JP2000012432A - アライメントマークの周辺構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 第１層間膜の膜厚のばらつきにかかわらず、
アライメントマークの反射光の信号波形をほぼ一定にす
る。 【解決手段】 半導体基板１上に形成した１層目配線２
の一部分の加工によりアライメントマーク３が形成さ
れ、１層目配線２上に第１層間膜４が形成され、さらに
第１層間膜４上に２層目配線を介在させて第２層間膜５
が形成されたという構造を基本とし、アライメントマー
ク３およびその周辺の上部において第１層間膜４に開口
部６が形成され、第２層間膜５はその開口部６において
１層目配線２上に形成された構造となっている。第１層
間膜４の膜厚がばらついたときでも、アライメントマー
ク３の上部には第１層間膜４がないために、アライメン
トマーク３の反射光の信号波形７は、第１層間膜４の膜
厚ばらつきの影響を受けずに、常にほぼ一定にすること
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
のフォトリソグラフィ工程・エッチング工程において、
既成の回路パターンに対してマスクパターンの光学的な
位置合わせを行うために前記既成の回路パターンととも
に作り込まれているアライメントマークの周辺構造に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１６は従来のアライメントマークの周
辺構造を示す断面図である。図１６において、符号の１
はシリコンウエハなどの半導体基板、２は１層目配線、
３はアライメントマーク、４は第１層間膜、５は第２層
間膜を示している。アライメントマーク３の周辺の１層
目配線２は回路パターンとして機能する必要はなく、そ
の一部分の削除により凹所を形成してアライメントマー
ク３を形成するためのものである。アライメントマーク
３の部分では１層目配線２を構成する材料は存在せず、
その凹所には第１層間膜４が埋まった状態となってい
る。２層目配線は図示されてないが、第１層間膜４と第
２層間膜５との間に形成されている。半導体基板１およ
び１層目配線２は不透明であり、第１層間膜４および第
２層間膜５は透明である。上部から光を照射すると、透
明な第２層間膜５および第１層間膜４を通った光の大部
分は、１層目配線２によって反射される。一部の光はア
ライメントマーク３の凹所を通って半導体基板１にまで
達し、半導体基板１によって反射される。これによって
アライメントマーク３を光学的に認識することができ
る。この半導体基板１側のアライメントマーク３とマス
クパターン側の図示しないアライメントマークとを位置
合わせすることにより、フォトリソグラフィ工程におけ
る光学的な位置合わせが行われる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】図１７は従来の技術の
課題を説明するための図である。図１７において図１６
におけるのと同じ符号は同一要素を示す。図１７（ａ）
は第１層間膜４の膜厚が規定厚みのときの断面図、図１
７（ｂ）は第１層間膜４の膜厚が規定厚みのときのアラ
イメントマーク３の反射光の信号波形図、図１７（ｃ）
は第１層間膜４の膜厚が規定厚みよりも厚くなってしま
ったときの断面図、図１７（ｄ）は第１層間膜４の膜厚
が規定厚みより厚いときのアライメントマーク３の反射
光の信号波形図である。

【０００４】まず、第１層間膜４の膜厚が規定厚みのと
きの図１７（ａ）について説明する。上部から照射され
た光は、透明な第２層間膜５と第１層間膜４を透過して
１層目配線２の表面から反射され、またアライメントマ
ーク３の凹所に対応した半導体基板１の表面から反射さ
れる。１層目配線２からの反射光の強度は大きく、ま
た、アライメントマーク３の凹所の中央部分からの反射
光の強度も大きい。これに対して、アライメントマーク
３の凹所の両端部すなわち１層目配線２との境界部分で
は散乱が生じるので、そこからの反射光の強度は小さく
なる。このため、図１７（ｂ）に示すように反射光の信
号波形２５は境界の２箇所で急激に減衰する２つの谷部
をもつ１つの山部からなる波形となる。このような信号
波形のパターン認識に基づいてアライメントマーク３の
存在を捕捉することができる。図１７（ａ）の場合に１
層目配線２とアライメントマーク３の凹所中央からの反
射光の強度が大きいのは、後述するような光の干渉が生
じていないためである。

