JPS609626A - ピンチャック及びその製法 - Google Patents

ピンチャック及びその製法

Info

Publication number
JPS609626A
JPS609626A JP59051296A JP5129684A JPS609626A JP S609626 A JPS609626 A JP S609626A JP 59051296 A JP59051296 A JP 59051296A JP 5129684 A JP5129684 A JP 5129684A JP S609626 A JPS609626 A JP S609626A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chuck
pin
pinch
vacuum
silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP59051296A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH034341B2 (ja
Inventor
ヴインセント・デイ・ミリア
ジユアン・ラモン・マルドナド
ジエ−ムズ・ルイス・スパイデル
ジヨン・マイケル・ワ−ロウモント
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPS609626A publication Critical patent/JPS609626A/ja
Publication of JPH034341B2 publication Critical patent/JPH034341B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S269/00—Work holders
    • Y10S269/902—Work holder member with v-shaped notch or groove

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Jigs For Machine Tools (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は集積回路及びその他の電子部品ならびに装置を
その製造中保持するチャックに関するものであり、さら
に詳細に述べれば、半導体ウェハ等の支持された基板の
平坦度も制御するピンチャツクに関するものである。
［従来技術］ 集積回路及びその他の電子部品ならびに装置の製造中、
上層構造の製作時に基板を保持し、位置決めするために
チャックが用いられる。チャックはまた相次ぐ整合及び
リソグラフィによるパターン作成の工程中、基板（特に
半導体ウェハ）を同じ平坦度に保持するためにも用いら
れる。リソグラフィによる相次ぐパターンの正確な重ね
合わせのために、基板は整合操作中、平らに保持しなけ
ればならない。リソグラフィによるパターンの露光中は
、電子線による場合、イオン・ビームによる場合、光（
可視光線、紫外線またはＸ線）による場合を問わず、基
板の平坦度は、焦点深度を満足させ、周辺のぼけを防ぎ
、ぶれによる誤差を少なくするため、基板の平坦度を保
たなければならない。
相次ぐ加工工程中、基板の曲率を同しに保持する一方法
は、基板を真空ピンチャツク（すなわち、電床）で支持
することである。ピンのある基板の下を真空に保ち、基
板の他の面が大気圧下にあれば基板はピンに向って吸引
され、各ピンと点接触する。ピンの先端が全て乎ｍｌ上
にあれば、基板も平場に保たれる。従来の平面真空チャ
ックに比較して、ピンチャツクの利点は、基板をチャッ
クに取付は直すごとに塵の粒子が基板の曲率を変える可
能性が少なくなることである。
［発明が解決しようとする問題点コ 従来の真空ピンチャツクの欠点は、特に１２５ｍのシリ
コン・ウェハを保持するのに十分な大きさのチャックを
製造するのは困難で、しかもコストが高いことである。
従来法では、各微小なピンを別々に製作した後、周囲に
高くしたリムを機械加工した平坦な金属ブロックにあけ
た穴に各ピンを固定する。機械加工したリムは、真空を
シールするためのものである。ピンをブロックに装着し
た後、ピンの先端と外側のシール用リングが全て完全に
平坦になり且つ全てが同一平面上になるように、ピンの
先端を非常に精密な誤差範囲に入るよう注意深く研摩す
ることが必要であった。これは明らかに、非常に時間が
かかり、非常にコストの高い作業である。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は平坦な表面を有する所定の材料の単一ブロック
をエツチングして複数のピン及びそれらを支持する基部
を単一構造として形成することを特徴としている。
［実施例］ 後で図面を参照して詳しく説明するように、本発明のピ
ンチャツクは、非常に平坦な表面を有するブロックをリ
ソグラフィ技術に従ってエツチングすることにより製造
される。極度に平坦な表面を得るために、適当な材料の
ブロックを研摩する。
所要のピンのパターン（好ましくはピンの周囲に真空シ
ール用のリングを有するもの）は、マスクにより定めら
れる。このマスクは後の工程でピンの列を生成させるよ
うに、平滑な表面をエツチングするのに用いられる。ピ
ン（及び任意に設ける真空シール用リング）は、すでに
平坦な表面から作成するので、ピンを作成した後しこ研
摩する必要はない。ピンの上端面（及び任意に設ける真
空シール用リングの上面）はすでに同一平面上にある。
リングラフィ技術を用いるため、ピンの頭の寸法、ピン
の本数、ピンの配列、及びピンの密度は全て製作費に影
響することなく、自由に選択することができる。
ピンチャツク製造用のブロックとしては、ドープしたシ
リコンのブロックが好ましい。これは、シリコンの特性
が適当であり、シリコンのりソグラフイによる製作工程
がよく知られているためばかりでなく、シリコンのピン
チャツクの熱膨張係数がシリコン・ウェハの熱膨張係数
に等しいためである。エツチングしたピンの領域を、エ
ツチングしない帯域で囲むことにより、このピンチャツ
クを真空ピンチャツクとして使用するときに真空をシー
ルするリングとして作用する隆起した周囲リングが得ら
れる。ピンを半導体材料（たとえばドープしたシリコン
）で製作し、誘電性材料（たとえば二酸化シリコン）の
皮膜で被覆すると、このピンチャツクは静電ピンチャツ
クとして使用することができる。真空シール用のリング
を作成し、ピン（及びリング）を誘電体皮膜で被覆する
と１、同じピンチャツクを静電ピンチャツクとしても。
真空ピンチャツクとしても使用する事ができる。
第１図は本発明のピンチャツク９を真空チャックとして
