CN106251946B - 一种复合透明导电薄膜及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种复合透明导电薄膜及其制备方法，其制备方法的步骤如下：S1.在金属衬底表面催化生长单晶子层石墨烯膜，得到结构Ⅰ；S2.提供一种透明柔性透明基底，涂布银纳米线并烘干，获得复合结构Ⅱ；S3.在复合结构Ⅱ表面继续均匀涂布液态光固化材料得到复合结构Ⅲ；S4.将复合结构Ⅲ中的液态光固化涂层与复合结构Ⅰ的石墨烯膜对准压合，复合结构Ⅳ；S5.对复合结构Ⅳ进行辐照，使液态光固化涂层转变为固态，得到复合结构Ⅴ；S6.通过电化学法剥离方法，将复合结构Ⅴ中的金属衬底分离，复合导电柔性薄膜。方法简单可靠，适合规模化生产，导电性优异，透过率高，性能可靠，且具有改善的耐水、耐热稳定性。

Description

一种复合透明导电薄膜及其制备方法

技术领域

本发明涉及透明导电薄膜制备领域，详细地，涉及复合导电薄膜及其制备方法。

背景技术

透明导电材料是很多电子器件的重要组成部分，如触摸屏、显示器、电子纸、太阳能电池等。随着科技的进步，利用柔性透明导电材料制造可卷曲、可折叠的电子产品成为新的发展趋势。

在透明导电材料领域，传统的氧化铟锡(ITO)，面临着相应原矿石日渐枯竭的问题；同时，氧化铟锡制备的导电薄膜弯折时会出现脆性断裂与破碎，表面电阻升高的问题。难以适应柔性电子设备的发展需求。

近年来，研究人员开发出了银纳米线和CVD石墨烯透明导电薄膜用以替代ITO，并取得了显著进展。然而，银纳米线存在问题：1.裸露于表面的银线易被氧化，而出现表面电阻升高的问题；2.导电网络，精细图案，断路；3.持续电流，搭接点熔断。石墨烯的问题是：化学气相沉积(CVD)技术制备的大面积石墨烯透明导电薄膜为多晶结构，晶畴间高阻抗晶界导致石墨烯薄膜产品方阻偏高。目前，通常采用化学掺杂工艺，提高薄膜的导电性，降低方阻。但掺杂剂多为小分子，在经过水洗、高温处理等工序时，掺杂剂分子发生一系列物理化学变化而损失，导致薄膜方阻持续上升。故单独银纳米线或CVD石墨烯导电膜实际应用于透明导电材料领域面临巨大挑战。

为进一步解决银纳米线和CVD石墨烯的上述问题，可将两者相互复合，一方面，银纳米线与石墨烯复合，效果明显，复合方阻明显下降；另一方面，表面的石墨烯不仅可以有效保护银线，阻止氧化，还可以提高导电薄膜表面电流的均匀性。目前，公开报道的大多是银纳米线与氧化石墨烯(GO)复合的方法。GO是以天然石墨为原料，通过化学氧化剥离制备的，残留有少量的强氧化性物质，会对银纳米线产生缓慢刻蚀；此外，GO导电性差，两者复合以银纳米线导电为主，过多的GO反而会降低复合导电性，同时降低透光率；而还原氧化石墨烯的方法，或者效率较低，或者毒性较大。银纳米线与CVD石墨烯薄膜复合也有见报道，但存在诸多问题需要解决，例如，不能大面积批量化复合制备，CVD石墨烯转移缺陷多，银纳米线和CVD石墨烯接触阻抗高等。

为解决银纳米线与CVD石墨烯复合的问题，本发明以液态光固化材料为两者复合介质，同时对银纳米线分散体系及复合工艺进行优化，实现了银纳米线和石墨烯大面积批量化复合制备，保证CVD石墨烯转移完整性，同时降低两者间接触阻抗，复合导电性能优异。

发明内容

为解决银纳米线与CVD石墨烯复合的问题，本发明以液态光固化材料为两者复合介质，同时对银纳米线分散体系及复合工艺进行优化，实现了银纳米线和石墨烯大面积批量化复合制备，保证CVD石墨烯转移完整性，同时降低两者间接触阻抗，复合导电性能优异。