【０００５】次に、第１層間膜４が規定厚みより厚いと
きの図１７（ｃ）について説明する。第２層間膜５、第
１層間膜４は透明ではあっても、それぞれの表面からの
光の反射は生じる。１層目配線２からの反射光と第２層
間膜５、第１層間膜４の表面からの反射光との位相関係
が第１層間膜４および第２層間膜５の合計厚みに対して
干渉を起こさない状態になっており、１層目配線２から
の反射光の強度は大きい。しかし、アライメントマーク
３の凹所中央に対応した半導体基板１からの反射光と第
２層間膜５、第１層間膜４の表面からの反射光との位相
関係が第１層間膜４および第２層間膜５の合計厚みに対
して干渉を起こす状態になっており、アライメントマー
ク３の凹所中央からの反射光の強度が小さくなってい
る。このため、図１７（ｄ）に示すように反射光の信号
波形２６は山部が小さいほぼ１つの谷部をもつ波形とな
ってしまい、アライメントマーク３をパターン認識でき
る図１７（ｂ）の波形とは大幅に相違しているため、ア
ライメントマーク３の信号波形のパターン認識が困難に
なり、アライメントが困難になってしまう。第１層間膜
４が規定厚みよりも薄いときにも同様のことが起こり得
る。なお、一般的に第２層間膜５の厚みは第１層間膜４
の厚みより充分に小さいので、第２層間膜５の膜厚のば
らつきの影響は少ない。

【０００６】本発明は上記した課題の解決を図るべく創
案されたものであって、第１層間膜の膜厚あるいは第１
層間膜と第２層間膜との合計膜厚がばらついたときで
も、アライメントマークの反射光の信号波形をほぼ一定
にすることができるアライメントマークの周辺構造を提
供することを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に、本発明にかかわるアライメントマークの周辺構造
は、アライメントマークおよびその周辺の上部において
第１層間膜に開口部が形成され、第２層間膜はその開口
部において１層目配線上に形成された構造となしてあ
り、アライメントマーク上部では第１層間膜に開口部を
形成して第１層間膜をなくしているので、第１層間膜の
膜厚あるいは第１層間膜と第２層間膜との合計膜厚がば
らついたときでも、アライメントマークの反射光の信号
波形がほぼ一定となる。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１にかかわるアラ
イメントマークの周辺構造は、次のような構成となって
いる。すなわち、半導体基板上に形成した１層目配線の
一部分の加工によりアライメントマークが形成され、１
層目配線上に第１層間膜が形成され、さらに第１層間膜
上に２層目配線を介在させて第２層間膜が形成されたと
いう構造を基本とする。そして、アライメントマークお
よびその周辺の上部において第１層間膜に開口部が形成
され、第２層間膜はその開口部において１層目配線上に
形成された構造となっている。これによると、第１層間
膜の膜厚あるいは第１層間膜と第２層間膜との合計膜厚
がばらついたときでも、アライメントマークの上部にあ
っては第１層間膜は存在せず開口部となっているため、
アライメントマークの反射光の信号波形は膜厚ばらつき
の影響を受けることがほとんどなくほぼ一定となる。

【０００９】本発明にかかわる請求項２のアライメント
マークの周辺構造は、上記請求項１において、第１層間
膜の開口部が上拡がりの順テーパー形状となっている。
これによると、第２層間膜の上部にレジストを塗布する
ときに、開口部の内側、端部、外側でレジスト膜厚がよ
り均一になり、レジストの塗布特性が向上する。

【００１０】本発明にかかわる請求項３のアライメント
マークの周辺構造は、上記請求項１，２において、アラ
イメントマークの凹所の幅Ｗに対して第２層間膜の膜厚
がＷ／２以上にされている。これによると、アライメン
トマークの凹所の内側が第２層間膜で完全に埋め込ま
れ、第２層間膜が平坦化されるため、アライメントマー
クの反射光の信号波形に、第２層間膜の表面の凹部によ
る信号乱れが乗ることが防止され、アライメントマーク
の反射光の信号波形の形状が良好になる。

【００１１】本発明にかかわる請求項４のアライメント
マークの周辺構造は、上記請求項１〜３において、第１
層間膜の開口部の上部に２層目配線が形成されている。
エッチングにより第１層間膜上に２層目配線をパターニ
ングする際に、開口部の下地の半導体基板や１層目配線
がエッチングされることを開口部での２層目配線によっ
て防ぐ。このためアライメントマークの反射光の信号波
形が良好になる。

