KR100550847B1 - 질화 갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 웨이퍼상에서의 발광다이오드 칩사이의 절단선을 경사지게 형성함으로서 제조된 발광다이오드 후면의 측면에 소정 경사각을 형성하여 반사효과를 높히고 공융(eutectic) 본딩을 용이하게 하기 위한 질화 갈륨계 발광다이오드의 제조 방법에 관한 것으로서, 래핑된 발광다이오드 웨이퍼의 후면 절단 부분에 레이저 가공기술을 이용하여 경사각을 갖는 홈을 형성한 상태에서, 그 위에 반사층, 배리어층, 본딩층을 형성한 후, 상기 절단 부분에 위치한 반사층, 배리어층, 본딩층을 제거하여 절단선을 표시함으로서, LED의 발광효율을 크게 개선하고, 스크라이빙 공정에서의 다이아몬드 팁의 소모량을 줄여 비용을 절감시키고 칩의 파손을 방지할 수 있다.

발광 다이오드, 스크라이빙, 레이저 가공, 리프트 오프, 포토레지스터, 절단선

Description

질화 갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조 방법{Method for manufacturing GaN LED}

도 1은 질화 갈륨계 발광 다이오드의 기본 구조를 보인 단면도이다.

도 2는 본 발명에 의하여 제조된 질화 갈륨계 발광 다이오드의 기본 구조를 도시한 단면도이다.

도 3a 내지 도 3e는 본 발명에 의한 질화 갈륨계 발광 다이오드를 각 제조단계별로 나타낸 단면도이다.

도 4는 웨이퍼상태에서의 본 발명에 의한 질화 갈륨계 발광다이오드의 하면을 도시한 모식도이다.

도 5는 본 발명에 의한 질화 갈륨계 발광 다이오드를 본딩한 상태를 나타낸 모식도이다.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

21 : 사파이어 기판 23 : 발광구조물

25~27 : 전극 28 : 반사층

29 : 배리어(barrier)층 30 : 본딩층

31 : LED 웨이퍼 32 : 홈

32a : 경사면 33 : 절단 라인(scribing line)

본 발명은 질화 갈륨계(GaN) 발광다이오드의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 사파이어기판의 측면에 소정 경사면이 형성되도록 함으로서, 반사효과를 높혀 휘도특성을 개선시키면서 공융 본딩을 용이하게 할 수 있는 질화 갈륨계 발광다이오드의 제조 방법에 관한 것이다.

일반적으로, 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 전자와 홀의 재결합을 기초로 발광하는 반도체소자로서, 광통신, 전자기기 등에서 광원으로 널리 사용되는 소자이다.

이런 발광 다이오드에서 발광되는 광의 주파수(혹은 파장)는 반도체소자에 사용되는 재료의 밴드 갭 함수로서, 작은 밴드 갭을 갖는 반도체 재료를 사용하는 경우 낮은 에너지와 긴 파장의 광자가 발생되고, 넓은 밴드 갭을 갖는 반도체 재료를 사용하는 경우 짧은 파장의 광자가 발생된다. 따라서, 발광하고자 하는 빛의 종류에 따라서 소자의 반도체 재료가 선택된다.

예를 들어, 적색 발광 다이오드의 경우 AlGaInP 물질을 사용하고, 청색 발광다이오드의 경우 실리콘 카바이드(SiC)와 Ⅲ족 질화물계 반도체(특히, 갈륨 나이트라이드(GaN))를 사용한다.

그 중에서, 질화 갈륨(GaN)계 발광다이오드는 GaN의 벌크 단결정체를 형성할 수 없기 때문에, GaN 결정의 성장에 적합한 기판을 따로 사용하여야 하며, 대표적으로 사용되는 기판은 사파이어(알루미늄 옥사이드(Al₂O₃)이다.

이러한 질화 갈륨계 발광 다이오드의 기본 구조는 도 1과 같다. 도 1에 도시된 바와 같이, GaN 발광 다이오드(10)는 기본적으로 사파이어 기판(11)과 상기 사파이어 기판(11) 상에 형성되는 GaN계 발광구조물(13)과, 상기 GaN 발광구조물(13)에 형성되는 N-전극(15), T-전극(16) 및 B-전극(17)으로 이루어진다.

상기에서 발광구조물(13)은 사파이어 기판(11) 상에 순차적으로 형성된 n형 GaN 클래드층(13a)과, 다중 양자 우물 (multi-quantum well) 구조의 활성층(13b)과, p형 GaN 클래드층(13c)으로 구성된다.

