、ベースウェー
ハ１１ｃに沿う形状とされている。
１１ｃと結合することによりレーザーマークＥ１を覆う
部分が結合前に予め除去されている他は、ベースウェー
ハ１１ｃに沿う形状とされている。
【００９０】従って、ボンドウェーハ２２ｃをベースウ
ェーハ１１ｃに結合した後も、当該ＳＯＩウェーハの表
面にレーザーマークＥ１が露出した状態のままとなる。
ェーハ１１ｃに結合した後も、当該ＳＯＩウェーハの表
面にレーザーマークＥ１が露出した状態のままとなる。
【００９１】また、ボンドウェーハ２２ｃは、予め除去
した部分の他は、ベースウェーハ１１ｃと同様の形状で
あるので、ボンドウェーハ２２ｃがベースウェーハ１１
ｃに丁度重なる。よって、余分な突出部（図４（ａ）参
照）が生じることがない。
した部分の他は、ベースウェーハ１１ｃと同様の形状で
あるので、ボンドウェーハ２２ｃがベースウェーハ１１
ｃに丁度重なる。よって、余分な突出部（図４（ａ）参
照）が生じることがない。
【００９２】次いで、図４（ｃ）に示す変形例について
説明する。図４（ｃ）に示すベースウェーハ１１ｃ及び
ボンドウェーハ２３ｃは、図５に示すステップＳ１０１
のベースウェーハ１及びボンドウェーハ２にそれぞれ相
当するものである。
説明する。図４（ｃ）に示すベースウェーハ１１ｃ及び
ボンドウェーハ２３ｃは、図５に示すステップＳ１０１
のベースウェーハ１及びボンドウェーハ２にそれぞれ相
当するものである。
【００９３】ベースウェーハ１１ｃには、オリエンテー
ションフラット部１１１ｃが形成されると共に、オリエ
ンテーションフラット部１１１ｃの周辺に図中符号Ｅ２
に示すレーザーマークが予め印字されている。
ションフラット部１１１ｃが形成されると共に、オリエ
ンテーションフラット部１１１ｃの周辺に図中符号Ｅ２
に示すレーザーマークが予め印字されている。
【００９４】ボンドウェーハ２３ｃには、ベースウェー
ハ１１ｃと結合することによりレーザーマークＥ２を覆
う部分が、結合前に予め除去されている。
ハ１１ｃと結合することによりレーザーマークＥ２を覆
う部分が、結合前に予め除去されている。
【００９５】従って、ボンドウェーハ２３ｃをベースウ
ェーハ１１ｃに結合した後も、当該ＳＯＩウェーハの表
面にレーザーマークＥ２が露出した状態のままとなる。
ェーハ１１ｃに結合した後も、当該ＳＯＩウェーハの表
面にレーザーマークＥ２が露出した状態のままとなる。
【００９６】なお、本発明は、上記第１〜第４の実施の
形態に限定されるものではない。すなわち、上記第１〜
第４の実施の形態は、例示であり、本発明の特許請求の
範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有
し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであ
っても本発明の技術範囲に包含される。
形態に限定されるものではない。すなわち、上記第１〜
第４の実施の形態は、例示であり、本発明の特許請求の
範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有
し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであ
っても本発明の技術範囲に包含される。
【００９７】例えば、本発明を適用した第１〜第４の実
施の形態は、何れの場合でも、図５に示すスマートカッ
ト法（ステップＳ１０１〜Ｓ１０７）により作製された
ＳＯＩウェーハを想定したが、これに限らず、他の方
法、すなわち、図７に示すＳＯＩウェーハの製造方法
（ステップＳ２０１〜Ｓ２０７）によって作製されたも
のであっても適用可能である。
施の形態は、何れの場合でも、図５に示すスマートカッ
ト法（ステップＳ１０１〜Ｓ１０７）により作製された
ＳＯＩウェーハを想定したが、これに限らず、他の方
法、すなわち、図７に示すＳＯＩウェーハの製造方法
（ステップＳ２０１〜Ｓ２０７）によって作製されたも
のであっても適用可能である。
【００９８】まず、図７に示すＳＯＩウェーハの製造方