本发明所要解决的技术问题是：通过复合导电薄膜，其包含底层的银纳米线和表层的石墨烯，通过涂布工艺制备银纳米线和(CVD技术生长的)石墨烯复合导电层，以及通过液态光固化材料(LLC，Liquid Light-curing Coating)贴合、固化、转移技术实现银纳米线和石墨烯复合导电层转移到透明基材，从而使制备的石墨烯和银纳米线复合透明导电薄膜的低方阻与高透过率均匀可控，同时具有改善的耐水、热稳定性。

本发明解决上述技术问题的技术方案：一种复合透明导电薄膜的制备方法，该制备方法包括如下步骤：

S1.采用化学气相沉积方法在金属衬底表面催化生长单晶子层石墨烯膜，得到石墨烯膜-金属衬底的结构I；

S2.提供一种透明柔性透明基底，涂布银纳米线并烘干，获得银纳米线-柔性透明基底的复合结构Ⅱ；

S3.在复合结构Ⅱ表面继续均匀涂布液态光固化材料，得到液态光固化涂层-银纳米线-柔性透明基底的复合结构Ⅲ；

S4.将复合结构Ⅲ中的液态光固化涂层与复合结构Ⅰ的石墨烯膜对准压合，得到柔性透明基底-银纳米线-液态光固化涂层-石墨烯膜-金属衬底的复合结构Ⅳ；

S5.对复合结构Ⅳ进行辐照，使液态光固化涂层转变为固态，得到柔性透明基底-银纳米线-固态光固化涂层-石墨烯膜-金属衬底的复合结构Ⅴ；

S6.通过电化学法剥离方法，将复合结构Ⅴ中的金属衬底分离，得到具有柔性透明基底-银纳米线-固态光固化涂层-石墨烯膜的复合导电柔性薄膜。

在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。

进一步，所述步骤S1中，所述石墨烯膜的单层占比为90～96％，石墨烯膜单晶尺寸为5～100μm。

进一步，所述步骤S2中，所述的银纳米线分散液为水性分散液，该银纳米线分散液且其中加入纳米级乳。

进一步，所述的纳米级乳液为聚酯型脂肪族聚氨酯树脂的水性乳液，树脂浓度为0.01～100mg/mL。

进一步，所述步骤S3中，所述的液态光固化材料属于自由基固化体系材料中的一种，可在275～400nm的光波范围内固化，粘度为50～1000cps，粘度范围为50～200cps。

进一步，所述的液态光固化材料用有机溶剂稀释成涂布液，所用溶剂为乙醇、异丙醇、乳酸乙酯中至少一种。

进一步，所述的步骤S4中，所述对准压合的贴合压力为2～2.5Mpa。

本发明还包括一种复合透明导电薄膜，该导电薄膜包括依次设置的石墨烯膜(1)、固态光固化涂层(2)、银纳米线层(3)、柔性透明基底层(4)；

所述石墨烯膜(1)是在金属衬底表面催化生长单晶子层形成的；

所述银纳米线层(3)是在柔性透明基底层(4)表面涂覆银纳米线分散液并烘干形成的；

所述固态光固化涂层(2)是由在银纳米线层(3)上均匀涂布液态光固 化材料形成的液态光固化涂层，经过处理后形成。

进一步，所述银纳米线分散液为水性分散液，该银纳米线分散液还包含纳米级乳液。

进一步，所述的纳米级乳液为聚酯型脂肪族聚氨酯树脂的水性乳液，树脂浓度为0.01～100mg/mL。

进一步，所述的液态光固化材料属于自由基固化体系材料中的一种，可在275～400nm的光波范围内固化，粘度为50-1000cps，优选的粘度范围为50～200cps。

进一步，所述的复合透明导电薄膜的表面方阻阻值个数为5～200方阻。

进一步，所述的复合透明导电薄膜的透过率为85～92。

本发明的有益效果是：通过银纳米线与石墨烯膜的复合可以控制实现低方阻与高透过率；同时具有优异的耐水稳定性和改善的耐热稳定性；石墨烯和银纳米线复合导电层的转移完整性由LLC的浸润与固化交联实现；方阻均匀性与可重现性，通过涂布设备精准控制银纳米线涂布量实现，保证批量产品的稳定性；表层石墨烯导电层，改善薄膜表面化学惰性，有效阻止银线氧化，提高表面电流均匀分布；工艺制备的复合导电薄膜，制备过程中作为石墨烯生长基底的金属基材变形几率低，成品率高。