이러한 GaN 발광구조물(13)은 유기 금속 화학 증착법(Metal Organic Chemical vapor deposition, MOCVD) 등과 같은 공정을 이용하여 성장될 수 있다. 이때, 상기 GaN 발광구조물(13)에서 n형 GaN 클래드층(13a)를 성장하기 전에 사파이어 기판(11)과의 격자 정합을 향상시키기 위하여, AlN/GaN 으로 이루어진 버퍼층(미도시)을 형성할 수 도 있다.

그리고, 상기 GaN 발광구조물(13)에서 p형 GaN 클래드층(13c)과 활성층(13b)를 에칭하여 n형 GaN 클래드층(13a)의 일부 상면을 노출시킨다.

상기 노출된 n형 GaN 클래드층(13a)의 상면과 에칭되지 않은 p형 GaN 클래드층(13c)의 상면에 각각 소정의 전압을 인가하기 위한 N-전극(15)과 B-전극(17)을 형성하며, 이때, 전류 주입 면적을 증가시키면서 광의 휘도 특성을 저하시키지 않기 위해서, 상기 p형 GaN 클래드층(13c)의 상면에 B-전극(15)을 형성하기 전에 도전성을 갖는 투명물질로 T-전극(16)(투명 전극 : transparent electrode)을 형성한다.

이러한 GaN 발광다이오드(10)는 간단하게 상기 N,B-전극(15,17)과 리드프레임을 와이어 본딩(wire bonding) 기술로 접촉시켜 이용할 수 도 있고, 상기 발광다이오드(10) 칩의 N,B-전극(15,17)에 마이크로범퍼를 형성한 후, 플립-칩(flip-chip) 본딩 기술을 적용하여 Si 기판에 접속시킬 수 도 있다.

그런데, 상기 전자의 방식은 발광 방향이 도 1의 구조에서 상부 방향이 되 며, 하부 방향으로 발광되는 빛을 반사시켜 상부를 향하도록 함으로서 휘도특성을 개선시키기 위하여 사파이어기판(11)의 하부면에 반사층을 형성하여야 한다.

그런데, 상기와 같이 사파이어기판(11)의 후면에 반사층을 형성하는 경우, 칩 장착을 위한 후면에 메탈을 증착한 후 스크라이빙 공정시 정렬(align)문제, 스크라이빙을 위한 다이아몬드 팁(diamond tip)의 소모량이 커지는 문제, 칩이 파소되는 문제 등이 발생된다.

이러한 문제를 해결하고자 종래에는 상기 도 1과 같은 구조로 형성되는 발광다이오드의 후면에 메탈을 증착하고, 그 다음 스크라이빙 공정을 수행토록 하거나, 발광 다이오드의 후면에 메탈을 증착할 때 스틸 마스크(steel mask)을 사용하는 방법이 제안되었다.

그러나, 이러한 종래의 방법은, 제조 공정이 복잡하며 제조비의 상당 부분을 차지하는 다이아몬드 팁의 소모량이 상당히 크다는 문제점이 있다. 또한, 종래의 방법은 고신뢰성을 위하여 연구되고 있는 리드프레임상에 칩을 공융 본딩(eutectic bonding)에 의해 장착하는데 필요한 본딩층 형성이 어렵다는 문제점이 있다.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 그 목 적은 사파이어 기판의 측면에 소정의 경사면을 형성하여 반사효과를 높힐 수 있는 질화 갈륨계 발광다이오드의 제조 방법을 제공하는 것이다.

또한, 본 발명의 다른 목적은 사파이어 기판의 측면에 소정의 경사각을 형성함으로서 공융(eutectic) 본딩이 용이해지는 질화 갈륨계 발광다이오드의 제조 방법을 제공하는 것이다.

더하여, 본 발명의 또 다른 목적은 웨이퍼 상태에서의 사파이어기판의 후면에 소정 경사각을 갖는 절단홈을 형성후 포토공정 및 증착을 통해 필요영역에만 메탈증착을 형성함으로서 스크라이빙 공정시의 다이아몬드칩 소모량을 줄일 수 있는 질화 갈륨계 발광다이오드의 제조 방법을 제공하는 것이다.

