CN105070352B - 一种柔性超平透明导电薄膜及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种柔性超平透明导电薄膜及其制备方法，该薄膜以聚合物树脂为基底，以银纳米线薄膜为导电层镶嵌在聚合物树脂中，并将单层连续石墨烯薄膜覆盖在银纳米线薄膜表面。本发明由于采用了反型结构(即石墨烯上覆盖银纳米线，银纳米先上覆盖聚合物)以及涂覆方法，可以制作膜厚小于10μm，方阻为4Ω/□的透明电极。由于采用液氮急冷剥离方法，可以顺利将薄膜完整剥离下来。

Description

一种柔性超平透明导电薄膜及其制备方法

技术领域

本发明属于电子材料技术领域，涉及一种柔性超平透明导电薄膜，尤其是其新型的引入石墨烯、银纳米线的反型结构，以及新型的液氮急冷剥离方法，使得制备低成本，高平整度，高性能的柔性超平透明导电薄膜成为可能。

背景技术

具有高导电性、高透明度的透明电极是许多现代电子设备的关键材料，比如触摸屏、电纸书、有机发光二极管(OLED)、液晶显示设备以及太阳能电池等。比如，在太阳能电池中，透明电极可作为阳极，用于从吸收层中提取分离的载流子；在OLED中，透明电极可以注入载流子。像太阳能电池这样的设备不断深入发展，扩大了工业界对透明电极的需求。因此众多科学研究一直致力于探索不同的可能性，以使得透明电极在导电性和透明度之间获得一个合理的折衷。虽然不同的器件对透明电极的要求各不相同，但低电阻率和低光吸收率始终是两个先决条件。现今工业技术和科学研究的主流主要在于真空工艺和透明导电氧化物，比如氧化铟锡(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)或掺铝氧化锡(AZO)薄膜。下一代光电器件将需要柔性、廉价，可以大规模制作的导电薄膜。

然而，由于透明电极的特性要求取决于不同的应用需要，因此给出一个理想透明电极特性的集合是不现实的。比如，显著的光散射特性对光伏器件有好处，但就不适合触摸屏显示器件。很多参数应当针对不同的应用来加以考虑优化。成本、透光性、导电性，热稳定性、耐弯折性、与其他材料的相容性、功函数等只是其中几个重要的参数。针对一些重要应用，对不同材料的所期望的特性被列在了表1中。其中，透光性、导电性和机械柔韧度(耐弯折性)在银纳米线(AgNW)透明电极中得到了很好的实现。

虽然透明导电氧化物(TCO)在很多应用中被广泛使用，它们依然有很多致命缺点，比如制作设备造价高昂、原料稀缺(特别是氧化铟锡)，并且具有极高的脆性，不易弯折。因此近来科学界深入探索了很多种其他材料，比如碳纳米管、石墨烯薄膜、导电聚合物、金属网格，以及金属纳米线。为不同的应用场合选择合适的材料关键是要考虑用于制造电极与原料有关的成本和生产方法，并确定器件是否需要或是否适合进行高温或真空处理。

表2提供了一些使用透明导电材料制作透明电极的简短总结，可以看到现今一些容易得到的新兴材料之间的对比。可见，每种材料都有优缺点，必须根据应用的不同需求来决定使用哪种材料。以银纳米线为例，银纳米线可以采用低成本的方法制作出来，并且展现出非常有前途的性能。为此，国际各大科研院所都做了积极的尝试。首先发展的是将银纳米线铺展在玻璃基板上[Nano Lett.,8,689-692.(2008)]，这种银纳米线透明电极具有高透光性以及高导电性，但是电极表面十分粗糙，容易造成器件的短路，而且银纳米线直接暴露在空气中，导致电极表面的银纳米线易被氧化和移除；为了增强银纳米线与基板之间的粘附力，人们又使用二氧化钛(TiO₂)溶胶凝胶溶液和聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)/聚对苯乙烯磺酸(PEDOT：PSS)溶液来处理玻璃表面的银纳米线[ACS NANO.,5,9877-9882.(2011)]，这样可以使AgNWs-TiO2-PEDOT:PSS复合电极具有良好的机械性能，但表面粗糙度依然很大，并且由于基板依然是玻璃，所以远没有达到柔性的要求；为了实现柔性，有科学家又在PET基板上铺展银纳米线来制作电极[ACS NANO.,4,2955-2963.(2010)]，这不仅解决了柔性的需求，也使得其透光性比ITO电极的透光性在可见光和近红外区域更加平滑，但是PET-AgNWs电极其表面粗糙度方均根(RMS)为47nm，对于OLED的应用仍然比较大；为了得到表面平整并且柔性的电极，科学家有选择将银纳米线镶嵌在聚丙烯醇(PVA)中，从而得到AgNWs-PVA复合电极，但是该复合电极的电学与光学不能满足要求，当AgNWs-PVA复合电极透光性在550nm处为87.5％时，其方阻仅仅为63Ω/□。纵观上述复合电极的性能，在性能方面，高方阻和高透光率是不可兼得的；同时，上述复合电极表面比较粗糙(表面粗糙度的方均根RMS都大于20)，从而，由于表面比较粗糙，很难满足新型光电子器件的要求，如柔性有机电致发光二极管以及太阳能电池的制备要求。因此，发展一种高平整度、高透光性以及导电性的复合电极非常迫切。

