JPH0837137A

JPH0837137A - Ｓｏｉ構造の半導体基板管理方法、識別マーク印字装置および識別マーク読取装置

Info

Publication number: JPH0837137A
Application number: JP8565295A
Authority: JP
Inventors: Makoto Hashimoto; 誠橋本
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1994-05-16
Filing date: 1995-04-11
Publication date: 1996-02-06

Abstract

(57)【要約】【目的】ＳＯＩ構造の半導体基板の管理を適切に行え
る半導体基板管理方法を提供する。【構成】張り合わせ方式によりＳＯＩ構造のウェハー
を製造する過程において、張り合わせ前にシリコン基板
の第１印字領域１０にウェハーのＩＤを印字する。一
方、張り合わせ後に表面に露出したポリシリコン膜の第
２の印字領域１１に再びウェハーのＩＤを印字する。第
１印字領域１０と第２印字領域１１とは中心線１２に対
して左右対称である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

【０００２】本発明は、半導体基板に識別マークを印字
し、この識別マークに基づいて半導体基板を管理する半
導体基板管理方法、それに用いられる識別マーク印字装
置および識別マーク読取装置に関する。

【０００３】

【従来の技術】近年、半導体ウェハーの製造過程におい
て、ウェハーをシステム的に管理している。このウェハ
ーの管理方法としては、ウェハー１枚１枚に固有の識別
マーク（以下、ＩＤと記す）を印字し、このＩＤをウェ
ハー毎に個別に非接触方式で光学的に識別し、当該識別
結果に基づいて、ウェハー１枚１枚を管理するものが知
られている。このようにして管理されたウェハーは、例
えば、研究ラインにおいて、識別されたＩＤに基づい
て、ウェハー毎にプロセス条件を変更して検査される。
また、製造ラインにおいても、検査を行い、不良のウェ
ハーを排出するために、識別されたＩＤが用いられる。

【０００４】ところで、近年、絶縁層を介して半導体層
を重ね、この半導体層に半導体素子を形成することで、
高性能化および高集積化を図るＳＯＩ（Silicon on Ins
ulator）構造の半導体ウェハーが着目されている。この
ようなＳＯＩ構造の半導体ウェハーの製造方法の一つと
して、２枚の半導体ウェハーを張り合わせるものがあ
る。

【０００５】図１８（Ａ）は、ＳＯＩ構造の半導体ウェ
ハーを張り合わせ方式で製造する過程において、半導体
ウェハーにＩＤを印字する場合を説明するための図であ
る。図１８（Ａ）に示すように、張り合わせ前に、シリ
コン基板１４１のオリフラ部近傍の印字領域に、当該ウ
ェハーを識別するための正転文字から成るＩＤ１４３を
レーザーなどを用いて非接触で図２０に示すように印字
領域に深さ１μｍ程度のドットを形成して印字する。こ
のとき、印字領域には、図２１（Ａ）に示すような正転
文字から成るＩＤ１４３が印字される。そして、張り合
わせ工程を行う前にＩＤ識別装置によって、例えば、図
２０に示すように、ＩＤ１４３が形成された印字領域に
白色光が照射され、ＩＤ１４３を形成するドットにおい
て乱反射が生じ、この乱反射をＣＣＤなどを用いて検出
することでＩＤ１４３が識別される。そして、ＩＤ１４
３が印字されたシリコン基板１４１の表面にシリコン基
板１４２を張り合わせる。その後、シリコン基板１４２
が張り合わされたシリコン基板１４１を、裏面から研削
し、所定の厚さのシリコン基板１４１をシリコン基板１
４２の表面に残存させ、ＳＯＩ構造の半導体ウェハーを
製造する。このとき、シリコン基板１４２の張り合わせ
側の表面には、張り合わせ前にシリコン基板４１に形成
されたＩＤ１４３が現れる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述したシス
テムでは、ＳＯＩ構造の半導体ウェハーを製造した後
に、シリコン基板１４２の張り合わせ側の表面には、張
り合わせ工程前に図２１（Ａ）に示すように正転文字を
用いて形成したＩＤ１４３が図２１（Ｂ）に示すような
鏡文字から成るＩＤとして現れる。すなわち、図２１
（Ｂ）に示すＩＤは、図２１（Ａ）に示す正転文字から
成るＩＤ１４３を鏡に写したときの像と同じパターンで
ある。そのため、通常の文字を読み取る方法では、張り
合わせ前にシリコン基板１４１に印字した通常の文字か
ら成るＩＤを張り合わせ後に読み取ることはできない。

【０００７】また、図１９に示すように、シリコン基板
４５にＯ₂イオンを所定のエネルギーで打ち込み、当該
エネルギーに応じた深さに絶縁層としてのＳｉＯ₂層１
４６を形成したＳＩＭＯＸでは、表面側のシリコン層１
４５ａにＩＤをレーザーで印字すると、ＳｉＯ₂層１４
６にダストが生じるという問題がある。

【０００８】本発明は、上述した従来技術の問題を解決
するためになされ、ＳＯＩ構造の半導体基板の管理を適
切かつ簡単に行うことができる半導体基板管理方法とそ
れに用いられる識別マーク印字装置および識別マーク読
取装置とを提供する。また、本発明は、ＳＯＩ構造の半
導体基板に識別マークを印字する際にダストが生じるこ
とを防止できる半導体基板管理方法を提供する。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の観点の半
導体基板管理方法は、絶縁層の上に半導体層を形成した
ＳＯＩ構造の半導体基板の表面に形成された酸化膜を除
去して半導体基板を露出させ、半導体基板の当該露出し
た面に、当該半導体基板の識別マークを非接触方式で印
字し、この印字された識別マークを光学的に読み取り、
この読み取り結果に基づいて、前記半導体基板を管理す
る。

【００１０】また、本発明の第１の観点の半導体基板管
理方法において、前記半導体基板は、イオン注入により
表面から所定の深さの位置に絶縁層を形成した半導体基
板である。

【００１１】また、本発明の第２の観点の半導体基板管
理方法は、張り合わせ工程前に半導体基板の第１の印字
領域に第１の識別マークを印字し、張り合わせ工程前
は、読み取り装置によって、前記第１の識別マークを光
学的に読み取り、この読み取り結果に基づいて半導体基
板を管理し、張り合わせ工程後に前記半導体基板の第２
の印字領域に第２の識別マークを印字し、張り合わせ工
程後は、読み取り装置によって、前記第２の識別マーク
を光学的に読み取り、この読み取り結果に基づいて半導
体基板を管理する

【００１２】また、本発明の第２の観点の半導体基板管
理方法において、前記第２の印字領域は、好ましくは、
張り合わせ後の半導体基板に表れる前記第１の印字領域
に対し、基板の中心線を基準として線対称位置に形成さ
れている。