附图说明

图1位本发明制备的复合透明电薄膜的结构图层；

图2为本发明制备的复合透明电薄膜的流程示意图；

附图中，各标号所代表的部件列表如下：

1、石墨烯膜 2、固态光固化涂层 3、银纳米线层 4、柔性透明基底层

具体实施方式

以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。

如图2所示，为本发明制备复合透明电薄膜的流程示意图，其如图1、所示的透明导电薄膜结构以及表面图详细的说明如下步骤：

一种复合透明导电薄膜的制备方法，该制备方法包括如下步骤：

S1.采用化学气相沉积方法在金属衬底表面催化生长单晶子层石墨烯膜，得到石墨烯膜-金属衬底的结构I；

S2.提供一种透明柔性透明基底，涂布银纳米线并烘干，获得银纳米线-柔性透明基底的复合结构Ⅱ；

S3.在复合结构Ⅱ表面继续均匀涂布液态光固化材料，得到液态光固化涂层-银纳米线-柔性透明基底的复合结构Ⅲ；

S4.将复合结构Ⅲ中的液态光固化涂层与复合结构Ⅰ的石墨烯膜对准压合，得到柔性透明基底-银纳米线-液态光固化涂层-石墨烯膜-金属衬底的复合结构Ⅳ；

S5.对复合结构Ⅳ进行辐照，使液态光固化涂层转变为固态，得到柔性透明基底-银纳米线-固态光固化涂层-石墨烯膜-金属衬底的复合结构Ⅴ；

S6.通过电化学法剥离方法，将复合结构Ⅴ中的金属衬底分离，得到具有柔性透明基底-银纳米线-固态光固化涂层-石墨烯膜的复合导电柔性薄膜。

解决上述的技术，本发明提供包括基材、银纳米线涂层及CVD法制备的石墨烯膜的透明导电薄膜。

其中，上述基材只要是透明柔性材料就没有特殊限制，尤其，优选的，光学级聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET，Polyethylene Terephthalate)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA，PolyMethyl Methacrylate)、聚醚砜(PES，Poly Ether Sulfone)、聚碳酸酯(PC，PolyCarbonate)、聚酰亚胺(PI，Poly Imide)中的一种。

本发明的银纳米线涂布液由银纳米线水分散液和纳米级水性乳液及助剂组成。

本发明的银纳米线优选水分散体系，一方面，实验发现，水分散的银纳米线与其他导电材料的复合效果明显优于醇分散体系；另一方面，使用水分散体系，“三废”更少，更环保，更有利于规模化生产。

优选的，本发明的复合透明导电薄膜所包括的上述纳米银线的长度为 10～100μm，长径比为500～2000:1。优选的，直径25～30nm，长度20～30μm。

本发明的复合透明导电薄膜所包括的上述涂布液的银纳米线浓度为0.1～10mg/mL，涂布厚度为5～200μm。更优选的，银纳米线浓度为0.5mg/mL，涂布厚度根据所需银线密度而定。

银纳米线涂布液中的水性乳液组分，有效提高成膜后的银纳米线导电层与石墨烯膜的层间附着力和紧密性；乳化剂及流平剂，降低涂布液的表面张力，提高均匀流平性。

本发明的纳米级水性乳液优选水性聚氨酯树脂、水性聚丙烯酸酯树脂、水性环氧丙烯酸酯树脂、水性有机硅树脂等高分子乳液。优选的，所述纳米级水性乳液为聚氨酯和聚丙烯酸酯制备的乳液，纳米级乳液还可以是以下：聚醚型、聚酯型或聚碳酸酯型的乳液，脂肪族、脂环族或芳香族聚氨酯丙烯酸酯树脂的乳液；聚(甲基)丙烯酸甲酯、聚(甲基)丙烯酸丁酯、聚(甲基)丙烯酸羟乙酯以及丙烯酸酯单体多种混合(无规、嵌段、接枝)聚合物树脂等的乳液。

优选的，水性聚氨酯乳液，分子中含有大量强氢键的氨基甲酸酯结构，能明显提高各层间附着力。

优选的，聚酯型脂肪族聚氨酯树脂的水性乳液，树脂浓度为0.01～100mg/mL。优选的，水性树脂浓度为0.2mg/mL。

本发明的乳化剂主要成分是亲水的高分子，优选的，曲拉通、纤维素、聚乙二醇等，有效提高涂布液在基底表面的流平均匀性。

在基材上涂布银纳米线分散液的方法包括旋涂法、刮涂法、喷涂法等多种方法。优选的，高精密的狭缝涂布方式。一次涂布，即可保证涂布均匀性；生产效率高，涂布均匀性可靠、稳定，适用于规模化连续生产。