法の概略について説明する。なお、図７における各構成
要素のうち、図５における各構成要素と同様の構成要素
については同一符号を付し、その説明を省略する。
法の概略について説明する。なお、図７における各構成
要素のうち、図５における各構成要素と同様の構成要素
については同一符号を付し、その説明を省略する。
【００９９】ステップＳ２０１では、ベースウェーハ１
とボンドウェーハ２とを用意する。ここで、ボンドウェ
ーハ２の表面は既に酸化膜３ａで覆われている。
とボンドウェーハ２とを用意する。ここで、ボンドウェ
ーハ２の表面は既に酸化膜３ａで覆われている。
【０１００】次いで、ベースウェーハ１とボンドウェー
ハ２とを常温で貼り合わせる（ステップＳ２０１）。こ
の際、ベースウェーハ１とボンドウェーハ２とは、各表
面上に吸着された水分子間に作用するファンデルワール
ス（van der Waals）力により、外力を加えることなく
結合する（ステップＳ２０２）。
ハ２とを常温で貼り合わせる（ステップＳ２０１）。こ
の際、ベースウェーハ１とボンドウェーハ２とは、各表
面上に吸着された水分子間に作用するファンデルワール
ス（van der Waals）力により、外力を加えることなく
結合する（ステップＳ２０２）。
【０１０１】次いで、ステップＳ２０２で行われたベー
スウェーハ１とボンドウェーハ２との貼り合わせを強固
なものとする為、全体を酸化性雰囲気で熱処理する（ス
テップＳ２０３）。この際、ベースウェーハ１の表面に
酸化膜３ｂが付着する。その後、ステップＳ２０４で外
周の未結合部分を除去する処理を行い、ＳＯＩ層６に対
する減厚加工処理を行う（ステップＳ２０５）。
スウェーハ１とボンドウェーハ２との貼り合わせを強固
なものとする為、全体を酸化性雰囲気で熱処理する（ス
テップＳ２０３）。この際、ベースウェーハ１の表面に
酸化膜３ｂが付着する。その後、ステップＳ２０４で外
周の未結合部分を除去する処理を行い、ＳＯＩ層６に対
する減厚加工処理を行う（ステップＳ２０５）。
【０１０２】次いで、必要に応じてＰＡＣＥ（Plasma A
ssisted Chemical Etching）法と呼ばれる気相エッチン
グ工程（ステップＳ２０６）を付加してＳＯＩ層６に対
する薄膜化処理を経た後、ベースウェーハ１裏面の酸化
膜３ｂを除去することにより埋め込み酸化膜７を介して
ベースウェーハ１上にＳＯＩ層６が積層した地層状構造
を有するＳＯＩウェーハ８の完成に至る（ステップＳ２
０７）。
ssisted Chemical Etching）法と呼ばれる気相エッチン
グ工程（ステップＳ２０６）を付加してＳＯＩ層６に対
する薄膜化処理を経た後、ベースウェーハ１裏面の酸化
膜３ｂを除去することにより埋め込み酸化膜７を介して
ベースウェーハ１上にＳＯＩ層６が積層した地層状構造
を有するＳＯＩウェーハ８の完成に至る（ステップＳ２
０７）。
【０１０３】上記第１の実施の形態におけるレーザーマ
ーク印字方法は、完成後のＳＯＩウェーハに対してレー
ザーマークを印字するものであり、図７に示すステップ
Ｓ２０７のＳＯＩウェーハ８に適用される。
ーク印字方法は、完成後のＳＯＩウェーハに対してレー
ザーマークを印字するものであり、図７に示すステップ
Ｓ２０７のＳＯＩウェーハ８に適用される。
【０１０４】また、上記第２の実施の形態におけるレー
ザーマーク印字方法は、ステップＳ２０５又はＳ２０６
で行われたＳＯＩ層６の減厚処理の後、更に表面酸化工
程を追加して適用される。すなわち、ステップＳ２０５
又はＳ２０６の後、酸素雰囲気中でＳＯＩウェーハ８を
加熱処理して表面を酸化膜で覆う表面酸化工程を追加し
て行い、その後、上記第２の実施の形態におけるレーザ
ーマーク印字方法が適用される。
ザーマーク印字方法は、ステップＳ２０５又はＳ２０６
で行われたＳＯＩ層６の減厚処理の後、更に表面酸化工
程を追加して適用される。すなわち、ステップＳ２０５
又はＳ２０６の後、酸素雰囲気中でＳＯＩウェーハ８を
加熱処理して表面を酸化膜で覆う表面酸化工程を追加し
て行い、その後、上記第２の実施の形態におけるレーザ
ーマーク印字方法が適用される。