【００１３】また、本発明の第３の観点の半導体基板管
理方法は、張り合わせ工程前に半導体基板の第１の印字
領域に第１の識別マークを印字すると共に第２の印字領
域に第２の識別マークを印字し、張り合わせ工程前は、
前記第１の識別マークを光学的に読み取り、この読み取
り結果に基づいて半導体基板を管理し、張り合わせ工程
後は、半導体基板に現れる前記第２の識別マークを光学
的に読み取り、この読み取り結果に基づいて半導体基板
を管理する。

【００１４】また、本発明の第３の観点の半導体基板管
理方法は、好ましくは、前記第１の識別マークおよび前
記第２の識別マークは正転文字から成り、前記張り合わ
せ工程前は、正転文字を読み取る処理を行って前記第１
の識別マークを読み取り、前記張り合わせ工程後は、鏡
文字を読み取る処理を行って前記第２の識別マークを読
み取る。

【００１５】また、本発明の第３の観点の半導体基板管
理方法は、好ましくは、前記第１の識別マークは正転文
字から成り、前記第２の識別マークは鏡文字から成り、
前記張り合わせ工程前は、正転文字を読み取る処理を行
って前記第１の識別マークを読み取り、前記張り合わせ
工程後は、正転文字を読み取る処理を行って前記第２の
識別マークを読み取る。

【００１６】また、本発明の第３の観点の半導体基板管
理方法は、好ましくは、前記第２の識別マークは、前記
第１の識別マークを鏡に写した像と、同じ文字および順
序である。

【００１７】また、本発明の第３の観点の半導体基板管
理方法は、好ましくは、前記第２の識別マークは、前記
第１の識別マークを鏡に写した像と、同じ文字の集まり
であるが、順序が逆である。

【００１８】また、本発明の第３の観点の半導体基板管
理方法は、好ましくは、前記第２の印字領域は、前記第
１の印字領域に対し、基板の中心線を基準として線対称
位置に形成される。

【００１９】また、本発明の第４の観点の半導体基板管
理方法は、好ましくは、張り合わせ工程前に半導体基板
の印字領域に正転文字から成る識別マークを印字し、張
り合わせ工程前は、正転文字を読み取る処理を行って前
記識別マークを光学的に読み取り、この読み取り結果に
基づいて半導体基板を管理し、張り合わせ工程後は、鏡
文字を読み取る処理を行って半導体基板に現れる前記識
別マークを光学的に読み取り、この読み取り結果に基づ
いて半導体基板を管理する。

【００２０】また、本発明の第４の観点の半導体基板管
理方法は、好ましくは、前記識別マークの読み取りを行
う識別マーク読取装置の読み取り対象領域を張り合わせ
工程前後で移動させる。

【００２１】また、本発明の第４の観点の半導体基板管
理方法は、好ましくは、第１の識別マーク読取装置によ
って前記第１の識別マークを読み取り、第２の識別マー
ク読取装置によって前記第２の識別マークを読み取る。

【００２２】また、本発明の識別マーク印字装置は、絶
縁層の上に半導体層を形成したＳＯＩ構造の半導体基板
を張り合わせ方式で製造する過程で、張り合わせ工程後
に読み取られる識別マークを、張り合わせ工程前に鏡文
字を用いて印字する。

【００２３】さらに、本発明の識別マーク読取装置は、
絶縁層の上に半導体層を形成したＳＯＩ構造の半導体基
板を張り合わせ方式で製造する過程で、張り合わせ工程
前に印字され張り合わせ工程後に鏡文字から成る識別マ
ークとして半導体基板に現れる識別マークを鏡文字を読
み取る処理を行って読み取る。

【００２４】

【作用】本発明の第１の観点の半導体基板管理方法で
は、酸化膜を除去して露出させた半導体基板の面に、半
導体基板の識別マークを非接触方式で印字するため、酸
化膜には印字は行われない。その結果、例えば、レーザ
ーを用いて印字を行う際に、印字によるダストの発生を
適切に防止することが可能になる。

【００２５】また、本発明の第２の観点の半導体基板管
理法では、張り合わせ前および張り合わせ後のそれぞれ
において識別マークの印字を行うため、印字する方向と
読み取りを行う方向とを一致させることが可能になる。
その結果、印字した文字を反転した状態で読み取ること
を回避でき、鏡文字を印字するための特殊な装置を用い
る必要がなくなり、半導体基板の管理を簡単化できる。

【００２６】また、本発明の第３の観点の半導体基板管
理方法では、第２の識別マークが正転文字から成る場合
に、張り合わせ工程前においては正転文字を読み取る処
理を行って第１の識別マークを読み取り、この読み取り
結果に基づいて半導体基板を管理する。そして、張り合
わせ工程後には、第２の識別マークが鏡文字から成る識
別マークとして半導体基板に現れ、この鏡文字から成る
識別マークを、鏡文字を読み取る処理を行って読み取
り、この読み取り結果に基づいて半導体基板を管理す
る。

【００２７】また、本発明の第３の観点の半導体基板管
理方法では、第２の識別マークが鏡文字から成る場合
に、張り合わせ工程前においては正転文字を読み取る処
理を行って第１の識別マークを読み取り、この読み取り
結果に基づいて半導体基板を管理する。そして、張り合
わせ工程後には、第２の識別マークが正転文字から成る
識別マークとして半導体基板に現れ、この識別マーク
を、正転文字を読み取る処理を行って読み取り、この読
み取り結果に基づいて半導体基板を管理する。

【００２８】また、本発明の第４の観点の半導体管理方
法では、張り合わせ工程前においては識別マーク読取装
置によって通常の文字を読み取る処理を行って識別マー
クを読み取り、この読み取り結果に基づいて半導体基板
を管理する。そして、張り合わせ工程後には、識別マー
ク読取装置の読み取り対象領域を移動させ、半導体基板
に鏡文字から成る識別マークとして現れた識別マークを
鏡文字を読み取る処理を行って読み取り、この読み取り
結果に基づいて半導体基板を管理する。

【００２９】

【実施例】第１実施例図１は、本実施例に係わる半導体基板管理方法において
ウェハーのＩＤを印字する印字領域を説明するためのウ
ェハーの平面図である。図２（Ａ）〜（Ｄ）、図３
（Ｅ），（Ｆ）および図４（Ｇ）は、ウェハーの製造過
程において本実施例の半導体基板管理方法を用いる場合
について説明するための図であり、図２（Ａ）〜
（Ｄ）、図３（Ｅ），（Ｆ）は図１に示す断面線Ａ−Ａ
の要部断面図、図４（Ｇ）は図１に示す断面線Ｂ−Ｂの
要部断面図である。

