JP4923874B2 - 半導体ウェハ - Google Patents

Description

本発明は、レーザ光の照射によって内部に多光子吸収による改質領域が形成されることで、当該改質領域を起点とした割断を可能にする半導体ウェハに関するものである。

従来から、レーザ光の照射によって内部に多光子吸収による改質領域が形成されることで、当該改質領域を起点としてウェハを割断する方法（いわゆる「レーザダイシング」）として、例えば下記特許文献１に開示されている技術がある。この開示技術によると、例えば、図１０に示すように、ウェハ１２０をレーザダイシングする場合には、分割予定ラインＤＬに沿ってスクライブ溝１２５（溝）を形成し、このスクライブ溝１２５の底部１２５ｂ（底面）をレーザ光Ｌ１，Ｌ２の入射面（レーザ光が照射される面のこと）にする。

即ち、ウェハ１２０が、半導体基板１２１、埋込酸化層（ＢＯＸ；Buried OXide）１２２、単結晶シリコン層１２３を積層して構成するＳＯＩ（Silicon On Insulator）等、の多層化構造を有する場合には、各層を構成する半導体の光学的特性の相違からレーザ光に対する屈折率が層ごとの厚さや材質により異なる。このため、屈折率が異なる層の境界面等（例えば埋込酸化層１２２と単結晶シリコン層１２３の境界面）ではレーザ光の反射や散乱が発生しやすいことから、ウェハ１２０の場合、その分割予定ラインＤＬに沿ってスクライブ溝１２５を形成する。これにより、単結晶シリコン層１２３の一部が除去されるので、半導体基板１２１の浅い位置（表面１２０ａに近い位置）および深い位置（裏面１２０ｂに近い位置）のいずれにおいても、光軸Ｊによるレーザ光Ｌ１，Ｌ２の集光点Ｐ１，Ｐ２を適正に形成することが可能となる。
特開２００３−３３８４６８号公報

ところで、図１０や特許文献１による開示技術によると、分割予定ラインＤＬに沿ったスクライブ溝１２５は、分割予定ラインＤＬに直交する方向の幅が開口部１２５ａにおいても底部１２５ｂにおいても同じ幅に設定されていることから、開口部１２５ａと底部１２５ｂとをつなぐ壁部１２５ｃは、表面１２０ａや底部１２５ｂに対してほぼ直角（θａ＝９０°）に形成されている。このため、レーザダイシングによって分離されたチップ（半導体チップ）同士が擦れ合うと、スクライブ溝１２５の開口部１２５ａを形成していた直角θａの角部１２０ｃが欠けてチップの品質低下を招き得るという問題があった。なお、特許文献１には、当該角部１２０ｃに関して形状を調整するパラメータ等については、記載されていない。

そこで、この発明は、半導体ウェハを分離して得られる半導体チップの品質低下を防止し得る半導体ウェハを実現することを目的とする。

この発明は、上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、レーザ光の照射によって内部に多光子吸収による改質領域が形成されることで、当該改質領域を起点とした割断を可能にする半導体ウェハで、前記レーザ光が照射される予定部位の表面に位置するウェハ形成層のうち、前記レーザ光の集光点の形成に障害を与え得る当該ウェハ形成層の一部を、除去して形成される凹部を備えた半導体ウェハであって、当該半導体ウェハは、ＳＯＩ構造を有する多層基板で形成され、前記凹部の開口部と前記凹部の底部とをつなぐ壁部のうち、少なくとも、前記表面に接続されて前記開口部を形成する壁部の一部は、前記表面に対して鈍角をなすほぼ平面状に形成されており、前記壁部の一部は、前記表面に対して、前記レーザ光を集光する集光レンズの収束角の半分と９０°を足した角度をなすように設定されている、という技術的手段を用いる。

請求項１に記載の発明によれば、レーザ光が照射される予定部位の表面に位置するウェハ形成層のうち、レーザ光の集光点の形成に障害を与え得る当該ウェハ形成層の一部を、除去して形成される凹部において、当該凹部の開口部と底部とをつなぐ壁部のうち、少なくとも、表面に接続されて開口部を形成する壁部の一部は、表面に対して鈍角をなすほぼ平面状に形成されているので、当該壁部の一部と予定部位の表面とがなす角部を鈍角にすることができる。これにより、半導体ウェハを分離して得られる半導体チップの当該凹部を形成していた角部も鈍角になるため、当該角部が直角や鋭角の場合に比べて、当該角部を欠けにくくすることができる。したがって、半導体チップ同士が擦れ合っても、当該角部が欠けにくくなるので、半導体ウェハを分離して得られる半導体チップの品質低下を防止し得る半導体ウェハを実現することができる。

［第１実施形態］
この発明に係る半導体ウェハの第１実施形態について、図を参照して説明する。図１は、第１実施形態に係るウェハの構成を示す模式的斜視図である。図２は、第１実施形態に係るウェハに、分断装置によるレーザ光を照射し改質領域を形成する工程を示す模式的説明図で、半導体基板の深い位置（図２（Ａ））から浅い位置（図２（Ｂ））に改質領域を形成する場合を示すものである。図３は、第１実施形態に係るウェハの構成を示す模式的説明図で、図３（Ａ）は単結晶シリコン層にスクライブ溝を形成したもの、図３（Ｂ）は、同ウェハの構成の改変例１として単結晶シリコン層および埋込酸化層にスクライブ溝を形成したもの、である。図４は、第１実施形態に係るウェハの他の改変例を示す模式的説明図で、図４（Ａ）は改変例２として単結晶シリコン層にスクライブ溝を形成したもの、図４（Ｂ）は、改変例３として単結晶シリコン層および埋込酸化層にスクライブ溝を形成したもの、である。
なお、いずれの図においても、説明のために一部を拡大して誇張して示している。

図１に示すように、ウェハ２０は、例えば、半導体基板（Ｓｉ）２１、埋込酸化層（ＢＯＸ）２２、単結晶シリコン層２３が下方から上方に向けてこの順番で積層されて形成されるＳＯＩ構造を有する多層基板で、ほぼ薄板円盤形状に形成されている。なお、図１には、円盤形状の一部の断面形状に相当するものが模式的に表されている。
このウェハ２０には、図示されてないが、拡散工程等を経て形成された複数のチップが碁盤の目のように整列配置されており、これらのチップをレーザダイシングにより割断する予定線が分割予定ラインＤＬとして図１に表されている。また、ウェハ２０の裏面２０ｂのほぼ全面には、図略のエキスパンドテープが貼付されている。なお、この分割予定ラインＤＬは、仮想的なものでウェハ２０の表面２０ａに線が実在するわけではない。

