JP5756834B2 - 転写フィルムおよびその製造方法、並びに透明導電性積層体の製造方法 - Google Patents
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Description
実施例1の転写フィルムは、以下のようにして作製した。まず、基材フィルムとして、厚さ30μmのポリイミドフィルム(東レ・デュポン社製、ENグレード)を準備した。そして、以下のようにして、このポリイミドフィルムの一方の面上に、離型層を形成した。
実施例2の転写フィルムが実施例1と異なる点は、ポリイミドフィルム上に離型層として成膜した珪素の蒸着膜の、成膜時間と膜厚のみであり、その他の条件および方法は、実施例1と全く同様にして行った。実施例2の転写フィルムでは、珪素の蒸着膜の成膜時間は35秒であり、膜厚は、48nmであった。また、形成した珪素の蒸着膜の組成は、珪素原子全量に対する酸素と結合した珪素原子の割合が、35%であった。
実施例3の転写フィルムが実施例1と異なる点もまた、ポリイミドフィルム上に離型層として成膜した珪素の蒸着膜の、成膜時間と膜厚のみであり、その他の条件および方法は、実施例1と全く同様にして行った。実施例3の転写フィルムでは、珪素の蒸着膜の成膜時間は60秒であり、膜厚は、80nmであった。また、形成した珪素の蒸着膜の組成は、珪素原子全量に対する酸素と結合した珪素原子の割合が、34%であった。
実施例4の転写フィルムが実施例1と異なる点もまた、ポリイミドフィルム上に離型層として成膜した珪素の蒸着膜の、成膜時間と膜厚のみであり、その他の条件および方法は、実施例1と全く同様にして行った。実施例4の転写フィルムでは、珪素の蒸着膜の成膜時間は140秒であり、膜厚は、200nmであった。また、形成した珪素の蒸着膜の組成は、珪素原子全量に対する酸素と結合した珪素原子の割合が、31%であった。
比較例1の転写フィルムが実施例1と異なる点は、ポリイミドフィルム上に離型層として成膜した蒸着膜の、成膜条件であり、その他の条件および方法は、実施例1と全く同様にして行った。比較例1の転写フィルムでは、蒸着膜の成膜条件として、チャンバーに設置した電子銃によって、坩堝に充填した蒸着原料の金属珪素の塊を溶解、蒸発させると同時に、流量200sccmの酸素を真空チャンバー内に導入しながら、ポリイミドフィルム上に珪素の蒸着膜を、離型層として成膜した。成膜時間は30秒であり、膜厚は、34nmであった。また、形成した珪素の蒸着膜の組成は、珪素原子全量に対する酸素と結合した珪素原子の割合が、87%であった。
比較例2の転写フィルムが実施例1と異なる点もまた、ポリイミドフィルム上に離型層として成膜した蒸着膜の、成膜条件であり、その他の条件および方法は、実施例1と全く同様にして行った。比較例2の転写フィルムでは、蒸着膜の成膜条件として、チャンバーに設置した電子銃によって、坩堝に充填した蒸着原料の金属珪素の塊を溶解、蒸発させると同時に、流量200sccmの窒素を真空チャンバー内に導入しながら、ポリイミドフィルム上に珪素の蒸着膜を、離型層として成膜した。成膜時間は30秒であり、膜厚は、28nmであった。また、形成した珪素の蒸着膜の組成は、珪素原子全量に対する酸素と結合した珪素原子の割合が、70%であった。
比較例3の転写フィルムが実施例1と異なる点もまた、ポリイミドフィルム上に離型層として成膜した蒸着膜の、成膜条件であり、その他の条件および方法は、実施例1と全く同様にして行った。比較例3の転写フィルムでは、蒸着膜の成膜条件として、チャンバーに設置した電子銃によって、坩堝に充填した蒸着原料の金属珪素の塊を溶解、蒸発させると同時に、流量100sccmの酸素と流量100sccmの窒素の混合ガスを真空チャンバー内に導入しながら、ポリイミドフィルム上に珪素の蒸着膜を、離型層として成膜した。成膜時間は30秒であり、膜厚は、37nmであった。また、形成した珪素の蒸着膜の組成は、珪素原子全量に対する酸素と結合した珪素原子の割合が、66%であった。
比較例4の転写フィルムが実施例1と異なる点は、ポリイミドフィルム上に離型層として成膜した蒸着膜の、蒸着原料であり、その他の条件および方法は、実施例1と全く同様にして行った。比較例4の転写フィルムでは、蒸着膜の成膜条件として、チャンバーに設置した電子銃によって、坩堝に充填した蒸着材料のアルミニウムの塊を溶解、蒸発させて、ポリイミドフィルム上にアルミニウムの蒸着膜を、離型層として成膜した。成膜時間は20秒であり、膜厚は、29nmであった。また、形成したアルミニウムの蒸着膜の組成は、アルミニウム原子全量に対する酸素と結合したアルミニウム原子の割合が、83%であった。