【００３０】図１および図２（Ａ）に示すシリコン基板
１の周縁のオリフラ部１４に沿って設けられた第１印字
領域１０に対して、通常のＩＤ印字装置によるレーザー
などを用いた非接触方式で、ウェハーのＩＤ１０ａを印
字する。このとき、印字は例えば複数のドットを組み合
わせて行う。その後、図２（Ａ）に示すように、シリコ
ン基板１の表面に、得ようとするＳＯＩ構造のシリコン
層に合わせたパターンで、凹凸部（段差）を形成する。
第１印字領域１０をオリフラ部１４（図１参照）に沿っ
て設けることで、印字領域をウェハーの周縁の円弧状の
部分に沿って設けた場合に比べて、印字処理を簡単にで
きる。また、第１印字領域１０をウェハーの周縁部に設
けることで、素子を組み込むウェハーの領域を縮小せず
に、印字領域を確保できる。

【００３１】第１印字領域１０に印字されたＩＤ１０ａ
は、製造ラインまたは研究ラインなどにおいて、通常の
ＩＤ識別装置によって、例えばＣＣＤカメラを用いて光
学的に読み取られ、識別される。そして、この識別され
たＩＤ１０ａに基づいて、ウェハーの検査が行われる。
すなわち、枚葉管理が行われる。

【００３２】次に、図２（Ａ）に示すシリコン基板１の
当該一方の側の面に、図２（Ｂ）に示すように、絶縁層
としてのＳｉＯ₂層２を形成する。このとき、ＳｉＯ₂
層２は、パターニングされたシリコン基板１の表面形状
に応じた凹凸部を持った形状になる。

【００３３】次に、図２（Ｃ）に示すように、シリコン
基板１に形成されたＳｉＯ₂層２の上にポリシリコン膜
３を形成する。

【００３４】次に、図２（Ｄ）に示すように、ポリシリ
コン膜３の表面を、平坦化研磨し、高度に平滑な張り合
わせ面を形成する。

【００３５】次に、図３（Ｅ）に示すように、ポリシリ
コン膜３の張り合わせ面に、別のシリコン基板４を密着
させる。このシリコン基板４の密着面は高精度に平坦化
してある。一般には、両面に介在する水ないし水酸基の
作用による水素結合によって、きわめてい強固な張り合
わせ状態が得られる。シリコン基板４としては、例え
ば、シリコン基板１と同じものが用いられる。

【００３６】図３（Ｆ）に示すように、図３（Ｅ）に示
す基板の表裏面を反転させ、シリコン基板１の表面を粗
く研磨する。この粗研磨は、ＳｉＯ₂層２が露出する一
歩手前で止める。

【００３７】次に、凹凸状のＳｉＯ₂層２が露出するま
で、精密な選択研磨を行う。これにより、シリコン基板
１が研磨され、図４（Ｇ）に示すように、凹凸のあるＳ
ｉＯ ₂層２に囲まれて、ＳｉＯ₂層２の上に単結晶のシ
リコン層１ａが部分的に存在するＳＯＩ構造が得られ
る。図４（Ｇ）に示すＳＯＩ構造では、ＳｉＯ₂層２の
上に部分的に存在するシリコン層１ａがＳｉＯ₂層２で
囲まれているので、素子分離がなされている。

【００３８】次に、ウェハーの周縁部を除く全面にレジ
ストを設けてエッチングすることで、ウェハーの周縁部
のＳｉＯ₂層２を除去し、ポリシリコン膜３を露出させ
る。エッチングとしては、ドライエッチングあるいはウ
ェットエッチングのいずれでもよい。ドライエッチング
では例えばＣＦ₄系ガスを用いたＲＩＥが行われる。こ
のように、ポリシリコン膜３を露出させるのは、後にレ
ーザーなどを用いてウェハーのＩＤを印字する際に、Ｓ
ｉＯ₂層２からダストが生じることを防止するためので
ある。そして、例えば、ポリシリコン膜３を露出した後
またはその前に、周縁部分を面取りし、図４（Ｇ）に示
すように、面取部１３を形成する。

【００３９】次に、露出したポリシリコン膜３の表面の
所定の第２印字領域１１に、図４（Ｇ）に示すように、
通常のＩＤ印字装置を用いて、レーザーなどを用いて非
接触方式で、当該ウェハーのＩＤ１１ａを印字する。従
って、ウェハーのＩＤ１１ａは、ＳｉＯ₂層２には印字
されず、ＳｉＯ₂層２からダストが生じることを防止で
きる。

【００４０】第２印字領域１１に印字されたＩＤ１１ａ
は、製造ラインまたは研究ラインなどにおいて、通常の
ＩＤ識別装置を用いて、例えばＣＣＤカメラを用いて光
学的に読み取られ、識別される。そして、この識別され
たＩＤ１０ａに基づいて、ウェハー毎に検査が行われ
る。すなわち、枚葉管理が行われる。

【００４１】ここで、ウェハーの平面側における当該第
２印字領域１１の位置は、図１に示すように、中心線１
２に対して第１印字領域１０と左右対称になる位置にあ
る。このように、第１印字領域１０と第２印字領域１１
とを中心軸１２に対して左右対称に設けることで、前述
したように、図３（Ｆ）において基板を上下逆さにした
場合でも、ＩＤ識別装置のＣＣＤカメラの撮像位置を変
えることなく、第１印字領域１０、１１の双方の撮像可
能が可能になる。すなわち、ＣＣＤカメラの撮像位置
は、図３（Ａ）に示す場合と、図４（Ｇ）に示す場合と
で同じである。また、ウェハーの平面側において第２印
字領域１１と第１印字領域１０とを中心線１２に対して
対称に設けることで、印字を行う際のＩＤ印字装置のレ
ーザーの出射範囲も変える必要もなくなる。

【００４２】このとき、張り合わせ前の第１印字領域１
０は、上述した張り合わせ工程に伴い、左右対称の位置
に移動するので、実際には、第１印字領域１０と第２印
字領域１１とを同一にすれば、完成時には図１に示すよ
うに第１印字領域１０と第２印字領域１１とは中心線１
２に対して左右対称になる。

【００４３】以上説明したように、本実施例の半導体基
板管理方法によれば、張り合わせ方式による半導体基板
の製造において、鏡文字を印字する特殊な装置を用いる
ことなく、張り合わせ前および張り合わせ後に用いられ
るＩＤの印字およびＩＤの読み取り操作を簡単化でき
る。その結果、半導体基板の管理を簡単に行うことがで
きる。

【００４４】第２実施例図５は、本実施例に係わる半導体基板管理方法を用いた
ウェハーの製造過程を説明するための図である。図５
（Ａ）に示すように、シリコン基板２１を用意する。次
に、図５（Ａ）に示すシリコン基板２１に、その表面か
らＯ₂イオンを所定のエネルギーで打ち込み、図５
（Ｂ）に示すように、当該エネルギーに応じた深さに絶
縁層としてのＳｉＯ₂層２２を形成し、ＳｉＯ₂層の上
にシリコン層が残存したＳＩＭＯＸ型のＳＯＩ構造基板
とする。