发明内容

本发明的目的在于克服上述现有技术无法制作高平整度柔性电极的缺点，提供一种柔性超平透明导电薄膜及其制备方法。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：

这种柔性超平透明导电薄膜为：以聚合物树脂为基底，以银纳米线薄膜为导电层镶嵌在聚合物树脂中，并将单层连续石墨烯薄膜覆盖在银纳米线薄膜表面。

本发明提出一种柔性超平透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：

1)在铜衬底上生长石墨烯；

2)用湿法将步骤1)的石墨烯转移到玻璃表面；

3)在步骤2)的玻璃表面旋涂或喷涂银纳米线溶液，之后涂覆聚合物树脂覆盖在银纳米线表面；

4)用液氮急冷剥离柔性超平透明导电薄膜。

进一步，以上步骤1)中，石墨烯的制备具体为：使用25微米厚的铜箔作为衬底催化剂，采用热化学气相沉积法在800‐1200℃的铜衬底上制备石墨烯。所制得的石墨烯具有厘米级尺寸的大面积，而且为单层石墨稀薄膜，层数均一。

进一步，上述步骤3)中，所述银纳米线采用旋涂或喷涂、加热工艺覆盖于玻璃基板上，旋涂或喷涂工艺为：将覆盖有石墨烯的玻璃基板置于匀胶机上，将银纳米线溶液滴于玻璃基板上，以600—3000r/min转速范围内的转速旋转30—300s，然后再重复上述步骤，共旋涂或喷涂两次，将涂有银纳米线的玻璃基板于50—200℃下加热烘烤持续5—30min。所述银纳米线的制备具体为：通过电加热法，并以乙二醇为反应溶剂和还原剂，AgNO₃为还原提供银元素，聚乙烯基吡咯烷酮为表面活性剂，NaCl为催化剂，进行高长径比银纳米线的可控制备；所制备的银纳米线直径为80‐100nm，长度为30‐40μm。

进一步，步骤3)中，所述聚合物树脂采用涂覆、加热工艺覆盖于玻璃基板上，涂覆工艺为：根据所需尺寸及所需树脂厚度，在已覆盖银纳米线的玻璃基板两侧边沿，粘贴多层疏水耐高温材料使其达到所需厚度，之后在覆盖银纳米线的玻璃基板上均匀滴涂聚合物树脂，然后用疏水性硬质薄片沿一定方向刮匀聚合物树脂，由此得到均匀平整的聚合物树脂层。加热分两个阶段，先在50—200℃下烘烤5—30min使四氢呋喃，乙二醇，氯仿，丙酮，乙醇有机溶剂中的一种或几种挥发，再在50—200℃下加热5—30min使薄膜坚固。所述聚合物树脂使用四氢呋喃，乙二醇，氯仿，丙酮，乙醇有机溶剂中的一种或几种作为溶剂，聚合物的浓度为120mg/ml。

进一步，上述步骤4)具体为：将在室温下制作完成的覆盖有柔性超平透明导电薄膜的玻璃基板快速置于液氮上方，利用液氮的极低温度以及导电薄膜与玻璃基板热膨胀系数不同的特点，使透明超平导电薄膜快速脱离玻璃基板。然后将薄膜置于室温环境中，待薄膜温度回升至室温便可将其顺利揭下并加以应用。