【００１２】以下、本発明にかかわるアライメントマー
クの周辺構造の具体的な実施の形態を図面に基づいて詳
細に説明する。

【００１３】〔実施の形態１〕図１（ａ）は実施の形態
１にかかわる半導体装置のアライメントマークの周辺構
造を示す断面図、図１（ｂ）はアライメントマークの反
射光の信号波形図、図１（ｃ）はアライメントマークの
周辺構造を示す平面図である。図１（ａ），（ｃ）にお
いて、符号の１は例えば単結晶シリコンによりウエハに
構成された半導体基板、２は例えばリンを添加した多結
晶シリコンにより構成された１層目配線、３は１層目配
線２の一部分を半導体基板１まで削除して例えば矩形の
凹所に形成したアライメントマーク、４は例えばホウ素
ＢとリンＰを添加した二酸化シリコン（シリカガラス）
により構成されたＢＰＳＧ膜である第１層間膜、５は同
様に例えばホウ素とリンを添加した二酸化シリコンによ
り構成されたＢＰＳＧ膜である第２層間膜である。第１
層間膜４も第２層間膜５も透明である。第１層間膜４は
１層目配線２の表面に成膜されたものであるが、アライ
メントマーク３およびその近傍周囲には成膜せず、開口
部６としてある。第２層間膜５は第１層間膜４の表面に
成膜されるものであるが、第１層間膜４の開口部６にお
いて１層目配線２の表面とアライメントマーク３の凹所
の半導体基板１の表面にも成膜されている。アライメン
トマーク３の凹所はその全体が第２層間膜５によって埋
め込まれている。開口部６のほぼ全体において第２層間
膜５の表面は平坦になっている。なお、アライメントマ
ーク３を形成する凹所の形状として矩形（長方形）を示
してあるが、この矩形の寸法は例えば２μｍ×５０μｍ
であって、これはＸ方向のアライメントに用いられるも
のである。もっとも、アライメントマーク３を形成する
凹所の形状は任意である。この点は後述する各実施の形
態においても同様である。なお、２層目配線は図示され
てないが、第１層間膜４と第２層間膜５との間に形成さ
れている。

【００１４】以上のように、アライメントマーク３およ
びその近傍周囲において第１層間膜４に開口部６を形成
してあり、アライメントマーク３の上部には第１層間膜
４が存在しないようにしてあり、また第２層間膜５の膜
厚は比較的に薄いことから、図１（ｂ）に示すアライメ
ントマーク３の反射光の信号波形７は、第１層間膜４の
膜厚ばらつきに起因した波形乱れの影響を受けることが
なく、常にほぼ一定の、パターン認識に必要な所要の波
形にすることができる。

【００１５】〔実施の形態２〕次に、第２層間膜上にレ
ジストを塗布する場合に適した実施の形態２について説
明する。

【００１６】図３（ａ）は第２層間膜５上にレジスト９
を塗布する場合の問題点を指摘するためのアライメント
マークの周辺構造の断面図、図３（ｂ）はアライメント
マーク３の反射光の信号波形図である。図３（ａ）にお
いて図１におけるのと同じ符号は同一要素を示す。第２
層間膜５上にレジスト９を塗布してあるが、それ以外の
構成は図１と同じである。第１層間膜４はその開口部６
の口縁に垂直な段差を生じている。その段差に影響され
て、第２層間膜５の表面は平坦ではなく、垂直に近い段
差を生じている。その結果として、レジスト９を均一厚
みに塗布したとしても、開口部６の口縁に対応した箇所
では段差による膜厚減少が起きやすく、またレジストの
はじきによる膜厚減少を引き起こすために一層の膜厚減
少が促進され、開口部６の口縁に対応した箇所における
レジスト９の膜厚１５は、開口部６の内側での膜厚１４
および開口部６の外側での膜厚１６に比べてかなり小さ
くなってしまい、レジスト塗布特性を悪化させる。な
お、図３（ｂ）に示すようにアライメントマーク３の反
射光の信号波形７は、第１層間膜４の膜厚ばらつきの影
響を受けることがなく、常にほぼ一定の、パターン認識
に必要な所要の波形となる。