【００４５】次に、図５（Ｃ）に示すように、例えば、
ウェハーの周縁部において、ＳｉＯ ₂層２２に対して表
面側に位置するシリコン基板２１ａとＳｉＯ₂層２２と
を、例えば、ドライエッチングなどで除去し、ＳｉＯ₂
層２２に対して裏面側に位置するシリコン基板２１ｂを
表面に露出させる。このとき、ドライエッチングとして
は、例えば、ＨＢｒやＨＣｌ系のガスを用いたＲＩＥな
どが用いられる。

【００４６】次に、図５（Ｄ）に示すように、露出した
シリコン基板２１ｂの表面の所定の印字領域に、レーザ
ーなどを用いて非接触方式で、当該ウェハーのＩＤを印
字２３する。

【００４７】本実施例では、シリコン基板２１ａとＳｉ
Ｏ₂層２２とをＲＩＥで除去してから、レーザーによる
ＩＤの印字を行うため、レーザーによる印字はシリコン
基板２１ｂに対してのみ行われる。その結果、レーザー
はＳｉＯ₂層２２には出射されず、ＳｉＯ₂層２２から
ダストが生じることを防止できる。

【００４８】上述した実施例では、ＩＤの印字を行うた
めにレーザーを用いたが、非接触方式で印字を行うこと
ができれば、レーザー射出以外の方法でＩＤの印字を行
ってもよい。また、図２（Ａ）に示す工程でシリコン基
板１にＩＤを印字するのではなく、図２（Ｃ）の工程で
ポリシリコン膜３にＩＤを印字してもよい。

【００４９】第３実施例図６は、本実施例に係わる半導体基板管理方法において
ウェハーのＩＤを印字する印字領域を説明するためのウ
ェハーの平面図である。図７（Ａ）〜（Ｄ）、図８
（Ｅ），（Ｆ）および図９（Ｇ）は、ウェハーの製造過
程において本実施例の半導体基板管理方法を用いる場合
について説明するための図であり、図７（Ａ）〜
（Ｄ）、図８（Ｅ），（Ｆ）は図６に示す断面線Ａ−Ａ
の要部断面図、図９（Ｇ）は図６に示す断面線Ｂ−Ｂの
要部断面図である。

【００５０】図６および図７（Ａ）に示すシリコン基板
１の周縁のオリフラ部１４に沿って設けられた第１印字
領域３０および第２印字領域３１に対して、通常のＩＤ
印字装置によるレーザーなどを用いた非接触方式で、ウ
ェハーに関する張り合わせ前に読み取られるＩＤ３０ａ
および張り合わせ後に読み取られるＩＤ３１ａの双方を
図２１（Ａ）に示すような正転文字から成るパターンで
印字する。ＩＤ印字装置による印字は例えば複数のドッ
トを組み合わせて行う。その後、図７（Ａ）に示すよう
に、シリコン基板１の表面に、得ようとするＳＯＩ構造
のシリコン層に合わせたパターンで、凹凸部（段差）を
形成する。第１印字領域３０および第２印字領域３１を
オリフラ部１４（図６参照）に沿って設けることで、印
字領域をウェハーの周縁の円弧状の部分に沿って設けた
場合に比べて、印字処理を簡単にできる。また、第１印
字領域３０および第２印字領域３１をウェハーの周縁部
に設けることで、素子を組み込むウェハーの領域を縮小
せずに、印字領域を確保できる。

【００５１】第１印字領域３０に印字されたＩＤ３０ａ
は、製造ラインまたは研究ラインなどにおいて、通常の
ＩＤ識別装置によって、例えばＣＣＤカメラを用いて光
学的に読み取られ、正転文字についての処理が行われ、
識別される。そして、この識別されたＩＤ３０ａに基づ
いて、ウェハーの検査が行われる。すなわち、枚葉管理
が行われる。

【００５２】次に、図７（Ａ）に示すシリコン基板１の
当該一方の側の面に、図７（Ｂ）に示すように、絶縁層
としてのＳｉＯ₂層２を形成する。このとき、ＳｉＯ₂
層２は、パターニングされたシリコン基板１の表面形状
に応じた凹凸部を持った形状になる。

【００５３】次に、図７（Ｃ）に示すように、シリコン
基板１に形成されたＳｉＯ₂層２の上にポリシリコン膜
３を形成する。

【００５４】次に、図７（Ｄ）に示すように、ポリシリ
コン膜３の表面を、平坦化研磨し、高度に平滑な張り合
わせ面を形成する。

【００５５】次に、図８（Ｅ）に示すように、ポリシリ
コン膜３の張り合わせ面に、別のシリコン基板４を密着
させる。このシリコン基板４の密着面は高精度に平坦化
してある。一般には、両面に介在する水ないし水酸基の
作用による水素結合によって、きわめてい強固な張り合
わせ状態が得られる。シリコン基板４としては、例え
ば、シリコン基板１と同じものが用いられる。

【００５６】次に、図８（Ｆ）に示すように、図８
（Ｅ）に示す基板の表裏面を反転させ、シリコン基板１
の表面を粗く研磨する。この粗研磨は、ＳｉＯ₂層２が
露出する一歩手前で止める。

【００５７】次に、凹凸状のＳｉＯ₂層２が露出するま
で、精密な選択研磨を行う。これにより、シリコン基板
１が研磨され、図９（Ｇ）に示すように、凹凸のあるＳ
ｉＯ ₂層２に囲まれて、ＳｉＯ₂層２の上に単結晶のシ
リコン層１ａが部分的に存在するＳＯＩ構造が得られ
る。図９（Ｇ）に示すＳＯＩ構造では、ＳｉＯ₂層２の
上に部分的に存在するシリコン層１ａがＳｉＯ₂層２で
囲まれているので、素子分離がなされている。また、こ
のように精密な選択研磨を行うことにより、図７（Ａ）
に示す工程で図２１（Ａ）に示すパターンで第２印字領
域３１に印字されたウェハーのＩＤ３１ａが図２１
（Ｂ）に示すような鏡文字から成るパターンで半導体基
板の表面に現れる。

【００５８】そして、例えば、ポリシリコン膜３を露出
した後またはその前に、周縁部分を面取りし、図４
（Ｇ）に示すように、面取部１３を形成する。

【００５９】第２印字領域３１に印字されたＩＤ３１ａ
は、製造ラインまたは研究ラインなどにおいて、鏡文字
用ＩＤ識別装置によって、例えばＣＣＤカメラを用いて
光学的に読み取られ、識別される。ここで、鏡文字用Ｉ
Ｄ識別装置のＣＣＤカメラの撮像範囲は、図１０に示す
中心線１２に対して前述した通常のＩＤ識別装置のＣＣ
Ｄカメラの撮像範囲と左右対称になるように設定されて
いる。また、鏡文字用ＩＤ識別装置は、例えば、図２１
（Ｂ）に示すようなパターンで半導体基板の表面に現れ
る鏡文字から成るＩＤ３１ａの像を光学系で鏡を用いて
反射することで図２１（Ａ）に示すような正転文字から
成るパターンの像とし、この正転文字から成るパターン
の像をＣＣＤカメラを用いて読み取り、識別する。ま
た、鏡文字用ＩＤ識別装置は、例えば、鏡文字から成る
ＩＤに関するパターンを予め記憶しており、図２１
（Ｂ）に示すような鏡文字から成るパターンの像をその
ままＣＣＤカメラを用いて読み取り、この読み取り結果
と上記記憶したパターンとを比較して、ＩＤを識別する
ものでもよい。