本发明的石墨烯膜通过CVD技术生长于铜、镍、铂、钴等金属基材表面。优选的，铜质基底。优选的，晶格尺寸5～100μm的石墨烯膜，石墨烯膜的单 层占比为90～96％。通过LLC压合、固化、转移到透明柔性基材表面。

本发明的石墨烯膜通过CVD技术生长于铜、镍、铂、钴等金属基材表面，优选的，铜质基底；优选的，晶格尺寸5～100μm的石墨烯片。通过LLC压合、固化、转移到透明柔性基材表面。

本发明的转移用光固化涂层不局限于任何一种类型LLC，但必须保证其光学透明性，涂覆后不会降低薄膜透过率，即光学薄膜用光固化材料(Light-curing Coating ofOptical film)。优选的，固化速度较快的丙烯酸酯类的自由基光固化体系。优选的，主体树脂是分子链上含有大量强氢键的氨基甲酸酯结构的聚氨酯丙烯酸酯类树脂，具有更强的粘力和韧性。

本发明的LLC可被有机溶剂稀释，包括各种常见溶剂。只要可溶解LLC，不局限于醇类、酮类或酯类溶剂。优选的，乙醇、异丙醇、乳酸乙酯等溶解性好、低毒、低气味、低沸点的极性溶剂。

有机溶剂稀释LLC至一定黏度，使其可通过涂布设备均匀涂布于基材表面。烘干后，压合贴覆于有银纳米线和石墨烯复合导电层的金属基底。溶剂可将LLC稀释至较低黏度，确保对银纳米线层及石墨烯膜浸润充分。同时，通过LLC含量与湿膜厚度的调制，可将LLC干膜厚度控制到纳米级。优选的，LLC的固含量为1～100mg/mL。

在柔性透明基材上涂布LLC溶液的方法包括旋涂法、刮涂法、喷涂法等多种方法。优选的，适用于薄膜产品连续化生产的不易划伤的微凹涂布方式。

本发明的将涂布有银纳米线层的生长有石墨烯膜的金属基材与涂覆有LLC的透明柔性基材贴合的设备，不局限于任何形式的滚压、层压等压合设备。优选的，压合接触面粗糙度小于1μm，且局部操作环境达到100级净化标准的设备。优选的，压合压力为0.1～20MPa。更优选的，压合压力是2～2.5MPa。

LLC在压合过程中，能够完全浸润银纳米线层及石墨烯膜。紫外光固化 后，膜层能够牢固的束缚银纳米线及石墨烯，保证剥离过程中转移完全。同时，压合工序，合适的压合力，可有效提高银纳米线间及其与石墨烯膜间的接触密度，进一步提高导电性。

待充分固化、冷却后，去除金属基材，但不局限于任何一种可去除金属基材的方法。优选的，电化学剥离法，将贴合基材完全浸没到碱性水溶液中，金属基材与负极相连，通电，在金属基材表面电解水，产生气泡，鼓泡剥离石墨烯；实现石墨烯通过LLC转移到透明柔性基材，从而制备石墨烯和银纳米线复合导电薄膜。

优选的，本发明的碱为工业级氢氧化钠，优选的，氢氧化钠水溶液的浓度为0.5～5mol/L。

以下，通过具体实施例如图1所示，对本发明的复合透明导电薄膜及其制备方法进行说明

实施条件13

(1)银纳米线涂布液的制备

以直25～30nm，长度20～30μm的银纳米线水性分散液为主原料，并以银线固含量为基准，分别加入1/5的乳化剂(如曲拉通X-100、纤维素等可溶于水的高分子助剂)和1/5的水性树脂(如荷兰斯塔尔PU-704、PU-653等水性聚氨酯乳液)，并用去离子水稀释至银线浓度为0.5mg/mL，制备可用于喷涂的涂布液；