即ち、ウェハ２０は、分割予定ラインＤＬにレーザ光Ｌ１，Ｌ２を照射されることによって、内部の半導体基板２１に多光子吸収による改質領域Ｋを形成することができるので、この改質領域Ｋを起点とした割断によりウェハ２０を複数のチップに分離可能にする。この改質領域Ｋを起点とした割断は、例えば、ウェハ２０をその裏面２０ｂから加圧することで当該裏面２０ｂに貼付されたエキスパンドテープがウェハ２０の径方向外側に引っ張られることにより生じる引張力によって行われる。

このようにウェハ２０は、割断に際し分割予定ラインＤＬに照射されるレーザ光Ｌ１，Ｌ２により内部に改質領域Ｋを形成する必要があるが、ウェハ２０はＳＯＩ構造により多層化されている。このため、[背景技術]の欄で述べたように、各層を構成する半導体の光学的特性の相違からレーザ光Ｌ１，Ｌ２に対する屈折率が層ごとの厚さや材質により異なるため、例えば、埋込酸化層２２と単結晶シリコン層２３との境界面ではレーザ光の反射や散乱が発生しやすい。そこで、本第１実施形態のウェハ２０では、分割予定ラインＤＬの表面２０ａに位置する単結晶シリコン層２３のうち、レーザ光Ｌ１，Ｌ２の集光点Ｐ１，Ｐ２の形成に障害を与え得る単結晶シリコン層２３の一部を除去して形成されるスクライブ溝２５を備えている。

このスクライブ溝２５は、分割予定ラインＤＬに沿って形成される直線状の長溝で、埋込酸化層２２に達する程度の深さと、埋込酸化層２２に向けて閉じる形状をなす台形状（上底の長さ＞下底の長さ）の断面形状に設定されている。これにより、スクライブ溝２５の開口部２５ａとスクライブ溝２５の底部２５ｂとをつなぐ壁部２５ｃは、ウェハ２０の表面２０ａに対して鈍角（９０°＜θ１＜１８０°）をなすほぼ平面状に形成される。このスクライブ溝２５は、例えば、ウェットエッチングやドライエッチングによる化学的な加工あるいはダイシングブレード等による切削やレーザ光の照射による機械的な加工によって形成され、またその底部２５ｂは、レーザ光Ｌ１，Ｌ２の反射や散乱が生じない程度に平坦な滑面に形成されている。
これにより、当該壁部２５ｃと分割予定ラインＤＬの表面２０ａとがなす角部２０ｃを鈍角にすることができる。ウェハ２０を分離して得られるチップのスクライブ溝２５を形成していた角部も鈍角になるため、当該角部が直角や鋭角の場合に比べて、当該角部を欠けにくくすることができる。

スクライブ溝２５の壁部２５ｃは、傾斜角θ１で平坦な斜面を形成するように構成されているが、この傾斜角θ１は、例えば、レーザ光Ｌ１，Ｌ２を集光する集光レンズの収束角α（平面視によるもの）の半分と９０°を足した角度（α／２＋９０°）に設定されている。これにより、壁部２５ｃの壁面と、集光レンズにより集光されるレーザ光Ｌ１，Ｌ２の外縁輪郭線とをほぼ平行にすることができるので、後述するように、集光レンズをウェハ２０の表面２０ａに近づけても、集光されたレーザ光Ｌ２の進行を単結晶シリコン層２３が妨げることなく、半導体基板２１の深い位置においても集光点Ｐ２を形成することが可能となる。

本第１実施形態に係るウェハ２０では、このようなスクライブ溝２５を分割予定ラインＤＬの表面２０ａに形成することによって、図２に示すように、分断装置ＤＭにより改質領域Ｋを形成することが可能となる。なお、分断装置ＤＭは、レーザ光を発生可能な図略のレーザ光源、このレーザ光源によるレーザ光を所定の焦点距離で集光し得る集光レンズＣＶ、この集光レンズＣＶをレーザ光の光軸Ｊに沿って上下動可能な図略のレンズ移動機構、ウェハ２０を載置可能な図略のテーブル等により構成されている。

即ち、図２（Ａ）に示すように、集光レンズＣＶにより集光されるレーザ光Ｌ２の光軸Ｊがウェハ２０の分割予定ラインＤＬを通りスクライブ溝２５の底部２５ｂにほぼ垂直になり、かつ、当該集光レンズＣＶとスクライブ溝２５の底部２５ｂとの離隔距離が所定値となるように、集光レンズＣＶをウェハ２０の表面２０ａに近づけて集光レンズＣＶの位置を設定する。これにより、集光レンズＣＶにより集光されたレーザ光Ｌ２は、埋込酸化層２２と半導体基板２１の境界面で屈折した分、所定の焦点距離よりも離れた位置で集光（収束）される一方で、スクライブ溝２５の壁部２５ｃは、その壁面と、集光レンズＣＶにより集光されるレーザ光Ｌ２の外縁輪郭線Ｌ’とがほぼ平行になるように、傾斜角θ１が設定されているため、例えば、ウェハ２０の半導体基板２１の深い位置（裏面２０ｂに近い位置）に集光点Ｐ２を形成することができる。
このとき、レーザ光Ｌ２は、スクライブ溝２５が形成されていることにより、単結晶シリコン層２３を入射面とすることなく、スクライブ溝２５の底部２５ｂを入射面として照射される。このため、レーザ光Ｌ２の反射や散乱を防止でき、予定した半導体基板２１の深い位置（裏面２０ｂに近い位置）に集光点Ｐ２を形成して、この周囲に改質領域Ｋを形成することが可能となる。

これに対し、図２（Ｂ）に示すように、集光レンズＣＶをウェハ２０の表面２０ａから遠ざけることで、集光レンズＣＶにより集光されたレーザ光Ｌ１は、所定の焦点距離で集光（収束）されるので、例えば、ウェハ２０の半導体基板２１の浅い位置（表面２０ａに近い位置）に集光点Ｐ１を形成する。
このときも、レーザ光Ｌ１は、スクライブ溝２５が形成されていることにより、分割予定ラインＤＬの表面２０ａに位置するはずの単結晶シリコン層２３が除去されているので、当該単結晶シリコン層２３を入射面とすることなく、スクライブ溝２５の底部２５ｂを入射面として照射される。このため、レーザ光Ｌ１が照射される範囲内には、単結晶シリコン層２３と埋込酸化層２２との境界面が存在しないため、このような境界面におけるレーザ光Ｌ１の反射や散乱を防止できる。したがって、予定した半導体基板２１の浅い位置（表面２０ａに近い位置）に集光点Ｐ１を形成することができ、この周囲に改質領域Ｋを形成することが可能となる。なお、スクライブ溝２５（空気）と埋込酸化層２２との境界面では、当該レーザ光Ｌ１，Ｌ２は殆ど屈折を生じないため、底部２５ｂに照射されたレーザ光Ｌ１，Ｌ２は、透過率ほぼ１００％で埋込酸化層２２内を透過する。