상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 구성수단으로서, 본 발명은 사파이어 기판 상에 발광구조물 및 전극을 형성하여 LED 웨이퍼를 만드는 웨이퍼 형성 단계; 상기 LED 웨이퍼의 후면을 래핑하는 래핑 단계; 상기 래핑된 LED 웨이퍼의 후면상의 절단위치에 레이저가공기술로 경사각을 갖는 홈을 형성하는 레이저 가공 단계; 및 상기 레이저 가공된 LED 웨이퍼의 후면상에 반사층, 배리어층, 본딩층을 순차적으로 형성하는 후면 메탈 형성 단계를 포함하고, 상기 레이저 가공 단계에서 형성된 경사각을 갖는 홈을 절단선으로 이용하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조 방법을 제공한다.

또한, 상술한 본 발명에 의한 질화 갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조 방법은 상기 상기 후면 메탈 형성 단계에서 패터닝을 통해 절단위치에는 메탈증착을 실시하지 않음으로서, 절단선을 표시할 수 도 있다.

또한, 본 발명은 사파이어 기판 상에 발광구조물 및 전극을 형성하여 LED 웨이퍼를 만드는 웨이퍼 형성 단계; 상기 LED 웨이퍼의 후면을 래핑하는 래핑 단계; 상기 래핑된 LED 웨이퍼의 후면상의 절단위치에 레이저가공기술로 경사각을 갖는 홈을 형성하는 레이저 가공 단계; 상기 LED 웨이퍼의 후면의 각 절단위치에 포토레지스터를 통해 패턴을 형성하는 단계; 상기 패터닝된 LED 웨이퍼의 후면상에 반사층, 배리어층, 본딩층을 순차적으로 증착한 후, 포로레지스터를 리프트-오프하는 절단선 형성 단계로 이루어진 질화 갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조 방법을 제공한다.

더하여, 상기 본 발명의 질화 갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조 방법에 있어서, 상기 레이저 가공 단계는 바람직하게는 상기 LED 웨이퍼의 절단위치를 기준으로 하여, 양 방향으로 각각 소정 기울기로 소정 파워의 빔을 조사하여 '∧'형태의 경사각 α를 갖는 홈을 형성할 수 있다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 의한 질화 갈륨계 발광다이오드이 제조 방법에 대하여 설명한다.

도 2는 본 발명에 의하여 제조된 최종 단계의 GaN 발광다이오드 칩의 단면도를 나타낸 것으로서, 이를 참조하면, 본 발명에 의하여 제조된 GaN 발광다이오드(20)는 일반적인 발광다이오드의 구조와 같이 사파이어 기판(21)과 상기 사파이어 기판(21) 상에 형성되는 GaN계 발광구조물(23)과, 상기 GaN 발광구조물(23)에 형성되는 N-전극(25), T-전극(26), B-전극(27)를 포함하며, 더불어, 상기 사파이어 기판(21)의 하부 모서리에 소정 기울기의 경사면이 형성되고, 그 하부에 반사층(28)과 배리어층(29)과 본딩층(30)이 순차적으로 형성된다. 또한, 상기 반사층(28)과 배리어층(29)과 본딩층(30)이 증착되지 않은 절단선(A)이 형성된다.

상기 발광다이오드는 상기 후면의 본딩층(30)을 패키지의 리드프레임상에 공융 본딩기술에 의하여 직접 실장할 수 있다.

그리고, 상기 N-전극(25) 및 B-전극(27)을 통해 발광다이오드(20)로 전류를 공급하면, 상기 발광구조물(23)의 활성층(23b)이 활성화되어 빛이 형성되며, 이때, 전극(25,27)이 형성된 방향으로 발광된 빛은 그대로 방출되며, 이와 반대로 사파이어기판(21) 방향으로 발광된 빛은 사파이어 기판(21) 하면에 형성된 반사층(28)에 반사되어 반대방향을 향하게 된다. 더하여, 사이드(side) 방향으로 발광된 빛중 사 파이어 기판(21)의 측부 경사면에 도달된 빛은 상기 경사면에 형성된 반사층에 반사된다. 따라서, 상기 발광구조물(23)에서 발생된 빛의 대부분이 전극(25,26)의 형성 방향(도면상에서 상향)으로 방출되며, 결과적으로 휘도 특성이 향상될 수 있다.

이러한 본 발명의 GaN 발광다이오드에 대한 제조 공정을 도 3a 내지 도 3e에 보인 단계별 공정도를 참조하여 상세하게 설명한다.