【００１７】実施の形態２にかかわるアライメントマー
クの周辺構造は、第１層間膜４に垂直な段差をもつ開口
部６を形成したことに起因する上記のような不都合を解
消しようとするものである。図２（ａ）は実施の形態２
にかかわる半導体装置のアライメントマークの周辺構造
を示す断面図、図２（ｂ）はアライメントマーク３の反
射光の信号波形図である。図２において図１におけるの
と同じ符号は同一要素を示す。アライメントマーク３お
よびその近傍周囲において第１層間膜４に上方拡がりの
順テーパー形状の開口部８を形成してある。これに伴っ
て、第１層間膜４上および開口部８での１層目配線２上
に成膜した第２層間膜５は、第１層間膜４の順テーパー
部４ａに対応して順テーパー部５ａを有する状態となっ
ている。さらにこれに伴って、第２層間膜５上に塗布し
たレジスト９については、開口部８の口縁に対応する第
２層間膜５の順テーパー部５ａに沿ってなだらかに凹入
する状態となっている。その結果として、レジスト９を
均一厚みに塗布すると、開口部８の口縁に対応した箇所
におけるレジスト９の膜厚１１は、開口部８の内側での
膜厚１０および開口部８の外側での膜厚１２と比べてほ
ぼ同じとなっている。つまり、全体的にレジスト９の膜
厚を均一にすることができる。特に、開口部８の口縁に
対応する箇所のレジスト９の膜厚１１は、図３（ａ）の
場合の膜厚１５と比較して厚くなっている。このため、
膜厚が局部的に薄くなることに起因するレジストのはじ
きによるさらなる膜厚減少は生じない。これにより、レ
ジスト塗布特性を良好なものにすることができる。な
お、図２（ｂ）に示すようにアライメントマーク３の反
射光の信号波形７は、第１層間膜４の膜厚ばらつきの影
響を受けることがなく、常にほぼ一定の、パターン認識
に必要な所要の波形となる。

【００１８】〔実施の形態３〕次に、アライメントマー
クの凹所の幅に対して第２層間膜の膜厚を適切にした場
合の実施の形態３について説明する。

【００１９】図５（ａ）は第２層間膜５の膜厚Ｔ２がア
ライメントマーク３の凹所の幅Ｗのさらに２分の１に比
べて小さい場合の問題点を指摘するためのアライメント
マークの周辺構造の断面図、図５（ｂ）はアライメント
マーク３の反射光の信号波形図である。図５（ａ）にお
いて図１におけるのと同じ符号は同一要素を示す。第２
層間膜５の膜厚Ｔ２がアライメントマーク３の凹所の幅
Ｗの２分の１よりも小さくなっている（Ｔ２＜Ｗ／
２）。それ以外の構成は図１と同じである。第１層間膜
４はその開口部６の口縁に垂直な段差を生じている。第
２層間膜５の膜厚Ｔ２が、Ｔ２＜Ｗ／２となっているこ
とに起因して、アライメントマーク３の凹所に対応する
箇所において第２層間膜５に凹部１８が生じている。そ
の結果として、図５（ｂ）に示すようにアライメントマ
ーク３の反射光の信号波形１９において、アライメント
マーク３の凹所の両端部すなわち１層目配線２との境界
部で急激に減衰する２つの谷部をもつ１つの山部からな
る波形ではあるが、第２層間膜５の凹部１８によって光
の散乱が起きており、山部２０が低くて形状も乱れた波
形となってしまい、信号波形のパターン認識に基づいた
アライメントマーク３の存在の捕捉がむずかしくなる。