なお、図２（Ａ）に示すように、集光レンズＣＶがウェハ２０の表面２０ａに近づいて半導体基板２１の深い位置（裏面２０ｂに近い位置）に集光点Ｐ２を形成する場合における入射面のレーザ径Ｗ２は、スクライブ幅Ｗ１（分割予定ラインＤＬに直交する方向の底部２５ｂにおける幅）よりも小さくなるように設定されている。また、スクライブ溝２５の壁部２５ｃの壁面と、集光レンズＣＶにより集光されるレーザ光の外縁輪郭線Ｌ’とがほぼ平行に位置し得る関係にあることについては、図３（Ａ）に示されている。

ところで、図３（Ｂ）に示すように、スクライブ溝２５の改変例１として、単結晶シリコン層２３に形成されるスクライブ溝２５に加え、埋込酸化層２２にもスクライブ溝２５の一部を形成する、スクライブ溝２５’の構成を採っても良い。なお、図１、図２および図３（Ａ）に示すウェハ２０と同様の構成については、同じ符号を使用するとともに説明を省略する。
即ち、図３（Ａ）に示すスクライブ溝２５の底部２５ｂを、そのままの幅で半導体基板２１に達するまで掘り下げるように断面コ字形状の凹部を形成する。例えば、スクライブ溝２５の開口部２５ａと底部２５ｂとをつなぐ壁部２５ｃとして、単結晶シリコン層２３の開口側壁部２５ｃ１と埋込酸化層２２の底側壁部２５ｃ２とを、それぞれ形成することでスクライブ溝２５’を構成する。これにより、レーザ光Ｌ１，Ｌ２の照射範囲において、埋込酸化層２２が除去されるので、当該埋込酸化層２２の存在により集光点Ｐ１，Ｐ２の形成に与えていた影響を排除することができる。
なお、このスクライブ溝２５’においても、開口側壁部２５ｃ１の傾斜角θ１は、図３（Ａ）に示すスクライブ溝２５の傾斜角θ１と同様に設定されているので、開口側壁部２５ｃ１の壁面と、集光レンズにより集光されるレーザ光Ｌ１，Ｌ２の外縁輪郭線とをほぼ平行にすることができる。

また、図４（Ａ）に示すように、スクライブ溝２５の改変例２として、スクライブ溝２５の壁部２５ｃの全てを傾斜角θ１で傾いた斜面とすることなく、ウェハの表面に接続されて開口部を形成する壁部の一部を傾斜角θ１で平坦な斜面とし、当該壁部の残部を底部に対して垂直な垂直面としたスクライブ溝４５を備えたウェハ４０に構成しても良い。なお、図１〜図３に示すウェハ４０と同様の構成については、同じ符号を使用するとともに説明を省略する。
即ち、図３（Ａ）に示すスクライブ溝２５の壁部２５ｃを、ウェハ４０の表面４０ａから傾斜角θ１で平坦な斜面を形成する開口側壁部４５ｃ１と、単結晶シリコン層２３の厚さ方向ほぼ半ばから、埋込酸化層２２方向に向けてほぼ垂直に埋込酸化層２２に達するまで掘り下げるように断面コ字形状の凹部を形成する底側壁部４５ｃ２と、により壁部４５ｃを構成する。これにより、スクライブ溝４５の開口部４５ａと底部４５ｂとをつなぐ壁部４５ｃは、片仮名の「へ」字形状に途中で屈折した壁面になる。
なお、このスクライブ溝４５においても、開口側壁部４５ｃ１の傾斜角θ１は、図３（Ａ）に示すスクライブ溝２５の傾斜角θ１と同様に設定されているので、開口側壁部４５ｃ１の壁面と、集光レンズにより集光されるレーザ光Ｌ１，Ｌ２の外縁輪郭線とをほぼ平行にすることができる。
また、壁部４５ｃは、片仮名の「へ」字形状に途中で屈折した壁面を構成しているが、エッチング条件の設定により、２回以上のエッチング工程を要することなく、１回のドライエッチングでこのような屈折した壁面を形成することができる。

さらに、図４（Ｂ）に示すように、スクライブ溝２５の改変例３として、単結晶シリコン層２３に形成されるスクライブ溝４５に加え、埋込酸化層２２にもスクライブ溝４５の一部を形成する、スクライブ溝４５’の構成を採っても良い。
即ち、図４（Ａ）に示すスクライブ溝４５の底部４５ｂを、そのままの幅で半導体基板２１に達するまで掘り下げるように断面コ字形状の凹部を形成する。例えば、スクライブ溝４５の底側壁部４５ｃ２として、単結晶シリコン層２３の底側上壁部４５ｃ２’と埋込酸化層２２の底側下壁部４５ｃ２”とを、それぞれ形成することでスクライブ溝４５’を構成する。これにより、レーザ光Ｌ１，Ｌ２の照射範囲において、埋込酸化層２２が除去されるので、当該埋込酸化層２２の存在により集光点Ｐ１，Ｐ２の形成に与えていた影響を排除することができる。

なお、図４に示す改変例２、３は、開口側壁部４５ｃ１の傾斜角θ１が１３５°である場合には、当該開口側壁部４５ｃ１は、単結晶シリコン層２３に形成される凹部の角部に対して、いわゆる「Ｃ面取り」を施したものに相当し得るものである。

