CN112071472A - 一种石墨烯银纳米线复合导电薄膜及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种石墨烯银纳米线复合导电薄膜包括：基材，第一涂层，第一氧化石墨烯膜层，银纳米线膜层，第二氧化石墨烯膜层，第二涂层，高分子保护层和基材保护层，其中第一氧化石墨烯膜层/银纳米线膜层/第二氧化石墨烯膜层结构能够增强石墨烯银纳米线复合导电薄膜整体导电性，第一涂层和第二涂层能够有效阻隔银纳米线膜层的氧化，保证石墨烯银纳米线复合导电薄膜整体的方阻稳定性。同时，本发明公开了石墨烯银纳米复合导电薄膜的制备方法。

Description

一种石墨烯银纳米线复合导电薄膜及其制备方法

技术领域

本发明涉及导电薄膜制备技术领域，尤其涉及一种石墨烯银纳米线复合导电薄膜及其制备方法。

背景技术

近年来，柔性电子逐渐商用化，柔性显示器、柔性传感器的出现促使柔性透明导电膜的需求呈现爆发式增长。柔性电子产品属于光电产品的范围，柔性电子器件的基础是透明导电膜，在保证柔性的前提下，透明导电膜自身的光透性和电传导性成为当前的研究重点。柔性电子产品需要采用共轭键的高分子材料，以及生产成本低廉的理想材料作为柔性透明导电膜的生产原料。石墨烯是高导电性的碳素材料，仅有原子层厚的单层晶片，具备高透光性、耐曲挠性等诸多优势。此外，纳米银线作为理想的透明电极材料，具有性能稳定的低方阻、高透光性、高导电性等卓越性能。

目前，石墨烯导电薄膜存在电阻(此主要是指方阻)大的问题,出现这一问题的原因在于石墨烯完美稳定尺寸有限。现有的大尺寸透明石墨烯薄膜表面存在大量褶皱和原子尺度的缺陷,或者搭接形成的人造边界缺陷，其中石墨烯片层间搭接产生的搭接电阻是影响薄膜电性能的主要因素，石墨烯片的尺寸越小搭接就越多，电子传输要克服的层间隧道阻碍就越大，电阻就越大,搭接可以认为是人为制造过程形成的边界。当前解决的主要方式是改进制备工艺,尽可能制备更大尺寸石墨烯,提高石墨烯分散性,采用多层平整石墨烯,获得尽可能大尺寸的单层或者多层石墨烯,目的为了减少褶皱或叠层、搭接边界。又或者,掺杂硝酸处理、制成夹层结构或者在石墨烯图形周边涂布银纳米线，提高搭接边界的导电性。

但是在工作过程中，银纳米线透明导电薄膜存在一个重要隐患，即在电场作用下，银纳米线会出现表面氧化问题，从而导致透明导电薄膜方阻上升，表面粉化、可靠性下降，甚至直接导致器件失效，这是影响石墨烯银纳米线透明导电膜推广应用的最主要问题。除此之外，现有的氧化石墨烯材料和银纳米线材料的附着力差，不同材质层间容易出现脱离现象，从而导致导电膜整体透光性变差。

背景技术部分的内容仅仅是发明人所知晓的技术，并不当然代表本领域的现有技术。

发明内容

针对现有技术存在问题中的一个或多个，本发明基于大面积、柔性银纳米线透明导电膜及其在电热领域应用的市场需求，以及对现有纳米银线透明导电薄膜在高电场下可靠性缺陷的分析，本发明提出了一种石墨烯银纳米线复合导电薄膜，包括：基材，作为石墨烯银纳米线复合导电薄膜的基体支撑；第一涂层，在所述基材上涂布聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液，烘干后作为所述第一涂层，用于增强所述基材表面的附着力；第一氧化石墨烯膜层，设置在所述第一涂层上，用于透明导电网络；银纳米线膜层，设置在所述第一氧化石墨烯膜层上，用于增强所述第一氧化石墨烯膜层的导电性；第二氧化石墨烯膜层，设置在所述银纳米线膜层上，构成第一氧化石墨烯膜层/银纳米线膜层/第二氧化石墨烯膜层结构，用于增强石墨烯银纳米线复合导电薄膜整体导电性；第二涂层，在所述第二氧化石墨烯膜层上涂布聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液，烘干后作为所述第二涂层，用于增强所述第二氧化石墨烯膜层表面的附着力；高分子保护层，设置在所述第二涂层表面，用于保护石墨烯银纳米线复合导电薄膜表面。