(2)LLC涂布液的制备

将制备的LLC按比例配比，并用乙醇稀释至一定的固含量，制备可涂布的LLC溶液；

(3)涂覆银纳米线层

将步骤(1)制备的银纳米线涂布液通过喷涂的方式，均匀涂布于生长有石墨烯膜的金属基材表面(即结构Ⅰ)；于110℃烘干若干分钟，除水等挥 发物，得到复合结构Ⅱ；

(4)涂覆LLC膜

将步骤(2)制备的LLC稀释液继续涂于步骤(3)制备的复合结构Ⅱ的银线层表面；于80℃热风烘干若干分钟，除去溶剂，并成膜，得到复合结构Ⅲ；

(5)贴覆透明柔性基材

将步骤(4)制备的复合结构Ⅲ的液态光固化涂层，与生长有石墨烯的金属基材(即结构Ⅰ)，于2MPa的压力下滚压贴合，得到复合结构Ⅳ；在紫外曝光机下固化若干分钟，得到复合结构Ⅴ；

(6)剥离金属基材

待充分冷却后，将步骤(5)制备的复合结构Ⅴ，浸入浓度为2mol/L氢氧化钠水溶液中，将金属基材与负极相连，并使正极浸入碱水中，形成连续回路。通电，待金属基材表面出现气泡后，缓慢剥离，使金属基材与PET基材分离。此时，在固态的LC膜的束缚下，石墨烯与银纳米线都转移到PET基材上，且银纳米线与石墨烯紧密接触，银纳米线位于底层，氧化石墨烯位于表层，而固态LC膜位于中间。

本具体实施方式所提供的银纳米线导电层和CVD法制备的石墨烯膜的复合方法只是示意性的，其他任何能形成所述银纳米线层和石墨烯膜的复合方法均替换所述方法，例如可用刮涂、旋涂、浸涂等方式代替超声喷涂，形成银纳米线导电层；可用喷涂、旋涂、浸涂等方式代替微凹涂布，形成液态的LLC层。

实施条件13～21提供转移到PET基材上的银纳米线和CVD法制备的石墨烯复合导电薄膜，除了表1所述的条件外，具体的操作过程与制备例2相同。

表1 13～21的实验条件

性能测试

对实施条件13～21制备的银纳米线和石墨烯复合导电薄膜进行性能测试，分别测试：

①表面电阻率：采用四探针法测试复合导电薄膜的表面电阻；

②耐水性能：室温下，将石墨烯膜-银纳米线-PET基材的复合薄膜完全浸没去离子水中，当达到浸泡时间后，将样品取出，吹干，用四探针法测试其导电性能；

③耐高温性能：将石墨烯膜-银纳米线-PET基材的复合薄膜放入150℃的烘箱中，加热2h后(满足某些后端应用的电子产品在制造过程中的工艺需求，如对PET基材的加热预缩工序)，取出样品，待冷却后，用四探针测试其导电性能；

④透过率：用紫外-可见分光光度计(普析通用TU-1900)测试样品在波长为290～780nm范围(不扣除光学级PET基材)的透过率。

实施条件13～21性能测试结果如表2所示：

由实施条件13～21可以看出，随着银纳米线层厚度的提高，即湿膜厚度的增加，导电性提高，而透过率下降。但复合薄膜导电性能与银纳米线层厚度之间，并不是线性关系，随着银线厚度的提高，复合方阻下降趋势减缓，即石墨烯的贡献逐渐降低；同时，银线密度增大对导电性的提高也逐渐减弱。

各样片浸水前后，方阻均几乎无变化，表明此工艺制备的复合导电薄膜耐水性极佳。

随着液态的LLC浓度及涂布厚度的提高，石墨烯膜的转移更完全。但高温加热实验中，初始导电性能越差，方阻越高，即银线密度越低；同时固态的LC膜越厚的样品，加热后方阻上升越剧烈。主要原因是，固态的LC膜在长期受热过程中，高分子解冻，加剧的分子运动，释放固化过程中产生的内应力，胶膜膨胀，不仅拉开银纳米线的间距，同时还隔离石墨烯膜，降低接触密度，从而导致导电性下降，方阻明显上升。因而，液态的LLC的干膜厚度要控制在一定的范围内。