［第１実施形態の効果］
＜１＞レーザ光Ｌ１，Ｌ２が照射される分割予定ラインＤＬの表面２０ａ（４０ａ）に位置する単結晶シリコン層２３のうち、レーザ光Ｌ１，Ｌ２の集光点Ｐ１，Ｐ２の形成に障害を与え得る当該単結晶シリコン層２３の一部を、除去して形成されるスクライブ溝２５（４５）において、当該スクライブ溝２５（４５）の開口部２５ａ（４５ａ）と底部２５ｂ（４５ｂ）とをつなぐ壁部２５ｃ（４５ｃ）のうち、少なくとも、表面２０ａ（４０ａ）に接続されて開口部２５ａ（４５ａ）を形成する壁部２５ｃ（４５ｃ）の一部２５ｃ（４５ｃ１）は、表面２０ａ（４０ａ）に対して鈍角（傾斜角θ１）をなすほぼ平面状に形成されているので、当該壁部２５ｃ（４５ｃ）の一部２５ｃ（４５ｃ１）と分割予定ラインＤＬの表面２０ａ（４０ａ）とがなす角部２０ｃ（４０ｃ）を鈍角（傾斜角θ１）にすることができる。これにより、ウェハ２０（４０）を分離して得られるチップのスクライブ溝２５（４５）を形成していた角部も鈍角になるため、当該角部が直角や鋭角の場合に比べて、当該角部を欠けにくくすることができる。
したがって、チップ同士が擦れ合っても、当該角部が欠けにくくなるので、ウェハ２０（４０）を分離して得られるチップの品質低下を防止し得るウェハ２０（４０）を実現することができる。
＜２＞また、スクライブ溝２５（４５）の壁部２５ｃ（４５ｃ）の傾斜角θ１は、例えば、レーザ光Ｌ１，Ｌ２を集光する集光レンズの収束角α（平面視によるもの）の半分と９０°を足した角度（α／２＋９０°）に設定されている。これにより、壁部２５ｃの壁面と、集光レンズにより集光されるレーザ光Ｌ１，Ｌ２の外縁輪郭線とをほぼ平行にすることができるので、集光レンズをウェハ２０（４０）の表面２０ａ（４０ａ）に近づけても、集光されたレーザ光Ｌ２の進行を単結晶シリコン層２３が妨げることなく、半導体基板２１の深い位置においても集光点Ｐ２を形成することが可能となる。
＜３＞さらに、レーザ光Ｌ１，Ｌ２が照射される分割予定ラインＤＬの表面２０ａ（４０ａ）に位置する単結晶シリコン層２３に加えて埋込酸化層２２についても、レーザ光Ｌ１，Ｌ２の集光点Ｐ１，Ｐ２の形成に障害を与え得る当該埋込酸化層２２の一部を、除去してスクライブ溝２５（４５）を形成する。これにより、レーザ光Ｌ１，Ｌ２の照射範囲において、埋込酸化層２２が除去されるので、当該埋込酸化層２２の存在により集光点Ｐ１，Ｐ２の形成に与えていた影響を排除することが可能となる。

［第２実施形態］
この発明に係る半導体ウェハの第２実施形態について、図を参照して説明する。図５は、第２実施形態に係るウェハの構成を示す模式的説明図で、図５（Ａ）は単結晶シリコン層にスクライブ溝を形成したもの、図５（Ｂ）は、改変例４として単結晶シリコン層および埋込酸化層にスクライブ溝を形成したもの、である。なお、第１実施形態と同様の構成については、同じ符号を使用するとともに説明を省略する。
本第２実施形態に係るウェハ５０は、開口部５５ａと底部５５ｂとをつなぐ壁部５５ｃのうち、少なくとも、ウェハ５０の表面５０ａに接続されて開口部５５ａを形成する壁部５５ｃの一部が、接線が表面５０ａに対して鈍角（９０°＜θ２＜１８０°）をなすほぼ曲面状に形成されている点が、第１実施形態に係るウェハ２０と異なるところである。

図５（Ａ）に示すように、ウェハ５０は、前述のウェハ２０と同様に、例えば、半導体基板２１、埋込酸化層２２、単結晶シリコン層２３により構成されるＳＯＩ構造の多層基板で、図略の拡散工程等を経て複数のチップが整列配置されている。なお、図５（Ａ）、（Ｂ）には、これらのチップをレーザダイシングする予定線として分割予定ラインＤＬが示されていないが、図１に示すウェハ２０と同様、ウェハ５０にも仮想的な分割予定ラインＤＬが存在する。また、ウェハ５０の裏面５０ｂのほぼ全面に、図略のエキスパンドテープが貼付されている。

ウェハ５０に形成されるスクライブ溝５５も、分割予定ラインＤＬに沿って形成される直線状の長溝で、埋込酸化層２２に達する程度の深さと、埋込酸化層２２に向けて逆さになる逆さ富士形状（上底の長さ＞下底の長さ）の断面形状に設定されている。これにより、スクライブ溝５５の開口部５５ａとスクライブ溝５５の底部５５ｂとをつなぐ壁部５５ｃは、ウェハ５０の表面５０ａに対して、その角部５０ｃが、いわゆる「Ｒ面取り」を施した曲面形状、即ち接線が表面５０ａに対して鈍角（９０°＜θ２＜１８０°）をなすほぼ曲面状に形成される。このスクライブ溝５５は、例えば、ウェットエッチングやドライエッチングによる化学的な加工あるいはダイシングブレード等による切削やレーザ光の照射による機械的な加工によって形成され、またその底部５５ｂは、レーザ光Ｌ１，Ｌ２の反射や散乱が生じない程度に平坦な滑面に形成されている。
これにより、当該壁部５５ｃの接線と分割予定ラインＤＬの表面５０ａとがなす接線角θ２を鈍角にするので角部５０ｃを丸めることができる。ウェハ５０を分離して得られるチップのスクライブ溝５５を形成していた角部も丸められるため、当該角部が直角や鋭角の場合に比べて、当該角部を欠けにくくすることができる。

なお、図５（Ｂ）に示すように、スクライブ溝５５の改変例（改変例４）として、単結晶シリコン層２３に形成されるスクライブ溝５５に加え、埋込酸化層２２にもスクライブ溝５５の一部を形成する、スクライブ溝５５’の構成を採っても良い。
即ち、図５（Ａ）に示すスクライブ溝５５の底部５５ｂを、そのままの幅で半導体基板２１に達するまで掘り下げるように断面コ字形状の凹部を形成する。例えば、スクライブ溝５５の開口部５５ａと底部５５ｂとをつなぐ壁部５５ｃとして、単結晶シリコン層２３の開口側壁部５５ｃ１と埋込酸化層２２の底側壁部５５ｃ２とを、それぞれ形成することでスクライブ溝５５’を構成する。これにより、レーザ光Ｌ１，Ｌ２の照射範囲において、埋込酸化層２２が除去されるので、当該埋込酸化層２２の存在により集光点Ｐ１，Ｐ２の形成に与えていた影響を排除することができる。