在本发明的一个方面的优选方案，所述基材为透明涤纶树脂薄膜，所述基材厚度范围0.01-10毫米，优选为0.125毫米。

在本发明的一个方面的优选方案，所述第一涂层的所述聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液浓度范围为0.01％～1％。

在本发明的一个方面的优选方案，所述第一氧化石墨烯膜层厚度范围为2nm～10nm，优选为3nm。

在本发明的一个方面的优选方案，所述银纳米线膜层厚度范围为50nm～5000nm。

在本发明的一个方面的优选方案，步骤S100、准备透明薄膜作为基材；

步骤S200、在所述基材表面涂布聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液，烘干后制备第一涂层；

步骤S300、在所述第一涂层表面涂布氧化石墨烯溶液，烘干后制备第一氧化石墨烯膜层；

步骤S400、在所述氧化石墨烯膜层表面丝网印刷银纳米线墨水，烘干后制备银纳米线膜层，在所述银纳米线膜层上进行焊接，形成银纳米线导电网络；

步骤S500、在所述银纳米线膜层丝网印刷氧化石墨烯溶液，烘干后制备第二氧化石墨烯膜层；

步骤S600、在所述银纳米线膜层涂布聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液，烘干后制备第二涂层；

步骤S700、在所述第二涂层表面喷涂丙烯酸溶液，采用热固化工艺制备高分子保护层。

在本发明的一个方面的优选方案，所述步骤S100中所述透明薄膜材质包括PET、PI、PC、PP。

在本发明的一个方面的优选方案，所述步骤S200中所述聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液采用狭缝式涂布方法涂布到所述基材表面，烘干温度范围为100-150℃，烘干时间范围为10-40分钟。

在本发明的一个方面的优选方案，所述步骤S400中所述银纳米线墨水的固含量为0.05-5wt％，烘干条件为120-180℃，烘干时间为15-60分钟，优选150℃，40分钟。

在本发明的一个方面的优选方案，还包括步骤S800、在所述基材未设置第一涂层的一面上设置有基材保护层，所述基材保护层厚度范围为0.05mm～0.1mm，优选为0.075mm。

本发明基于大面积、柔性银纳米线透明导电膜及其在电热领域应用的市场需求提出了基于石墨烯涂布技术方案来获得高可靠性石墨烯银纳米线透明导电薄膜的方法，以解决银纳米线薄膜在电场作用下容易氧化的问题，同时利用PDDA(聚二烯丙基二甲基氯化铵)涂层提升了氧化石墨烯膜层与银纳米线膜层的附着力，增强了石墨烯银纳米线膜层整体的透光性和导电性，使其更加适用于柔性电子器件的应用。

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：

图1是根据本发明的一个实施例的石墨烯银纳米线复合导电薄膜剖面示意图；

图2是根据本发明的一个实施例的石墨烯银纳米线复合导电薄膜制备工艺流程示意图；

图3是根据本发明的一个实施例的银纳米线透明导电薄膜的俯视示意图。

具体实施方式

在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语"中心"、"纵向"、"横向"、"长度"、"宽度"、"厚度"、"上"、"下"、"前"、"后"、"左"、"右"、"坚直"、"水平"、"顶"、"底"、"内"、"外"、"顺时针"、"逆时针"等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语"第一"、"第二"仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有"第一"、"第二"的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，"多个"的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语"安装"、"相连"、"连接"应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接:可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之"上"或之"下"可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征"之上"、"上方"和"上面"包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征"之下"、"下方"和"下面"包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。

