TWI677020B - 光元件晶片之製造方法 - Google Patents

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TWI677020B
TWI677020B TW105103303A TW105103303A TWI677020B TW I677020 B TWI677020 B TW I677020B TW 105103303 A TW105103303 A TW 105103303A TW 105103303 A TW105103303 A TW 105103303A TW I677020 B TWI677020 B TW I677020B
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荒川太朗
Taro Arakawa
中野鉄馬
Kenta Nakano
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日商迪思科股份有限公司
Disco Corporation
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    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Abstract

提供一種可以提高光元件晶片的光取出效率 之光元件晶片之製造方法。
一種分割光元件 晶圓(11)而製造複數個光元件晶片之光元件晶片之製造方法，係包含：雷射加工溝形成步驟，係照射相對於光元件晶圓具有吸收性的波長的雷射光線(L1)，把與分割預定線正交之剖面的形狀為V字形狀之一對雷射加工溝(19)沿著分割預定線形成在光元件晶圓的背面(11b)側；V溝形成步驟，係把在一對雷射加工溝之間的領域所存在的光元件晶圓用切削刀片(14)予以破碎去除，形成V溝(21)；研磨步驟，係研磨V溝的內壁面；以及分割步驟，係在V溝與分割預定線之間產生龜裂(25)，把光元件晶圓沿著各分割預定線分割成一個一個的光元件晶片。

Description

光元件晶片之製造方法
本發明有關在製造發光型的光元件晶片之際所適用的光元件晶片之製造方法。
在製造發光二極體(LED)或雷射二極體(LD)等的光元件晶片之際，在用藍寶石或SiC等所製成的結晶成長用的基板的表面，用磊晶成長等的方法形成發光層。形成發光層的基板(光元件晶圓)，係沿著分割預定線(切割道)分割成複數個光元件晶片。
作為光元件晶圓的分割方法，把相對於光元件晶圓其吸收性為高的脈衝雷射光線沿著分割預定線照射，形成因燒蝕所致之雷射加工溝者是廣為人知(例如，參閱專利文獻1)。以對形成了雷射加工溝的光元件晶圓賦予外力的方式，可以沿著該雷射加工溝分割光元件晶圓。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開平10-305420號專利公報
順便一說，在如上述的發光型的光元件晶片中，盡可能提高光取出效率(light extraction efficiency)是至為重要的。但是，例如，在藉由以往的方法製造出的光元件晶片中，不盡然可以抑制降低在射出到發光層的背面側(基板側)後在基板的側面做全反射而在內部衰減的光的比例，光取出效率方面是有改善的餘地。
本發明係有鑑於相關的問題點而創作，其目的在於，提供一種可以提高光元件晶片的光取出效率之光元件晶片之製造方法。
根據本發明，提供有一種光元件晶片之製造方法，係把形成有在用被設定在表面且相互地交叉之複數條分割預定線所區劃出的各領域分別包含有發光層的光元件之光元件晶圓，沿著該分割預定線分割而製造出複數個光元件晶片；其特徵為包含：雷射加工溝形成步驟，係對光元件晶圓的背面斜斜地照射相對於光元件晶圓具有吸收性的波長的雷射光線，把與該分割預定線正交之剖面的形狀為V字形狀之一對雷射加工溝沿著該分割預定線形成在光元件晶圓的背面側；V溝形成步驟，係在實施了該雷射 加工溝形成步驟後，把在該一對雷射加工溝之間的領域所存在的光元件晶圓用切削刀片予以破碎去除，形成與該一對雷射加工溝的形狀對應之V字形狀的V溝；研磨步驟，係在實施了該V溝形成步驟後，研磨該V溝的內壁面；以及分割步驟，係在實施了該研磨步驟後，對光元件晶圓賦予外力而在該V溝與該分割預定線之間產生龜裂，把光元件晶圓沿著各分割預定線分割成一個一個的光元件晶片。