［第２実施形態の効果］
＜１＞レーザ光Ｌ１，Ｌ２が照射される分割予定ラインＤＬの表面５０ａに位置する単結晶シリコン層２３のうち、レーザ光Ｌ１，Ｌ２の集光点Ｐ１，Ｐ２の形成に障害を与え得る当該単結晶シリコン層２３の一部を、除去して形成されるスクライブ溝５５において、当該スクライブ溝５５の開口部５５ａと底部５５ｂとをつなぐ壁部５５ｃのうち、少なくとも、表面５０ａに接続されて開口部５５ａを形成する壁部５５ｃの一部５５ｃ１は、接線が表面５０ａに対して鈍角（接線角θ２）をなすほぼ曲面状に形成されているので、当該壁部５５ｃの一部５５ｃ１と分割予定ラインＤＬの表面５０ａとがなす角部５０ｃを丸めることができる。これにより、ウェハ５０を分離して得られるチップのスクライブ溝５５を形成していた角部も丸められるため、当該角部が直角や鋭角の場合に比べて、当該角部を欠けにくくすることができる。
したがって、チップ同士が擦れ合っても、当該角部が欠けにくくなるので、ウェハ５０を分離して得られるチップの品質低下を防止し得るウェハ５０を実現することができる。

また、上述した各実施形態では、「レーザ光が照射される予定部位の表面に位置するウェハ形成層」として、埋込酸化層および単結晶シリコン層を例示して説明したが、これに限られることはなく、例えば、図６（Ａ）〜図６（Ｃ）に示すように、半導体基板（ウェハ形成層）の一部を保護可能なキャップまたはカバーであっても良い。なお、図６は、半導体基板上にキャップを形成した場合における本発明の適用例を示す模式的説明図で、図６（Ａ）は第１実施形態に対応するもの、図６（Ｂ）は改変例２に対応するもの、図６（Ｃ）は第２実施形態に対応するもの、である。

図６（Ａ）に示すように、ウェハ６０では、半導体基板２１の表面２１ａの一部を保護するキャップ（またはカバー）６２として、四角錐台形状の高さの低い箱状のもの（例えば、シリコン、樹脂、金属、ガラス等からなる）を、保護する部分（範囲）Ｑを覆うように、当該半導体基板２１の表面２１ａに形成する。

そして、このようなキャップ６２同士が、分割予定ラインＤＬを挟んで隣り合って並ぶ両者間には、スクライブ溝６５として機能する開口部６５ａが形成されることから、当該キャップ６２は、その側面６２ａがスクライブ溝６５の開口部６５ａとスクライブ溝６５の底部６５ｂとをつなぐ壁部６５ｃとなって、ウェハ６０の表面６０ａに対して鈍角（９０°＜θ１＜１８０°）をなすように形成される。なお、図６（Ａ）において符号６０ｂは、当該ウェハ６０の裏面を示す。

つまり、キャップ６２の側面６２ａである当該壁部６５ｃと分割予定ラインＤＬの表面６０ａとがなす角部６０ｃが鈍角になることから、ウェハ６０を分離して得られるチップのキャップ６２によりスクライブ溝６５を形成していた角部も鈍角になる。これにより、当該角部（キャップ６２の角部）が直角や鋭角である場合に比べて当該角部を欠けにくくすることができるので、このようなチップ同士が擦れ合っても当該角部（キャップ６２の角部）が欠けにくくなりチップの品質低下を防止できる。

また、図６（Ｂ）に示すように、ウェハ６０’では、前述したキャップ６２の壁部６５ｃの開口側を構成する開口側壁部６５ｃ１と、この壁部６５ｃの裾を当該半導体基板２１の表面２１ａの方向に向かってほぼ垂直に延ばして断面コ字形状の凹部を形成する底側壁部６５ｃ２と、により構成した壁部６５ｃを有するキャップ（またはカバー）６２’を、半導体基板２１の表面２１ａの保護する部分（範囲）Ｑを覆うように形成する。なお、図６（Ｂ）において、符号６０’ａは当該ウェハ６０’の表面を示し、符号６０’ｂは当該ウェハ６０’の裏面を示し、符号６０’ｃは当該ウェハ６０’の角部を示す。

これにより、ウェハ６０’を分離して得られるチップのキャップ６２’によりスクライブ溝６５’を形成していた角部も鈍角になるため、当該角部（キャップ６２’の角部）が直角や鋭角の場合に比べて、当該角部（キャップ６２’の角部）を欠けにくくすることができる。したがって、チップ同士が擦れ合っても、当該角部（キャップ６２’の角部）が欠けにくくなるので、ウェハ６０’を分離して得られるチップの品質低下を防止し得るウェハ６０’を実現することができる。

さらに、図６（Ｃ）に示すように、ウェハ６０”では、前述したキャップ６２の角部６０ｃに対して「Ｒ面取り角」を施した曲面形状、即ち接線が当該ウェハ６０”の表面６０”ａ（キャップ６２”の表面）に対して鈍角（９０°＜θ２＜１８０°）をなすほぼ曲面状に形成されるキャップ（またはカバー）６２”を、半導体基板２１の表面２１ａの保護する部分（範囲）Ｑを覆うように形成する。なお、図６（Ｃ）において、符号６０”ｂは当該ウェハ６０”の裏面を示し、符号６０”ｃは当該ウェハ６０”の角部を示す。

これにより、キャップ６２”の側面６２ａである当該壁部６５ｃの接線と分割予定ラインＤＬの表面６０”ａとがなす接線角θ２を鈍角にするので角部６０”ｃを丸めることができる。ウェハ６０”を分離して得られるチップのキャップ６２”によりスクライブ溝６５”を形成していた角部も丸められるため、当該角部（キャップ６２”の角部）が直角や鋭角である場合に比べて当該角部（キャップ６２”の角部）を欠けにくくすることができるので、このようなチップ同士が擦れ合っても当該角部（キャップ６２”の角部）が欠けにくくなりチップの品質低下を防止できる。

また、上述した各実施形態では、「レーザ光が照射される予定部位の表面に位置するウェハ形成層」として、例えば、図７（Ａ）〜図７（Ｃ）に示すように、半導体基板（ウェハ形成層）の一部を保護可能なパッシベーション膜であっても良い。なお、図７は、半導体基板上にパッシベーション膜を形成した場合における本発明の適用例を示す模式的説明図で、図７（Ａ）は第１実施形態に対応するもの、図７（Ｂ）は改変例２に対応するもの、図７（Ｃ）は第２実施形態に対応するもの、である。

図７（Ａ）に示すように、ウェハ７０では、半導体基板２１の表面２１ａの一部を保護するパッシベーション膜（ＳｉＯ_２、ＳｉＮ等）７２を、保護する部分（範囲）Ｑを覆うように、当該半導体基板２１の表面２１ａに形成する。