使用している状態を示し、第２図はピンチャツク９を静
電チャックとして使用している状態を示すものである。
これらの図面についての説明に先立って、第３Ａ図乃至
第３工図を参照しながら、ピンチャツク９を製造する工
程について説明する。
第３Ａ図に示す様に名目上平坦な表面上０を有する適当
な材料のブロック１２を用意する。ブロック１２はシリ
コンより成ることが好ましい。これはりソグラフイ及び
エツチングによりシリコンの微細構造を作成することは
、超小型回路技術分野でよく知られた技術であり、また
作製したピンチャツクにより平坦に保持される基板は、
シリコン・ウェハであるためである。工程により温度変
化のある場合があるため、ピンチャツク及びピンチャツ
クで支持する基板は、熱膨張係数が等しいものであるこ
とが有利である。なお、ピンチャツりは、シリコンに限
らず、はとんどのセラミック、耐火材料（たとえばＳｉ
Ｃ，ＳｉＮ、ＷＣ，ＺｒＮ等）及び一部の金属（たとえ
ばアルミニウムまたは鋼鉄）を含むエツチング可能な種
々の材料を用いて製作することができる。
完成したピンチャツクの寸法形状は、特にこのピンチャ
ツクを真空ピンチャツクとして使用する場合、これによ
り支持される基板の寸法形状に適合するものであること
が好ましい。完成したピンチャツクは、円形のシリコン
・ウェハを取扱うために用いることが予想されるため、
ブロック１２は図示するように円筒形のものとする。円
筒形ブロック１２の高さもしくは厚みは、完成したピン
チャツクが静電及び真空操作の一方または両方が行なわ
れる間、剛性を十分保持できる程度としなければならな
い。ブロック１２は、シリコン・ウェハとしての薄板を
切り出すのと同種類のプールから、シリコンの厚板を切
り出して作製するのが便利である。
２個の穴１４及び１５を（ドリルにより）円筒形のブロ
ック１２にあける。この穴の１つは完成したピンチャツ
クを真空ピンチャツクとして用いる場合、適当な真空に
するための開口部として作用する。他方の穴はポーゴー
接点を設けるもので、これは完成したピンチャツクを静
電ピンチャツクとして使用する場合、支持する基板に電
位を与えるために用いるものである。もちろん、完成し
たピンチャツクを真空ピンチャツクとしてのみ使用する
場合又は静電ピンチャツクとしてのみ使用する場合は、
使用しない操作にともなう穴は設ける必要はない。また
、穴を必要とせずに、支持した基板に電気的接触が可能
な他の方法を用いることもできる。
名目的平坦な表面１０は、次に表面１０が極度に平坦に
なるまで研摩される。この工程で得られる平坦度は、完
成したピンチへ７ツクの平坦度を左右する。表面は、１
ミクロンの何分の−かの平坦度にすることが好ましく、
表面仕上は光学的高品質にすることが好ましい。
次に、研摩した表面上にエツチング珀のマスクを設ける
。これを行なうには多くの方法がある。
エツチング・マスクの構造及びエツチング・マスクを作
製する方法は、研摩したブロックの組成及び結晶構造と
、選択したエツチング方法によるところが大きい。適当
な高さ、密度、及び縦横比のピンを得るために、プラズ
マ・エツチング（たとえば反応性イオン・エツチング）
等の指向性エツチング工程を用いることができる。この
ような場合、エツチング・マスクは、プラズマ・エツチ
ングに十分耐えるよう作製しなければならない。
プラズマ・エツチングは異方的にエツチングされる材料
を選択することにより、さけることができる。単結晶シ
リコンは、異方的にエツチングすることができるので、
好ましい材料である。異方性エツチングのため、単結晶
シリコンのブロックを（１００）面が研摩した面になる
よう配向させる。多結晶シリコンを単結晶シリコンの代
りに用いる場合は、プラズマ・エツチング技術を代りに
用いることができるであろう。
エツチング・マスクは、ＳｉＯ□で作製することが好ま
しい。Ｓｕｎ、は異方性エツチング剤にも、プラズマ・
エツチング剤にも耐え、厚みの損失が非常に少ないため
、従来のレジストを直接エツチング・マスクどして使用
するより好結果が得られる。ピンの作製には、従来の基
準によれば比較的深いエツチングを必要とするため、従
来のレジストを直接使用すると、非常に厚いレジスト層
が必要になる。選択したエツチング剤に良く耐える材料
により、標準の厚みのレジスタ・パターンを用いてマス
クを作製するほうが好ましいと考えられる。
好ましいＳｉＯ□ｉＯ□を作製する第一の工程は、研摩
したシリコン・ブロックの表面を酸化して。
ＳｉＯ□層１６層形６することである。これは、シリコ
ン・ブロックを単に酸素の存在下で加熱することにより
行なうことができる。約１ミクロンの８１０２層が適当
である。このＳｉＯ□層は、研摩した表面に限られるが
、第３Ｂ図に示すように、ブロックの露出した表面全体
を酸化しても、何ら不利益を生じることはない。
次に、この５ｉ０２　Ｆｉｎの上に、パターンを作るこ
とのできるレジスト層１８を付着させる（第３Ｂ図）。
原則的には、パターンを作製することのできるポジ形又
はネガ形の任意のレジストが使用可能である。しかし、
作製するパターンの性質、及びマスクに必要な解像度の
点から見てシラプリ−（Ｓｈｉｐｉｅｙ）社の販売する
ＡＺ１３５０のような標準のポジ形フォトレジストを使
用するほうが有利である。
レジスト層１８を、パターン化した光学線で露光する。
適当な露光パターンの平面図を第３Ｃ図に示す。斜線部
分は、最終のピンチャツクで高くなっており、基板を支
持する平滑な表面となる部分に相当する。斜線部分２２
はピンの上面に相当し、斜線部分２０は真空シール用の
周辺リングに相当する。ポジ形フォトレジストを用いた
場合（以下の説明もポジ形フォトレジストを用いたと仮
定する）、露光パターンは、第３Ｃ図で斜線の無い部分
に相当する。ポジ形の代りにネガ形のレジストを用いた
場合は、露光パターンは第３Ｃ図の斜線部分に相当する
。
パターン露光には、適当な照射様式のコンピュータ制御
による書込みビームも使用することができることは明ら
かである。パターン露光は、マスクと、適当な全面照射
ビームとの組合わせにより行なうことが好ましい。これ
は密着印画リングラフィだけではなく、投射リソグラフ
ィ、または近接印画法により行うことも可能である。第
３Ｄ図に、パターン露光の好ましい方法を示す。密着リ
ソグラフィ用マスク２４を、図に示すような位置に作製
し、全面照射ビーム２６で露光する。下のレジスト層１
８の露光した部分を２８で示す。マスク２４は透明な支
持体２７上に不透明なパターン２５を設けたものである
。
現像により（第３Ｅ図）、ポジ形レジスト層１８は露光
パターンの陰画すなわち相補的なパターンを形成する。
すなわち、これは完成したピンチャツクで高くなってい
る部分に相当する。尚、相補的な露出パターンを持つネ