如图1-图3所示，本发明公开了一种石墨烯银纳米线复合导电薄膜，解决了现有的石墨烯膜自身方阻较大的问题，同时改进了现有的石墨烯和银纳米线墨水应用在柔性屏中无法避免的银纳米线氧化问题。

如图1所示，本发明提供的石墨烯银纳米线复合导电薄膜包括：基材101，第一涂层(未示出)，第一氧化石墨烯膜层301，银纳米线膜层401，第二氧化石墨烯膜层501，第二涂层601，高分子保护层701和基材保护层801，其中第一氧化石墨烯膜层301/银纳米线膜层401/第二氧化石墨烯膜层501结构能够增强石墨烯银纳米线复合导电薄膜整体导电性，第一涂层(未示出)和第二涂层601能够有效抑制银纳米线膜层401的氧化，保证石墨烯银纳米线复合导电薄膜整体的方阻稳定性。

在本发明的一个更优选方案中，基材101为透明涤纶树脂薄膜，基材101厚度范围0.01-10毫米，优选为0.125毫米。基材101的材质还可以选择玻璃、PI、PC、PP等，玻璃材质的基材101厚度为0.05-10mm，PI、PC、PP等塑料材质的基底厚度为0.01-0.5mm。

在本发明的一个更优选方案中，第一涂层(未示出)的聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液浓度范围为0.01％～1％。聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液(PDDA水溶液)，当PDDA固含量为0.01wt％时，优选采用喷涂方式在基材101表面制备第一涂层(未示出)；当PDDA固含量为0.1wt％时，优选采用狭缝式涂布方式在基材101表面制备第一涂层(未示出)；当PDDA固含量为0.05wt％时，优选采用丝网印制方式在基材101表面制备第一涂层(未示出)。

在本发明的一个更优选方案中，第一氧化石墨烯膜层301厚度范围为2nm～10nm，优选为3nm。石墨烯墨水为水性氧化石墨烯溶液，氧化石墨烯固含量为0.05-2wt％

在本发明的一个更优选方案中，银纳米线膜层401厚度范围为50nm～5000nm。

如图2所示，A-F为工艺流程图，A、准备基材101，在基材表面制备第一涂层(未示出)；B、在第一涂层上制备第一氧化石墨烯膜层301；C、采用狭缝涂布法，在第一氧化石墨烯膜层301上制备银纳米线膜层401；D、对银纳米线膜层401进行焊接处理制备银纳米线导电网络010，在银浆纳米线导电网络上制备第二涂层(未示出)；E、采用涂布方法获得第二氧化石墨烯膜层601；F、制备丙烯酸树脂材料的高分子保护层701。

具体地，本发明公布了一种石墨烯银纳米线复合导电薄膜制备方法，具体步骤包括：

步骤S100、准备透明薄膜作为基材101；

步骤S200、在基材101表面涂布聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液，烘干后制备第一涂层(未示出)；PDDA材料制备的第一涂层(未示出)可以提升基材101表面的附着力。

步骤S300、在第一涂层(未示出)表面涂布氧化石墨烯溶液，烘干后制备第一氧化石墨烯膜层301；制备过程中采用喷涂方式完成石墨烯墨水的涂布，石墨烯墨水为水性氧化石墨烯溶液，其中氧化石墨烯固含量范围为0.05-2wt％。