【００２０】実施の形態３にかかわるアライメントマー
クの周辺構造は、第２層間膜５に凹部１８が生じたこと
に起因する上記のような不都合を解消しようとするもの
である。図４（ａ）は実施の形態３にかかわる半導体装
置のアライメントマークの周辺構造を示す断面図、図４
（ｂ）はアライメントマーク３の反射光の信号波形図で
ある。図４において図１におけるのと同じ符号は同一要
素を示す。第２層間膜５の膜厚Ｔ１は図５（ａ）の場合
の膜厚Ｔ２よりも大きく、アライメントマーク３の凹所
の幅Ｗの２分の１以上に設定してある（Ｔ１≧Ｗ／
２）。その結果として、アライメントマーク３の凹所の
内側は第２層間膜５で完全に埋め込まれ、第２層間膜５
にはアライメントマーク３の凹所に対応して凹部は生じ
ておらず、第２層間膜５の表面は全体的に平坦化されて
いる。このため、図４（ｂ）に示すように、アライメン
トマーク３の反射光の信号波形１７には、図５の山部２
０のような乱れは生じず、図１（ｂ）の場合と同様に２
つの谷部をもつ１つの山部からなる正規の波形となり、
このような信号波形のパターン認識に基づいてアライメ
ントマーク３の存在を正確に捕捉することができる。第
２層間膜５の膜厚Ｔ１については、好ましくはＷの３分
の２以上、さらに好ましくはＷの４分の３以上とする。

【００２１】なお、本実施の形態３において、実施の形
態２の場合の第１層間膜４の開口部を順テーパー形状と
する構成を適用してもよい。

【００２２】〔実施の形態４〕次に、第１層間膜の開口
部において２層目配線を形成する場合の実施の形態４に
ついて説明する。

【００２３】図７（ａ）は第１層間膜４上に成膜した図
示しない２層目配線材をエッチングして２層目配線（図
外）をパターニングした場合の問題点を指摘するための
アライメントマークの周辺構造の断面図、図７（ｂ）は
アライメントマーク２３の反射光の信号波形図である。
図７（ａ）において図１におけるのと同じ符号は同一要
素を示す。第１層間膜４上に２層目配線材（図示せず）
を成膜し、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技
術を用いて２層目配線材をパターニングすることにより
２層目配線（図示せず）を形成し、次いで、第１層間膜
４上と２層目配線上と開口部６での１層目配線２上とに
第２層間膜５を形成してある。２層目配線材をエッチン
グして２層目配線をパターニングする際に、開口部６の
下地の半導体基板１の表面や１層目配線２の表面も同時
にエッチングされ、表面の平坦性が失われている（図で
ギザギザで表してある）。その結果として、図７（ｂ）
に示すようにアライメントマーク２３の凹所の底部およ
び凹所周辺での反射光の信号波形２４が著しく乱れるこ
とになり、信号波形のパターン認識に基づいたアライメ
ントマーク２３の存在の捕捉がむずかしくなる。

【００２４】実施の形態４にかかわるアライメントマー
クの周辺構造は、上記の不都合を解消しようとするもの
である。図６（ａ）は実施の形態４にかかわる半導体装
置のアライメントマークの周辺構造を示す断面図、図６
（ｂ）はアライメントマーク３の反射光の信号波形図で
ある。図６において図１におけるのと同じ符号は同一要
素を示す。第１層間膜４上に２層目配線材（図示せず）
を成膜し、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技
術を用いて２層目配線材をパターニングすることにより
第１層間膜４上に２層目配線（図示せず）を形成する際
に、第１層間膜４の開口部６において２層目配線２１を
残すようにしたものである。すなわち、アライメントマ
ーク３の凹所の底部における半導体基板１の表面と１層
目配線２の表面と第１層間膜４における開口部立ち上が
り口縁と第１層間膜４の表面とにわたって２層目配線２
１を形成している。この２層目配線２１は、図示しない
第１層間膜４上の２層目配線とつながっていてもよい
し、分離独立していてもよい。そして、第１層間膜４上
と２層目配線２１上とにわたって第２層間膜５を形成し
ている。以上のように、第１層間膜４上に図示しない２
層目配線をエッチングでパターニングする際に、第１層
間膜４の開口部６においても２層目配線２１を残すよう
にしてパターニングするから、エッチングのダメージが
開口部６の下地の半導体基板１の表面や１層目配線２の
表面に及ぶことを２層目配線２１によって防護すること
となり、それらの表面の平坦性が保持される。その結果
として、図６（ｂ）に示すようにアライメントマーク３
の凹所の底部および凹所周辺での反射光の信号波形２２
は正規の波形となり、信号波形のパターン認識に基づい
たアライメントマーク３の存在を正確に捕捉することが
できる。