本發明中，在該V溝形成步驟中，較佳為實施逆銑法(up cut)，係在光元件晶圓與該切削刀片接觸的加工點，在從光元件晶圓的內部朝向背面的方向上旋轉該切削刀片。
而且，本發明中，在該研磨步驟，較佳為用末端的形狀對應到該V溝的V字形狀的切削刀片切削該V溝，來研磨該V溝的內壁面。
而且，本發明中，在實施該雷射加工溝形成步驟之前，較佳為更包含有導引改質層形成步驟，係把相對於光元件晶圓具有透過性的波長的雷射光線照射到光元件晶圓，在該分割步驟中沿著該分割預定線形成導引該龜裂的導引改質層。
在有關本發明的光元件晶片之製造方法中，把剖面的形狀為V字形狀的V溝沿著分割預定線形成在 光元件晶圓的背面側，從而把外力賦予到光元件晶圓分割成一個一個的光元件晶片的緣故，完成後的光元件晶片的背面側的側面，係相對於包含在表面側所形成的發光層之光元件為傾斜。
經此，例如，從表面側取出光的光元件晶片中，從光元件晶片的表面側變得容易取出射出到光元件的背面側(基板側)的光。亦即，抑制降低了在射出到光元件的背面側後在光元件晶片的內部衰減的光的比例，可以提高光元件晶片的光取出效率。
而且，在有關本發明的光元件晶片之製造方法中，研磨成為光元件晶片的背面側的側面之V溝的內壁面的緣故，可以更提高光元件晶片的光取出效率。
11‧‧‧光元件晶圓
11a‧‧‧表面
11b‧‧‧背面
11c‧‧‧領域
13‧‧‧光元件
15‧‧‧切割用膠帶
17‧‧‧框
19‧‧‧雷射加工溝
19a‧‧‧第1雷射加工溝
19b‧‧‧第2雷射加工溝
21‧‧‧V溝
23‧‧‧保護條帶
25‧‧‧龜裂
27‧‧‧導引改質層
L1、L2‧‧‧雷射光線
2‧‧‧雷射加工裝置
4‧‧‧雷射加工單元
6‧‧‧攝影機
8‧‧‧切削裝置
10‧‧‧切削單元
12‧‧‧心軸
14‧‧‧切削刀片
16‧‧‧切削裝置
18‧‧‧切削單元
20‧‧‧心軸
22‧‧‧切削刀片
24‧‧‧分斷裝置
26、28‧‧‧支撐刃
30‧‧‧按壓刃
32‧‧‧噴砂裝置
34‧‧‧噴嘴
36‧‧‧研磨材
38‧‧‧雷射加工裝置
40‧‧‧雷射加工單元
〔圖1〕為示意性表示雷射加工溝形成步驟之立體圖。
〔圖2〕圖2(A)為示意性表示第1雷射加工溝形成步驟之一部分剖面側視圖；圖2(B)為示意性表示第2雷射加工溝形成步驟之一部分剖面側視圖；圖2(C)為放大一對雷射加工溝之剖視圖。
〔圖3〕為示意性表示V溝形成步驟之一部分剖面側視圖。
〔圖4〕為示意性表示研磨步驟之一部分剖面側視 圖。
〔圖5〕為示意性表示分割步驟之一部分剖面側視圖。
〔圖6〕為示意性表示有關變形例的研磨步驟之一部分剖面側視圖。
〔圖7〕為示意性表示導引改質層形成步驟之一部分剖面側視圖。
參閱附圖，說明有關本發明的實施方式。有關本實施方式的光元件晶片之製造方法，係包含：雷射加工溝形成步驟(參閱圖1、圖2(A)、圖2(B)、及圖2(C))、V溝形成步驟(參閱圖3)、研磨步驟(參閱圖4)、及分割步驟(參閱圖5)。
在雷射加工溝形成步驟，照射相對於光元件晶圓具有吸收性的波長的雷射光線後，把沿著分割預定線之一對雷射加工溝形成在光元件晶圓的背面側。在該雷射加工溝形成步驟中，一對雷射加工溝，係被形成為與分割預定線正交之剖面的形狀為V字形狀者。
在V溝形成步驟，用切削刀片把存在於一對雷射加工溝之間的光元件晶圓予以破碎並去除，形成對應到一對雷射加工溝的形狀的V字形狀的V溝。在研磨步驟，研磨在V溝形成步驟所形成的V溝的內壁面。
在分割步驟，賦予外力到光元件晶圓在V溝 與分割預定線之間使龜裂產生，把光元件晶圓沿著各分割預定線分割成複數個光元件晶片。以下，就有關本實施方式的光元件晶片之製造方法，詳述之。