步骤S400、在氧化石墨烯膜层表面丝网印刷银纳米线墨水，烘干后制备银纳米线膜层401，在银纳米线膜层401上进行焊接，形成银纳米线导电网络010；还可以采用狭缝式涂布或喷涂的方式完成银纳米线墨水的涂布工作，银纳米线墨水的固含量为0.05-5wt％，涂布后烘干条件为120-180℃，烘干时间为15-60分钟，优选150℃，40分钟。涂布烘干后的银纳米线涂层厚度为50-5000纳米。银纳米线导电网络010中的局域熔接节点可以采用激光辐照或超声波焊接工艺处理获得，银纳米线导电网络010具有优异的导电性和光学特性。

步骤S500、在所述银纳米线膜层401丝网印刷氧化石墨烯溶液，烘干后制备第二氧化石墨烯膜层501；除丝网印刷完成第二氧化石墨烯膜层501的制备外，还可以采用化学气相沉积(CVD)法，在完成焊接的银纳米线膜层401表面，沉积一层氧化石墨烯，氧化石墨烯膜层厚度为2-10nm，优选3nm；由于CVD工艺具有“绕镀”的特点，使得沉积的氧化石墨烯膜层材料能够在银纳米线膜层401表面形成良好包覆，不会“阴影”问题，在保证包覆的同时，减少保护层厚度，从而减小对石墨烯银纳米线复合导电膜本体光学性能的影响。

步骤S600、在银纳米线膜层401涂布聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液，烘干后制备第二涂层601；第一涂层(未示出)涂布的聚二烯丙基二甲基氯化铵膜能够提升银纳米线膜层401表面的附着力。

步骤S700、在第二涂层601表面喷涂丙烯酸溶液，采用热固化工艺制备高分子保护层701。

在本发明的一个更优选方案中，步骤S100中透明薄膜材质包括PET、PI、PC、PP。

在本发明的一个更优选方案中，步骤S200中聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液采用狭缝式涂布方法涂布到基材101表面，烘干温度范围为100-150℃，烘干时间范围为10-40分钟。

在本制备方法的一个更优选方案中，步骤S400中银纳米线墨水的固含量为0.05-5wt％，烘干条件为120-180℃，烘干时间为15-60分钟，优选150℃，40分钟。

在本制备方法的一个更优选方案中，步骤S700中高分子保护层701的材料为丙烯酸，采用热固化工艺获取丙烯酸硬化涂层作为高分子保护层701，固化温度为130-170℃，固化时间为30-60分钟，固化后涂层厚度为0.5-5微米，涂层硬度为1-3H。

在本制备方法的一个更优选方案中，还包括步骤S800、在基材101未设置第一涂层(未示出)的一面上设置有基材保护层801，基材保护层801厚度范围为0.05mm～0.1mm，优选为0.075mm。

当采用喷涂方式制备获得第一涂层(未示出)和第二涂层601，烘干条件优选为120℃，烘干时间为15分钟，当采取狭缝式涂布制备第一涂层(未示出)和第二涂层601，涂层较厚，优选烘干条件为180℃，60分钟，保证涂层整体烘干，优选地聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液(PDDA水溶液)浓度为0.8％左右，采用狭缝式涂布方式制备涂层，烘干条件优选为120℃，40分钟。

实施例1

步骤1、准备0.125mm厚PET塑料基材101，在PET基材101一面附着一层0.075mm厚耐高温PET基材101保护膜，PET基材101另一面为印刷面。在PET基材101印刷面，采用喷涂的方法，在其表面制备一层PDDA膜层作为第一涂层(未示出)，其中PDDA采用固含量为0.1wt％的水溶液，烘烤条件为：温度为150℃，时间为20分钟。

步骤2、在第一涂层(未示出)表面，采用狭缝式涂布方法，涂布一层氧化石墨烯墨墨水，随后采用160℃，40分钟的烘烤条件，对氧化石墨烯墨水层进行处理，制备第一氧化石墨烯膜层301，其中氧化石墨烯墨水固含量为为0.1wt％；