ガ形レジストにより、同じレジスト・パターンを得るこ
とができる。
パターン化したレジスト層１８は、下のＳｉＯ□層１６
に類似のパターンを生成するためのエツチング用マスク
として用いられる（第３Ｆ図）。この目的に適したエツ
チング剤は、市販の緩衝酸化エツチング剤（ＢＯＥ）、
すなわちフッ化アンモニウムとフッ化水素酸を９＝１の
割合で含む混合液である。１ノジスト・マスクは、パタ
ーンをＳｉＯ□に　２移動させた後、直ぐに除去可能で
あるが、レジストは第３Ｇ図に示すように、最終のエツ
チング工程で溶解させるため、マスクをその場所に残し
ても不利益にならないことが多い。
次に適当なエツチング剤を用いてピンを作製する。エチ
レンジアミン、ピロカテコール及び水の溶液は、単結晶
シリコンのための適当な異方性エツチング剤である。水
酸化カリウムも使用することができる。異方性エツチン
グ剤を使用することにより、第３Ｇ図に示すように、ピ
ラミッド型のピン３０が得られる。真空シール用リング
３２がピラミッド型のピン構造を囲んでいる。プラズマ
・エツチング剤を使用すれば、一層垂直なピンの壁が得
られる。これはピンの材料の強度及び寸法によって、望
ましい場合とそうでない場合がある。
ピンを作るエツチングの深さは、完成したピンチャツク
に支持される基板の下に、均一な１本を・生成するのに
十分な程度とする。エツチングの深さは約２５０乃至４
００ミクロンが好ましい。ピンの上端面の直径は、約０
．０２５ｍｍから、約５側の範囲とすることができる。
ピンの上端面の直径が小さすぎると、ピンが支持する基
板を破損するおそれがある。逆に、ピン」二端面の直径
が大きすぎると、ピンと支持する基板との間に塵の粒子
がはさまることがある。シリコン・ピンチャツクでシリ
コン・ウェハを支持するには、ピン」二端面の直径は約
１冊とするのが好ましい。異方性エツチング剤により作
成した四面のピラミッド型ピン構造は、使用中通も耐久
性があると考えられるため、シリコン・ピンチャツクと
して好ましい。正四角錐を底に平行に切ると上端面は正
方形となるため、ピン上端面は正方形であることが好ま
しい。
静電モードで操作する際に、ピンチャツクにより支持さ
れる基板にかかる力は、支持される基板が接触するピン
チャツクの高くした部分の面積に比例するため、ピンの
接触面積はできるだけ大きくすることがのぞましい、１
ｍｎの辺（上端面で）を有する正方形のピンの間隔は中
心間で約２ｍとするのが適当である。これは、標準の１
２５ｎｎ＋のシリコン・ウェハの面積に３０００本以上
のピンがあることになる。この様な３０００本以上のピ
ンを有するピンチャツクの製造には、従来のピンチャツ
ク製造技術は実用的でないといえる。
ピンを形成した後、Ｓｉｎ、エツチング・マスクは除去
してもしなくてもよい（第３Ｈ図）。ピンチャツクは５
ｉｎ２マスクがあっても無くても、このままの形で真空
ピンチャツクとして使用することができる。このピンチ
ャツクを静電ピンチャツクとして使用するためには、少
なくとも支持する基板に接触する部分のピンチャツクの
表面は、絶縁膜で被覆しなければならない。また、ピン
チャツクの一部（たとえば底部）は、ピンチャツクに電
気的接触をするため、絶縁しないままにしなければなら
ない。シリコン・ピンチャックの場合、絶縁膜はＳコ０
□とすることが好ましい。適当な環境では元の５ｉｎ２
マスクを絶縁層として（または絶縁層を成長させる出発
層として）使用することができることがあるが、均一で
平坦な８１０２層を生成しない傾向があるため好ましく
ない。このＳｉＯ□層を除去し、ピンチャツクを単に酸
素の存在下で適当な厚み（たとえば２ミクロン）のＳｉ
ｎ２層が生成するまで加熱することにより新しい５１０
２　Ｎ　３４を形成することが好ましい。そして、電気
的接触を行わせるために底部のＳｉｎ２層を除去する（
第３■図）。
第１図は、前述の工程により製造したピンチャツク９を
、シリコン・ウェハ３６を支持する真空ピンチャツクと
して使用する状態を示す。真空源３７により、真空ライ
ン４０及び穴１４を介してウェハ３６の下面から空気を
吸い出して、ウェハのピン側の圧力をウェハの他の側よ
り低くする。
穴１５は、図示したポーゴー接点３８のような、気密の
プラグでふさく。ウェハ３６の上の圧力、が高いため、
ウェハはピン３０及びリング３２を被覆する薄い絶縁膜
に均一に接触するよう押し下げられる。リング３２及び
ピン３０は全て同一平面上にあるため、ウェハ３６は平
坦になり、希望どおりに支持される。第２図は同じピン
チャツクを、シリコン・ウェハ３６を支持する静電ピン
チャツクとして使用する状態を示す。ポーゴー接点３８
を通じて、ピンチャツク本体１２とウェハ３６の間に電
位を与える。ポーゴー接点３８は穴１５にはめた絶縁カ
ラー４０に加圧かん合させである。
ピンチャツクとウェハとの間の電圧により生じた静電力
は、ピン及びリングに均一な接触が行われるようウェハ
を引付け、これにょリウェハを希望どおりに平坦にし、
支持する。通常、電源４２は直流電源とすべきであるが
、代りに交流電源とすることもできる。たとえば、かな
りの電荷の漏洩が起るのに十分な時間、静電支持力が必
要な場合は、交流電源が使用できるであろう。
この真空兼静電ピンチャツクを用いる特に便利な方法は
、支持するシリコン・ウェハを平坦にするために真空モ
ードで使用し、次にシリコン・ウェハを平坦な位置に支
持するために静電モードで使用することである。これに
より、ピンチャツクと、ピンチャツクにより支持される
ウェハとを、ウェハの平坦度を保ちながら真空源から除
去することができる。電圧源が直流電源の場合は、電圧
源を完全にピンチャツクから除去しても（少なくとも短
時間は）静電力は残留する。この静電力は、電荷が漏洩
するにつれて徐々に減少する。しかし、有効な静電力は
、少なくとも数分間は残留し、ピンチャツクの誘電材料
、厚み、湿度等によっては、数時間または数日間残留さ
せることができる。静電モードの操作は、特に、真空ピ
ンチャツクが有効に作用しない真空環境下に支持したウ
ェハを置く必要がある工程で使用するのに便利である。
［発明の効果コ 本発明によると、低コストで容易に製造可能なピンチャ
ツクが得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明のピンチャツクを真空チャックとして使
用している状態を示す図、第２図は本発明のピンチャツ
クを静電チャックとして使用している状態を示す図、第
３Ａ図乃至第３工図は本発明のピンチャツクを製造する
工程を示す図である。 ９・・・・ピンチャツク、１２・・・・ブロック、１６
・・・・Ｓｉｎ、層、１８・・・・フォトレジスト層、
３０・・・・ピン、３２・・・・リング。 出願人　インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・