【０１０５】なお、上記第２の実施の形態におけるレー
ザーマーク印字方法は、ステップＳ２０５又はＳ２０６
の後に上記表面酸化工程を追加しない場合でも適用可能
であり、この場合、当該レーザーマーク印字方法は以下
のように変更される。以下、図２を参照して説明する
が、図２に示すＳＯＩウェーハ１０ａの表面を覆う酸化
膜１４は考慮しない。
ザーマーク印字方法は、ステップＳ２０５又はＳ２０６
の後に上記表面酸化工程を追加しない場合でも適用可能
であり、この場合、当該レーザーマーク印字方法は以下
のように変更される。以下、図２を参照して説明する
が、図２に示すＳＯＩウェーハ１０ａの表面を覆う酸化
膜１４は考慮しない。
【０１０６】図２に示すＳＯＩウェーハ１０ａは、ベー
スウェーハ１１ａ、ＳＯＩ層１２ａ、及び埋め込み酸化
膜１３ａを備え、ベースウェーハ１１ａとＳＯＩ層１２
ａとが、埋め込み酸化膜１３ａを挟んで結合することに
より構成される（酸化膜１４は付着していない）。ここ
で、ベースウェーハ１１ａの表面には、図中符号Ｃ１に
示すレーザーマークが予め印字されている。
スウェーハ１１ａ、ＳＯＩ層１２ａ、及び埋め込み酸化
膜１３ａを備え、ベースウェーハ１１ａとＳＯＩ層１２
ａとが、埋め込み酸化膜１３ａを挟んで結合することに
より構成される（酸化膜１４は付着していない）。ここ
で、ベースウェーハ１１ａの表面には、図中符号Ｃ１に
示すレーザーマークが予め印字されている。
【０１０７】まず、図中符号Ｃ３に示す領域、すなわち
図中符号Ｃ２に示す部位の表面を除いて、ＳＯＩウェー
ハ１０ａ全体を耐薬品性マスキングテープ或いはレジス
トで覆う。レジストで覆う場合、ＳＯＩウェーハ１０ａ
全体にレジストを塗布した後、図中符号Ｃ３に示す領域
を紫外光で感光した後にエッチング処理して領域Ｃ３の
レジストを除去する。
図中符号Ｃ２に示す部位の表面を除いて、ＳＯＩウェー
ハ１０ａ全体を耐薬品性マスキングテープ或いはレジス
トで覆う。レジストで覆う場合、ＳＯＩウェーハ１０ａ
全体にレジストを塗布した後、図中符号Ｃ３に示す領域
を紫外光で感光した後にエッチング処理して領域Ｃ３の
レジストを除去する。
【０１０８】次いで、上記マスキングテープ或いはレジ
ストによって覆われていない領域Ｃ３内で露出している
ＳＯＩ層１２ａを、ＨＦ、硝酸系、ＮａＯＨやＫＯＨ等
のアルカリ系、或いは、アルコール系の薬液によって除
去し、埋め込み酸化膜１３ａを露出させる。
ストによって覆われていない領域Ｃ３内で露出している
ＳＯＩ層１２ａを、ＨＦ、硝酸系、ＮａＯＨやＫＯＨ等
のアルカリ系、或いは、アルコール系の薬液によって除
去し、埋め込み酸化膜１３ａを露出させる。
【０１０９】更に、上記ＳＯＩウェーハ１０ａを覆って
いたマスキングテープ或いはレジストを除去した後、上
記領域Ｃ３にわたって露出された埋め込み酸化膜１３ａ
を、ＨＦ、ＢＨＦ等のフッ酸系の薬液によって除去して
図中符号Ｃ２に示す領域に開口部を形成する。これによ
り、レーザーマークＣ１の印字部全体が露出される。
いたマスキングテープ或いはレジストを除去した後、上
記領域Ｃ３にわたって露出された埋め込み酸化膜１３ａ
を、ＨＦ、ＢＨＦ等のフッ酸系の薬液によって除去して
図中符号Ｃ２に示す領域に開口部を形成する。これによ
り、レーザーマークＣ１の印字部全体が露出される。
【０１１０】また、上記第３の実施の形態におけるレー
ザーマーク印字方法は、図７に示すステップＳ２０１の
ベースウェーハ１に対して適用される。
ザーマーク印字方法は、図７に示すステップＳ２０１の
ベースウェーハ１に対して適用される。
【０１１１】また、上記第４の実施の形態におけるレー
ザーマーク印字方法は、図７に示すステップＳ２０１の
ボンドウェーハ２に適用される。この際、ステップＳ２
０１のベースウェーハ１には、予め、オリエンテーショ
ンフラットが形成されていると共に、レーザーマークが
印字されている。
ザーマーク印字方法は、図７に示すステップＳ２０１の
ボンドウェーハ２に適用される。この際、ステップＳ２
０１のベースウェーハ１には、予め、オリエンテーショ