【００２５】なお、本実施の形態４において、実施の形
態２の場合の第１層間膜４の開口部を順テーパー形状と
する構成を適用してもよい。

【００２６】

【実施例】より具体的なレベルを実施例として説明す
る。図８に示すように半導体基板１上に極薄酸化膜３１
（９ｎｍ）とリンを添加した多結晶シリコン（８０ｎ
ｍ）およびタングステンシリサイド（１２０ｎｍ）から
なる多層膜３２を堆積する。次に、レジストを塗布し、
露光・現像を行って１層目配線２とアライメントマーク
３（図９参照）を形成するためのレジストパターン３３
を形成する。次に、レジストパターン３３をエッチング
マスクとして極薄酸化膜３１と多層膜３２をエッチング
除去して、図９に示すように１層目配線２とアライメン
トマーク３を形成する。次に、図１０に示すようにシリ
コン酸化膜３４（５０ｎｍ）を堆積し、さらにホウ素
（Ｂ）およびリン（Ｐ）を添加したシリコン酸化膜から
なるＢＰＳＧ膜３５（８５０ｎｍ）を堆積する。次に、
ＣＭＰ法（Chemical Mechanical Polishing ；化学機械
研磨）によってＢＰＳＧ膜３５を約５００ｎｍエッチン
グ除去して、ＢＰＳＧ膜３５の表面を平坦化する。この
透明なＢＰＳＧ膜３５が第１層間膜４のもとになる。次
に、レジストを塗布し、露光・現像を行って第１コンタ
クト３７（図１３参照）と開口部６（図１１参照）を形
成するためのレジストパターン３６を形成する。次に、
レジストパターン３６をエッチングマスクとしてＢＰＳ
Ｇ膜３５すなわち第１層間膜４とシリコン酸化膜３４を
エッチング除去して、図１１に示すように第１層間膜４
に第１コンタクト３７のためのコンタクトホールと開口
部６を形成する。次に、シリコン酸化膜（５０ｎｍ）を
堆積し、そのシリコン酸化膜とＢＰＳＧ膜３５（第１層
間膜４）を合わせて約１２０ｎｍエッチング除去し、図
１２に示すように開口部６の立ち上がり口縁とコンタク
トホールとアライメントマーク３の凹所の立ち上がり口
縁とにサイドウォール膜３８を形成する。このＢＰＳＧ
膜３５が最終的に第１層間膜４となる。次に、図１３に
示すようにリンを添加した多結晶シリコン（５０ｎｍ）
とタングステンシリサイド（１３０ｎｍ）からなる多層
膜３９を堆積する。このときにコンタクトホールに第１
コンタクト３７が形成される。次に、レジストを塗布
し、露光・現像を行って２層目配線４１（図１４参照）
を形成するためのレジストパターン４０を形成する。次
に、レジストパターン４０をエッチングマスクとして多
層膜３９をエッチング除去して、図１４に示すように２
層目配線４１を形成する。なお、図１４は図１（ａ）の
場合に対応しており開口部６には２層目配線を残してい
ないが、残した場合には図６（ａ）に対応する（２層目
配線２１参照）。次に、図１５に示すようにシリコン酸
化膜４２（５０ｎｍ）を堆積し、さらにホウ素（Ｂ）お
よびリン（Ｐ）を添加したシリコン酸化膜からなるＢＰ
ＳＧ膜４３（４００ｎｍ）を堆積する。このシリコン酸
化膜４２とＢＰＳＧ膜４３とが第２層間膜５となる。第
２層間膜５は透明である。次に、レジストを塗布し、ア
ライメントマーク３を基準としてマスクパターンの位置
合わせを行う。そして、露光・現像して第２コンタクト
を形成するためのレジストパターン４４を形成する。

【００２７】

【発明の効果】アライメントマークの周辺構造について
の本発明によれば、アライメントマーク上部では第１層
間膜に開口部を形成して第１層間膜をなくしているの
で、第１層間膜の膜厚あるいは第１層間膜と第２層間膜
との合計膜厚がばらついたときでも、アライメントマー
クの反射光の信号波形をほぼ一定とでき、信号波形のパ
ターン認識に基づいてのアライメントマークの存在を正
確に捕捉することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施の形態１にかかわるアライメン
トマークの周辺構造を示す断面図と、アライメントマー
クの反射光の信号波形図と、アライメントマークの周辺
構造を示す平面図