そして、このようなパッシベーション膜７２同士が、分割予定ラインＤＬを挟んで隣り合って並ぶ両者間には、スクライブ溝７５として機能する開口部７５ａが形成されることから、当該パッシベーション膜７２は、その側面７２ａがスクライブ溝７５の開口部７５ａとスクライブ溝７５の底部７５ｂとをつなぐ壁部７５ｃとなって、ウェハ７０の表面７０ａに対して鈍角（９０°＜θ１＜１８０°）をなすように形成される。なお、図７（Ａ）において符号７０ｂは、当該ウェハ７０の裏面を示す。

つまり、パッシベーション膜７２の側面７２ａである当該壁部７５ｃと分割予定ラインＤＬの表面７０ａとがなす角部７０ｃが鈍角になることから、ウェハ７０を分離して得られるチップのパッシベーション膜７２によりスクライブ溝７５を形成していた角部も鈍角になる。これにより、当該角部（パッシベーション膜７２の角部）が直角や鋭角である場合に比べて当該角部を欠けにくくすることができるので、このようなチップ同士が擦れ合っても当該角部（パッシベーション膜７２の角部）が欠けにくくなりチップの品質低下を防止できる。

また、図７（Ｂ）に示すように、ウェハ７０’では、前述したパッシベーション膜７２の壁部７５ｃの開口側を構成する開口側壁部７５ｃ１と、この壁部７５ｃの裾を当該半導体基板２１の表面２１ａの方向に向かってほぼ垂直に延ばして断面コ字形状の凹部を形成する底側壁部７５ｃ２と、により構成した壁部７５ｃを有するキャップ（またはカバー）７２’を、半導体基板２１の表面２１ａの保護する部分（範囲）Ｑを覆うように形成する。なお、図７（Ｂ）において、符号７０’ａは当該ウェハ７０’の表面を示し、符号７０’ｂは当該ウェハ７０’の裏面を示し、符号７０’ｃは当該ウェハ７０’の角部を示す。

これにより、ウェハ７０’を分離して得られるチップのパッシベーション膜７２’によりスクライブ溝７５’を形成していた角部も鈍角になるため、当該角部（パッシベーション膜７２’の角部）が直角や鋭角の場合に比べて、当該角部（パッシベーション膜７２’の角部）を欠けにくくすることができる。したがって、チップ同士が擦れ合っても、当該角部（パッシベーション膜７２’の角部）が欠けにくくなるので、ウェハ７０’を分離して得られるチップの品質低下を防止し得るウェハ７０’を実現することができる。

さらに、図７（Ｃ）に示すように、ウェハ７０”では、前述したパッシベーション膜７２の角部７０ｃに対して「Ｒ面取り角」を施した曲面形状、即ち接線が当該ウェハ７０”の表面７０”ａ（パッシベーション膜７２”の表面）に対して鈍角（９０°＜θ２＜１８０°）をなすほぼ曲面状に形成されるキャップ（またはカバー）７２”を、半導体基板２１の表面２１ａの保護する部分（範囲）Ｑを覆うように形成する。なお、図７（Ｃ）において、符号７０”ｂは当該ウェハ７０”の裏面を示し、符号７０”ｃは当該ウェハ７０”の角部を示す。

これにより、パッシベーション膜７２”の側面７２ａである当該壁部７５ｃの接線と分割予定ラインＤＬの表面７０”ａとがなす接線角θ２を鈍角にするので角部７０”ｃを丸めることができる。ウェハ７０”を分離して得られるチップのパッシベーション膜７２”によりスクライブ溝７５”を形成していた角部も丸められるため、当該角部（パッシベーション膜７２”の角部）が直角や鋭角である場合に比べて当該角部（パッシベーション膜７２”の角部）を欠けにくくすることができるので、このようなチップ同士が擦れ合っても当該角部（パッシベーション膜７２”の角部）が欠けにくくなりチップの品質低下を防止できる。

また、上述した各実施形態では、「レーザ光が照射される予定部位の表面に位置するウェハ形成層」として、例えば、図８（Ａ）〜図８（Ｃ）に示すように、半導体基板（ウェハ形成層）とともにヘテロ接合を形成する当該ヘテロ接合構造の一部であっても良い。なお、図８は、半導体基板上にヘテロ接合構造を形成した場合における本発明の適用例を示す模式的説明図で、図８（Ａ）は第１実施形態に対応するもの、図８（Ｂ）は改変例２に対応するもの、図８（Ｃ）は第２実施形態に対応するもの、である。

図８（Ａ）に示すように、ウェハ８０では、化合物半導体（ＧａＮ、ＳｉＣ等）からなる基板２１’の表面２１’ａに対してヘテロ接合構造をなすシリコン層８２を当該基板２１’の表面２１’ａに形成する。そして、このようなシリコン層８２同士が、分割予定ラインＤＬを挟んで隣り合って並ぶ両者間には、スクライブ溝８５として機能する開口部８５ａが形成されることから、当該シリコン層８２は、その側面８２ａがスクライブ溝８５の開口部８５ａとスクライブ溝８５の底部８５ｂとをつなぐ壁部８５ｃとなって、ウェハ８０の表面８０ａに対して鈍角（９０°＜θ１＜１８０°）をなすように形成される。なお、図８（Ａ）において符号８０ｂは、当該ウェハ８０の裏面を示す。

つまり、シリコン層８２の側面８２ａである当該壁部８５ｃと分割予定ラインＤＬの表面８０ａとがなす角部８０ｃが鈍角になることから、ウェハ８０を分離して得られるチップのシリコン層８２によりスクライブ溝８５を形成していた角部も鈍角になる。これにより、当該角部（シリコン層８２の角部）が直角や鋭角である場合に比べて当該角部を欠けにくくすることができるので、このようなチップ同士が擦れ合っても当該角部（シリコン層８２の角部）が欠けにくくなりチップの品質低下を防止できる。

また、図８（Ｂ）に示すように、ウェハ８０’では、前述したシリコン層８２の壁部８５ｃの開口側を構成する開口側壁部８５ｃ１と、この壁部８５ｃの裾を当該基板２１’の表面２１’ａの方向に向かってほぼ垂直に延ばして断面コ字形状の凹部を形成する底側壁部８５ｃ２と、により構成した壁部８５ｃを有するシリコン層８２’を、基板２１’に対してヘテロ接合構造をなすように形成する。なお、図８（Ｂ）において、符号８０’ａは当該ウェハ８０’の表面を示し、符号８０’ｂは当該ウェハ８０’の裏面を示し、符号８０’ｃは当該ウェハ８０’の角部を示す。