사파이어기판(21) 상에 n형 GaN 클래드층, 활성층, p형 GaN 클래드층 순으로 발광구조물(23)을 성장시킨 후, 상기 발광구조물(23)의 소정 영역을 활성층까지 에칭하고, 그 에칭된 부분의 n형 GaN 클래드층과 p형 GaN 클래드층 상에 각각 전극을 형성하여 다수개의 발광다이오드가 집적된 LED 웨이퍼(31)를 생성한다.

본 발명은 상기 LED 웨이퍼(31)의 후면에 절단선을 형성하는 방법에 특징이 있는 것으로서, 상기 LED 웨이퍼를 형성하는 공정은 상술한 방법외에 다른 방법으로 이루어질 수 도 있다.

이상과 같이 LED 웨이퍼(31)가 마련되면, 상기 LED 웨이퍼(31)의 후면, 즉 사파이어 기판(21)의 후면을 평평하게 래핑(lapping)한 후, 상기 래핑된 LED 웨이퍼(31)의 후면(즉, 사파이어기판(21)의 후면)의 각 발광다이오드 소자 사이의 절단 위치에 소정 기울기 및 깊이를 갖는 단면이 삼각형상인 홈을 형성한다.

즉, 상기 래핑된 웨이퍼(31)의 후면의 각 발광다이오드 사이, 절단부분을 기준으로 소정 기울기로 레이저를 조사함으로서, 각각의 발광다이오드 소자의 후면 모서리에 소정 각도의 경사를 갖는 홈(32)을 형성하는 것이다.

먼저, 도 3a에 도시된 바와 같이, LED 웨이퍼(31)의 후면의 각 발광다이오드 소자 사이의 절단부에 대응하는 기준선(P)를 왼쪽으로 각도 α만큼 기울어진 방향에서 소정 파워의 레이저 빔을 조사하고, 다음으로, 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 기준선(P)를 기준으로 오른쪽으로 각도 α만큼 기울어진 방향에서 앞서와 동일한 파워의 레이저 빔을 조사하여, '∧' 형태의 경사각을 갖는 홈(32)을 형성한다. 이때, 상기 홈(32)에 의해 형성된 사파이어기판(21)의 경사면(32a)의 기울기를 y/x 라 하면, 상기 방법에 의해 제조된 발광다이오드의 휘도특성은 상기 경사면(32a)의 기울기 y/x에 따라서 달라질 수 있으며, 이러한 경사면(32a)의 기울기와 소자의 특성과의 관계는 다음에 시뮬레이션 결과를 통해 설명한다.

그리고, 다음 단계로서, 상기 홈(32)이 형성된 LED 웨이퍼(31) 후면에 메탈 증착을 수행하여, 도 3c에 도시한 바와 같이 반사층(28), 배리어층(29), 본딩층(30)을 순차적으로 형성한다.

이때, 상기 반사층(28)은 Ag, Al, Pd, Rh 및 그 합금으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 형성되고, 상기 배리어층(29)는 Ti, W, Cr, Pt, Ni 및 그 합금으 로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 형성되며, 상기 본딩층(30)은 Au, Sn, In 및 그 합금으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진다.

더하여, 상기 반사층(28), 배리어층(29) 및 본딩층(30)은 각각 웨이퍼(31)의 후면을 따라 균일한 두께로 형성되므로, 증착 후의 웨이퍼(31)의 후면은 '∧' 형태로 오목하게 파인 부분이 나타난다.

그 다음, 도 3d에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼(31)의 투명한 특성과, 포토레지스터(PR)의 투명한 특성을 이용하여 상기 반사층(28), 배리어층(29), 본딩층(30)이 증착할 부분을 패터닝(patterning)하여 절단선(33)을 형성한다. 상기 절단선(33)은 LED 웨이퍼(31)의 후면의 절단위치에 나타나며, '∧'형태의 홈(32) 중앙에 위치한다.

도 4는 상기 도 3d에 보인 공정의 완료후의 발광다이오드 웨이퍼의 하면을 도시한 것으로서, 다수의 발광다이오드 칩 사이에 오목한 형태의 절단선(33)이 형성된다.

이어서, 상기와 같이 형성된 절단선(33)을 따라서 웨이퍼(31)를 절단하여, 도 2와 같이 사파이어기판(21)의 모서리부분에 경사면(32a)이 형성된 발광다이오드 소자(20)를 최종적으로 만든다.