【図２】 実施の形態２にかかわるアライメントマーク
の周辺構造を示す断面図と、アライメントマークの反射
光の信号波形図

【図３】 実施の形態２にかかわって第２層間膜上にレ
ジストを塗布する場合の問題点を指摘するためのアライ
メントマークの周辺構造の断面図と、アライメントマー
クの反射光の信号波形図

【図４】 実施の形態３にかかわるアライメントマーク
の周辺構造を示す断面図と、アライメントマークの反射
光の信号波形図

【図５】 実施の形態３にかかわって第２層間膜の膜厚
がアライメントマークの凹所の幅の２分の１より小さい
場合の問題点を指摘するためのアライメントマークの周
辺構造の断面図と、アライメントマークの反射光の信号
波形図

【図６】 実施の形態４にかかわるアライメントマーク
の周辺構造を示す断面図と、アライメントマークの反射
光の信号波形図

【図７】 実施の形態４にかかわって第１層間膜上に成
膜した２層目配線材をエッチングして２層目配線をパタ
ーニングした場合の問題点を指摘するためのアライメン
トマークの周辺構造の断面図と、アライメントマークの
反射光の信号波形図

【図８】 実施例にかかわるアライメントマークの周辺
構造の構築の手順を示す断面図

【図９】 実施例にかかわるアライメントマークの周辺
構造の構築の手順を示す断面図（図８の続き）

【図１０】 実施例にかかわるアライメントマークの周
辺構造の構築の手順を示す断面図（図９の続き）

【図１１】 実施例にかかわるアライメントマークの周
辺構造の構築の手順を示す断面図（図１０の続き）

【図１２】 実施例にかかわるアライメントマークの周
辺構造の構築の手順を示す断面図（図１１の続き）

【図１３】 実施例にかかわるアライメントマークの周
辺構造の構築の手順を示す断面図（図１２の続き）

【図１４】 実施例にかかわるアライメントマークの周
辺構造の構築の手順を示す断面図（図１３の続き）

【図１５】 実施例にかかわるアライメントマークの周
辺構造の構築の手順を示す断面図（図１４の続き）

【図１６】 従来の技術にかかわるアライメントマーク
の周辺構造を示す断面図

【図１７】 従来の技術の課題を説明するもので、第１
層間膜の膜厚が規定厚みのときの断面図と、そのときの
アライメントマークの反射光の信号波形図と、第１層間
膜の膜厚が規定厚みよりも厚くなってしまったときの断
面図と、そのときのアライメントマークの反射光の信号
波形図

【符号の説明】

１……半導体基板 ２……１層目配線 ３……アライメントマーク ４……第１層間膜 ４ａ……順テーパー部 ５……第２層間
膜 ５ａ……順テーパー部 ６……開口部 ７……アライメントマークの反射光の信号波形 ８……開口部 ９……レジスト １８……第２層間膜の凹部 ２１……２層目配
線

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板上に形成した１層目配線の一
   部分の加工によりアライメントマークが形成され、前記
   １層目配線上に第１層間膜が形成され、さらに第１層間
   膜上に２層目配線を介在させて第２層間膜が形成された
   アライメントマークの周辺構造であって、前記アライメ
   ントマークおよびその周辺の上部において前記第１層間
   膜に開口部が形成され、前記第２層間膜は前記開口部に
   おいて前記１層目配線上に形成されているアライメント
   マークの周辺構造。
2. 【請求項２】 第１層間膜の開口部が上拡がりの順テー
   パー形状となっている請求項１に記載のアライメントマ
   ークの周辺構造。
3. 【請求項３】 アライメントマークの凹所の幅Ｗに対し
   て第２層間膜の膜厚がＷ／２以上にされている請求項１
   または請求項２に記載のアライメントマークの周辺構
   造。
4. 【請求項４】 第１層間膜の開口部の上部に２層目配線
   が形成されている請求項１から請求項３までのいずれか
   に記載のアライメントマークの周辺構造。