これにより、ウェハ８０’を分離して得られるチップのシリコン層８２’によりスクライブ溝８５’を形成していた角部も鈍角になるため、当該角部（シリコン層８２’の角部）が直角や鋭角の場合に比べて、当該角部（シリコン層８２’の角部）を欠けにくくすることができる。したがって、チップ同士が擦れ合っても、当該角部（シリコン層８２’の角部）が欠けにくくなるので、ウェハ８０’を分離して得られるチップの品質低下を防止し得るウェハ８０’を実現することができる。

さらに、図８（Ｃ）に示すように、ウェハ８０”では、前述したシリコン層８２の角部８０ｃに対して「Ｒ面取り角」を施した曲面形状、即ち接線が当該ウェハ８０”の表面８０”ａ（シリコン層８２”の表面）に対して鈍角（９０°＜θ２＜１８０°）をなすほぼ曲面状に形成されるシリコン層８２”を、基板２１’に対してヘテロ接合構造をなすように形成する。なお、図８（Ｃ）において、符号８０”ｂは当該ウェハ８０”の裏面を示し、符号８０”ｃは当該ウェハ８０”の角部を示す。

これにより、シリコン層８２”の側面８２ａである当該壁部８５ｃの接線と分割予定ラインＤＬの表面８０”ａとがなす接線角θ２を鈍角にするので角部８０”ｃを丸めることができる。ウェハ８０”を分離して得られるチップのシリコン層８２”によりスクライブ溝８５”を形成していた角部も丸められるため、当該角部（シリコン層８２”の角部）が直角や鋭角である場合に比べて当該角部（シリコン層８２”の角部）を欠けにくくすることができるので、このようなチップ同士が擦れ合っても当該角部（シリコン層８２”の角部）が欠けにくくなりチップの品質低下を防止できる。

また、上述した各実施形態では、「レーザ光が照射される予定部位の表面に位置するウェハ形成層」として、例えば、図９（Ａ）〜図９（Ｃ）に示すように、半導体基板（ウェハ形成層）上に形成されたアルミ電極パッドであっても良い。なお、図９は、半導体基板上にアルミ電極パッドを形成した場合における本発明の適用例を示す模式的説明図で、図９（Ａ）は第１実施形態に対応するもの、図９（Ｂ）は改変例２に対応するもの、図９（Ｃ）は第２実施形態に対応するもの、である。

図９（Ａ）に示すように、ウェハ９０では、半導体基板２１の表面２１ａにアルミ電極パッド９２を当該半導体基板２１の表面２１ａに形成する。そして、このようなアルミ電極パッド９２同士が、分割予定ラインＤＬを挟んで隣り合って並ぶ両者間には、スクライブ溝９５として機能する開口部９５ａが形成されることから、当該アルミ電極パッド９２は、その側面９２ａがスクライブ溝９５の開口部９５ａとスクライブ溝９５の底部９５ｂとをつなぐ壁部９５ｃとなって、ウェハ９０の表面９０ａに対して鈍角（９０°＜θ１＜１８０°）をなすように形成される。なお、図９（Ａ）において符号９０ｂは、当該ウェハ９０の裏面を示す。

つまり、アルミ電極パッド９２の側面９２ａである当該壁部９５ｃと分割予定ラインＤＬの表面９０ａとがなす角部９０ｃが鈍角になることから、ウェハ９０を分離して得られるチップのアルミ電極パッド９２によりスクライブ溝９５を形成していた角部も鈍角になる。これにより、当該角部（アルミ電極パッド９２の角部）が直角や鋭角である場合に比べて当該角部を欠けにくくすることができるので、このようなチップ同士が擦れ合っても当該角部（アルミ電極パッド９２の角部）が欠けにくくなりチップの品質低下を防止できる。

また、図９（Ｂ）に示すように、ウェハ９０’では、前述したアルミ電極パッド９２の壁部９５ｃの開口側を構成する開口側壁部９５ｃ１と、この壁部９５ｃの裾を当該半導体基板２１の表面２１ａの方向に向かってほぼ垂直に延ばして断面コ字形状の凹部を形成する底側壁部９５ｃ２と、により構成した壁部９５ｃを有するアルミ電極パッド９２’を半導体基板２１に形成する。なお、図９（Ｂ）において、符号９０’ａは当該ウェハ９０’の表面を示し、符号９０’ｂは当該ウェハ９０’の裏面を示し、符号９０’ｃは当該ウェハ９０’の角部を示す。

これにより、ウェハ９０’を分離して得られるチップのアルミ電極パッド９２’によりスクライブ溝９５’を形成していた角部も鈍角になるため、当該角部（アルミ電極パッド９２’の角部）が直角や鋭角の場合に比べて、当該角部（アルミ電極パッド９２’の角部）を欠けにくくすることができる。したがって、チップ同士が擦れ合っても、当該角部（アルミ電極パッド９２’の角部）が欠けにくくなるので、ウェハ９０’を分離して得られるチップの品質低下を防止し得るウェハ９０’を実現することができる。

さらに、図９（Ｃ）に示すように、ウェハ９０”では、前述したアルミ電極パッド９２の角部９０ｃに対して「Ｒ面取り角」を施した曲面形状、即ち接線が当該ウェハ９０”の表面９０”ａ（アルミ電極パッド９２”の表面）に対して鈍角（９０°＜θ２＜１８０°）をなすほぼ曲面状に形成されるアルミ電極パッド９２”を半導体基板２１に形成する。なお、図９（Ｃ）において、符号９０”ｂは当該ウェハ９０”の裏面を示し、符号９０”ｃは当該ウェハ９０”の角部を示す。

これにより、アルミ電極パッド９２”の側面９２ａである当該壁部９５ｃの接線と分割予定ラインＤＬの表面９０”ａとがなす接線角θ２を鈍角にするので角部９０”ｃを丸めることができる。ウェハ９０”を分離して得られるチップのアルミ電極パッド９２”によりスクライブ溝９５”を形成していた角部も丸められるため、当該角部（アルミ電極パッド９２”の角部）が直角や鋭角である場合に比べて当該角部（アルミ電極パッド９２”の角部）を欠けにくくすることができるので、このようなチップ同士が擦れ合っても当該角部（アルミ電極パッド９２”の角部）が欠けにくくなりチップの品質低下を防止できる。