즉, 상기의 레이저 공정 및 메탈 증착을 통하여 절단선(33)을 형성할 수 있으며, 이렇게 형성된 절단선(33)에서의 웨이퍼 두께는 감소되어, 이후 웨이퍼(31)를 다수의 발광다이오드로 절단하는 공정에서의 다이아몬드팁 소모량을 줄일 수 있게 한다.

상기와 같이 형성된 절단선(33)을 따라 절단되어 이루어진 하나의 발광다이오드는 앞서 보인 도 2에 도시된 바와 같으며, 이렇게 제조된 발광다이오드(20)는 그 하면에 형성된 본딩층(30)과 기판의 본딩물질이 공융(eutectic)되어 본딩되며, 본딩상태는 도 3e와 같이 나타난다.

상술한 바와 같이 제조된 발광다이오드(20)는 종래의 단순히 후면에만 반사막이나 본딩층을 증착하던 것과 비교하여, 측면으로 발광된 빛까지 반사시켜 모을 수 있게 됨으로서, 보다 높은 휘도를 얻을 수 있게 된다.

이러한 반사특성의 향상 효과는 시뮬레이션 결과로부터 더 명확하게 알 수 있다.

도 4는 본 발명에 의한 발광 다이오드 소자의 본딩된 상태를 나타난 모식도로서, 이때, 상기 발광다이오드의 폭은 347㎛이고, 높이는 80㎛라 한다. 그리고, 공융된 본딩재의 두께는 약 20㎛이다. 이러한 조건의 발광다이오드에서 측면의 경 사면의 기울기(y/x)를 조정하면서 각각의 경우에서 발생된 광속(luminous flux) 및 광도(luminous intensity)를 측정하였으며, 그 결과는 다음의 표 1과 같이 나타났다. 아래 표 1의 시뮬레이션 결과에서, 홈(32)의 깊이 y는 발광다이오드의 총 높이의 1/2인 40㎛로 동일하게 설정한다.

조건	Farfield receiver			Plane receiver
	광속(lumen)	광도(cad)	증가율(%)	광속(lumen)	광도(cad)	증가율(%)
1	0.12288	0.00978	100%	0.03038	212365	100%
2	0.15129	0.01204	123%	0.06008	519713	245%
3	0.16912	0.01346	135%	0.06933	599733	282%
4	0.16627	0.01323	138%	0.07368	637384	300%
5	0.18552	0.01476	151%	0.09084	785778	370%
6	0.19546	0.01555	159%	0.10208	883026	416%

상기 표 1의 측정데이타는 상술한 각각의 조건에 해당하는 LED 칩을 Ag 페스트(paste)를 이용하여 평평한(flate) 리드프레임에 다이 본딩한 상태에서의 시뮬레이션 결과값으로서, 여기서 조건 1은 x=0, y=0으로 기울기(y/x)를 0로 하고, 백 메탈(back metal), 즉, 반사층을 형성하지 않은 경우이고, 조건 2는 기울기(y/x)가 0인 상태에서, 반사층을 형성한 경우이고, 조건 3은 x=20㎛, y=40㎛로서 기울기(y/x)가 2이면서 반사층을 형성한 경우이고, 조건 4는 x=40㎛, y=㎛40로서 기울기(y/x)가 1 이면서 반사층을 형성한 경우이고, 조건 5는 x=60㎛, y=㎛40로서 기울기(y/x)가 2/3이면서 반사층을 형성한 경우이고, 조건 6은 x=80㎛, y=㎛40로서 기울기(y/x)가 1/2이면서 반사층을 형성한 경우로서,

상기 조건별 측정된 광속 및 광도를 비교해보면, 종래와 같이 경사면을 형성하지 않으면서 반사층도 형성하지 않은 조건 1에서의 휘도특성을 100%라고 할 때, 경사면이 형성되지 않고 후면에 반사층만 형성한 경우, 휘도특성은 대략 2배정도 상승하였으며, 여기에 더하여, 경사면을 형성하고 반사층까지 형성한 경우, 그 경사면의 기울기에 반비례하여, 최대 4배까지 증가되었음을 알 수 있다.

더하여, 본 발명에 의한 발광다이오드 제조 방법은 반사, 배리어, 본딩용 메탈의 증착시 래핑된 LED 웨이퍼와 포토레지스터의 투명한 특성을 이용하여 메탈을 증착할 부분을 패터닝함으로서, 원하는 부분에만 메탈의 증착을 할 수 있으며, 또한 이를 통하여 절단 라인의 형성이 가능하게 된다.