首先，實施把剖面的形狀為V字形狀之一對雷射加工溝形成在光元件晶圓的背面側之雷射加工溝形成步驟。圖1為示意性表示雷射加工溝形成步驟之立體圖。如圖1所表示，有關本實施方式的光元件晶圓11，例如，為藉由形成為圓盤狀的藍寶石、SiC等之基板所構成者。
光元件晶圓11的表面(下表面)11a側，係用相互地交叉之複數條分割預定線(切割道)區劃成複數個領域，於各領域，形成作為發光二極體(LED)或雷射二極體(LD)之光元件13。各光元件13，係包含用磊晶成長等的方法所形成的發光層。
在光元件晶圓11的表面11a側，貼著比起光元件晶圓11為更大徑的切割用膠帶15。切割用膠帶15的外周圍部分，被固定到環狀的框17。亦即，光元件晶圓11，係介隔著切割用膠帶15被支撐在框17。
在有關本實施方式的雷射加工溝形成步驟中，照射雷射光線到上述的光元件晶圓11的背面(上表面)11b側，形成剖面的形狀為V字形狀之一對雷射加工溝。該雷射加工溝形成步驟，係例如，用圖1表示的雷射加工裝置2來實施。
雷射加工裝置2，具備保持光元件晶圓11之 夾盤床臺(未圖示)。該夾盤床臺，係與馬達等的旋轉驅動源連結，繞與垂直方向(Z軸方向)平行的旋轉軸旋轉。而且，在夾盤床臺的下方，設有移動機構，夾盤床臺係藉由該移動機構移動在水平方向(X軸方向、Y軸方向)。
夾盤床臺的上表面，係作為介隔著切割用膠帶15保持光元件晶圓11的表面11a側之保持面。在該保持面，通過被形成在夾盤床臺的內部的流路作用有吸引源的負壓，產生吸引光元件晶圓11的吸引力。在夾盤床臺的周圍，設有握持環狀的框17之複數個夾鉗(未圖示)。
在夾盤床臺的上方，配置雷射加工單元4。在與雷射加工單元4鄰接的位置，設置用於拍攝光元件晶圓11之攝影機6。
雷射加工單元4，係把用雷射振盪器(未圖示)而被脈衝振盪的雷射光線L1予以聚光後，照射到夾盤床臺上的光元件晶圓11。雷射振盪器，係被構成為可以振盪出對光元件晶圓11較易被吸收的波長(具有吸收性的波長)的雷射光線L1。
而且，在雷射加工單元4的下部，設有反射雷射光線L1的鏡片(未圖示)。利用該鏡片，可以相對於光元件晶圓11的背面11b傾斜雷射光線L1。
在有關本實施方式的雷射加工溝形成步驟中，首先，把光元件晶圓11及切割用膠帶15載置到夾盤 床臺，使得以介隔著切割用膠帶15讓光元件晶圓11的表面11a與夾盤床臺的保持面相對面。
接著，用夾鉗固定環狀的框17，使吸引源的負壓作用到保持面。經此，光元件晶圓11，係在背面11b側露出到上方的狀態下，被保持到夾盤床臺。
在用夾盤床臺保持了光元件晶圓11後，實施形成傾斜的第1雷射加工溝之第1雷射加工溝形成步驟。圖2(A)為示意性表示第1雷射加工溝形成步驟之一部分剖面側視圖。
在第1雷射加工溝形成步驟中，首先，使夾盤床臺移動、旋轉，把雷射加工單元4位置到加工開始位置(例如，成為加工對象之分割預定線的端部)。
接著，一邊從雷射加工單元4朝向光元件晶圓11的背面11b照射雷射光線L1，一邊使夾盤床臺移動在與加工對象的分割預定線為平行的方向(在圖2(A)為X軸方向)。在此，雷射光線L1，係以相對於光元件晶圓11的背面11b為傾斜的狀態(斜斜地)做照射。
更具體方面，如圖2(A)所表示，在與加工對象的分割預定線正交的剖面內，把雷射光線L1從垂直方向(相對於背面11b為垂直的方向)做傾斜。經此，使光元件晶圓11的背面11b側沿著加工對象的分割預定線做燒蝕，可以形成相對於背面11b而傾斜的第1雷射加工溝19a。
反覆上述的程序，例如，一旦沿著全部的分 割預定線形成第1雷射加工溝19a的話，就結束第1雷射加工溝形成步驟。尚且，在該第1雷射加工溝形成步驟中，也可以形成僅對任意選擇的分割預定線形成第1雷射加工溝19a。
在實施了第1雷射加工溝形成步驟後，實施第2雷射加工溝形成步驟，係形成在與第1雷射加工溝19a為相反的方向做傾斜的第2雷射加工溝。圖2(B)為示意性表示第2雷射加工溝形成步驟之一部分剖面側視圖。
第2雷射加工溝形成步驟之基本的程序，係與第1雷射加工溝形成步驟相同。但是，在第2雷射加工溝形成步驟，在傾斜在相對於光元件晶圓11的背面11b與第1雷射加工溝形成步驟為相反的方向上的狀態(斜斜地)，照射雷射光線L1。