なお、上述した各実施形態では、半導体ウェハとして、半導体基板、埋込酸化層、単結晶シリコン層により構成されるＳＯＩ構造の多層基板を例示して説明したが、ＳＩＭＯＸ（Silicon IMplanted OXide ）構造であっても良く、また半導体材料としては、例えば、ＳｉＣ、ＺｎＯ、ＡｌＮ、ＧａＡｓ等でも良い。これらの場合、前述同様の作用および効果（第１実施形態の効果＜１＞〜＜３＞、第２実施形態の効果＜１＞）が得られる。

また、本発明に係る半導体ウェハは、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）加工によって形成される被加工物、例えば、加速度センサ、ジャイロセンサ、イメージセンサ等を当該半導体ウェハ上に構成する場合のおいても適用することができ、上述した各実施形態と同様の作用・効果を得ることができる。

第１実施形態に係るウェハの構成を示す模式的斜視図である。 第１実施形態に係るウェハに、分断装置によるレーザ光を照射し改質領域を形成する工程を示す模式的説明図で、半導体基板の深い位置（図２（Ａ））から浅い位置（図２（Ｂ））に改質領域を形成する場合を示すものである。 第１実施形態に係るウェハの構成を示す模式的説明図で、図３（Ａ）は単結晶シリコン層にスクライブ溝を形成したもの、図３（Ｂ）は、同ウェハの構成の改変例１として単結晶シリコン層および埋込酸化層にスクライブ溝を形成したもの、である。 第１実施形態に係るウェハの他の改変例を示す模式的説明図で、図４（Ａ）は改変例２として単結晶シリコン層にスクライブ溝を形成したもの、図４（Ｂ）は、改変例３として単結晶シリコン層および埋込酸化層にスクライブ溝を形成したもの、である。 第２実施形態に係るウェハの構成を示す模式的説明図で、図５（Ａ）は単結晶シリコン層にスクライブ溝を形成したもの、図５（Ｂ）は、改変例４として単結晶シリコン層および埋込酸化層にスクライブ溝を形成したもの、である。 半導体基板上にキャップを形成した場合における本発明の適用例を示す模式的説明図で、図６（Ａ）は第１実施形態に対応するもの、図６（Ｂ）は改変例２に対応するもの、図６（Ｃ）は第２実施形態に対応するもの、である。 半導体基板上にパッシベーション膜を形成した場合における本発明の適用例を示す模式的説明図で、図７（Ａ）は第１実施形態に対応するもの、図７（Ｂ）は改変例２に対応するもの、図７（Ｃ）は第２実施形態に対応するもの、である。 半導体基板上にヘテロ接合構造を形成した場合における本発明の適用例を示す模式的説明図で、図８（Ａ）は第１実施形態に対応するもの、図８（Ｂ）は改変例２に対応するもの、図８（Ｃ）は第２実施形態に対応するもの、である。 半導体基板上にアルミ電極パッドを形成した場合における本発明の適用例を示す模式的説明図で、図９（Ａ）は第１実施形態に対応するもの、図９（Ｂ）は改変例２に対応するもの、図９（Ｃ）は第２実施形態に対応するもの、である。 従来のウェハの構成を示す模式的斜視図である。

符号の説明

２０、４０、５０、６０、６０’、６０”、７０、７０’、７０”、８０、８０’、８０”、９０、９０’、９０” ウェハ（半導体ウェハ）
２０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、６０’ａ、６０”ａ、７０ａ、７０’ａ、７０”ａ、８０ａ、８０’ａ、８０”ａ、９０ａ、９０’ａ、９０”ａ 表面
２０ｂ、４０ｂ、５０ｂ、６０ｂ、６０’ｂ、６０”ｂ、７０ｂ、７０’ｂ、７０”ｂ、８０ｂ、８０’ｂ、８０”ｂ、９０ｂ、９０’ｂ、９０”ｂ 裏面
２０ｃ、４０ｃ、５０ｃ、６０ｃ、６０’ｃ、６０”ｃ、７０ｃ、７０’ｃ、７０”ｃ、８０ｃ、８０’ｃ、８０”ｃ、９０ｃ、９０’ｃ、９０”ｃ 角部
２１、２１’ 半導体基板（ウェハ形成層）
２２ 埋込酸化層（表面に位置するウェハ形成層）
２３ 単結晶シリコン層（表面に位置するウェハ形成層）
２５、４５、５５、６５、７５、８５、９５ スクライブ溝（凹部）
２５ａ、４５ａ、５５ａ、６５ａ、７５ａ、８５ａ、９５ａ 開口部
２５ｂ、４５ｂ、５５ｂ、６５ｂ、７５ｂ、８５ｂ、９５ｂ 底部
２５ｃ、４５ｃ、５５ｃ、６５ｃ、７５ｃ、８５ｃ、９５ｃ 壁部
２５ｃ１、４５ｃ１、５５ｃ１、６５ｃ１、７５ｃ１、８５ｃ１、９５ｃ１ 開口側壁部（壁部の一部）
２５ｃ２、４５ｃ２、５５ｃ２、６５ｃ２、７５ｃ２、８５ｃ２、９５ｃ２ 底側壁部
６２、６２’、６２” キャップ
７２、７２’、７２” パッシベーション膜
８２、８２’、８２” シリコン層
９２、９２’、９２” アルミ電極パッド
ＣＶ 集光レンズ
ＤＬ 分割予定ライン（予定部位）
ＤＭ 分断装置
Ｊ 光軸
Ｋ 改質領域
Ｌ１、Ｌ２ レーザ光
α 集光レンズの収束角
Ｌ’ 外縁輪郭線
Ｐ１、Ｐ２ 集光点
Ｑ 保護する部分

Claims (1)

1. レーザ光の照射によって内部に多光子吸収による改質領域が形成されることで、当該改質領域を起点とした割断を可能にする半導体ウェハで、前記レーザ光が照射される予定部位の表面に位置するウェハ形成層のうち、前記レーザ光の集光点の形成に障害を与え得る当該ウェハ形成層の一部を、除去して形成される凹部を備えた半導体ウェハであって、
   当該半導体ウェハは、ＳＯＩ構造を有する多層基板で形成され、
   前記凹部の開口部と前記凹部の底部とをつなぐ壁部のうち、少なくとも、前記表面に接続されて前記開口部を形成する壁部の一部は、前記表面に対して鈍角をなすほぼ平面状に形成されており、
   前記壁部の一部は、前記表面に対して、前記レーザ光を集光する集光レンズの収束角の半分と９０°を足した角度をなすように設定されていることを特徴とする半導体ウェハ。
   

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