步骤3、在第一氧化石墨烯膜层301表面上，采用狭缝涂布的方法，涂布一层银纳米线墨水，其中银纳米线墨水的银固含量为0.1％；对制备的银纳米线墨水膜层进行烘烤，制备银纳米线膜层401，其过程中烘烤条件为：温度为150℃，时间为40分钟；

步骤4、采用超声波焊接工艺对已经制备的银纳米线膜层401进行焊接，使得银纳米线之间搭接处出现熔融结合在一起，形成具有局域熔接节点的银纳米线导电网络010；

步骤5、重复步骤1和步骤2，在焊接完毕的银纳米线膜层401表面制备第二氧化石墨烯膜层501，从而形成了氧化石墨烯膜层/银纳米线膜层401/氧化石墨烯膜层复合结构；

步骤6、在第二氧化石墨烯膜层501表面，采用狭缝涂布的方法涂布一层丙烯酸树脂硬化保护层，随后对保护层进行烘烤处理，处理条件为：温度为160℃，30分钟，从而可获得银纳米线复合导电薄膜。

实施例2

步骤1、准备0.125mm厚PET塑料基材101，在PET基材101一面附着一层0.075mm厚耐高温PET基材101保护膜，PET基材101另一面为印刷面。在PET基材101印刷面，采用喷涂的方法，在其表面制备一层PDDA涂层作为第一涂层(未示出)，其中PDDA采用固含量为0.1wt％的水溶液，烘烤条件为：温度为150℃，时间为20分钟。

步骤2、在第一涂层(未示出)表面，采用丝网印刷方法，印刷一层氧化石墨烯墨水层，随后采用160℃，40分钟的烘烤条件，对氧化石墨烯墨水层进行处理，制备第一氧化石墨烯膜层301，其中氧化石墨烯墨水固含量为为0.1wt％；

步骤3、在第一氧化石墨烯膜层301表面，采用丝网印刷的方法，印刷一层银纳米线墨水层，其中银纳米线墨水的银固含量为0.1％；对制备的银纳米线墨水膜层进行烘烤，制备银纳米线膜层401，烘烤条件为：温度为150℃，时间为40分钟；

步骤4、采用激光辐射焊接工艺对已经制备的银纳米线膜层401进行焊接，使得银纳米线之间搭接处出现熔融结合在一起，形成具有局域熔接节点的银纳米线导电网络010；

步骤5、采用化学气相法(CVD)，在已经完成激光辐射焊接的银纳米线透明导电薄膜表面沉积一层FTO(氟掺杂二氧化锡)氧化物导电层作为第二氧化石墨烯膜层501，从而在银纳米线导电网络010表面形成具有良好包覆性的FTO薄膜，FTO薄膜的平均厚度为3nm；

步骤6、在第二氧化石墨烯膜层501表面，采用喷涂的方法涂布一层丙烯酸树脂，硬化后制备为高分子保护层701，随后对高分子保护层701进行烘烤处理，处理条件为：温度为160℃，30分钟，从而可获得石墨烯银纳米线复合导电薄膜。

在高电压工作下，采用本发明制备的石墨烯银纳米线复合导电薄膜，在高电压连续通电工作下，其具备相当的可靠性，具体数据见表1。表1所有测试样品的制备方法为：采用实施例制备的石墨烯银纳米线复合导电薄膜和对比例制备的银纳米线透明导电薄膜03，选取尺寸为40cm×40cm，在银纳米线透明导电薄膜03一侧印刷平行排列的银浆电极901，再用光学透明胶层1001进行封装，从而制备获得银纳米线透明导电薄膜，具体结构见附图3，发热区尺寸实际为30cm×30cm。对比例透明导电膜的制备方法，指采用实施例1的工艺步骤，区别为无ITO保护层，其余全部一致。

表1本发明实施例与对比例采用电热膜测试法进行可靠性测试的结果

从上述测试结果可以看出，采用本发明实施例1和实施例2的透明导电膜，在长时间高电压工作时(高电流)，能够较好地保持稳定性，电阻变化均不超过8％，而对比例在测试前后电阻变化巨大，充分表明在经过测试后，银纳米线已不能形成连续电连接，在无保护层情况下，银纳米线直接作为导电薄膜具有重大可靠性隐患。