コーポレーション 代理人　弁理士　山　本　仁　朗 （外１名） 第２図 ＼ 第３Ｄ図 第３Ｅ図 第３Ｇ図 第３Ｈ図 ント アメリカ合衆国ニュージャーシ イ州リッジウッド・ケンブリッ ジ・ロード４２３番地

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 複数のピンが基体から突き出ていて、同一平面上に平坦
    な端面を有する型のピンチャツクであって、上記複数の
    ピン及び基体が、平坦な表面を有する所定の材料の単一
    ブロックをエツチングすることにより形成された単一構
    造であることを特徴とするピンチャック。
JP59051296A 1983-06-30 1984-03-19 ピンチャック及びその製法 Granted JPS609626A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/509,738 US4551192A (en) 1983-06-30 1983-06-30 Electrostatic or vacuum pinchuck formed with microcircuit lithography
US509738 1983-06-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS609626A true JPS609626A (ja) 1985-01-18
JPH034341B2 JPH034341B2 (ja) 1991-01-22

Family

ID=24027900

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59051296A Granted JPS609626A (ja) 1983-06-30 1984-03-19 ピンチャック及びその製法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4551192A (ja)
EP (1) EP0134438B1 (ja)
JP (1) JPS609626A (ja)
DE (1) DE3485678D1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6013740U (ja) * 1983-07-06 1985-01-30 日本電子株式会社 試料保持装置
JPS62107937A (ja) * 1985-11-01 1987-05-19 Hitachi Seiko Ltd 真空チヤツク
JPH01129438A (ja) * 1987-11-16 1989-05-22 Hitachi Ltd 真空吸着固定台および真空吸着固定方法
JPH02186656A (ja) * 1989-01-13 1990-07-20 Hitachi Ltd 低発塵装置
JP2005302858A (ja) * 2004-04-08 2005-10-27 Nikon Corp ウェハの接合装置
JP2007266611A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Carl Zeiss Smt Ag 一時的に基板を支持する支持構造

Families Citing this family (284)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4624728A (en) * 1985-06-11 1986-11-25 Tegal Corporation Pin lift plasma processing
US4798090A (en) * 1985-06-25 1989-01-17 Cobe Laboratories, Inc. Apparatus for use with fluid flow transfer device
US5325261A (en) * 1991-05-17 1994-06-28 Unisearch Limited Electrostatic chuck with improved release
US5317938A (en) * 1992-01-16 1994-06-07 Duke University Method for making microstructural surgical instruments
US5600530A (en) * 1992-08-04 1997-02-04 The Morgan Crucible Company Plc Electrostatic chuck
DE4302440A1 (de) * 1993-01-29 1994-08-11 Mielenz Gmbh Vakuumspannplatte
US5885469B1 (en) * 1996-11-05 2000-08-08 Applied Materials Inc Topographical structure of an electrostatic chuck and method of fabricating same
US5583736A (en) * 1994-11-17 1996-12-10 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Micromachined silicon electrostatic chuck
JPH09172055A (ja) * 1995-12-19 1997-06-30 Fujitsu Ltd 静電チャック及びウエハの吸着方法
US5838529A (en) * 1995-12-22 1998-11-17 Lam Research Corporation Low voltage electrostatic clamp for substrates such as dielectric substrates
US6399143B1 (en) 1996-04-09 2002-06-04 Delsys Pharmaceutical Corporation Method for clamping and electrostatically coating a substrate
US5825607A (en) * 1996-05-08 1998-10-20 Applied Materials, Inc. Insulated wafer spacing mask for a substrate support chuck and method of fabricating same