实施条件13的方法更易操作，生长有石墨烯的金属基材(如褪火的铜箔)不必经过涂布、烘干、水洗等工序，变形几率更低，成品率更高；但复合方阻偏高。主要原因是，位于银纳米线层和石墨烯膜之间的固态LC膜，阻碍了银纳米线和石墨烯膜的接触，胶膜越厚，阻碍越大，甚至会隔绝银纳米线层和石墨烯膜。同时，高温加热实验，实施例13～21的复合方阻上升幅度普遍增大，也是因为固态LC膜在中间的影响。当然，固态LC膜越薄，银纳米线层越厚的复合导电薄膜产品，耐热稳定性越高。依靠现有装备制造水平，此工艺可即时导入规模化连续生产线，批量稳定生产。

申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细工艺路线和工艺设备，但本发明并不局限于上述详细工艺路线和工艺设备，即不意味着本发明必须依赖上述详细工艺路线和工艺设备才能实施。所属技术领域的技术人员应当明了，对本发明的任何改进，对本发明涉及的各原料及各生产设备 的等效替换，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (11)

1.一种复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，该制备方法包括如下步骤：

S1.采用化学气相沉积方法在金属衬底表面催化生长单晶子层石墨烯膜，得到石墨烯膜-金属衬底的结构I；

S2.提供一种透明柔性透明基底，涂布银纳米线并烘干，获得银纳米线-柔性透明基底的复合结构Ⅱ，其中，所述的银纳米线分散液为水性分散液，且其中加入纳米级乳液，且涂布液的银纳米线浓度为0.1～10mg/mL，涂布厚度为5～200μm；

S3.在复合结构Ⅱ表面继续均匀涂布液态光固化材料，得到液态光固化涂层-银纳米线-柔性透明基底的复合结构Ⅲ；

S4.将复合结构Ⅲ中的液态光固化涂层与复合结构Ⅰ的石墨烯膜对准压合，得到柔性透明基底-银纳米线-液态光固化涂层-石墨烯膜-金属衬底的复合结构Ⅳ；

S5.对复合结构Ⅳ进行辐照，使液态光固化涂层转变为固态，得到柔性透明基底-银纳米线-固态光固化涂层-石墨烯膜-金属衬底的复合结构Ⅴ；

S6.通过电化学法剥离方法，将复合结构Ⅴ中的金属衬底分离，得到具有柔性透明基底-银纳米线-固态光固化涂层-石墨烯膜的复合导电柔性薄膜。

2.根据权利要求1所述复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述石墨烯膜的单层占比为90～96％，石墨烯膜单晶尺寸为5～100μm。

3.根据权利要求2所述复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述的纳米级乳液为聚酯型脂肪族聚氨酯树脂的水性乳液，树脂浓度为0.01～100mg/mL。

4.根据权利要求1所述复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述的液态光固化材料属于自由基固化体系材料中的一种，可在275～400nm的光波范围内固化，粘度范围为50～200cps。

5.根据权利要求1所述复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述的液态光固化材料用有机溶剂稀释成涂布液，所用溶剂为乙醇、异丙醇、乳酸乙酯中至少一种。

6.根据权利要求1所述复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤S4中，所述对准压合的贴合压力为2～2.5Mpa。

7.一种复合透明导电薄膜，其特征在于，该导电薄膜包括依次设置的石墨烯膜(1)、固态光固化涂层(2)、银纳米线层(3)、柔性透明基底层(4)；

所述石墨烯膜(1)是在金属衬底表面催化生长单晶子层形成的；

所述银纳米线层(3)是在柔性透明基底层(4)表面涂覆银纳米线分散液并烘干形成的，其中，所述的银纳米线分散液为水性分散液，且其中加入纳米级乳液，且涂布液的银纳米线浓度为0.1～10mg/mL，涂布厚度为5～200μm；

所述固态光固化涂层(2)是由在银纳米线层(3)上均匀涂布液态光固化材料形成的。

8.根据权利要求7所述的复合透明导电薄膜，其特征在于，所述的纳米级乳液为聚酯型脂肪族聚氨酯树脂的水性乳液，树脂浓度为0.01～100mg/mL。

9.根据权利要求7所述的复合透明导电薄膜，其特征在于，所述的液态光固化材料属于自由基固化体系材料中的一种，可在275～400nm的光波范围内固化，粘度范围为50～200cps。

10.根据权利要求7所述的复合透明导电薄膜，其特征在于，所述的复合透明导电薄膜的表面方阻阻值个数为5～200方阻。

11.根据权利要求7所述的复合透明导电薄膜，其特征在于，所述的复合透明导电薄膜的透过率为85～92％。