比較例5の転写フィルムが実施例1と異なる点は、ポリイミドフィルム上に離型層として成膜した蒸着膜の、蒸着原料と成膜条件であり、その他の条件および方法は、実施例1と全く同様にして行った。比較例5の転写フィルムでは、蒸着膜の成膜条件として、チャンバーに設置した電子銃によって、坩堝に充填した蒸着材料のアルミニウムの塊を溶解、蒸発させると同時に、流量200sccmの酸素を真空チャンバー内に導入しながら、ポリイミドフィルム上にアルミニウムの蒸着膜を、離型層として成膜した。成膜時間は30秒であり、膜厚は、38nmであった。また、形成したアルミニウムの蒸着膜の組成は、アルミニウム原子全量に対する酸素と結合したアルミニウム原子の割合が、94%であった。
比較例6の転写フィルムが実施例1と異なる点もまた、ポリイミドフィルム上に離型層として成膜した蒸着膜の、蒸着原料と成膜条件であり、その他の条件および方法は、実施例1と全く同様にして行った。比較例6の転写フィルムでは、蒸着膜の成膜条件として、チャンバーに設置した電子銃によって、坩堝に充填した蒸着材料のアルミニウムの塊を溶解、蒸発させると同時に、流量200sccmの窒素を真空チャンバー内に導入しながら、ポリイミドフィルム上にアルミニウムの蒸着膜を、離型層として成膜した。成膜時間は30秒であり、膜厚は、30nmであった。また、形成したアルミニウムの蒸着膜の組成は、アルミニウム原子全量に対する酸素と結合したアルミニウム原子の割合が、91%であった。
比較例7の転写フィルムが実施例1と異なる点は、ポリイミドフィルム上に離型層として成膜した蒸着膜の、蒸着原料であり、その他の条件および方法は、実施例1と全く同様にして行った。比較例7の転写フィルムでは、蒸着膜の成膜条件として、チャンバーに設置した電子銃によって、坩堝に充填した蒸着材料のチタンの塊を溶解、蒸発させて、ポリイミドフィルム上にチタンの蒸着膜を、離型層として成膜した。成膜時間は20秒であり、膜厚は、30nmであった。また、形成したチタンの蒸着膜の組成は、チタン原子全量に対する酸素と結合したチタン原子の割合が、93%であった。
比較例8の転写フィルムが実施例1と異なる点は、ポリイミドフィルム上に離型層として成膜した蒸着膜の、蒸着原料と成膜条件であり、その他の条件および方法は、実施例1と全く同様にして行った。比較例8の転写フィルムでは、蒸着膜の成膜条件として、チャンバーに設置した電子銃によって、坩堝に充填した蒸着材料のチタンの塊を溶解、蒸発させると同時に、流量200sccmの酸素を真空チャンバー内に導入しながら、ポリイミドフィルム上にチタンの蒸着膜を、離型層として成膜した。成膜時間は30秒であり、膜厚は、35nmであった。また、形成したチタンの蒸着膜の組成は、チタン原子全量に対する酸素と結合したチタン原子の割合が、95%であった。
Claims (5)
- 基材フィルムの一方の面上に、
少なくとも、離型層と、金属薄膜と、グラフェンを主成分とする透明導電膜とをこの順に備え、
前記離型層は、珪素の薄膜であり、
前記珪素の薄膜は、珪素原子全量に対する酸素と結合した珪素原子の割合が、50%以下であること、
を特徴とする転写フィルム。 - 前記珪素の薄膜の厚さが、30〜300nmであること、
を特徴とする請求項1に記載の転写フィルム。 - 前記金属薄膜は、材質が銅またはニッケルであり、厚さが30〜1000nmであること、
を特徴とする請求項1に記載の転写フィルム。 - 基材フィルムの一方の面上に離型層を形成する工程と、
前記離型層の上に金属薄膜を形成する工程と、
前記金属薄膜の上にグラフェンを主成分とする透明導電膜を形成する工程とを備え、 前記離型層を形成する工程において、前記離型層として珪素の薄膜を形成し、かつ前記珪素の薄膜は、珪素原子全量に対する酸素と結合した珪素原子の割合が、50%以下であるようにすること、
を特徴とする転写フィルムの製造方法。 - 請求項1に記載の転写フィルムを用い、
前記転写フィルムのグラフェンを主成分とする透明導電膜側を、被転写体の表面に接着剤層を介して接着させた後に、基材フィルムを離型層とともに剥離して、前記被転写体にグラフェンを主成分とする透明導電膜と金属薄膜とを形成し、
その後、前記金属薄膜を除去することにより、前記被転写体にグラフェンを主成分とする透明導電膜を形成すること、
を特徴とする透明導電性積層体の製造方法。
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