US5812362A (en) * 1996-06-14 1998-09-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for the use of diamond films as dielectric coatings on electrostatic chucks
US5952060A (en) * 1996-06-14 1999-09-14 Applied Materials, Inc. Use of carbon-based films in extending the lifetime of substrate processing system components
US6456480B1 (en) * 1997-03-25 2002-09-24 Tokyo Electron Limited Processing apparatus and a processing method
JPH10284360A (ja) 1997-04-02 1998-10-23 Hitachi Ltd 基板温度制御装置及び方法
US5841624A (en) * 1997-06-09 1998-11-24 Applied Materials, Inc. Cover layer for a substrate support chuck and method of fabricating same
US5903428A (en) * 1997-09-25 1999-05-11 Applied Materials, Inc. Hybrid Johnsen-Rahbek electrostatic chuck having highly resistive mesas separating the chuck from a wafer supported thereupon and method of fabricating same
DE69842191D1 (de) * 1997-11-05 2011-05-05 Tokyo Electron Ltd Halbleiterscheibenhaltevorrichtung
SG71182A1 (en) * 1997-12-26 2000-03-21 Canon Kk Substrate processing apparatus substrate support apparatus substrate processing method and substrate manufacturing method
US6032997A (en) * 1998-04-16 2000-03-07 Excimer Laser Systems Vacuum chuck
JP3983387B2 (ja) * 1998-09-29 2007-09-26 日本碍子株式会社 静電チャック
US6219219B1 (en) * 1998-09-30 2001-04-17 Applied Materials, Inc. Cathode assembly containing an electrostatic chuck for retaining a wafer in a semiconductor wafer processing system
US6259592B1 (en) 1998-11-19 2001-07-10 Applied Materials, Inc. Apparatus for retaining a workpiece upon a workpiece support and method of manufacturing same
US6215642B1 (en) * 1999-03-11 2001-04-10 Nikon Corporation Of Japan Vacuum compatible, deformable electrostatic chuck with high thermal conductivity
DE19922498A1 (de) * 1999-05-15 2000-11-30 Hans Moritz Vorrichtung zum einseitigen Ätzen einer Halbleiterscheibe
US7432634B2 (en) * 2000-10-27 2008-10-07 Board Of Regents, University Of Texas System Remote center compliant flexure device
US6873087B1 (en) * 1999-10-29 2005-03-29 Board Of Regents, The University Of Texas System High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes
EP1303793B1 (en) 2000-07-17 2015-01-28 Board Of Regents, The University Of Texas System Method and system of automatic fluid dispensing for imprint lithography processes
WO2002067055A2 (en) 2000-10-12 2002-08-29 Board Of Regents, The University Of Texas System Template for room temperature, low pressure micro- and nano-imprint lithography
JP3577546B2 (ja) * 2001-02-08 2004-10-13 株式会社 日立インダストリイズ 基板の組立方法及び組立装置
US6628503B2 (en) 2001-03-13 2003-09-30 Nikon Corporation Gas cooled electrostatic pin chuck for vacuum applications
KR100422444B1 (ko) * 2001-05-29 2004-03-12 삼성전자주식회사 정전 척에 설치되는 웨이퍼 공간 지지장치 및 그 제조방법
US6490145B1 (en) 2001-07-18 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Substrate support pedestal
US7105103B2 (en) 2002-03-11 2006-09-12 Becton, Dickinson And Company System and method for the manufacture of surgical blades