【００６０】そして、この識別されたＩＤ３１ａに基づ
いて、ウェハー毎に検査が行われる。すなわち、枚葉管
理が行われる。

【００６１】本実施例の半導体基板管理方法によれば、
ウェハーの平面側において第２印字領域３１と第１印字
領域３０とを中心線１２に対して対称に設けることで、
ＩＤ印字装置によって印字を行う際のレーザーの出射範
囲を変える必要がない。

【００６２】このとき、張り合わせ前の第１印字領域３
０は、上述した張り合わせ工程に伴い、左右対称の位置
に移動するので、実際には、第１印字領域３０と第２印
字領域３１とを同一にすれば、完成時には図６に示すよ
うに第１印字領域３０と第２印字領域３１とは中心線１
２に対して左右対称になる。

【００６３】以上説明したように、本実施例の半導体基
板印方法によれば、張り合わせ方式による半導体基板の
製造において、鏡文字を印字する特殊な装置を用いるこ
となく、張り合わせ前および張り合わせ後に用いられる
ＩＤの印字およびＩＤの読み取りを簡単化できる。その
結果、半導体基板の管理を簡単に行うことができる。

【００６４】第４実施例図１０は、本実施例に係わる半導体基板管理方法におい
てウェハーのＩＤを印字する印字領域を説明するための
ウェハーの平面図である。図１１（Ａ）〜（Ｄ）、図１
２（Ｅ），（Ｆ）および図１３（Ｇ）は、ウェハーの製
造過程において本実施例の半導体基板管理方法を用いる
場合について説明するための図であり、図１１（Ａ）〜
（Ｄ）、図１２（Ｅ），（Ｆ）は図１０に示す断面線Ａ
−Ａの要部断面図、図１３（Ｇ）は図１０に示す断面線
Ｂ−Ｂの要部断面図である。

【００６５】図１０および図１１（Ａ）に示すシリコン
基板１の周縁のオリフラ部１４に沿って設けられた第１
印字領域４０に対して、通常のＩＤ印字装置によるレー
ザーなどを用いた非接触方式で、図２１（Ａ）に示すよ
うな正転文字から成るウェハーのＩＤ４０ａを印字す
る。また、それと同時に、図１０に示すように、シリコ
ン基板１の周縁のオリフラ部１４に沿って設けられた第
２印字領域４１に対して、鏡文字印字用のＩＤ印字装置
によるレーザーなどを用いた非接触方式で、鏡文字から
成りＩＤ４０ａとは文字の順序を逆転させた図２１
（Ｂ）に示すようなＩＤ４１ａを印字する。ここで、鏡
文字用のＩＤ印字装置の印字範囲は、図１０に示す中心
線１２に対して前述した通常のＩＤ印字装置の印字範囲
と左右対称になるように設定されている。また、印字は
例えば複数のドットを組み合わせて行う。鏡文字用のＩ
Ｄ印字装置は、例えば、図２１（Ｂ）に示すような鏡文
字から成るＩＤ４１ａの印字パターンを予め記憶してお
り、この記憶した印字パターンに基づいてレーザを出射
し、第２印字領域４１にＩＤ４１ａを印字する。

【００６６】ＩＤ４０ａ，４１ａを印字後、図１１
（Ａ）に示すように、シリコン基板１の表面に、得よう
とするＳＯＩ構造のシリコン層に合わせたパターンで、
凹凸部（段差）を形成する。第１印字領域４０をオリフ
ラ部１４（図１０参照）に沿って設けることで、印字領
域をウェハーの周縁の円弧状の部分に沿って設けた場合
に比べて、印字処理を簡単にできる。また、第１印字領
域４０をウェハーの周縁部に設けることで、素子を組み
込むウェハーの領域を縮小せずに、印字領域を確保でき
る。

【００６７】第１印字領域４０に印字されたＩＤ４０ａ
は、製造ラインまたは研究ラインなどにおいて、ＩＤ識
別装置によって、例えばＣＣＤカメラを用いて光学的に
読み取られ、正転文字についての処理が行われ、識別さ
れる。そして、この識別されたＩＤ４０ａに基づいて、
ウェハーの検査が行われる。すなわち、枚葉管理が行わ
れる。

【００６８】次に、図１１（Ａ）に示すシリコン基板１
の当該一方の側の面に、図１１（Ｂ）に示すように、絶
縁層としてのＳｉＯ₂層２を形成する。このとき、Ｓｉ
Ｏ₂層２は、パターニングされたシリコン基板１の表面
形状に応じた凹凸部を持った形状になる。

【００６９】次に、図１１（Ｃ）に示すように、シリコ
ン基板１に形成されたＳｉＯ₂層２の上にポリシリコン
膜３を形成する。

【００７０】次に、図１１（Ｄ）に示すように、ポリシ
リコン膜３の表面を、平坦化研磨し、高度に平滑な張り
合わせ面を形成する。

【００７１】次に、図１２（Ｅ）に示すように、ポリシ
リコン膜３の張り合わせ面に、別のシリコン基板４を密
着させる。このシリコン基板４の密着面は高精度に平坦
化してある。一般には、両面に介在する水ないし水酸基
の作用による水素結合によって、きわめてい強固な張り
合わせ状態が得られる。シリコン基板４としては、例え
ば、シリコン基板１と同じものが用いられる。

【００７２】次に、図１２（Ｆ）に示すように、図１２
（Ｅ）に示す基板の表裏面を反転させ、シリコン基板１
の表面を粗く研磨する。この粗研磨は、ＳｉＯ₂層２が
露出する一歩手前で止める。

【００７３】次に、凹凸状のＳｉＯ₂層２が露出するま
で、精密な選択研磨を行う。これにより、シリコン基板
１が研磨され、図１３（Ｇ）に示すように、凹凸のある
ＳｉＯ₂層２に囲まれて、ＳｉＯ₂層２の上に単結晶の
シリコン層１ａが部分的に存在するＳＯＩ構造が得られ
る。図１３（Ｇ）に示すＳＯＩ構造では、ＳｉＯ₂層２
の上に部分的に存在するシリコン層１ａがＳｉＯ₂層２
で囲まれているので、素子分離がなされている。また、
このように凹凸状のＳｉＯ₂層２が露出するまで精密な
選択研磨を行うことにより、図１１（Ａ）に示す工程
で、図１０に示すように第２印字領域４１に印字された
鏡文字から成るＩＤ４１ａが図２１（Ａ）に示すような
正転文字から成るＩＤ４１ａとして半導体基板に現れ
る。