ンフラットが形成されていると共に、レーザーマークが
印字されている。
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、１）
ＳＯＩウェーハの完成後にＳＯＩ層の表面、或いはベー
スウェーハ表面上のテラスのうち、何れか一方にレーザ
ーマークを印字する、或いは、２）ボンドウェーハのう
ちベースウェーハ上のレーザーマーク印字部を覆う部分
を除去して、当該レーザーマーク印字部を露出する開口
部を形成する、或いは、３）ベースウェーハとボンドウ
ェーハとを結合する前に、ベースウェーハ表面のうちボ
ンドウェーハと重ならない領域にレーザーマークを予め
印字する、或いは、４）レーザーマークが予め印字され
たベースウェーハと、ボンドウェーハとを結合する前
に、当該レーザーマークの印字部に重なる部分を除去す
ることにより、光学的文字読み取り装置により正確に読
み取れるレーザーマークをＳＯＩウェーハに印字可能な
ＳＯＩウェーハのレーザーマーク印字方法、及び上記レ
ーザーマークが印字されたＳＯＩウェーハを提供するこ
とができる。これにより、各ＳＯＩウェーハは、各々印
字されたレーザーマークによって管理されることとな
り、ＳＯＩウェーハを用いたデバイス製造工程の合理化
が図られる。
ＳＯＩウェーハの完成後にＳＯＩ層の表面、或いはベー
スウェーハ表面上のテラスのうち、何れか一方にレーザ
ーマークを印字する、或いは、２）ボンドウェーハのう
ちベースウェーハ上のレーザーマーク印字部を覆う部分
を除去して、当該レーザーマーク印字部を露出する開口
部を形成する、或いは、３）ベースウェーハとボンドウ
ェーハとを結合する前に、ベースウェーハ表面のうちボ
ンドウェーハと重ならない領域にレーザーマークを予め
印字する、或いは、４）レーザーマークが予め印字され
たベースウェーハと、ボンドウェーハとを結合する前
に、当該レーザーマークの印字部に重なる部分を除去す
ることにより、光学的文字読み取り装置により正確に読
み取れるレーザーマークをＳＯＩウェーハに印字可能な
ＳＯＩウェーハのレーザーマーク印字方法、及び上記レ
ーザーマークが印字されたＳＯＩウェーハを提供するこ
とができる。これにより、各ＳＯＩウェーハは、各々印
字されたレーザーマークによって管理されることとな
り、ＳＯＩウェーハを用いたデバイス製造工程の合理化
が図られる。
【図１】本発明を適用した第１の実施の形態におけるＳ
ＯＩウェーハのレーザーマーク印字方法において、完成
後のＳＯＩウェーハ上におけるレーザーマークの印字箇
所を示す図である。
ＯＩウェーハのレーザーマーク印字方法において、完成
後のＳＯＩウェーハ上におけるレーザーマークの印字箇
所を示す図である。
【図２】本発明を適用した第２の実施の形態におけるＳ
ＯＩウェーハのレーザーマーク印字方法において、酸化
膜が付着したＳＯＩウェーハに対し、レーザーマーク印
字部上方を覆う部位を示すＳＯＩウェーハの断面図であ
る。
ＯＩウェーハのレーザーマーク印字方法において、酸化
膜が付着したＳＯＩウェーハに対し、レーザーマーク印
字部上方を覆う部位を示すＳＯＩウェーハの断面図であ
る。
【図３】本発明を適用した第３の実施の形態におけるＳ
ＯＩウェーハのレーザーマーク印字方法において、ボン
ドウェーハと重ならないベースウェーハ上の外周部にあ
って、ボンドウェーハとの結合前にレーザーマークを予
め印字する箇所を示す断面図である。
ＯＩウェーハのレーザーマーク印字方法において、ボン
ドウェーハと重ならないベースウェーハ上の外周部にあ
って、ボンドウェーハとの結合前にレーザーマークを予
め印字する箇所を示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明を適用した第４の実
施の形態におけるＳＯＩウェーハのレーザーマーク印字
方法において、レーザーマークに重なる部分を予め除去
したボンドウェーハを有するＳＯＩウェーハの構成をそ
れぞれ例示する図である。
施の形態におけるＳＯＩウェーハのレーザーマーク印字
方法において、レーザーマークに重なる部分を予め除去
したボンドウェーハを有するＳＯＩウェーハの構成をそ