US7387742B2 (en) 2002-03-11 2008-06-17 Becton, Dickinson And Company Silicon blades for surgical and non-surgical use
US6734117B2 (en) * 2002-03-12 2004-05-11 Nikon Corporation Periodic clamping method and apparatus to reduce thermal stress in a wafer
KR100511854B1 (ko) * 2002-06-18 2005-09-02 아네르바 가부시키가이샤 정전 흡착 장치
US7019819B2 (en) * 2002-11-13 2006-03-28 Molecular Imprints, Inc. Chucking system for modulating shapes of substrates
US7092231B2 (en) * 2002-08-23 2006-08-15 Asml Netherlands B.V. Chuck, lithographic apparatus and device manufacturing method
US20040055709A1 (en) * 2002-09-19 2004-03-25 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a low level of particle generation and method of fabricating same
US7641840B2 (en) 2002-11-13 2010-01-05 Molecular Imprints, Inc. Method for expelling gas positioned between a substrate and a mold
KR100616602B1 (ko) 2002-12-23 2006-08-25 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치
US7126808B2 (en) * 2003-04-01 2006-10-24 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Wafer platen equipped with electrostatic clamp, wafer backside gas cooling, and high voltage operation capability for plasma doping
EP1475667A1 (en) * 2003-05-09 2004-11-10 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1510868A1 (en) * 2003-08-29 2005-03-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7013956B2 (en) * 2003-09-02 2006-03-21 Thermal Corp. Heat pipe evaporator with porous valve
US20050067146A1 (en) * 2003-09-02 2005-03-31 Thayer John Gilbert Two phase cooling system method for burn-in testing
US7129731B2 (en) * 2003-09-02 2006-10-31 Thermal Corp. Heat pipe with chilled liquid condenser system for burn-in testing
US20050067147A1 (en) * 2003-09-02 2005-03-31 Thayer John Gilbert Loop thermosyphon for cooling semiconductors during burn-in testing
US7785485B2 (en) 2003-09-17 2010-08-31 Becton, Dickinson And Company System and method for creating linear and non-linear trenches in silicon and other crystalline materials with a router
JP3894562B2 (ja) * 2003-10-01 2007-03-22 キヤノン株式会社 基板吸着装置、露光装置およびデバイス製造方法
US7198276B2 (en) * 2003-10-24 2007-04-03 International Business Machines Corporation Adaptive electrostatic pin chuck
US6897945B1 (en) * 2003-12-15 2005-05-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7088431B2 (en) 2003-12-17 2006-08-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7055229B2 (en) * 2003-12-31 2006-06-06 Intel Corporation Support system for semiconductor wafers and methods thereof
US7396484B2 (en) 2004-04-30 2008-07-08 Becton, Dickinson And Company Methods of fabricating complex blade geometries from silicon wafers and strengthening blade geometries
US7504268B2 (en) 2004-05-28 2009-03-17 Board Of Regents, The University Of Texas System Adaptive shape substrate support method
US7798801B2 (en) * 2005-01-31 2010-09-21 Molecular Imprints, Inc. Chucking system for nano-manufacturing
US7635263B2 (en) 2005-01-31 2009-12-22 Molecular Imprints, Inc. Chucking system comprising an array of fluid chambers