本发明具有以下有益效果：

使用本发明所描述的方法制作的透明导电薄膜可以克服现有技术中电极的缺点。通过在制作过程中引入石墨烯薄膜，并采用涂覆工艺制成反型结构的透明导电薄膜(即石墨烯上覆盖银纳米线，银纳米先上覆盖聚合物)，可以使得薄膜厚度在小于10μm的情况下，得到超高表面平整度，如图10所示的AFM表面起伏测试得到的薄膜表面粗糙度方均根(RMS)＝1.3nm，远远低于目前所报道的柔性透明电极的表面粗糙度方均根。再通过液氮低温剥离技术，把小于10μm的超薄透明导电薄膜方便便捷地完整剥离下来。

附图说明

图1为在玻璃基板上生长的银纳米线的结构示意图；

图2为图1基础上设置胶带以及聚苯乙烯树脂和玻片的结构示意图；

图3为加热后得到的玻璃基板结构示意图；

图4为石墨烯-银纳米线-PS透明导电薄膜进行拉曼测试的测试结果图；

图5为石墨烯-银纳米线-PS透明导电薄膜与银纳米线-PS透明导电薄膜，银纳米线-PET透明导电薄膜，ITO-PET透明导电薄膜的测试结果比较图；

图6为石墨烯-银纳米线-PS透明导电薄膜与银纳米线-PET透明导电薄膜，ITO-PET透明导电薄膜的方阻测试比较图；

图7为石墨烯-银纳米线-PS透明导电薄膜与银纳米线-PET透明导电薄膜，ITO-PET透明导电薄膜的方阻率比较图；

图8为石墨烯-银纳米线-PS透明导电薄膜的方阻的变化率测试结果图；

图9为原子力显微镜(AFM)观测石墨烯-银纳米线-PS透明导电薄膜的表面图；

图10为AFM表面起伏测试结果图。

具体实施方式

首先，本发明的柔性超平透明导电薄膜以聚合物树脂为基底，以银纳米线薄膜为导电层镶嵌在聚合物树脂中，并将单层连续石墨烯薄膜覆盖在银纳米线薄膜表面，不仅增强导电性，同时保护银纳米线薄膜。

这种柔性超平透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤(参见图1‐3)：

1)在铜衬底3上生长石墨烯；

该步骤中，石墨烯的制备具体为：使用25微米厚的铜箔作为衬底催化剂，采用热化学气相沉积法在800‐1200℃的铜衬底上制备石墨烯。所制得的石墨烯具有厘米级尺寸的大面积，而且为单层石墨稀薄膜，层数均一。

2)用湿法将步骤1)的石墨烯转移到玻璃基板3的表面；

3)在步骤2)的玻璃表面旋涂或喷涂银纳米线溶液，之后涂覆聚合物树脂5覆盖在银纳米线1表面；

所述银纳米线采用旋涂或喷涂、加热工艺覆盖于玻璃基板3上，旋涂或喷涂工艺为：将覆盖有石墨烯的玻璃基板置于匀胶机上，将银纳米线溶液滴于玻璃基板3上，以600—3000r/min转速范围内的转速旋转30—300s，然后再重复上述步骤，共旋涂或喷涂两次，将涂有银纳米线1的玻璃基板3于50—200℃下加热烘烤持续5—30min。

所述聚合物树脂5采用涂覆、加热工艺覆盖于玻璃基板上，涂覆工艺为：根据所需尺寸及所需树脂厚度，在已覆盖银纳米线的玻璃基板两侧边沿，粘贴一定厚度的疏水耐高温材料2，粘牢后在疏水耐高温材料之间均匀滴涂聚合物树脂，然后用疏水性硬质薄片沿一定方向刮匀处于疏水耐高温材料高度之上的聚合物树脂，由此得到均匀平整的聚合物树脂层。加热分两个阶段，先在50—200℃下烘烤5—30min使四氢呋喃，乙二醇，氯仿，丙酮，乙醇有机溶剂中的一种或几种挥发，再在50—200℃下加热5—30min使薄膜坚固。所述聚合物树脂使用四氢呋喃，乙二醇，氯仿，丙酮，乙醇中的一种或几种作为溶剂，聚合物的浓度为120mg/ml。

所述银纳米线的制备具体如下：

通过电加热法，并以乙二醇为反应溶剂和还原剂，AgNO₃为还原提供银元素，聚乙烯基吡咯烷酮为表面活性剂，NaCl为催化剂，进行高长径比银纳米线的可控制备；所制备的银纳米线直径为80‐100nm，长度为30‐40μm。