れぞれ例示する図である。
【図５】スマートカット法によるＳＯＩウェーハの製造
工程を説明するフロー図である。
工程を説明するフロー図である。
【図６】ベースウェーハ表面のレーザーマーク印字部周
辺におけるベースウェーハとＳＯＩ層とが複雑に入り組
んだ形状の一例である。
辺におけるベースウェーハとＳＯＩ層とが複雑に入り組
んだ形状の一例である。
【図７】ＳＯＩウェーハの製造工程を説明するフロー図
である。
である。
１、１１、１１ａ〜１１ｅ ベースウェーハ
２、２０、２１ｃ〜２３ｃ ボンドウェーハ
３、３ａ、３ｂ、１４ 酸化膜
４ 微小気泡層
５ 剥離ウェーハ
６、１２、１２ａ ＳＯＩ層
７、１３、１３ａ 埋め込み酸化膜
８、１０、１０ａ ＳＯＩウェーハ
１１１ｃ、１２１ｃ〜１２３ｃ、２２２ｃ オリエンテ
ーションフラット部
ーションフラット部
Claims (6)
- 【請求項１】 ベースウェーハと、該ベースウェーハの
表面上に酸化膜からなる絶縁層を介して結合したＳＯＩ
層とを備えるＳＯＩウェーハを作製後、前記ＳＯＩ層の
表面、或いは、前記ＳＯＩ層の外縁より外側にある前記
ベースウェーハの表面のうち何れかに対し、これら両表
面の境界を跨ぐことなくレーザーマークを印字すること
を特徴とするＳＯＩウェーハのレーザーマーク印字方
法。 - 【請求項２】 ベースウェーハの表面に予めレーザーマ
ークを印字し、このベースーウェーハと、該ベースウェ
ーハの表面上に酸化膜からなる絶縁層を介して結合した
ＳＯＩ層とを備えるＳＯＩウェーハに対し、エッチング
処理を施すことによって、前記レーザーマークを覆う部
位を除去して、該レーザーマーク上に開口部を形成する
ことを特徴とするＳＯＩウェーハのレーザーマーク印字
方法。 - 【請求項３】 ベースウェーハと、該ベースウェーハの
表面上に酸化膜からなる絶縁層を介して結合したＳＯＩ
層とを備えるＳＯＩウェーハを作製するに際し、前記ベ
ースウェーハの表面上に前記ＳＯＩ層を構成するボンド
ウェーハを結合する前に、前記ベースウェーハ表面のう
ちの前記ボンドウェーハによって覆われない部分に前記
レーザーマークを予め印字することを特徴とするＳＯＩ
ウェーハのレーザーマーク印字方法。 - 【請求項４】 ベースウェーハの表面に予めレーザーマ
ークを印字し、このベースーウェーハと、該ベースウェ
ーハの表面上に酸化膜からなる絶縁層を介して結合した
ＳＯＩ層とを備えるＳＯＩウェーハを作製するに際し、
前記ＳＯＩ層を構成するボンドウェーハを前記ベースウ
ェーハ上に結合することによって該ボンドウェーハによ
り前記レーザーマークが覆われてしまうことがないよう
に、前記結合前に前記ボンドウェーハの一部を予め除去
しておくことを特徴とするＳＯＩウェーハのレーザーマ
ーク印字方法。 - 【請求項５】 ベースウェーハと、該ベースウェーハの
表面上に酸化膜からなる絶縁層を介して結合したＳＯＩ
層とを備えるＳＯＩウェーハにおいて、前記ＳＯＩ層の
表面、或いは、前記ＳＯＩ層の外縁より外側にある前記
ベースウェーハの表面の何れかに対し、これら両表面の
境界を跨ぐことなくレーザーマークが印字されたことを
特徴とするＳＯＩウェーハ。 - 【請求項６】 レーザーマークが表面に印字されたベー
スウェーハと、該ベースウェーハの表面上に酸化膜から
なる絶縁層を介して結合したＳＯＩ層とを備えるＳＯＩ
ウェーハであって、前記レーザーマークを覆う部位が除
去されることで、該レーザーマークが露出されているこ
とを特徴とするＳＯＩウェーハ。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP2001262236A JP2003078115A (ja) | 2001-08-30 | 2001-08-30 | Ｓｏｉウェーハのレーザーマーク印字方法、及び、ｓｏｉウェーハ |
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2002
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