US7636999B2 (en) 2005-01-31 2009-12-29 Molecular Imprints, Inc. Method of retaining a substrate to a wafer chuck
DE202005011367U1 (de) 2005-07-18 2005-09-29 Retzlaff, Udo, Dr. Transfer-ESC auf Wafer-Basis
CN101535021A (zh) 2005-12-08 2009-09-16 分子制模股份有限公司 用于衬底双面图案形成的方法和系统
US7670530B2 (en) 2006-01-20 2010-03-02 Molecular Imprints, Inc. Patterning substrates employing multiple chucks
DE202006007122U1 (de) * 2006-05-03 2006-09-07 Retzlaff, Udo, Dr. Mobiler, transportabler, elektrostatischer Substrathalter aus Halbleitermaterial
US8215946B2 (en) 2006-05-18 2012-07-10 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography system and method
JP5284153B2 (ja) * 2008-03-21 2013-09-11 日本碍子株式会社 セラミックスヒータ
JP5411557B2 (ja) * 2009-04-03 2014-02-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 微細構造転写装置
US9329497B2 (en) * 2011-02-01 2016-05-03 Asml Netherlands B.V. Substrate table, lithographic apparatus and device manufacturing method
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
NL2010139A (en) 2012-02-03 2013-08-06 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
US9116097B2 (en) * 2012-07-25 2015-08-25 Spirit Aerosystems, Inc. Part fixture for nondestructive inspection
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
WO2014084060A1 (ja) * 2012-11-28 2014-06-05 京セラ株式会社 載置用部材およびその製造方法
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
JP6497761B2 (ja) 2015-02-23 2019-04-10 エム キューブド テクノロジーズ，インコーポレーテッドＭ Ｃｕｂｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ， Ｉｎｃ． 静電チャック用薄膜電極
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
JP7041051B2 (ja) 2015-08-14 2022-03-23 ツー－シックス デラウェア インコーポレイテッド 摩擦が低減された支持表面を特徴とするウエハチャック
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
JP6650345B2 (ja) * 2016-05-26 2020-02-19 日本特殊陶業株式会社 基板保持装置及びその製造方法
USD829778S1 (en) * 2016-06-27 2018-10-02 Ngk Spark Plug Co. Ltd. Vacuum chuck
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
KR20210024462A (ko) 2018-06-27 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
CN113260923B (zh) * 2018-12-28 2024-08-20 Asml控股股份有限公司 用于清洁光刻系统中的支撑结构的设备和方法
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
KR20210089077A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210127620A (ko) 2020-04-13 2021-10-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
US12062565B2 (en) 2021-06-29 2024-08-13 Asm Ip Holding B.V. Electrostatic chuck, assembly including the electrostatic chuck, and method of controlling temperature of the electrostatic chuck
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4111423Y1 (ja) * 1964-04-13 1966-05-27

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3881244A (en) * 1972-06-02 1975-05-06 Texas Instruments Inc Method of making a solid state inductor
US4004955A (en) * 1973-05-24 1977-01-25 General Motors Corporation Positive selective nickel alignment system
EP0002166A3 (fr) * 1977-11-18 1979-08-08 International Business Machines Corporation Support pour microplaquettes de circuits intégrés, et son procédé de fabrication