4)用液氮急冷剥离柔性超平透明导电薄膜，具体为：将在室温下制作完成的覆盖有柔性超平透明导电薄膜的玻璃基板快速置于液氮上方，利用液氮的极低温度以及导电薄膜与玻璃基板热膨胀系数不同的特点，使导电薄膜快速脱离玻璃基板。然后将薄膜置于室温环境中，待薄膜温度回升至室温便可将其顺利揭下并加以应用。

以下通过具体实施例对本发明进一步详细说明：

实施例

原料：银纳米线溶液为所制得的银纳米线溶液与四无乙醇按体积比1:2配成，聚合物树脂为聚合物的四氢呋喃，乙二醇，氯仿，丙酮，乙醇有机溶剂中的一种或几种溶液。其中聚合物的浓度为120mg/ml的溶液。此外还需要匀胶机、烘箱、塑料胶带、洁净的玻片、液氮等工具。

1)银纳米线的合成：

首先，量取一定量乙二醇加入圆底三颈烧瓶中，将其置于电加热锅中，接好冷凝管后使用真空泵抽真空并充入氮气，采用氮气保护以隔绝外界空气中氧气的进入。打开电加热锅开关，边进行磁力搅拌边在160℃下电加热1h。

接着，称取一定量的PVP粉末和催化剂粉末，置于烧杯中，将其配成一定浓度的乙二醇溶液待用。为获得均匀的溶液，可使用超声仪器加速溶解。

同样的，称取一定量的AgNO3晶体并将其碾压成粉末状置于烧杯中，有利于其溶解，将其配成一定浓度的乙二醇溶液。要注意的是，超声波溶解时，能量较大，这很可能会使得AgNO3与乙二醇发生反应，整个溶液变黄，因此超声时间不可过长，需要边用超声仪器溶解，边手动搅拌，尽可能缩短溶解时间。此外，碾压AgNO3也是同样的目的。因为称取的AgNO3为晶体，难以溶解，意味着需要超声波溶解时间较长。人工将其碾压后，可以大大缩短其溶解时间。

然后，向圆底三颈烧瓶中加入PVP和催化剂的乙二醇溶液，再逐滴加入AgNO3的乙二醇溶液。保持160℃反应若干时间，全过由程氮气保护并进行磁力搅拌。

待反应结束后，骤冷圆底三颈烧瓶降至室温。使用无水乙醇将产物进行离心，以2500r/min的速度离心两次，各十分钟，再以2000r/min的速度离心一次，五分钟。除去反应产物中的其他杂质以及银纳米颗粒。最终剩下较为纯净的银纳米线，保存在无水乙醇中。

2)石墨烯生长：

首先把Alfa铜箔裁剪成30×30cm的方块,并进行压平。之后我们采取对铜箔的清洗措施,首先在有机溶剂乙醇中超3次,每次5分钟,旨在去除铜箔表面的有机物。然后放置于盐酸中浸泡10分钟,旨在去除铜箔表面的氧化物。晾干后放入管式炉中进行生长过程。打开真空泵保持整个系统的低压,然后我们设定管式炉1小时升温至1000℃,并恒温对铜箔退火10分钟,旨在退火期间在熔点1080℃附近将铜多晶畴变为单晶畴,因为单晶畴比较容易形成均匀的石墨烯,于此同时,通入一定量的氢气作为保护还原气体,使铜箔在高温下不至于再次氧化并还原铜箔表面已存在的氧化物,以免影响石墨烯薄膜的生长。以上过程即是对铜箔的热处理过程,到这一步骤我们从理论上得到催化活较强的铜衬底。上述处理过程完成后,便开始石墨稀的生长过程。通入一定量的氧气作为保护还原气体以及甲烷作为碳源。这时在铜表面的催化作用下,甲烷分子在高温下进行裂解生成碳和氢原子,氢原子之间重新结合为氢键转变为氢气被真空杯抽走,而一部分的碳原子则在铜的表面沉积,另一部分融入铜的内部或被真空抽走。继续保持氢气的通入,并在降温过程中铜箔表面的碳原子彼此成键形成石墨烯。待温度降至室温后,通入氩气打开管式炉取出样品。