更具體方面，如圖2(B)所表示，在與加工對象的分割預定線正交的剖面內，把雷射光線L1從垂直方向(相對於背面11b為垂直的方向)傾斜到與第1雷射加工溝形成步驟為相反的方向。經此，使光元件晶圓11的背面11b側沿著加工對象的分割預定線做燒蝕，可以形成相對於背面11b傾斜到與第1雷射加工溝19a相反的方向之第2雷射加工溝19b。
反覆上述的程序，例如，一旦在沿著形成了第1雷射加工溝19a之全部的分割預定線形成第2雷射加工溝19b的話，就結束第2雷射加工溝形成步驟。
圖2(C)為放大了第1雷射加工溝19a及第2雷射加工溝19b(一對雷射加工溝19)之剖視圖。如圖2(C)表示，第1雷射加工溝19a及第2雷射加工溝19b，係被形成為與分割預定線正交之剖面的形狀為V字形狀者。
第1雷射加工溝19a及第2雷射加工溝19b的深度為任意，例如，為光元件晶圓11的厚度的一半左右者為佳。而且，在包挾著第1雷射加工溝19a與第2雷射加工溝19b之領域11c，殘存有光元件晶圓11的一部分。
尚且，在本實施方式，把第1雷射加工溝19a及第2雷射加工溝19b，形成下端相互不接觸的樣態。但是，也可以調整雷射光線L1的功率或點徑等，使第1雷射加工溝19a及第2雷射加工溝19b的下端接觸。
在實施了雷射加工溝形成步驟後，實施V溝形成步驟，係用切削刀片把存在於一對雷射加工溝19之間的領域11c之光元件晶圓11予以破碎並去除，形成對應到一對雷射加工溝19的形狀的V字形狀的V溝。圖3為示意性表示V溝形成步驟之一部分剖面側視圖。
V溝形成步驟，係例如，用圖3表示的切削裝置8來實施。切削裝置8，具備保持光元件晶圓11之夾盤床臺(未圖示)。該夾盤床臺，係與馬達等的旋轉驅動源連結，繞與垂直方向平行的旋轉軸旋轉。而且，在夾盤床臺的下方，設有加工進給機構，夾盤床臺係藉由該加工 進給機構移動在加工進給方向。
夾盤床臺的上表面，係作為介隔著切割用膠帶15保持光元件晶圓11的表面11a側之保持面。在該保持面，通過被形成在夾盤床臺的內部的流路作用有吸引源的負壓，產生吸引光元件晶圓11的吸引力。在夾盤床臺的周圍，設有握持環狀的框17之複數個夾鉗(未圖示)。
在夾盤床臺的上方，配置切削光元件晶圓11之切削單元10。切削單元10，具備：被支撐成可旋轉的心軸12；以及被安裝到心軸12之其中一端側之切削刀片14。在心軸12之另一端側連結馬達等的旋轉驅動源(未圖示)，被安裝到心軸12的切削刀片14，係以該旋轉驅動源的旋轉力做旋轉。
切削刀片14，係構成為可以適切加工光元件晶圓11。例如，在光元件晶圓11的主成分為藍寶石的情況下，作為切削刀片14，可以使用#400~#1000的金屬燒結刀片。
切削單元10，係藉由升降機構(未圖示)被支撐，移動(升降)在垂直方向。而且，在升降機構的下方，設有分度進給機構(未圖示)；切削單元10利用該分度進給機構移動在分度進給方向。
在V溝形成步驟中，首先，把光元件晶圓11及切割用膠帶15載置到夾盤床臺，使得以介隔著切割用膠帶15讓光元件晶圓11的表面11a與夾盤床臺的保持面 相對面。
接著，用夾鉗固定環狀的框17，使吸引源的負壓作用到保持面。經此，光元件晶圓11，係在背面11b側露出到上方的狀態下，被保持到夾盤床臺。
接著，使夾盤床臺移動、旋轉，把切削刀片14位置到加工開始位置(例如，成為加工對象的領域11c的端部)。接著，一邊把旋轉的切削刀片14的下端(末端)切入到成為加工對象的領域11c，使夾盤床臺移動(加工進給)在與成為加工對象的領域11c對應的方向(在圖3為方向D1)。
經此、用切削刀片14把於一對雷射加工溝19之間的領域11c所存在的光元件晶圓11予以破碎並去除，可以形成與一對雷射加工溝19的形狀對應之V字形狀的V溝21。
V溝21，係被形成有對應到一對雷射加工溝19的深度。例如，若把一對雷射加工溝19的深度做成光元件晶圓11的厚度的一半左右的話，V溝21的深度也是光元件晶圓11的厚度的一半左右。