US4213698A (en) * 1978-12-01 1980-07-22 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Apparatus and method for holding and planarizing thin workpieces
DD143131A1 (de) * 1979-04-26 1980-07-30 Ute Bergner Vorrichtung zum elektrostatischen halten von werkstuecken,insbesondere halbleiterscheiben
US4313783A (en) * 1980-05-19 1982-02-02 Branson International Plasma Corporation Computer controlled system for processing semiconductor wafers
JPS5754341A (ja) * 1980-09-19 1982-03-31 Hitachi Ltd Usuitahojisochi
US4339297A (en) * 1981-04-14 1982-07-13 Seiichiro Aigo Apparatus for etching of oxide film on semiconductor wafer
US4439261A (en) * 1983-08-26 1984-03-27 International Business Machines Corporation Composite pallet
JPS6099538A (ja) * 1983-11-01 1985-06-03 横河・ヒュ−レット・パッカ−ド株式会社 ピンチヤツク

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4111423Y1 (ja) * 1964-04-13 1966-05-27

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6013740U (ja) * 1983-07-06 1985-01-30 日本電子株式会社 試料保持装置
JPS62107937A (ja) * 1985-11-01 1987-05-19 Hitachi Seiko Ltd 真空チヤツク
JPH01129438A (ja) * 1987-11-16 1989-05-22 Hitachi Ltd 真空吸着固定台および真空吸着固定方法
JPH02186656A (ja) * 1989-01-13 1990-07-20 Hitachi Ltd 低発塵装置
JP2005302858A (ja) * 2004-04-08 2005-10-27 Nikon Corp ウェハの接合装置
JP2007266611A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Carl Zeiss Smt Ag 一時的に基板を支持する支持構造

Also Published As

Publication number Publication date
EP0134438B1 (en) 1992-04-29
EP0134438A3 (en) 1987-12-16
US4551192A (en) 1985-11-05
DE3485678D1 (de) 1992-06-04
JPH034341B2 (ja) 1991-01-22
EP0134438A2 (en) 1985-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS609626A (ja) ピンチャック及びその製法
US4419182A (en) Method of fabricating screen lens array plates
JPS61108176A (ja) 粗面化方法
DE60140379D1 (de) Soi/glas-verfahren zur herstellung von dünnen mikrobearbeiteten strukturen
JP3347203B2 (ja) 微細空洞形成方法及び微細空洞を有する微小装置
US4708919A (en) Process for manufacturing a mask for use in X-ray photolithography using a monolithic support and resulting structure
JP2000315785A (ja) ナノ構造体の製造方法及びナノ構造体デバイス
JP2003158069A (ja) 電子線露光用レチクル、電子線露光用レチクルブランク及びその製造方法
JPS6127900B2 (ja)
JP3362653B2 (ja) ハードコンタクト露光装置
JP2806136B2 (ja) 微細構造発光素子作製方法
JP2002299229A (ja) 電子線露光用レチクルブランクの作製方法及びマスク
TW457581B (en) Method for uniformly etching deep trench structure
US6294099B1 (en) Method of processing circular patterning
JPH04148546A (ja) ビーム寸法測定用素子及びその製造方法
JP2003068615A (ja) 転写マスクブランクス、その製造方法、転写マスク、その製造方法及び露光方法
JPH04364726A (ja) パターン形成方法
JPS61184831A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS60110124A (ja) 微細パタ−ン加工方法
Dizon et al. Single-mask processing of micromechanical piercing structures using ion milling (biomedical tissue fasteners)
JPH0235456B2 (ja)
JPS62247530A (ja) マスクパタ−ンの形成方法
JPH01180503A (ja) 光学素子作製用スタンパの作製方法
JPH06102006A (ja) 走査型プローブ顕微鏡用のプローブの製造方法
JPH07254553A (ja) Ｘ線マスク構造体とその製造方法、及び該ｘ線マスク構造体を用いたｘ線露光方法及びｘ線露光装置と該ｘ線マスク構造体を用いて作製された半導体デバイス及び半導体デバイスの製造方法