3)PMMA转移石墨烯至洁净玻璃表面的流程：

①选定铜箔生长时不贴附石英管的一侧旋涂或喷涂上PMMA胶(3000rpm)。

②将旋涂或喷涂过PMMA胶的铜箔在烘箱中80℃烘干使胶固化。

③由于铜箔在生长时两侧都长有石墨烯,如果不去掉不用的一侧的石墨烯,那么这一层石墨烯可能在铜被腐烛掉后沾附在上层的石墨稀上。所以我们在旋涂或喷涂结束后用酒精棉擦掉另一面的石墨稀。

④将涂有PMMA的铜基石墨烯浸在过硫酸铵溶液中,铜箔被溶解掉后带有石墨烯的PMMA薄膜将漂浮在水面上。

⑤使用洁净的玻璃片将带有石墨烯的PMMA薄膜在去离子水中捞洗3遍,彻底去除残余的过硫酸铵和其他杂质。

⑥使用洁净平整的玻璃衬底把带有石墨烯的PMMA薄膜平整的捞在其表面上,并在烘箱中80℃烘干。

⑦将带有石墨稀和PMMA的玻璃衬底置入60℃的丙酮中水浴加热30min,反复2-3次彻底去掉PMMA。乙醇清洗后用氮气吹干。记得到覆盖有石墨烯的玻璃衬底。

4)将已覆盖有石墨烯的玻璃基板置于匀胶机上，用滴管取已配好的银纳米线溶液，滴于覆盖有石墨烯的玻璃基板上，打开匀胶机，以1000r/min的转速旋转60s，停止后重复本步骤一次。

5)将旋有两层银纳米线的玻璃基板放置在烘箱中，烘箱温度设为150℃，烘烤10min。

6)将玻璃基板取出，在室温中静置。待其冷却到室温后，取干净的塑料胶带，根据所需厚度在玻璃基板的两边粘贴若干层。见图1。

7)在两边胶带的中部用滴管均匀滴涂聚合物树脂，然后用玻片刮去高于胶带厚度的树脂。由此获得均匀的可控厚度的树脂层。见图2。

8)将涂有树脂的玻璃基板置于烘箱中，温度设置为60℃，烘烤15min，然后温度设置为150℃，烘烤15min。

9)烘烤完成后将玻璃基板于室温中静置冷却，揭去胶带，如图3。

10)取少量液氮于烧杯中，待液氮沸腾缓和后，取步骤7中的玻璃基板，用镊子夹住置于液氮上方，调整使之均匀受冷，导电薄膜会因受冷收缩从而与玻璃基板表面分离，当大部分脱离玻璃基板后，便可将其取出。

11)将玻璃基板置于室温中，待薄膜软化后，可用镊子将其揭下，从而可以应用。

电极性能测试

1)拉曼表征：参考图4，我们将石墨烯-银纳米线-PS透明导电薄膜进行拉曼测试，可以清楚的发现在1590nm和2648nm附近出现了明显的石墨烯特征峰，这表明我们所制作的电极已经成功将石墨烯从玻璃表面转移到了石墨烯-银纳米线-PS透明导电薄膜表面。

2)透光性能：参考图5，我们将石墨烯-银纳米线-PS透明导电薄膜与银纳米线-PS透明导电薄膜，银纳米线-PET透明导电薄膜，ITO-PET透明导电薄膜进比较发现：石墨烯-银纳米线-PS透明导电薄膜在方阻与银纳米线-PS透明导电薄膜，银纳米线-PET透明导电薄膜，ITO-PET透明导电薄膜可比拟的情况下，透光性在可见光范围内是明显高于银纳米线-PS透明导电薄膜，银纳米线-PET透明导电薄膜和ITO-PET透明导电薄膜。并且在近红外光附近，石墨烯-银纳米线-PS透明导电薄膜的透光性是比较平滑的，这十分有利于在太阳能电池中的利用。

3)机械性能：参考图6和图7，我们将石墨烯-银纳米线-PS透明导电薄膜与银纳米线-PET透明导电薄膜，ITO-PET透明导电薄膜进比较，我们将以上三种薄膜以弯曲率为2mm进行弯折测试，并对比石墨烯-银纳米线-PS透明导电薄膜与银纳米线-PET透明导电薄膜，ITO-PET透明导电薄膜随着弯折次数的增加其方阻的变化以及方阻变化率的变化。(其中方阻变化率△R/R₀(△R＝R-R₀)，R₀为导电薄膜方阻的初始值，R为导电薄膜方阻的随弯折次数变化的瞬时值)。可以发现：仅仅经过五次弯折ITO-PET透明导电薄膜的方阻就上升了一个数量级，而经过250次弯折后，银纳米线-PET透明导电薄膜的方阻增加了一倍，石墨烯-银纳米线-PS透明导电薄膜的方阻仅仅增加了10％。