尚且，在該V溝形成步驟中，使切削刀片14，在光元件晶圓11與切削刀片14接觸的加工點，從光元件晶圓11的內部朝向背面11b的方向旋轉(逆銑法)者為佳。經此，可以把存在於領域11c的光元件晶圓11予以確實去除，形成V溝21。反覆上述程序，一旦沿著形成一對雷射加工溝19之全部的分割預定線來形成V溝 21的話，就結束V溝形成步驟。
在實施了V溝形成步驟後，實施研磨V溝的內壁面之研磨步驟。圖4為示意性表示研磨步驟之一部分剖面側視圖。研磨步驟，係例如，用圖4表示的切削裝置16來實施。切削裝置16之基本的構成，係與在V溝形成步驟使用的切削裝置8同樣。
亦即，切削裝置16，具備保持光元件晶圓11之夾盤床臺(未圖示)。在夾盤床臺的上方，配置切削光元件晶圓11之切削單元18。切削單元18，具備：被支撐成可旋轉的心軸20；以及被安裝到心軸20之其中一端側之切削刀片22。
切削刀片22，係構成為可以適切研磨光元件晶圓11。例如，在光元件晶圓11的主成分為藍寶石的情況下，作為切削刀片22，可以使用#800~#3000的金屬燒結刀片、陶瓷刀片(vitrified bond blade)、電鑄刀片等。
而且，切削刀片22的末端，係如圖4所表示，形成與V溝對應之V字形狀。以把該切削刀片22稍稍切入到V溝21，使夾盤床臺移動(加工進給)在與成為加工對象的V溝21對應的方向(在圖4為方向D2)的方式，可以切削V溝21並研磨內壁面。
尚且，在本實施方式中，是使切削刀片22，在加工點從光元件晶圓11的背面11b朝向內部的方向旋轉(順銑法)；但也可以使切削刀片22，從內部朝向背 面11b的方向旋轉(逆銑法)。反覆上述的程序，一旦全部的V溝21的內壁面都被研磨的話，就結束研磨步驟。
在實施了研磨步驟後，實施分割步驟，係對光元件晶圓11賦予外力，以分割成複數個光元件晶片。圖5為示意性表示分割步驟之一部分剖面側視圖。
分割步驟，係例如，用圖5表示的分斷裝置24來實施。分斷裝置24具備：支撐光元件晶圓11之一對支撐刃26、28，以及配置在支撐刃26、28的上方之按壓刃30。按壓刃30，係位置在支撐刃26與支撐刃28之間，利用按壓機構(未圖示)移動(升降)在垂直方向。
在分割製程中，首先，讓表面11a側位置在上方那般，把光元件晶圓11載置到支撐刃26、28上。尚且，在光元件晶圓11的背面11b側，預先貼著保護條帶23。
接著，使光元件晶圓11相對於支撐刃26、28移動，在支撐刃26與支撐刃28之間位置有V溝21。亦即，如圖5所表示，使V溝21移動在按壓刃30的正下處。
之後，使按壓刃30下降，從背面11b側用按壓刃30按壓光元件晶圓11。光元件晶圓11，係藉由支撐刃26、28，從下方支撐V溝21的兩側。為此，用按壓刃30按壓光元件晶圓11的話，在V溝21的附近施加有下方向的彎曲應力，在表面11a的分割預定線與背面11b側的V溝21之間產生龜裂25。
如此，以在沿著分割預定線所形成的V溝21的附近施加彎曲應力的方式，可以使龜裂25產生而分割光元件晶圓11。一旦沿著形成V溝21之全部的分割預定線分割光元件晶圓11，形成與各光元件13對應之複數個光元件晶片的話，結束分割步驟。
如以上，在有關本實施方式的光元件晶片之製造方法中，把剖面的形狀為V字形狀的V溝21沿著分割預定線形成在光元件晶圓11的背面11b側，從而把外力賦予到光元件晶圓11分割成一個一個的光元件晶片的緣故，完成後的光元件晶片的背面側的側面(V溝21的內壁面)，係相對於包含在表面側所形成的發光層之光元件13為傾斜。
經此，例如，從表面側取出光的光元件晶片中，從光元件晶片的表面側變得容易取出射出到光元件13的背面側(基板側)的光。亦即，抑制降低了在射出到光元件13的背面側(基板側)後在光元件晶片的內部衰減的光的比例，可以提高光元件晶片的光取出效率。
而且，在有關本發明的光元件晶片之製造方法中，研磨成為光元件晶片的背面側的側面之V溝21的內壁面的緣故，可以更提高光元件晶片的光取出效率。
尚且，本發明不限定於上述實施方式的記載，可以做種種變更而實施。例如，在上述實施方式中，是用切削刀片22研磨V溝21，但也可以在本發明的研磨步驟，適用噴砂(珠擊)等的方法。圖6為示意性表示有 關變形例的研磨步驟之一部分剖面側視圖。