最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种石墨烯银纳米线复合导电薄膜，其特征在于，包括：

基材，作为石墨烯银纳米线复合导电薄膜的基体支撑；

第一涂层，在所述基材上涂布聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液，烘干后作为所述第一涂层，用于增强所述基材表面的附着力；

第一氧化石墨烯膜层，设置在所述第一涂层上，用于透明导电网络；

银纳米线膜层，设置在所述第一氧化石墨烯膜层上，用于增强所述第一氧化石墨烯膜层的导电性；

第二氧化石墨烯膜层，设置在所述银纳米线膜层上，构成第一氧化石墨烯膜层/银纳米线膜层/第二氧化石墨烯膜层结构，用于增强石墨烯银纳米线复合导电薄膜整体导电性；

第二涂层，在所述第二氧化石墨烯膜层上涂布聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液，烘干后作为所述第二涂层，用于增强所述第二氧化石墨烯膜层表面的附着力；

高分子保护层，设置在所述第二涂层表面，用于保护石墨烯银纳米线复合导电薄膜表面。

2.根据权利要求1所述的石墨烯银纳米线复合导电薄膜，其特征在于，所述基材为透明涤纶树脂薄膜，所述基材厚度范围0.01-10毫米，优选为0.125毫米。

3.根据权利要求1或2所述的石墨烯银纳米线复合导电薄膜，其特征在于，所述第一涂层的所述聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液浓度范围为0.01％-1％。

4.根据权利要求1～3任一项所述的石墨烯银纳米线复合导电薄膜，其特征在于，所述第一氧化石墨烯膜层厚度范围为2nm～10nm，优选为3nm。

5.根据权利要求1～4任一项所述的石墨烯银纳米线复合导电薄膜，其特征在于，所述银纳米线膜层厚度范围为50nm-5000nm。

6.一种石墨烯银纳米线复合导电薄膜制备方法，其特征在于，包括：

步骤S100、准备透明薄膜作为基材；

步骤S200、在所述基材表面涂布聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液，烘干后制备第一涂层；

步骤S300、在所述第一涂层表面涂布氧化石墨烯溶液，烘干后制备第一氧化石墨烯膜层；

步骤S400、在所述氧化石墨烯膜层表面丝网印刷银纳米线墨水，烘干后制备银纳米线膜层，在所述银纳米线膜层上进行焊接，形成银纳米线导电网络；

步骤S500、在所述银纳米线膜层丝网印刷氧化石墨烯溶液，烘干后制备第二氧化石墨烯膜层；

步骤S600、在所述银纳米线膜层涂布聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液，烘干后制备第二涂层；

步骤S700、在所述第二涂层表面喷涂丙烯酸溶液，采用热固化工艺制备高分子保护层。

7.根据权利要求6所述的石墨烯银纳米线复合导电薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤S100中所述透明薄膜材质包括PET、PI、PC、PP。

8.根据权利要求6～7任一项所述的石墨烯银纳米线复合导电薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤S200中所述聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液采用狭缝式涂布方法涂布到所述基材表面，烘干温度范围为100-150℃，烘干时间范围为10-40分钟。

9.根据权利要求6～10任一项所述的石墨烯银纳米线复合导电薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤S400中所述银纳米线墨水的固含量为0.05-5wt％，烘干条件为120-180℃，烘干时间为15-60分钟，优选150℃，40分钟。

10.根据权利要求6～9任一项所述的石墨烯银纳米线复合导电薄膜制备方法，其特征在于，还包括步骤S800、在所述基材未设置第一涂层的一面上设置有基材保护层，所述基材保护层厚度范围为0.05mm-0.1mm，优选为0.075mm。

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