【００７４】そして、例えば、ポリシリコン膜３を露出
した後またはその前に、周縁部分を面取りし、図１３
（Ｇ）に示すように、面取部１３を形成する。

【００７５】上述したように半導体基板に現れた正転文
字から成るＩＤ４１ａは、製造ラインまたは研究ライン
などにおいて、通常のＩＤ識別装置によって、例えばＣ
ＣＤカメラを用いて光学的に読み取られ、正転文字につ
いての処理が行われ、識別される。そして、この識別さ
れたＩＤ４１ａに基づいて、ウェハー毎に検査が行われ
る。すなわち、枚葉管理が行われる。

【００７６】ここで、ウェハーの平面側における当該第
２印字領域４１の位置は、図１０に示すように、中心線
１２に対して第１印字領域４０と左右対称になる位置に
ある。このように、第１印字領域４０と第２印字領域４
１とを中心軸１２に対して左右対称に設けることで、前
述したように、図１２（Ｆ）において基板を上下逆さに
した場合でも、ＣＣＤカメラの撮像位置を変えることな
く、第１印字領域４０、４１の双方の撮像可能が可能に
なる。すなわち、ＣＣＤカメラの撮像位置は、図１１
（Ａ）に示す場合と、図１３（Ｇ）に示す場合とで同じ
である。

【００７７】このとき、張り合わせ前の第１印字領域４
０は、上述した張り合わせ工程に伴い、左右対称の位置
に移動するので、実際には、第１印字領域４０と第２印
字領域４１とを同一にすれば、完成時には図１０に示す
ように第１印字領域４０と第２印字領域４１とは中心線
１２に対して左右対称になる。

【００７８】以上説明したように、本実施例の半導体基
板印方法によれば、張り合わせ方式による半導体基板の
製造において、半導体基板に印字されたＩＤを用いて半
導体基板の管理を簡単に行うことができる。

【００７９】本実施例の半導体基板管理方法としては、
例えば、鏡文字印字用のＩＤ印字装置によって、第２の
印字領域４１には、図２１（Ｃ）に示すような図２１
（Ａ）に示すＩＤ４０ａの文字の順序を変えずに各文字
を鏡文字としたパターンのＩＤ４１ａを印字するように
してもよい。この場合には、張り合わせ工程後に、ＩＤ
４１ａが図２１（Ｄ）に示すようなパターンで現れ、Ｉ
Ｄ識別装置においてＩＤを構成する文字を図２１（Ｄ）
中右側から読み取る処理を行う。

【００８０】第５実施例図１４は、本実施例に係わる半導体基板管理方法におい
てウェハーのＩＤを印字する印字領域を説明するための
ウェハーの平面図である。図１５（Ａ）〜（Ｄ）、図１
６（Ｅ），（Ｆ）および図１７（Ｇ）は、ウェハーの製
造過程において本実施例の半導体基板管理方法を用いる
場合について説明するための図であり、図１５（Ａ）〜
（Ｄ）、図１６（Ｅ），（Ｆ）は図１４に示す断面線Ａ
−Ａの要部断面図、図１７（Ｇ）は図１４に示す断面線
Ｂ−Ｂの要部断面図である。

【００８１】図１４および図１５（Ａ）に示すシリコン
基板１の周縁のオリフラ部１４に沿って設けられた印字
領域５０に対して、通常のＩＤ印字装置によるレーザー
などを用いた非接触方式で、図２１（Ａ）に示すような
正転文字から成るウェハーのＩＤ５０ａを印字する。こ
のとき、印字は例えば複数のドットを組み合わせて行
う。その後、図１５（Ａ）に示すように、シリコン基板
１の表面に、得ようとするＳＯＩ構造のシリコン層に合
わせたパターンで、凹凸部（段差）を形成する。印字領
域５０をオリフラ部１４（図１４参照）に沿って設ける
ことで、印字領域をウェハーの周縁の円弧状の部分に沿
って設けた場合に比べて、印字処理を簡単にできる。ま
た、印字領域５０をウェハーの周縁部に設けることで、
素子を組み込むウェハーの領域を縮小せずに、印字領域
を確保できる。

【００８２】印字領域５０に印字されたＩＤ５０ａは、
製造ラインまたは研究ラインなどにおいて、通常のＩＤ
識別装置によって、例えばＣＣＤカメラを用いて光学的
に読み取られ、正転文字についての処理が行われ、識別
される。そして、この識別されたＩＤ５０ａに基づい
て、ウェハーの検査が行われる。すなわち、枚葉管理が
行われる。

【００８３】次に、図１５（Ａ）に示すシリコン基板１
の当該一方の側の面に、図１５（Ｂ）に示すように、絶
縁層としてのＳｉＯ₂層２を形成する。このとき、Ｓｉ
Ｏ₂層２は、パターニングされたシリコン基板１の表面
形状に応じた凹凸部を持った形状になる。

【００８４】次に、図１５（Ｃ）に示すように、シリコ
ン基板１に形成されたＳｉＯ₂層２の上にポリシリコン
膜３を形成する。

【００８５】次に、図１５（Ｄ）に示すように、ポリシ
リコン膜３の表面を、平坦化研磨し、高度に平滑な張り
合わせ面を形成する。

【００８６】次に、図１６（Ｅ）に示すように、ポリシ
リコン膜３の張り合わせ面に、別のシリコン基板４を密
着させる。このシリコン基板４の密着面は高精度に平坦
化してある。一般には、両面に介在する水ないし水酸基
の作用による水素結合によって、きわめてい強固な張り
合わせ状態が得られる。シリコン基板４としては、例え
ば、シリコン基板１と同じものが用いられる。

【００８７】次に、図１６（Ｆ）に示すように、図１６
（Ｅ）に示す基板の表裏面を反転させ、シリコン基板１
の表面を粗く研磨する。この粗研磨は、ＳｉＯ₂層２が
露出する一歩手前で止める。

【００８８】次に、凹凸状のＳｉＯ₂層２が露出するま
で、精密な選択研磨を行う。これにより、シリコン基板
１が研磨され、図１７（Ｇ）に示すように、凹凸のある
ＳｉＯ₂層２に囲まれて、ＳｉＯ₂層２の上に単結晶の
シリコン層１ａが部分的に存在するＳＯＩ構造が得られ
る。図１７（Ｇ）に示すＳＯＩ構造では、ＳｉＯ₂層２
の上に部分的に存在するシリコン層１ａがＳｉＯ₂層２
で囲まれているので、素子分離がなされている。また、
このように精密な選択研磨を行うことにより、図１５
（Ａ）に示す工程で、図２１（Ａ）に示すようなパター
ンで印字領域５０に印字されたウェハーのＩＤ５０ａが
図２１（Ｂ）に示すような鏡文字から成るＩＤ５０ａと
して半導体基板の表面に現れる。