4)热稳定性：参考图8，我们可以发现石墨烯-银纳米线-PS透明导电薄膜的方阻的变化率在250℃出现了陡升，从而表明石墨烯-银纳米线-PS透明导电薄膜在250℃都是稳定的。

5)平整度：参考图9，我们用原子力显微镜(AFM)来观测石墨烯-银纳米线-PS透明导电薄膜的表面，并可以测得石墨烯-银纳米线-PS透明导电薄膜表面粗糙度的方均根(RMS)为：2.2nm。

表1不同应用对透明电极特性的要求(加号代表更高的要求)

表2制作透明导电电极的一般参考数据

Claims (1)

1.一种柔性超平透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述柔性超平透明导电薄膜是以聚合物树脂为基底，以银纳米线薄膜为导电层镶嵌在聚合物树脂中，并将单层连续石墨烯薄膜覆盖在银纳米线薄膜表面；所述聚合物树脂为聚丙烯酸树脂、聚碳酸酯树脂、聚碳酸丙烯酯，聚对苯二甲酸乙二醇酯，聚萘二甲酸乙二醇酯一种或几种混合树脂；制备方法包括以下步骤：

1)在铜衬底上生长石墨烯；石墨烯的制备具体为：使用25微米厚的铜箔作为衬底催化剂，采用热化学气相沉积法在800‐1200℃的铜衬底上制备石墨烯；所制得的石墨烯具有厘米级尺寸的大面积，而且为单层石墨稀薄膜，层数均一；

2)用湿法将步骤1)的石墨烯转移到玻璃表面；

3)在步骤2)的玻璃表面旋涂或喷涂银纳米线溶液，之后涂覆聚合物树脂覆盖在银纳米线表面；所述银纳米线采用旋涂或喷涂、加热工艺覆盖于玻璃基板上，之后将涂有银纳米线的玻璃基板加热烘烤；

所述旋涂或喷涂工艺为：将覆盖有石墨烯的玻璃基板置于匀胶机上，将银纳米线溶液滴于玻璃基板(3)上，以600—3000r/min转速范围内的转速旋转30—300s，然后再重复上述步骤，共旋涂或喷涂两次，将涂有银纳米线(1)的玻璃基板(3)于50—200℃下加热烘烤持续5—30min；

所述聚合物树脂(5)采用涂覆、加热工艺覆盖于玻璃基板上，涂覆工艺为：根据所需尺寸及所需树脂厚度，在已覆盖银纳米线的玻璃基板两侧边沿，粘贴一定厚度的疏水耐高温材料(2)，粘牢后在疏水耐高温材料之间均匀滴涂聚合物树脂，然后用疏水性硬质薄片沿一定方向刮匀处于疏水耐高温材料高度之上的聚合物树脂，由此得到均匀平整的聚合物树脂层；加热分两个阶段，先在50—200℃下烘烤5—30min使四氢呋喃，乙二醇，氯仿，丙酮，乙醇有机溶剂中的一种或几种挥发，再在50—200℃下加热5—30min使薄膜坚固；所述聚合物树脂使用四氢呋喃，乙二醇，氯仿，丙酮，乙醇中的一种或几种作为溶剂，聚合物树脂的浓度为120mg/ml；

4)用液氮急冷剥离柔性超平透明导电薄膜；利用液氮对将在室温下制作完成的覆盖有柔性超平透明导电薄膜的玻璃基板快速降温，利用液氮的极低温度以及导电薄膜与玻璃基板热膨胀系数不同的特点，使导电薄膜快速脱离玻璃基板；

所述银纳米线的制备具体如下：

通过电加热法，并以乙二醇为反应溶剂和还原剂，AgNO₃为还原提供银元素，聚乙烯基吡咯烷酮为表面活性剂，NaCl为催化剂，进行高长径比银纳米线的可控制备；所制备的银纳米线直径为80-100nm，长度为30-40μm。