有關變形例的研磨步驟，係例如，用圖6表示的噴砂裝置32來實施。如圖6所表示，噴砂裝置32具備噴嘴34。以從該噴嘴34噴出研磨材36的方式，可以與上述實施方式的研磨步驟同樣，研磨V溝21的內壁面。
而且，也可以在形成一對雷射加工溝19到光元件晶圓11之前，形成用於導引龜裂25的導引改質層。圖7為示意性表示導引改質層形成步驟之一部分剖面側視圖。
導引改質層形成步驟，係例如，用圖7表示的雷射加工裝置38來實施。雷射加工裝置38之基本的構成，係與在雷射加工溝形成步驟使用的雷射加工裝置2同樣。
亦即，雷射加工裝置38具備雷射加工單元40，係把用雷射振盪器(未圖示)脈衝振盪過的雷射光線L2予以聚光後，照射到夾盤床臺上的光元件晶圓11。但是，雷射加工裝置38的雷射振盪器，係構成可以振盪出難以被光元件晶圓11吸收的波長(具有透過性的波長)的雷射光線L2。
在導引改質層形成步驟中，首先，使保持了光元件晶圓11的夾盤床臺移動、旋轉，把雷射加工單元40位置到加工開始位置(例如，成為加工對象的分割預定線的端部)。
接著，從雷射加工單元40朝向光元件晶圓11的背面11b一邊照射雷射光線L2，一邊使夾盤床臺移動在與加工對象的分割預定線為平行的方向。在此，使雷射光線L2聚光在表面11a的分割預定線與成為V溝21的底的領域之間。
經此，沿著加工對象的分割預定線，在分割預定線與成為V溝21的底部的領域之間，可以形成由多光子吸收所致之導引改質層27。一旦沿著形成V溝21之預定全部的分割預定線形成導引改質層27的話，就結束導引改質層形成步驟。
若是形成上述般的導引改質層27的話，在分割步驟中可以適切導引龜裂25的緣故，可以防止光元件晶圓的分割不良。其他有關上述實施方式的構成、方法等，在不逸脫本發明的目的範圍之下，可以適宜變更實施。

Claims (4)

  1. 一種光元件晶片之製造方法，係把形成有在用被設定在表面且相互地交叉之複數條分割預定線所區劃出的各領域分別包含有發光層的光元件之光元件晶圓，沿著該分割預定線分割而製造出複數個光元件晶片；其特徵為包含：雷射加工溝形成步驟，係對光元件晶圓的背面斜斜地照射相對於光元件晶圓具有吸收性的波長的雷射光線，把與該分割預定線正交之剖面的形狀為V字形狀之一對雷射加工溝沿著該分割預定線形成在光元件晶圓的背面側；V溝形成步驟，係在實施了該雷射加工溝形成步驟後，把在該一對雷射加工溝之間的領域所存在的光元件晶圓用切削刀片予以破碎去除，形成與該一對雷射加工溝的形狀對應之V字形狀的V溝；研磨步驟，係在實施了該V溝形成步驟後，研磨該V溝的內壁面；以及分割步驟，係在實施了該研磨步驟後，對光元件晶圓賦予外力而在該V溝與該分割預定線之間產生龜裂，把光元件晶圓沿著各分割預定線分割成一個一個的光元件晶片。
  2. 如請求項1之光元件晶片之製造方法，其中，在該V溝形成步驟中，實施逆銑法，係在光元件晶圓與該切削刀片接觸的加工點，在從光元件晶圓的內部朝向背面的方向上旋轉該切削刀片。
  3. 如請求項1或是請求項2之光元件晶片之製造方法，其中，在該研磨步驟中，用末端的形狀對應到該V溝的V字形狀的切削刀片切削該V溝，來研磨該V溝的內壁面。
  4. 如請求項1或是請求項2之光元件晶片之製造方法，其中，在實施該雷射加工溝形成步驟之前，更包含有導引改質層形成步驟，係把相對於光元件晶圓具有透過性的波長的雷射光線照射到光元件晶圓，在該分割步驟中沿著該分割預定線形成導引該龜裂的導引改質層。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6894692B2 (ja) * 2016-11-18 2021-06-30 株式会社ディスコ ガラス板の分割方法及び板状ワークの分割方法
JP6870974B2 (ja) * 2016-12-08 2021-05-12 株式会社ディスコ 被加工物の分割方法
JP6814646B2 (ja) * 2017-01-23 2021-01-20 株式会社ディスコ 光デバイスウェーハの加工方法