【００８９】そして、例えば、ポリシリコン膜３を露出
した後またはその前に、周縁部分を面取りし、図１７
（Ｇ）に示すように、面取部１３を形成する。

【００９０】印字領域５０に印字されたＩＤ５０ａは、
製造ラインまたは研究ラインなどにおいて、鏡文字用の
ＩＤ識別装置によって、例えばＣＣＤカメラを用いて光
学的に読み取られ、識別される。ここで、鏡文字用のＩ
Ｄ識別装置のＣＣＤカメラの撮像範囲は、図１４に示す
中心線１２に対して前述した通常のＩＤ識別装置のＣＣ
Ｄカメラの撮像範囲と左右対称になるように設定されて
いる。また、鏡文字用ＩＤ識別装置は、鏡文字用ＩＤ識
別装置は、例えば、図２１（Ｂ）に示すようなパターン
で半導体基板の表面に現れる鏡文字から成るＩＤ５０ａ
の像を光学系で鏡を用いて反射することで図２１（Ａ）
に示すような正転文字から成るパターンの像とし、この
正転文字から成るパターンの像をＣＣＤカメラを用いて
読み取り、識別する。また、鏡文字用ＩＤ識別装置は、
例えば、鏡文字から成るＩＤに関するパターンを予め記
憶しており、図２１（Ｂ）に示すような鏡文字から成る
パターンの像をそのままＣＣＤカメラを用いて読み取
り、この読み取り結果と上記記憶したパターンとを比較
して、ＩＤを識別するものでもよい。

【００９１】そして、この識別されたＩＤ５０ａに基づ
いて、ウェハー毎に検査が行われる。すなわち、枚葉管
理が行われる。

【００９２】本実施例の半導体基板管理方法によれば、
ウェハーの平面側において単一の印字領域５０にＩＤ印
字装置によって印字を行えば、この印字されたＩＤを用
いて張り合わせ前後の双方において枚葉管理が行える。

【００９３】以上説明したように、本実施例の半導体基
板管理方法によれば、張り合わせ方式による半導体基板
の製造において、半導体基板に印字されたＩＤを用い
て、半導体基板の管理を簡単に行うことができる。

【００９４】本発明は上述した実施例には限定されな
い。例えば、上述した第５実施例の半導体基板管理方法
は、正転文字を処理するＩＤ識別装置と鏡文字を処理す
るＩＤ識別装置との双方の機能を備えたＩＤ読取装置を
使用し、張り合わせ工程前と張り合わせ工程後におい
て、かかるＩＤ読取装置のＣＣＤカメラの撮像範囲を移
動させるように構成してもよい。

【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体基板
管理方法によれば、識別マークを印字する際にダストが
生じることを適切に回避できる。また、本発明の半導体
基板管理方法によれば、印字した文字を反転した状態で
読み取ることを回避できる。また、本発明の半導体基板
管理方法によれば、基板の枚葉管理を簡単に行うことが
できる。また、本発明の半導体基板管理方法によれば、
イオン注入により表面から所定の深さの位置に絶縁層を
形成した半導体基板に印字を行う際に、ダストが生じる
ことを適切に回避できる。また、本発明の半導体基板管
理方法によれば、識別マーク読取装置の読み取り位置を
変更することなく、張り合わせ工程前に第１の識別マー
クを読み取り、張り合わせ工程後に第２の識別マークを
読み取ることができる。また、本発明の識別マーク印字
装置によれば、ＳＯＩ構造の半導体基板を張り合わせ方
式で製造する過程で、張り合わせ工程前に鏡文字から成
る識別マークを半導体基板に印字することができる。ま
た、本発明の識別マーク印字装置によれば、ＳＯＩ構造
の半導体基板を張り合わせ方式で製造する過程で、張り
合わせ工程後に半導体基板に現れる鏡文字から成る識別
マークを適切に読み取ることができる。さらに、本発明
の識別マーク印字装置および識別マーク読取装置を用い
れば、ＳＯＩ構造の半導体基板を張り合わせ方式で製造
する過程で、半導体基板の管理を簡単に行うことができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例に係わる半導体基板管理方
法を用いて、張り合わせＳＯＩ構造のウェハーを張り合
わせ方式により製造する過程において、ウェハーのＩＤ
を印字する印字領域を説明するためのウェハーの平面図
である。

【図２】（Ａ）〜（Ｄ）は、図１に示す半導体基板管理
方法を用いたウェハーの製造過程を説明するための図で
ある。

【図３】（Ｅ），（Ｆ）は、図１に示す半導体基板管理
方法を用いたウェハーの製造過程を説明するための図で
ある。

【図４】（Ｇ）は、図１に示す半導体基板管理方法を用
いたウェハーの製造過程を説明するための図である。

【図５】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の第２実施例に係わ
る半導体基板管理方法を用いたウェハーの製造過程を説
明するための図である。

【図６】本発明の第３実施例に係わる半導体基板管理方
法を用いて、張り合わせＳＯＩ構造のウェハーを張り合
わせ方式により製造する過程において、ウェハーのＩＤ
を印字する印字領域を説明するためのウェハーの平面図
である。

【図７】（Ａ）〜（Ｄ）は、図６に示す半導体基板管理
方法を用いたウェハーの製造過程を説明するための図で
ある。

【図８】（Ｅ），（Ｆ）は、図６に示す半導体基板管理
方法を用いたウェハーの製造過程を説明するための図で
ある。

【図９】（Ｇ）は、図６に示す半導体基板管理方法を用
いたウェハーの製造過程を説明するための図である。

【図１０】本発明の第４実施例に係わる半導体基板管理
方法を用いて、張り合わせＳＯＩ構造のウェハーを張り
合わせ方式により製造する過程において、ウェハーのＩ
Ｄを印字する印字領域を説明するためのウェハーの平面
図である。

【図１１】（Ａ）〜（Ｄ）は、図１０に示す半導体基板
管理方法を用いたウェハーの製造過程を説明するための
図である。

【図１２】（Ｅ），（Ｆ）は、図１０に示す半導体基板
管理方法を用いたウェハーの製造過程を説明するための
図である。

【図１３】（Ｇ）は、図１０に示す半導体基板管理方法
を用いたウェハーの製造過程を説明するための図であ
る。

【図１４】本発明の第４実施例に係わる半導体基板管理
方法を用いて、張り合わせＳＯＩ構造のウェハーを張り
合わせ方式により製造する過程において、ウェハーのＩ
Ｄを印字する印字領域を説明するためのウェハーの平面
図である。