또한, 본 발명에 의한 발광다이오드 제조 방법은 상기와 같이 반사층(28)과 본딩층(30)을 동시에 증착함으로서 제조된 LED 칩을 패키지에 실장시 리드프레임에 직접 공융 본딩 방법으로 접속하는 것이 가능하게 된다.

예를 들어 설명하면, Ag나 Au같은 물질이 덮여있는 리드프레임상에 상기 도 2의 발광다이오드(20)를 올려놓은 후 소정 온도로 가열하면서, 칩을 수평으로 진동되게 하면 본딩층(30)과 리드프레임의 Ag 또는 Au의 공융점에서 두 물질 사이의 합금이 균일하게 접착되어지게 되는 것이다.

이때, 상기 본딩층(30)은 공융점에서의 접속이 이루어지도록 얇은 중간 경납 물질(Au+Si)로 형성할 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 의한 GaN 발광다이오드 제조 방법은 발광다이오드 소자의 휘도특성을 높힐 수 있으며, 레이저 가공 및 리프트-오프 공정을 통하여 절단선을 형성함으로서, 제조비에서 큰 부분을 차지하는 다이아몬드 팁의 소모량을 줄여 제조단가를 낮출 수 있는 우수한 효과가 있다.

더하여, 공융 본딩을 통해 리드프레임상에 발광다이오드 소자를 직접 실장하는 것이 용이해진다.

Claims (7)

1. 사파이어 기판 상에 발광구조물 및 전극을 형성하여 LED 웨이퍼를 만드는 웨이퍼 형성 단계;

   상기 LED 웨이퍼의 후면을 래핑하는 래핑 단계;

   상기 래핑된 LED 웨이퍼의 후면상의 절단위치를 기준으로 하여 절단 라인보다 넓은 영역에 레이저가공기술로 경사각을 갖는 홈을 형성하는 레이저 가공 단계; 및

   상기 레이저 가공된 LED 웨이퍼의 후면상에 반사층, 배리어층, 본딩층을 순차적으로 형성하면서, 패터닝을 통해 상기 레이저 가공 단계에서 홈으로 형성된 절단위치를 노출시키는 후면 메탈 형성 단계;

   를 포함하고, 상기 레이저 가공 단계에서 형성된 경사각을 갖는 홈을 절단선으로 이용하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조 방법.
2. 제 1 항에 있어서, 레이저 가공 단계는

   상기 LED 웨이퍼의 절단위치를 기준으로 하여, 양 방향으로 각각 소정 각도 α만큼 기울여 소정 파워의 빔을 조사하여 '∧'형태의 홈을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조 방법.
3. 삭제
4. 제 1 항에 있어서, 상기 방법은

   상기 형성된 절단선을 따라 LED 웨이퍼를 절단하여, 각 발광다이오드 칩을 형성하는 단계; 및

   상기 발광다이오드 칩을 공융 본딩(eutectic bonding)을 통해 리드프레임상에 실장하는 단계

   를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조 방법.
5. 사파이어 기판 상에 발광구조물 및 전극을 형성하여 LED 웨이퍼를 만드는 웨이퍼 형성 단계;

   상기 LED 웨이퍼의 후면을 래핑하는 래핑 단계;

   상기 래핑된 LED 웨이퍼의 후면상의 절단위치를 기준으로 하여 절단 라인보다 넓은 영역에 레이저가공기술로 경사각을 갖는 홈을 형성하는 레이저 가공 단계;

   상기 LED 웨이퍼의 후면의 각 절단위치에 포토레지스터를 통해 패턴을 형성하는 단계;

   상기 패터닝된 LED 웨이퍼의 후면상에 반사층, 배리어층, 본딩층을 순차적으로 증착한 후, 포로레지스터를 리프트-오프하는 절단선 형성 단계

   를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조 방법.
6. 제 5 항에 있어서, 레이저 가공 단계는

   상기 LED 웨이퍼의 절단위치를 기준으로 하여, 양 방향으로 각각 소정 각도 α만큼 기울여 소정 파워의 빔을 조사하여 '∧'형태의 홈을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조 방법.
7. 제 5 항에 있어서, 상기 방법은

   상기 형성된 절단선을 따라 LED 웨이퍼를 절단하여, 각 발광다이오드 칩을 형성하는 단계; 및

   상기 발광다이오드 칩을 공융 본딩(eutectic bonding)을 통해 리드프레임상에 실장하는 단계

   를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조 방법.

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