JP6824582B2 (ja) * 2017-04-04 2021-02-03 株式会社ディスコ 加工方法
JP6970554B2 (ja) * 2017-08-21 2021-11-24 株式会社ディスコ 加工方法
JP7093210B2 (ja) * 2018-03-28 2022-06-29 株式会社ディスコ 板状物の加工方法
DE102018003675A1 (de) * 2018-05-04 2019-11-07 Siltectra Gmbh Verfahren zum Abtrennen von Festkörperschichten von Kompositstrukturen aus SiC und einer metallischen Beschichtung oder elektrischen Bauteilen
JP7098238B2 (ja) * 2018-08-10 2022-07-11 株式会社ディスコ 光デバイスウェーハの加工方法
CN109397056A (zh) * 2018-12-21 2019-03-01 沈阳仪表科学研究院有限公司 一种晶圆芯片的切割方法及其划片机
CN114599161A (zh) * 2020-11-11 2022-06-07 惠州市炬能量电子科技有限公司 一种新型灯条板加工方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200719431A (en) * 2005-11-10 2007-05-16 Renesas Tech Corp Making method for semiconductor device and semiconductor device the same
TW201217134A (en) * 2010-09-30 2012-05-01 Disco Corp Sapphire wafer dividing method
TW201245067A (en) * 2011-03-29 2012-11-16 Seiko Instr Inc Cutting method for bonded glass, manufacturing method for package, package, piezoelectric vibrator, oscillator, electronic machine and radio clock
TW201301557A (zh) * 2011-06-17 2013-01-01 Univ Nat Cheng Kung 發光元件結構及其製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10305420A (ja) 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
JP3715627B2 (ja) * 2002-01-29 2005-11-09 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
KR100550847B1 (ko) 2003-06-25 2006-02-10 삼성전기주식회사 질화 갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조 방법
JP2005064231A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の分割方法
JP4590174B2 (ja) 2003-09-11 2010-12-01 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP4408361B2 (ja) * 2003-09-26 2010-02-03 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP2007318168A (ja) * 2004-01-26 2007-12-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP4938998B2 (ja) 2004-06-07 2012-05-23 富士通株式会社 基板及び積層体の切断方法、並びに積層体の製造方法