【図１５】（Ａ）〜（Ｄ）は、図１４に示す半導体基板
管理方法を用いたウェハーの製造過程を説明するための
図である。

【図１６】（Ｅ），（Ｆ）は、図１４に示す半導体基板
管理方法を用いたウェハーの製造過程を説明するための
図である。

【図１７】（Ｇ）は、図１４に示す半導体基板管理方法
を用いたウェハーの製造過程を説明するための図であ
る。

【図１８】（Ａ），（Ｂ）は従来のＳＯＩ構造の半導体
ウェハーを張り合わせ方法において製造する過程におい
て、半導体ウェハーにＩＤを印字する場合を説明するた
めの図である。

【図１９】従来のＳＩＭＯＸにレーザーなどを用いてＩ
Ｄを印字する場合を説明するための図である。

【図２０】半導体基板に印字されるＩＤを説明するため
の図である。

【図２１】（Ａ）は正転文字から成るパターン図、
（Ｂ）は（Ａ）に示すパターンの正転文字を鏡文字と
し、さらに文字の順序を逆にしたパターンの図、（Ｃ）
は（Ａ）に示すパターンの文字の順序を変えずに文字を
鏡文字としたパターンの図、（Ｄ）は（Ａ）に示すパタ
ーンの文字の順序を逆にしたパターンの図である。

【符号の説明】

１、４、２１、４１、４２、４５・・・シリコン基板２、２２、４６・・・ＳｉＯ₂層３・・・ポリシリコン膜１０、３０、４０、５０・・・第１印字領域１０ａ，１１ａ，３０ａ，３１ａ，４０ａ，４１ａ，５
０ａ… ＩＤ１１、３１、４１・・・第２印字領域１３・・・面取部１４・・・オリフラ部２３、４３、５０・・・印字領域

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁層の上に半導体層を形成したＳＯＩ構
造の半導体基板の表面に形成された酸化膜を少なくとも
除去して半導体基板を露出させ、半導体基板の当該露出
した面に、当該半導体基板の識別マークを非接触方式で
印字し、この印字された識別マークを光学的に読み取り、この読
み取り結果に基づいて、前記半導体基板を管理する半導
体基板管理方法。
【請求項２】前記半導体基板は、張り合わせ方式で製造
される半導体基板である請求項１に記載の半導体基板管
理方法。
【請求項３】前記ＳＯＩ構造の半導体基板は、イオン注
入により表面から所定の深さの位置に絶縁層を形成した
半導体基板である請求項１に記載の半導体基板管理方
法。
【請求項４】絶縁層の上に半導体層を形成したＳＯＩ構
造の半導体基板を張り合わせ方式で製造する過程で、前
記半導体基板を管理する半導体基板管理方法であって、張り合わせ工程前に前記半導体基板の第１の印字領域に
第１の識別マークを印字し、張り合わせ工程前は、前記第１の識別マークを光学的に
読み取り、この読み取り結果に基づいて半導体基板を管
理し、張り合わせ工程後に前記半導体基板の第２の印字領域に
第２の識別マークを印字し、張り合わせ工程後は、前記第２の識別マークを光学的に
読み取り、この読み取り結果に基づいて半導体基板を管
理する半導体基板管理方法。
【請求項５】前記第２の印字領域は、張り合わせ後の半
導体基板に表れる前記第１の印字領域に対し、基板の中
心線を基準として線対称位置に形成される請求項４に記
載の半導体基板管理方法。
【請求項６】絶縁層の上に半導体層を形成したＳＯＩ構
造の半導体基板を張り合わせ方式で製造する過程で、前
記半導体基板を管理する半導体基板管理方法であって、張り合わせ工程前に前記半導体基板の第１の印字領域に
第１の識別マークを印字すると共に第２の印字領域に第
２の識別マークを印字し、張り合わせ工程前は、前記第１の識別マークを光学的に
読み取り、この読み取り結果に基づいて半導体基板を管
理し、張り合わせ工程後は、半導体基板に現れる前記第２の識
別マークを光学的に読み取り、この読み取り結果に基づ
いて半導体基板を管理する半導体基板管理方法。
【請求項７】前記第１の識別マークおよび前記第２の識
別マークは正転文字から成り、前記張り合わせ工程前は、正転文字を読み取る処理を行
って前記第１の識別マークを読み取り、前記張り合わせ工程後は、鏡文字を読み取る処理を行っ
て前記第２の識別マークを読み取る請求項６に記載の半
導体基板管理方法。
【請求項８】前記第１の識別マークは正転文字から成
り、前記第２の識別マークは鏡文字から成り、前記張り合わせ工程前は、正転文字を読み取る処理を行
って前記第１の識別マークを読み取り、前記張り合わせ工程後は、正転文字を読み取る処理を行
って前記第２の識別マークを読み取る請求項６に記載の
半導体基板管理方法。
【請求項９】前記第２の識別マークは、前記第１の識別
マークを鏡に写した像と、同じ文字および順序である請
求項８に記載の半導体基板管理方法。
【請求項１０】前記第２の識別マークは、前記第１の識
別マークを鏡に写した像と、同じ文字の集まりである
が、順序が逆である請求項８に記載の半導体基板管理方
法。
【請求項１１】前記第２の印字領域は、前記第１の印字
領域に対し、基板の中心線を基準として線対称位置に形
成される請求項６〜１０のいずれかに記載の半導体基板
管理方法。
【請求項１２】絶縁層の上に半導体層を形成したＳＯＩ
構造の半導体基板を張り合わせ方式で製造する過程で、
前記半導体基板を管理する半導体基板管理方法であっ
て、張り合わせ工程前に前記半導体基板の印字領域に正転文
字から成る識別マークを印字し、張り合わせ工程前は、正転文字を読み取る処理を行って
前記識別マークを光学的に読み取り、この読み取り結果
に基づいて半導体基板を管理し、張り合わせ工程後は、鏡文字を読み取る処理を行って半
導体基板に現れる前記識別マークを光学的に読み取り、
この読み取り結果に基づいて半導体基板を管理する半導
体基板管理方法。
【請求項１３】前記識別マークの読み取りを行う識別マ
ーク読取装置の読み取り対象領域を張り合わせ工程前後
で移動させる請求項１２に記載の半導体基板管理方法。
【請求項１４】第１の識別マーク読取装置によって前記
第１の識別マークを読み取り、第２の識別マーク読取装置によって前記第２の識別マー
クを読み取る請求項１２に記載の半導体基板管理方法。
【請求項１５】絶縁層の上に半導体層を形成したＳＯＩ
構造の半導体基板を張り合わせ方式で製造する過程で、
張り合わせ工程後に読み取られる識別マークを、張り合
わせ工程前に鏡文字を用いて印字する識別マーク印字装
置。
【請求項１６】絶縁層の上に半導体層を形成したＳＯＩ
構造の半導体基板を張り合わせ方式で製造する過程で、
張り合わせ工程前に印字され張り合わせ工程後に鏡文字
から成る識別マークとして半導体基板に現れる識別マー
クを鏡文字を読み取る処理を行って読み取る識別マーク
読取装置。