JP4857838B2 (ja) * 2006-03-22 2012-01-18 パナソニック株式会社 発光素子の製造方法
JP2008130886A (ja) * 2006-11-22 2008-06-05 Casio Comput Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP5312761B2 (ja) * 2007-08-09 2013-10-09 浜松ホトニクス株式会社 切断用加工方法
JP2009124077A (ja) * 2007-11-19 2009-06-04 Denso Corp 半導体チップ及びその製造方法
CN102130253B (zh) * 2011-01-27 2012-12-26 广东银雨芯片半导体有限公司 一种高出光效率的led晶片及其制造方法
JP2012238746A (ja) * 2011-05-12 2012-12-06 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの分割方法
CN102779912A (zh) * 2012-07-09 2012-11-14 厦门飞德利照明科技有限公司 一种白光发光二极管的结构及其制造方法
JP5995563B2 (ja) * 2012-07-11 2016-09-21 株式会社ディスコ 光デバイスの加工方法
JP6013858B2 (ja) * 2012-10-01 2016-10-25 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2014093445A (ja) * 2012-11-05 2014-05-19 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの加工方法
JP6103529B2 (ja) * 2013-05-21 2017-03-29 国立研究開発法人産業技術総合研究所 半導体材料の加工方法及びレーザ加工装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200719431A (en) * 2005-11-10 2007-05-16 Renesas Tech Corp Making method for semiconductor device and semiconductor device the same
TW201217134A (en) * 2010-09-30 2012-05-01 Disco Corp Sapphire wafer dividing method
TW201245067A (en) * 2011-03-29 2012-11-16 Seiko Instr Inc Cutting method for bonded glass, manufacturing method for package, package, piezoelectric vibrator, oscillator, electronic machine and radio clock
TW201301557A (zh) * 2011-06-17 2013-01-01 Univ Nat Cheng Kung 發光元件結構及其製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6407066B2 (ja) 2018-10-17
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